CN106222754A - 一种工艺精湛的蓝宝石分离方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，将蓝宝石基片在真空条件下采用注入密度小于空气密度的轻气体离子，在真空条件下进行多级温度烘烤，结合化学腐蚀分离技术进行蓝宝石的分离；采用多种工艺交叉应用进行蓝宝石分离，通过使用密度小于空气密度的轻气体离子注入分离蓝宝石，并采用真空条件下进行烘烤的工艺，进行蓝宝石的多级烘烤，避免离子注入后在非真空条件下改变蓝宝石表体特征，进而能将蓝宝石分离为纳米到微米级别的薄层。

Description

一种工艺精湛的蓝宝石分离方法
技术领域
本发明涉及蓝宝石生产工艺技术领域，具体的说，是一种工艺精湛的蓝宝石分离方法。
背景技术
蓝宝石(Sapphire)，是刚玉宝石中除红宝石(Ruby)之外，其它颜色刚玉宝石的通称，主要成分是氧化铝（Al2O3）。蓝色的蓝宝石，是由于其中混有少量钛（Ti）和铁（Fe）杂质所致；蓝宝石的颜色，可以有粉红、黄、绿、白、甚至在同一颗石有多种颜色。蓝宝石的产地在泰国、斯里兰卡、马达加斯加、老挝、柬埔寨、中国山东昌乐，海南，重庆江津的石笋山均有发现，其中最稀有的产地应属于克什米尔地区的蓝宝石，而缅甸是现今出产上等蓝宝石最多的地方。
蓝宝石最大的特点是颜色不均，可见平行六方柱面排列的，深浅不同的平直色带和生长纹。聚片双晶发育，常见百叶窗式双晶纹。裂理多沿双晶面裂开。二色性强，世界不同产地的蓝宝石除上述共同的特点之外，亦因产地不同各具特色。上世纪80年代在中国东部沿海一带的玄武岩中，相继发现了许多蓝宝石矿床。
蓝宝石英文名称为Sapphire，源于拉丁文Spphins，意思是蓝色；属于刚玉族矿物，三方晶系。宝石界将红宝石之外的各色宝石级刚玉都称为蓝宝石。
刚玉中因含有铁（Fe）和钛（Ti）等微量元素，而呈现蓝、天蓝、淡蓝等颜色，其中以为浓而不黑的皇家蓝色和矢车菊色最好。
蓝宝石的矿物名称为刚玉，属刚玉族矿物。实际上自然界中的宝石级刚玉除红色的称红宝石外，其余各种颜色如蓝色、淡蓝色、绿色、黄色、灰色、无色等，均称为蓝宝石，或称为彩蓝宝石，即在蓝宝石前加上颜色名，如粉蓝宝石。蓝宝石的化学成分（Al2O3）,主要以Fe、Ti、致色。
蓝宝石的成分为氧化铝，因含微量元素钛（Ti4+）或铁（Fe2+）而呈蓝色。属三方晶系。晶体形态常呈筒状、短柱状、板状等，几何体多为粒状或致密块状。透明至半透明，玻璃光泽。折光率1.76-1.77，双折射率0.008，二色性强。非均质体。有时具有特殊的光学效应-星光效应。硬度为9，密度3.95-4.1克/立方厘米。无解理，裂理发育。在弧面型切磨，内部富含与底面平行并定向排列的三组包体时，可以产生美丽的六射星光时，被称为"星光蓝宝石"。
蓝宝石（Sapphire）和红宝石互为姐妹宝石，他们都属于刚玉矿物，是除了钻石以外地球上最硬的天然矿物，基本化学成份都为氧化铝。除星光效应外，只有半透明或透明且色彩鲜艳的刚玉才能称做宝石。红色并含铬元素的刚玉呈红色调，故被称为红宝石；蓝色的蓝宝石（Sapphire）则是因为含有了微量的钛和铁元素。事实上，除了红色的刚玉宝石，其他所有色调的刚玉在商业上被统称蓝宝石（Sapphire）。所以，蓝宝石（Sapphire）并不是仅指蓝色的刚玉宝石，它除了拥有完整的蓝色系列以外，还有着如同烟花落日般的黄色、粉红色、橙橘色及紫色等等，这些彩色系的蓝宝石（Sapphire）被统称做彩色蓝宝石（Sapphire）。
发明内容
本发明的目的在于设计出一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，采用多种工艺交叉应用进行蓝宝石分离，通过使用密度小于空气密度的轻气体离子注入分离蓝宝石，并采用真空条件下进行烘烤的工艺，进行蓝宝石的多级烘烤，避免离子注入后在非真空条件下改变蓝宝石表体特征，进而能将蓝宝石分离为纳米到微米级别的薄层。
本发明通过下述技术方案实现：一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，将蓝宝石基片在真空条件下采用注入密度小于空气密度的轻气体离子，在真空条件下进行多级温度烘烤，结合化学腐蚀分离技术进行蓝宝石的分离。
进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述蓝宝石分离方法包括以下具体步骤：
1）在真空室内，将蓝宝石基片置于基座上，保持蓝宝石基片温度为230~240℃；
2）将密度小于空气密度的轻气体离子注入蓝宝石基片；
3）真空室内温度自然冷却至室温后取出蓝宝石基片；
4）将蓝宝石基片进行清洗，并使清洗蓝宝石基片键合；
5）在真空度为0.08Mpa的真空条件下，以330~480℃烘烤蓝宝石基片，使蓝宝石基片在加热处理下于键合处基本分离；
6）在真空度为0.05Mpa的真空条件下，以1600~2000℃烘烤蓝宝石基片，使蓝宝石基片在高温下退火并加强表面强度，随后自然冷却；
7）对分离断裂处进行化学腐蚀，完全分离两个表面。
进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤2）中采用多级等离子源进行轻气体离子注入。
进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤2）中轻气体离子注入浓度为1011~1013 mol/L。
进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤2）中进行轻气体离子注入时，注入能量为500Kev～8Mev，注入剂量为3*1015~8*1017cm-2。
进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤2）中注入时离子束射入角度偏离蓝宝石基片法线8~12°。
进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤5）中，在进行蓝宝石基片烘烤时，温度由湿吻升至330~480℃的时间在60秒内，在330~480℃下持续烘烤时间为30~120秒。
进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤6）中，自步骤5）中330~480℃升温至1600~2000℃的时间为30~35分钟，在1600~2000℃下持续烘烤时间为3.5~4.5小时。
进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤7）中化学腐蚀为强酸腐蚀。
进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述轻气体离子为He离子或H离子或Ne离子。
本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
本发明采用多种工艺交叉应用进行蓝宝石分离，通过使用密度小于空气密度的轻气体离子注入分离蓝宝石，并采用真空条件下进行烘烤的工艺，进行蓝宝石的多级烘烤，避免离子注入后在非真空条件下改变蓝宝石表体特征，进而能将蓝宝石分离为纳米到微米级别的薄层。
本发明可以将蓝宝石单晶分离出纳米到微米级别的薄层，形成蓝宝石单晶薄膜，可以粘贴在其他的表面，即可利用蓝宝石的物理性能，达到需要的目的。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1：
一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，将蓝宝石基片在真空条件下采用注入密度小于空气密度的轻气体离子，在真空条件下进行多级温度烘烤，结合化学腐蚀分离技术进行蓝宝石的分离；采用多种工艺交叉应用进行蓝宝石分离，通过使用密度小于空气密度的轻气体离子注入分离蓝宝石，并采用真空条件下进行烘烤的工艺，进行蓝宝石的多级烘烤，避免离子注入后在非真空条件下改变蓝宝石表体特征，进而能将蓝宝石分离为纳米到微米级别的薄层。
实施例2：
本实施例是在上述实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述蓝宝石分离方法包括以下具体步骤：
1）在真空室内，将蓝宝石基片置于基座上，保持蓝宝石基片温度为230~240℃；
2）将密度小于空气密度的轻气体离子注入蓝宝石基片；
3）真空室内温度自然冷却至室温后取出蓝宝石基片；
4）将蓝宝石基片进行清洗，并使清洗蓝宝石基片键合；
5）在真空度为0.08Mpa的真空条件下，以330~480℃烘烤蓝宝石基片，使蓝宝石基片在加热处理下于键合处基本分离；
6）在真空度为0.05Mpa的真空条件下，以1600~2000℃烘烤蓝宝石基片，使蓝宝石基片在高温下退火并加强表面强度，随后自然冷却；
7）对分离断裂处进行化学腐蚀，完全分离两个表面。
实施例3：
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤2）中采用多级等离子源进行轻气体离子注入。
实施例4：
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤2）中轻气体离子注入浓度为1011~1013 mol/L。
实施例5：
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤2）中进行轻气体离子注入时，注入能量为500Kev～8Mev，注入剂量为3*1015~8*1017cm-2。
实施例6：
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤2）中注入时离子束射入角度偏离蓝宝石基片法线8~12°。
实施例7：
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤5）中，在进行蓝宝石基片烘烤时，温度由湿吻升至330~480℃的时间在60秒内，在330~480℃下持续烘烤时间为30~120秒。
实施例8：
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤6）中，自步骤5）中330~480℃升温至1600~2000℃的时间为30~35分钟，在1600~2000℃下持续烘烤时间为3.5~4.5小时。
实施例9：
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述步骤7）中化学腐蚀为强酸腐蚀。
实施例10：
本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式：所述轻气体离子为He离子或H离子或Ne离子。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明做任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，其特征在于：将蓝宝石基片在真空条件下采用注入密度小于空气密度的轻气体离子，在真空条件下进行多级温度烘烤，结合化学腐蚀分离技术进行蓝宝石的分离。
2.根据权利要求1所述的一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，其特征在于：所述蓝宝石分离方法包括以下具体步骤：
1)在真空室内，将蓝宝石基片置于基座上，保持蓝宝石基片温度为230～240℃；
2)将密度小于空气密度的轻气体离子注入蓝宝石基片；
3)真空室内温度自然冷却至室温后取出蓝宝石基片；
4)将蓝宝石基片进行清洗，并使清洗蓝宝石基片键合；
5)在真空度为0.08Mpa的真空条件下，以330～480℃烘烤蓝宝石基片，使蓝宝石基片在加热处理下于键合处基本分离；
6)在真空度为0.05Mpa的真空条件下，以1600～2000℃烘烤蓝宝石基片，使蓝宝石基片在高温下退火并加强表面强度，随后自然冷却；
7)对分离断裂处进行化学腐蚀，完全分离两个表面。
3.根据权利要求2所述的一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，其特征在于：所述步骤2)中采用多级等离子源进行轻气体离子注入。
4.根据权利要求2所述的一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，其特征在于：所述步骤2)中轻气体离子注入浓度为1011～1013mol/L。
5.根据权利要求2所述的一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，其特征在于：所述步骤2)中进行轻气体离子注入时，注入能量为500Kev～8Mev，注入剂量为3*1015～8*1017cm-2。
6.根据权利要求2所述的一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，其特征在于：所述步骤2)中注入时离子束射入角度偏离蓝宝石基片法线8～12°。
7.根据权利要求2-6任一项所述的一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，其特征在于：所述步骤5)中，在进行蓝宝石基片烘烤时，温度由湿吻升至330～480℃的时间在60秒内，在330～480℃下持续烘烤时间为30～120秒。
8.根据权利要求2-6任一项所述的一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，其特征在于：所述步骤6)中，自步骤5)中330～480℃升温至1600～2000℃的时间为30～35分钟，在1600～2000℃下持续烘烤时间为3.5～4.5小时。
9.根据权利要求2-6任一项所述的一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，其特征在于：所述步骤7)中化学腐蚀为强酸腐蚀。
10.根据权利要求1-6任一项所述的一种工艺精湛的蓝宝石分离方法，其特征在于：所述轻气体离子为He离子或H离子或Ne离子。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1291349A (zh) * 1998-02-17 2001-04-11 纽约市哥伦比亚大学托管会 单晶膜的晶体离子切割
CN1371434A (zh) * 1999-04-09 2002-09-25 纽约市哥伦比亚大学托管会 采用离子注入法切割单晶膜
CN1708843A (zh) * 2002-11-07 2005-12-14 S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 在共注入后在中等温度下分离薄膜的方法
CN102066624A (zh) * 2008-06-12 2011-05-18 韩国原子力研究院 制造颜色受控的蓝宝石的方法
CN103696022A (zh) * 2013-12-27 2014-04-02 贵州蓝科睿思技术研发中心 一种离子注入分离蓝宝石的方法
CN104145320A (zh) * 2013-02-12 2014-11-12 苹果公司 多步骤离子注入

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1291349A (zh) * 1998-02-17 2001-04-11 纽约市哥伦比亚大学托管会 单晶膜的晶体离子切割
CN1371434A (zh) * 1999-04-09 2002-09-25 纽约市哥伦比亚大学托管会 采用离子注入法切割单晶膜
CN1708843A (zh) * 2002-11-07 2005-12-14 S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 在共注入后在中等温度下分离薄膜的方法
CN102066624A (zh) * 2008-06-12 2011-05-18 韩国原子力研究院 制造颜色受控的蓝宝石的方法
CN104145320A (zh) * 2013-02-12 2014-11-12 苹果公司 多步骤离子注入
CN103696022A (zh) * 2013-12-27 2014-04-02 贵州蓝科睿思技术研发中心 一种离子注入分离蓝宝石的方法

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