CN106221592A - 抗pid封装胶膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及的一种抗PID封装胶膜，其特征在于它由以下份数的原料组成：EVA树脂 100份；交联剂0.4‑1.5份；增粘剂0.2‑0.5份；光稳定剂0.1‑0.3份；紫外光吸收剂0.1‑0.3份；抗PID助剂0.1‑1.0份；所述EVA树脂中VA含量为28%‑33%。本发明与传统太阳能封装胶膜相比，通过抗PID助剂中的丙烯酸酯类与交联剂中的过氧化物配合，产生与以往不同的交联网络结构；该结构能够带来更高的体积电阻率，从来改善组件中的PID现象。

Description

抗PID封装胶膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种抗PID封装胶膜及其制备方法，主要用于太阳能电池组件的封装。
背景技术
目前光伏行业业界对光伏组件的电位诱发衰减效应（PID，Potential InducedDegradation）的关注越来越多。PID的真正原因到目前为止虽然还没有明确的定论，但各个光伏电池组件厂和研究机构的数据表明，PID与电池、玻璃、胶膜、温度、湿度和电压有关。从组件而言，由于湿度是PID现象产生的因素之一，所以封装的方式也非常关键。选择合适的EVA变得非常关键。有文献指出提高EVA的体积电阻率能够减弱组件PID的产生，也给出了相关的数据给以支持。因此开发高性能抗PID的EVA胶膜产生了巨大的市场商机，抗PID胶膜预计也会成为后几年市场的主流产品。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种提高EVA的体积电阻率的抗PID封装胶膜及其制备方法。
本发明的目的是这样实现的：
一种抗PID封装胶膜，其特征在于它由以下份数的原料组成：
EVA树脂 100份
交联剂0.4-1.5份
增粘剂0.2-0.5份
光稳定剂0.1-0.3份
紫外光吸收剂0.1-0.3份
抗PID助剂0.1-1.0份
所述EVA树脂中VA含量为28%-33%，
所述交联剂为下列之一或其中几种的混合物：过氧化二异丙苯、过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯、2,5- 二甲基-2,5- 二（叔丁基过氧基）己炔、二叔丁基过氧化物、α,α- 双叔丁基过氧异丙基苯、 2,2- 二( 叔丁基过氧) 丁烷、叔丁基过氧新癸酸、1,1- 双( 叔丁基过氧基)-3,3,5- 三甲基环己烷，三烯丙基异三聚氰酸酯、三聚氰酸三烯丙酯；
所述增粘剂为下列之一或其中几种的混合物：r- 缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、 乙烯基三乙氧基硅烷、 γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三(2- 甲氧基乙氧基) 硅烷、3- 硫基丙基三甲氧基硅烷、N-(β- 氨乙基)-γ- 氨丙基三甲氧基硅烷 ；
所述光稳定剂为下列之一或两种的混合物：双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、聚丁二酸（4- 羟基-2,2,6,6- 四甲氧基-1- 哌啶乙醇）酯；
所述紫外光吸收剂为下列之一或其中几种的混合物：2-[2- 羟基-5-(1,1,3,3- 四甲丁基) 苯基] 苯并三唑、2-(2H- 苯并三唑-2- 基)-6- 十二烷基-4- 甲酚、2,2'- 亚甲基双(4- 叔辛基-6- 苯并三唑苯酚)、 2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、 2-(2'- 羟基-3'- 特丁基-5'- 甲基苯基)-5- 氯苯并三唑、2-(2- 羟基-5- 苯甲基) 苯并三唑、2- 羟基-4- 甲氧基二苯甲酮-5- 磺酸；
所述抗PID助剂为下列之一或其中几种的混合物：乙氧化季戊四醇三丙烯酸酯、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯。
一种抗PID封装胶膜的制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂加入液体态的助剂中，50-55℃混合60-70min后加入EVA树脂原料，混合30-35min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在82-88℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到抗PID封装胶膜。
作为一种优选，一种抗PID封装胶膜，它由以下份数的原料组成：
EVA树脂 100份，VA含量为28%
交联剂：0.7份过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯、0.4份三烯丙基异三聚氰酸酯
增粘剂：0.25 份γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷
光稳定剂：0.3份双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯
紫外光吸收剂：0.3 份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮
抗PID助剂： 0.3份乙氧化季戊四醇三丙烯酸酯、0.1份丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯；
其制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂加入液体态的助剂中，55℃混合63min后加入EVA树脂原料，混合35min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在88℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到抗PID封装胶膜。
作为一种优选，一种抗PID封装胶膜，它由以下份数的原料组成：
EVA树脂 100份，VA含量为33%
交联剂：0.2份过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯、0.2份2,5- 二甲基-2,5- 二（叔丁基过氧基）己炔
增粘剂：0.2 份γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷
光稳定剂：0.2份双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯
紫外光吸收剂：0.2 份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮
抗PID助剂： 0.2份丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、0.8份三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯；
其制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂加入液体态的助剂中，53℃混合60min后加入EVA树脂原料，混合30min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在86℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到抗PID封装胶膜。
作为一种优选，一种抗PID封装胶膜，它由以下份数的原料组成：
EVA树脂 100份，VA含量为31%
交联剂：0.4份过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯、0.7份2,5- 二甲基-2,5- 二（叔丁基过氧基）己炔、0.4份三烯丙基异三聚氰酸酯
增粘剂：0.5 份γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷
光稳定剂：0.1份双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯
紫外光吸收剂：0.1 份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮
抗PID助剂：0.1份乙氧化季戊四醇三丙烯酸酯；
其制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂加入液体态的助剂中，53℃混合62min后加入EVA树脂原料，混合30min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在85℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到抗PID封装胶膜。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明抗PID封装胶膜与传统太阳能封装胶膜相比，通过抗PID助剂中的丙烯酸酯类与交联剂中的过氧化物配合，产生与以往不同的交联网络结构；通过实验证明，该结构能够带来更高的体积电阻率，从来改善组件中的PID现象。
具体实施方式
本发明涉及的一种抗PID封装胶膜，它由以下份数的原料组成：
EVA树脂 100份
交联剂0.4-1.5份
增粘剂0.2-0.5份
光稳定剂0.1-0.3份
紫外光吸收剂0.1-0.3份
抗PID助剂0.1-1.0份
所述EVA树脂中VA（醋酸乙烯）含量为28%-33%，熔体流动速率为30g/10min（测试标准：190℃、负载2.16kg 条件下EVA 熔体每10min 通过标准口模的质量）。
所述交联剂为下列之一或其中几种（两种或两种以上）的混合物：过氧化二异丙苯、过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯、2,5- 二甲基-2,5- 二（叔丁基过氧基）己炔、二叔丁基过氧化物、α,α- 双叔丁基过氧异丙基苯、 2,2- 二( 叔丁基过氧) 丁烷、叔丁基过氧新癸酸、1,1- 双( 叔丁基过氧基)-3,3,5- 三甲基环己烷，三烯丙基异三聚氰酸酯、三聚氰酸三烯丙酯；
所述增粘剂为下列之一或其中几种（两种或两种以上）的混合物：r- 缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、 乙烯基三乙氧基硅烷、 γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三(2- 甲氧基乙氧基) 硅烷、3- 硫基丙基三甲氧基硅烷、N-(β- 氨乙基)-γ- 氨丙基三甲氧基硅烷 ；
所述光稳定剂为下列之一或两种的混合物：双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、聚丁二酸（4- 羟基-2,2,6,6- 四甲氧基-1- 哌啶乙醇）酯；
所述紫外光吸收剂为下列之一或其中几种（两种或两种以上）的混合物：2-[2- 羟基-5-(1,1,3,3- 四甲丁基) 苯基] 苯并三唑、2-(2H- 苯并三唑-2- 基)-6- 十二烷基-4- 甲酚、2,2'- 亚甲基双(4- 叔辛基-6- 苯并三唑苯酚)、 2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、 2-(2'- 羟基-3'- 特丁基-5'- 甲基苯基)-5- 氯苯并三唑、2-(2- 羟基-5- 苯甲基) 苯并三唑、2- 羟基-4- 甲氧基二苯甲酮-5- 磺酸；
所述抗PID助剂为下列之一或其中几种（两种或两种以上）的混合物：乙氧化季戊四醇三丙烯酸酯、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯；
其制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂（紫外光吸收剂、光稳定剂）加入液体态的助剂（交联剂、增粘剂、抗PID助剂）中，50-55℃混合60-70min后加入EVA树脂原料，混合30-35min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在82-88℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到抗PID封装胶膜。
本发明与传统太阳能封装胶膜相比，通过抗PID助剂中的丙烯酸酯类与交联剂中的过氧化物配合，产生与以往不同的交联网络结构；通过实验证明，该结构能够带来更高的体积电阻率，从来改善组件中的PID现象。
具体实施方案：
下面结合实施例子对本发明进行进一步描述，但本发明的保护范围不仅局限于此；
实施例1：
一种抗PID封装胶膜，它由以下质量份数的原料组成：
EVA树脂 100份，VA含量为28%
交联剂：0.7份过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯（Luperox TBEC）、0.7份三烯丙基异三聚氰酸酯（湖南民合 TAIC）
增粘剂：0.25 份γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷（Silquest® A-174 Silane）
光稳定剂：0.2 份双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯
紫外光吸收剂：0.2 份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮（台湾双键 BP-12）
其制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂加入液体态的助剂中，50℃混合60min后加入EVA树脂原料，混合30min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在82℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到厚度为0.5mm抗PID封装胶膜W1。
实施例2：
一种抗PID封装胶膜，它由以下份数的原料组成：
EVA树脂 100份，VA含量为28%
交联剂：0.4份过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯（Luperox TBEC）、0.3份2,5- 二甲基-2,5- 二（叔丁基过氧基）己炔（Trigonox 101 HP）、0.6份三烯丙基异三聚氰酸酯（湖南民合TAIC）
增粘剂：0.25 份γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷（Silquest® A-174 Silane）
光稳定剂：0.2份双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯
紫外光吸收剂：0.2 份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮（台湾双键 BP-12）
其制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂加入液体态的助剂中，52℃混合65min后加入EVA树脂原料，混合32min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在83℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到厚度为0.5mm抗PID封装胶膜W2。
实施例3：
一种抗PID封装胶膜，它由以下份数的原料组成：
EVA树脂 100份，VA含量为28%
交联剂：0.7份过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯（Luperox TBEC）、0.4份三烯丙基异三聚氰酸酯（湖南民合 TAIC）
增粘剂：0.25 份γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷（Silquest® A-174 Silane）
光稳定剂：0.3份双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯
紫外光吸收剂：0.3 份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮（台湾双键 BP-12）
抗PID助剂： 0.3份乙氧化季戊四醇三丙烯酸酯、0.1份丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯；
其制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂加入液体态的助剂中，55℃混合63min后加入EVA树脂原料，混合35min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在88℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到厚度为0.5mm抗PID封装胶膜W3。
实施例4：
一种抗PID封装胶膜，它由以下份数的原料组成：
EVA树脂 100份，VA含量为33%
交联剂：0.2份过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯（Luperox TBEC）、0.2份2,5- 二甲基-2,5- 二（叔丁基过氧基）己炔（Trigonox 101 HP）
增粘剂：0.2 份γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷（Silquest® A-174 Silane）
光稳定剂：0.2份双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯
紫外光吸收剂：0.2 份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮（台湾双键 BP-12）
抗PID助剂： 0.2份丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、0.8份三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯；
其制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂加入液体态的助剂中，53℃混合60min后加入EVA树脂原料，混合30min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在86℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到厚度为0.5mm抗PID封装胶膜W4。
实施例5：
一种抗PID封装胶膜，它由以下份数的原料组成：
EVA树脂 100份，VA含量为31%
交联剂：0.4份过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯（Luperox TBEC）、0.7份2,5- 二甲基-2,5- 二（叔丁基过氧基）己炔（Trigonox 101 HP）、0.4份三烯丙基异三聚氰酸酯（湖南民合TAIC）
增粘剂：0.5 份γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷（Silquest® A-174 Silane）
光稳定剂：0.1份双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯
紫外光吸收剂：0.1 份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮（台湾双键 BP-12）
抗PID助剂：0.1份乙氧化季戊四醇三丙烯酸酯；
其制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂加入液体态的助剂中，53℃混合62min后加入EVA树脂原料，混合30min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在85℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到厚度为0.5mm抗PID封装胶膜W5。
分别采用于实施例1-5制备出与封装胶膜W1、W2、W3、W4、W5 进行数据对比。
性能测试方案及结果：
（1）耐湿热老化性能
制样标准：分别裁取各种EVA胶膜2片，规格13cm*13cm；背板及玻璃切割成合适规格；按照玻璃/EVA/EVA/背板叠放，两层EVA花纹面相接；层压之后得到测试样品W1- W5，
将样品按GB/T 2423.3实验方法进行湿热老化测试
试验条件：85℃，85RH%，2000h
黄变指数（δYI）按GB2409-80《塑料黄色指数试验方法》进行测试; 测试结果见表1。
下表是实施例1-5中样品W1- W 5湿热老化黄变指数测试结果
经比较，测试结果表明双八五（即85℃，85RH%）老化2000h后样品W1-W5的黄变指数均低于行业标准。
2）紫外老化性能
样品制备方法同（1）
按照国际电工委员会标准IEC61345规定要求进行紫外辐照老化测试：测试条件：
试样表面温度60±5℃，试验时间2000h；波长为：280-400nm，辐照强度为1.5kwh/㎡
黄变指数（δYI）按GB2409-80《塑料黄色指数试验方法》进行测试。
下表是实施例1-5中W1- W5样品紫外老化黄变指数测试结果
经比较：测试结果表明紫外老化2000h后样品W1-5的黄变指数低于行业标准
3）体积电阻率
制样标准：分别裁取各种EVA胶膜2片，规格20cm*20cm；按照高温布/EVA/EVA/高温布叠放，两层EVA花纹面相接；层压之后得到测试样品，裁切成薄厚均匀的10cm*10cm的测试样品W1- W5，
将样品按照国标GB/T 1410-2006实验方法进行体积电阻率测试。
下表是实施例1-5中样品W1- W 5体积电阻率测试结果
经比较：添加抗PID助剂的后三种样品体积电阻率达到数量级上的提升。
4）PID性能测试
制样标准：将五种样品与制备成5块P60片组件，组件内部采用串联连接输出。
测试标准：5块P60片电池组件，进行PID测试：85%湿度，85%℃，-1000V的持续偏压，测试时间96h。
下表是实施例1-5中样品W1- W 5 PID测试搭配材料
材料 厂家 规格
电池片 盛康 4BB
EVA W1-W5 //
背板 赛伍 //
玻璃 泰德 1644*986mm
焊带 爱康 //
接线盒 佳明 JM828
下表是实施例1-5中样品W1- W 5 PID测试结果
对五种样品进行比较：在双85、-1000V、96h的测试条件下，W1、W2衰减功率均大于5%，未通过PID测试；而添加抗PID助剂的W3、W4、W5衰减功率均小于2%，具备优异的抗PID效果。

Claims (5)

1.一种抗PID封装胶膜，其特征在于它由以下份数的原料组成：
EVA树脂 100份
交联剂0.4-1.5份
增粘剂0.2-0.5份
光稳定剂0.1-0.3份
紫外光吸收剂0.1-0.3份
抗PID助剂0.1-1.0份
所述EVA树脂中VA含量为28%-33%，
所述交联剂为下列之一或其中几种的混合物：过氧化二异丙苯、过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯、2,5- 二甲基-2,5- 二（叔丁基过氧基）己炔、二叔丁基过氧化物、α,α- 双叔丁基过氧异丙基苯、 2,2- 二( 叔丁基过氧) 丁烷、叔丁基过氧新癸酸、1,1- 双( 叔丁基过氧基)-3,3,5- 三甲基环己烷，三烯丙基异三聚氰酸酯、三聚氰酸三烯丙酯；
所述增粘剂为下列之一或其中几种的混合物：r- 缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、 乙烯基三乙氧基硅烷、 γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三(2- 甲氧基乙氧基) 硅烷、3- 硫基丙基三甲氧基硅烷、N-(β- 氨乙基)-γ- 氨丙基三甲氧基硅烷 ；
所述光稳定剂为下列之一或两种的混合物：双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、聚丁二酸（4- 羟基-2,2,6,6- 四甲氧基-1- 哌啶乙醇）酯；
所述紫外光吸收剂为下列之一或其中几种的混合物：2-[2- 羟基-5-(1,1,3,3- 四甲丁基) 苯基] 苯并三唑、2-(2H- 苯并三唑-2- 基)-6- 十二烷基-4- 甲酚、2,2'- 亚甲基双(4- 叔辛基-6- 苯并三唑苯酚)、 2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、 2-(2'- 羟基-3'- 特丁基-5'- 甲基苯基)-5- 氯苯并三唑、2-(2- 羟基-5- 苯甲基) 苯并三唑、2- 羟基-4- 甲氧基二苯甲酮-5- 磺酸；
所述抗PID助剂为下列之一或其中几种的混合物：乙氧化季戊四醇三丙烯酸酯、丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯。
2.根据权利要求1所述的一种抗PID封装胶膜，其特征在于其制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂加入液体态的助剂中，50-55℃混合60-70min后加入EVA树脂原料，混合30-35min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在82-88℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到抗PID封装胶膜。
3.根据权利要求1所述的一种抗PID封装胶膜，其特征在于一种抗PID封装胶膜，它由以下份数的原料组成：
EVA树脂 100份，VA含量为28%
交联剂：0.7份过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯、0.4份三烯丙基异三聚氰酸酯
增粘剂：0.25 份γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷
光稳定剂：0.3份双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯
紫外光吸收剂：0.3 份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮
抗PID助剂： 0.3份乙氧化季戊四醇三丙烯酸酯、0.1份丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯；
其制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂加入液体态的助剂中，55℃混合63min后加入EVA树脂原料，混合35min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在88℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到抗PID封装胶膜。
4.根据权利要求1所述的一种抗PID封装胶膜，其特征在于一种抗PID封装胶膜，它由以下份数的原料组成：
EVA树脂 100份，VA含量为33%
交联剂：0.2份过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯、0.2份2,5- 二甲基-2,5- 二（叔丁基过氧基）己炔
增粘剂：0.2 份γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷
光稳定剂：0.2份双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯
紫外光吸收剂：0.2 份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮
抗PID助剂： 0.2份丙氧基化新戊二醇二丙烯酸酯、0.8份三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯；
其制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂加入液体态的助剂中，53℃混合60min后加入EVA树脂原料，混合30min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在86℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到抗PID封装胶膜。
5.根据权利要求1所述的一种抗PID封装胶膜，其特征在于一种抗PID封装胶膜，它由以下份数的原料组成：
EVA树脂 100份，VA含量为31%
交联剂：0.4份过氧-2- （乙基己基）碳酸叔丁酯、0.7份2,5- 二甲基-2,5- 二（叔丁基过氧基）己炔、0.4份三烯丙基异三聚氰酸酯
增粘剂：0.5 份γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷
光稳定剂：0.1份双(2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯
紫外光吸收剂：0.1 份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮
抗PID助剂：0.1份乙氧化季戊四醇三丙烯酸酯；
其制备方法为：
步骤一：按配比将粉体状的助剂加入液体态的助剂中，53℃混合62min后加入EVA树脂原料，混合30min ；
步骤二：将步骤一混合均匀的混合物加入到挤出机进行混炼塑化，挤出机的温度控制在85℃，挤出物经压花，冷却，牵引和收卷即得到抗PID封装胶膜。
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