CN106206946A - 一种有机场效应晶体管、其制备方法及应用 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种有机场效应晶体管、其制备方法及应用，所述有机场效应晶体管包括源电极、漏电极和栅电极，还包括基板、有机半导体层和有机绝缘层，其中，所述基板、源电极、有机半导体层和所述漏电极依次层叠结合，所述栅电极由多个彼此分离的栅电极单元构成，且每一栅电极单元由所述有机绝缘层包覆，并平行设置在所述有机半导体层中，且使得所述栅电极与所述源电极平行。该有机场效应晶体管的制备方法为在基板上制备源电极；在源电极上涂覆第一有机半导体层；在第一有机半导体层上涂覆第一有机绝缘层；在第一有机绝缘层上制备栅电极；在栅电极上制备第二有机绝缘层；刻蚀所述栅电极；涂覆第二有机半导体层；在第二有机半导体层上制备漏电极。

Description

一种有机场效应晶体管、其制备方法及应用

技术领域

本发明属于显示领域和传感领域，显示领域如液晶显示器、OLED显示器、电子纸阅读器等；传感领域如应力感应，红外感应，生物医疗感应等，尤其涉及一种有机场效应晶体管、其制备方法及应用。

背景技术

有机场效应晶体管(OTFT)作为有机电路的元器件，其性能对电路的性能起着决定性的作用。传统有机场效应晶体管因为受到有机半导体材料，以及绝缘材料的限制，在开电流、迁移率等方面远远落后于低温多晶硅晶体管(LTPS)，和金属氧化物晶体管(IGZO)。随着电子显示行业的迅速发展，OLED已经成为新的显示潮流，而驱动OLED则要求其驱动晶体管能够提供较大的开电流，现有的有机场效应晶体管很大程度地限制了有机场效晶体管的应用领域。

图1所示为传统OTFT的结构图，传统OTFT的水平沟道结构，受到加工工艺精度的影响,沟道长度较大(约为5um)从而导致OTFT体积较大(约为5um×20um),不利于制作高分辨(>300ppi)的显示驱动背板，并且电极有效注入面积小，不利于载流子的注入，从而限制了OTFT的开态电流。

为了改善上述不足，台湾国立交通大学提出了垂直沟道结构，如图2所示，分别源电极和漏电极平行设置于有机半导体层额上下方，将栅电极置于垂直沟道中间。但是，由于该结构中栅电极与有机半导体层材料直接接触，导致栅电极可将载流子注入有机半导体层中，导致使用该有机场效应晶体管的器件在漏电流和关态电流上的控制有明显的局限性。

提供一种各项性能参数较好、特别是开电流和迁移效率好的有机场效应晶体管，可以大大开拓有机场效应晶体管的应用领域，特别是在OLED和传感领域的应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种有机场效应晶体管，旨在解决现有有机场效应晶体管中，栅电极与有机半导体材料直接接触，导致栅电极将载流子注入有机半导体材料层中、使得有机场效应晶体管在漏电流和关态电流上的控制存在明显局限性的问题；同时解决传统顶栅或底栅导致的源电极与栅电极的载流子注入有效面积小、有机场效应晶体管的开电流小的问题。

本发明的另一目的在于提供一种有机场效应晶体管的制备方法。

以及，本发明的再一目的在于提供按上述方法制备的有机场效应晶体管在OLED领域和传感领域的应用。

本发明是这样实现的，一种有机场效应晶体管，包括源电极、漏电极和栅电极，还包括基板、有机半导体层和有机绝缘层，其中，所述基板、源电极、有机半导体层和所述漏电极依次层叠结合，所述栅电极由多个彼此分离的栅电极单元构成，且每一栅电极单元由所述有机绝缘层包覆，并平行设置在所述有机半导体层中，且使得所述栅电极与所述源电极平行。

以及，一种有机场效应晶体管的制备方法，包括下述步骤：

提供一载体基板；

在所述载体基板上制备源电极；

在所述源电极上涂覆有机半导体材料，形成第一有机半导体层，并对第一有机半导体层进行退火处理；

在所述第一有机半导体层上涂覆有机绝缘材料，形成第一有机绝缘层，并对第一有机绝缘层进行退火处理；

在所述第一有机绝缘层上制备多个彼此分离且平行的栅电极单元，形成栅电极；

在所述栅电极表面以及所述栅电极单元之间的第一有机绝缘层上涂覆有机绝缘材料，形成第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层与所述第一有机绝缘层实现对所述栅电极单元的包覆；

对所述栅电极单元之间的第二有机绝缘层、第一有机绝缘层、第一有机半导体层进行刻蚀，在所述栅电极单元之间形成空槽，未被刻蚀的所述第一有机绝缘层和第二有机绝缘层形成有机绝缘层，使得所述栅电极单元被所述有机绝缘层包覆；

向所述空槽内填充并在有机绝缘层表面涂覆有机半导体材料，形成第二有机半导体层；

在所述第二有机半导体层上制备漏电极。

本发明提供的有机场效应晶体管，具有以下优势：

首先，本发明提供的有机场效应晶体管，栅电极用绝缘层包裹，可以避免栅电极与有机半导体层的接触，使载流子不能从栅电极注入有机半导体材料中，从而使得有机场效应晶体管具有较好的漏电流抑制作用和良好的关态电流。进一步的，一方面，由于有机场效应晶体管的漏电流降低，使用该有机场效应晶体管的器件功耗相应减小,从而延长了器件的使用寿命，同时使得器件更加省电环保；另一方面，由于关态电流得到了较好的控制，可以避免关态电流过大时漏电流引发的错误信号，从而提高了使用该有机场效应晶体管的器件所发信号的准确性。

其次，将栅电极设置在有机场效应晶体管的中层，扩大了源电极与栅电极载流子注入的有效面积，显著提高了有机场效应晶体管的开电流，使有机场效应晶体管能应用于需要较大开电流的显示领域，如用于开电流＞10^-6A的OLED驱动矩阵之中。

再次，本发明有机场效应晶体管具有较小的沟道长度，使得有机场效应晶体管的体积相应减小，因此，使用该有机场效应晶体管更有利于制备具备高清、高分辨性能的器件。此外，由于沟道长度的下降，同等压力下，源电极与栅电极的载流子的驱动电场更强，有利于达到载流子的饱和迁移率，从而使得有机场效应晶体管有更高的迁移率，进而提高使用该有机场效应晶体管的显示设备的响应时间和刷新频率。

本发明提供的有机场效应晶体管的制备方法，制备有机场效应晶体管时采用有机绝缘层包裹栅电极的方式制备有机场效应晶体管，使得栅电极与有机半导体层不相接触，避免了载流子注入有机半导体层中，从而确保使用该有机场效应晶体管的器件有良好的漏电流抑制和关态电流；同时，通过将栅电极设置在有机场效应晶体管的中层，扩大了源电极与栅电极的载流子注入面积，显著提高了有机场效应晶体管的开电流。

附图说明

图1是现有技术提供的水平沟道结构有机场效应晶体管的结构示意图；

图2是现有技术提供的垂直沟道结构有机场效应晶体管的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的有机场效应晶体管制备方法的流程示意图；

图4是本发明实施例提供的有机场效应晶体管的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的在载体基板上制备源电极后的结构示意图；

图6是本发明实施例提供的在源电极上涂覆有机半导体材料形成第一有机半导体层的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的在第一有机半导体层上涂覆有机绝缘材料，形成第一有机绝缘层的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的在第一有机绝缘层上制备多个彼此分离且平行的栅电极单元，形成栅电极的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的在栅电极表面以及栅电极单元之间的第一有机绝缘层上涂覆有机绝缘材料，形成第二有机绝缘层的结构示意图；

图10是本发明实施例提供的栅电极单元之间的第二有机绝缘层、第一有机绝缘层、第一有机半导体层进行刻蚀后的结构示意图；

图11是本发明实施例提供的向空槽内填充并在有机绝缘层表面涂覆有机半导体材料形成第二有机半导体层的结构示意图；

图12是本发明实施例提供的在第二有机半导体层上制备漏电极的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供了一种有机场效应晶体管，如图3所示，包括源电极2、漏电极6和栅电极5，还包括基板1、有机半导体层3和有机绝缘层4，其中，所述基板1、源电极2、有机半导体层3和所述漏电极6依次层叠结合，所述栅电极5由多个彼此分离的栅电极单元构成，且每一栅电极单元由所述有机绝缘层4包覆，并平行设置在所述有机半导体层3中，且使得所述栅电极5与所述源电极2平行。

所述源电极2、漏电极6和栅电极5的材料不受限制，均可采用本领域常规的电极材料，如金、银、铜等金属材料中的至少一种。

所述基板1采用有机或无机材料的基板，优选为玻璃、PEN、PET、PI中的至少一种。

所述有机半导体层3的材料可选用高共轭有机小分子或高分子材料，具体优选但不限于P3HT(3-己基噻吩的聚合物)、Tips-Pentecene(高性能并五苯有机物)、DPP衍生物(吡咯并吡咯二酮)中的至少一种，所述有机半导体层3优选材料的迁移率、功函数、电阻率等，对器件的整体性能—如：器件的开关电流、电流开关比、器件的迁移率、启动电压、稳定性等等，影响显著。

所述有机绝缘材料4可选用但不限于Sytop、AF2004、1,2-二(三氯甲硅烷基)乙烷、聚苯乙烯中的至少一种，所述有机绝缘层4优选材料的介电常数、击穿电压等，对器件的迁移率、漏电流、启动电压等等影响较大。该优选的有机场效应晶体管，由有机材料制成，应用于制备OLED的驱动矩阵时，可实现完全有机材料的有机矩阵，从而实现完全柔性的、可折叠的OLED显示器。

本发明实施例中，所述栅电极5由多个彼此分离的栅电极单元构成，栅电极单元的个数不受限制，可以根据实际情况采用两个或两个以上的栅电极单元组成栅电极5。所述每一栅电极单元均由所述有机绝缘层4包覆，其包覆方式不受限制，例如可以采用将所述栅电极单元进行完全包覆的方式，也可采用将所述栅电极单元的上下表面和两侧进行包覆、两端裸露的方式，只要使得所述栅电极5与所述有机半导体层3互不接触即可。将所述有机绝缘层4包覆的栅电极5设置在所述有机半导体层3中，其设置的位置，以所述栅电极5处于所述有机半导体层3之中为宜，以有别于传统的顶栅和底栅，优选将所述栅电极5设置在所述有机半导体层3的中层。

作为一个优选实施例，有机场效应晶体管中所述有机半导体层3的厚度为0.2-5μm，进一步优选为0.2-2μm，更进一步优选为0.5-1μm。本发明实施例有机场效应晶体管的沟通长度取决于有机半导体层3的厚度。本发明实施例通过调节有机半导体层3的厚度减小沟通长度，相比传统OTFT通用沟道长度(5-100m)大大降低，从而减小了器件的体积、提高器件的性能。

作为另一个优选实施例，所述有机绝缘层4的厚度为0.2-1μm。合适的有机绝缘层厚度可决定器件的驱动电压和栅极电压等，进而决定器件的可靠性。当所述有机绝缘层4厚度过薄时(如：<100nm)，导致所述有机绝缘层4孔洞增多，从而影响稳定性，同时击穿电压降低在较高的电压下出现击穿烧灼现象；当所述有机绝缘层4过厚时，电场强度下降，导致驱动电压和栅极电压升高，不利于器件的正常工作。因此，精确的控制所述有机绝缘层4的膜厚至关重要。

除此以外，所述有机绝缘层4、所述有机半导体层3各层之间的界面形态也可决定器件的性能。

本发明实施例提供的有机场效应晶体管，具有以下优势：

首先，本发明提供的有机场效应晶体管，栅电极用绝缘层包裹，可以避免栅电极与有机半导体层的接触，使载流子不能从栅电极注入有机半导体材料中，从而使得有机场效应晶体管具有较好的漏电流抑制作用和良好的关态电流。进一步的，一方面，由于有机场效应晶体管的漏电流降低，使用该有机场效应晶体管的器件功耗相应减小,从而延长了器件的使用寿命，同时使得器件更加省电环保；另一方面，由于关态电流得到了较好的控制，可以避免关态电流过大时漏电流引发的错误信号，从而提高了使用该有机场效应晶体管的器件所发信号的准确性。

其次，将栅电极设置在有机场效应晶体管的中层，扩大了源电极与栅电极载流子注入的有效面积，显著提高了有机场效应晶体管的开电流，使有机场效应晶体管能应用于需要较大开电流的显示领域，如用于开电流＞10^-6A的OLED驱动矩阵之中。

再次，本发明有机场效应晶体管具有较小的沟道长度，使得有机场效应晶体管的体积相应减小，因此，使用该有机场效应晶体管更有利于制备具备高清、高分辨性能的器件。此外，由于沟道长度的下降，同等压力下，源电极与栅电极的载流子的驱动电场更强，有利于达到载流子的饱和迁移率，从而使得有机场效应晶体管有更高的迁移率，进而提高使用该有机场效应晶体管的显示设备的响应时间和刷新频率。

结合附图5-12，本发明实施例还提供了一种有机场效应晶体管的制备方法，包括下述步骤，其流程示意图见附图4所示：

S01.提供一载体基板1；

具体的，本实施例中，所述载体基板1为柔性载体基板，可为有机材料PEN、PET、PI中的一种。

S02.在所述载体基板1上制备源电极2，如附图5所示；

本发明实施例步骤S02中，在所述载体基板1上制备源电极2可采用电镀的方式实现，所述源电极2的材料可选用金、银、铜金属中的一种，但不限于上述金属。

作为优选实施例，在形成源电极2后，还包括对所述源电极2进行表面改性处理。作为优选实施例，对所述源电极进行表面改性处理的方法为：将带有给电子基团、或拉电子基团的有机物溶入有机溶剂中，配置成质量浓度为8-12％的溶液，将所述溶液涂覆于所述源电极表面后进行退火处理。通过使用带有给电子基团、或拉电子基团的有机物与金属电极结合，得到表面改性的源电极，从而调节金属电极的功函数。进一步的，所述电子基团、或拉电子基团的有机物优选为五氟苯硫酚、四氟苯硫酚中的至少一种；所述有机溶剂优选但不限于异丙醇；所述退火处理的方法为，在90-110℃条件下退火处理55-65秒。作为具体优选实施例，将五氟苯硫酚溶入异丙醇，配制成10％左右浓度的溶液，涂覆于电极表面，静置1分钟，使五氟苯硫酚与电极充分结合后，用异丙醇冲洗残余溶剂，最后在100℃下退火1分钟左右。本发明具体优选实施例中，使用所述五氟苯硫酚来对所述源电极2进行表面改性处理，所述五氟苯硫酚分子通过硫原子与金属原子的结合并附着于所述金属电极的表面，同时，所述五氟苯硫酚分子中的氟原子为拉电子基团，可成功将所述金属电极中的电子拉向五氟苯硫酚，从而降低了所述金属电极的功函数。反之亦然，可以通过给带有电子基团的有机分子提高金属电极的功函数。对所述源电极2进行改性后，所述金属电极的功函数得到降低，从而使之更好的与有机半导体材料的HOMO相匹配，可降低空穴的注入能阻，进而降低器件的启动电压。

S03.在所述源电极2上涂覆有机半导体材料，形成第一有机半导体层3’，并对第一有机半导体层3’进行退火处理；

如图6所示，本发明实施例在所述源电极2上涂覆有机半导体材料后形成第一有机半导体层3’，具体的，所述在源电极2上涂覆有机半导体材料的方法可采用本领域内的常规方法，优选采用旋涂、滚涂、刮涂、转印、喷墨打印的方法实现。作为优选实施例，所述退火处理中，退火温度为100-120℃，退火时间为1-2分钟。

进一步的，所述有机半导体材料优先选用P3HT(3-己基噻吩的聚合物)、Tips-Pentecene(高性能并五苯有机物)、DPP衍生物(吡咯并吡咯二酮)等中的至少一种。

S04.在所述第一有机半导体层3’上涂覆有机绝缘材料，形成第一有机绝缘层4’，并对第一有机绝缘层4’进行退火处理；

如图7所示，在所述第一有机半导体层3’上涂覆有机绝缘材料后形成第一有机绝缘层4’，具体的，所述涂覆方法可采用本领域内的常规方法，优选采用旋涂、滚涂、刮涂、转印、喷墨打印的方法实现。作为优选实施例，所述退火处理中，退火温度为100-120℃，退火时间为1-10分钟。

进一步的，所述有机绝缘材料优先选用Sytop、AF2004、1,2-二(三氯甲硅烷基)乙烷、聚苯乙烯中的至少一种。

S05.在所述第一有机绝缘层4’上制备多个彼此分离且平行的栅电极单元，形成栅电极5；

如图8所示，在所述第一有机绝缘层4’上制备栅电极可采用电镀的方式实现。经过上述步骤S05后，所述栅电极5和所述第一有机半导体层3’分别置于所述第一有机绝缘层4’的上下层，所述栅电极5的下表面与所述第一有机半导体层3’不相接触。具体的，所述栅电极5的材料可选用金、银、铜金属中的一种，但不限于上述金属。

S06.在所述栅电极5表面以及所述栅电极单元之间的第一有机绝缘层4’上涂覆有机绝缘材料，形成第二有机绝缘层4”，所述第二有机绝缘层4”与所述第一有机绝缘层4’实现对所述栅电极单元的包覆；

如图9所示，经过上述步骤06处理后，所述栅电极5被有机绝缘材料包裹，其包覆方式可以采用将所述栅电极单元进行完全包覆的方式，也可采用将所述栅电极单元的上下表面和两侧进行包覆、两端裸露的方式，只要使得所述栅电极5与下述形成的有机半导体层3不接触即可。

进一步的，所述第二有机绝缘层4”和第一有机绝缘层4’采用的有机绝缘材料可相同或不同，优先选用Sytop、AF2004、1,2-二(三氯甲硅烷基)乙烷、聚苯乙烯中的至少一种。

S07.对所述栅电极单元之间的第二有机绝缘层4”、第一有机绝缘层4’、第一有机半导体层3’进行刻蚀，在所述栅电极单元之间形成空槽7，未被刻蚀的所述第一有机绝缘层和第二有机绝缘层形成有机绝缘层4，使得所述栅电极单元被所述有机绝缘层包覆；

如图10所示，使用刻蚀技术将所述栅电极单元之间对应的的第二有机绝缘层4”、第一有机绝缘层4’、第一有机半导体层3’进行刻蚀，使得在所述栅电极单元之间形成空槽7，并保证所述栅电极单元依然被有机绝缘材料包覆。经过刻蚀处理，未被刻蚀的第一有机绝缘层和第二有机绝缘层形成包覆所述栅电极单元的有机绝缘层4；所述第一有机半导体层3’刻蚀成柱状有机半导体。

S08.向所述空槽7内填充并在有机绝缘层4表面涂覆有机半导体材料，形成第二有机半导体层3”，如图11所示；

具体的，所述涂覆方法可采用本领域内的常规方法，优选采用旋涂、滚涂、刮涂、转印、喷墨打印的方法实现。所述第二有机半导体层3”和未被刻蚀的第一有机半导体层形成了有机半导体层，即对应图3所示有机场效应晶体管结构中的有机半导体层3。经过上述步骤S08处理，得到了与所述有机半导体层互不接触的栅电极5。该步骤，所述第二有机半导体层3”的厚度，优选为使得所述栅电极5处于中层的厚度，具体的，所述有机半导体层的厚度优选为0.2-5μm，进一步优选为0.5-2μm。

进一步的，所述第二有机半导体层3”的材料可与所述第一有机半导体层3’的材料相同或不同，优先选用P3HT(3-己基噻吩的聚合物)、Tips-Pentecene(高性能并五苯有机物)、DPP衍生物(吡咯并吡咯二酮)等(中的至少一种。

S09.在所述第二有机半导体层3”上制备漏电极6。

如图12所示，本发明实施例步骤S09中，在所述第二有机半导体层3”上制备漏电极6可采用电镀的方式实现，所述漏电极6的材料可选用金、银、铜金属中的一种，但不限于上述金属。

本发明实施例提供的有机场效应晶体管的制备方法，采用有机绝缘层包裹栅电极的方式制备有机场效应晶体管，使得栅电极与有机半导体层不相接触，避免了载流子注入有机半导体层中，从而确保使用该有机场效应晶体管的器件有良好的漏电流抑制和关态电流；其次，有别于传统的顶栅或底栅有机场效应晶体管的制备方法，制备有机场效应晶体管时通过将栅电极设置在有机场效应晶体管有机半导体层的中层，扩大了源电极与栅电极的载流子注入面积，显著提高了有机场效应晶体管的开电流。同时，本实施例有机场效应晶体管的沟通长度可通过有机半导体层的厚度进行调节，从而有利于提高载流子的迁移率。

相应的，本发明实施例还提供了上述方法制备的有机场效应晶体管在OLED领域的应用。

按本发明实施例方法制备的有机场效应晶体管，其开电流和迁移率方面的性能得到提高，使有机场效应晶体管能被应用于开电流要求高(＞10^-6A)的OLED驱动矩阵之中。该驱动矩阵可以完全由有机材料制成，从而可实现完全柔性的可折叠的OLED显示器，从而改变现有晶体管技术格局、打破LTPS以及IGZO晶体管所不具备的完全柔性和可折叠性能，显著提高有机场效应晶体管在显示领域的竞争力。

其次，本发明实施例方法制备的有机场效应晶体管，用于OLED领域或传感领域时，有利于降低使用该有机场效应晶体管的漏电流,使用该有机场效应晶体管的器件功耗相应减小,从而延长了器件的使用寿命，同时使的器件更加省电环保；同时，由于关态电流得到了较好的控制，可以避免关态电流过大时漏电流引发的错误信号，从而提高了使用该有机场效应晶体管的器件所发信号的准确性。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种有机场效应晶体管，包括源电极、漏电极和栅电极，其特征在于，还包括基板、有机半导体层和有机绝缘层，其中，所述基板、源电极、有机半导体层和所述漏电极依次层叠结合，所述栅电极由多个彼此分离的栅电极单元构成，且每一栅电极单元由所述有机绝缘层包覆，并平行设置在所述有机半导体层中，且使得所述栅电极与所述源电极平行。

2.如权利要求1所述的有机场效应晶体管，其特征在于，所述有机半导体层的厚度为0.2-5μm。

3.如权利要求1所述的有机场效应晶体管，其特征在于，所述有机绝缘层的厚度为0.2-1μm。

4.一种有机场效应晶体管的制备方法，包括下述步骤：

提供一载体基板；

在所述载体基板上制备源电极；

在所述源电极上涂覆有机半导体材料，形成第一有机半导体层，并对第一有机半导体层进行退火处理；

在所述第一有机半导体层上涂覆有机绝缘材料，形成第一有机绝缘层，并对第一有机绝缘层进行退火处理；

在所述第一有机绝缘层上制备多个彼此分离且平行的栅电极单元，形成栅电极；

在所述栅电极表面以及所述栅电极单元之间的第一有机绝缘层上涂覆有机绝缘材料，形成第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层与所述第一有机绝缘层实现对所述栅电极单元的包覆；

对所述栅电极单元之间的第二有机绝缘层、第一有机绝缘层、第一有机半导体层进行刻蚀，在所述栅电极单元之间形成空槽，未被刻蚀的所述第一有机绝缘层和第二有机绝缘层形成有机绝缘层，使得所述栅电极单元被所述有机绝缘层包覆；

向所述空槽内填充并在所述有机绝缘层表面涂覆有机半导体材料，形成第二有机半导体层；

在所述第二有机半导体层上制备漏电极。

5.如权利要求4所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在对第一有机绝缘层进行退火处理的步骤中，所述退火处理的温度为100-120℃，时间为1-10分钟。

6.如权利要求4所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在所述柔性载体基板上制备源电极的步骤中，还包括对所述源电极进行表面改性处理。

7.如权利要求6所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，对所述源电极进行表面改性处理的方法为：将带有给电子基团、或拉电子基团的有机物溶入有机溶剂中，配置成质量浓度为8-12％的溶液，将所述溶液涂覆于所述源电极表面后进行退火处理。

8.如权利要求4所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，用于制备所述第一有机半导体层和/或第二有机半导体层的有机半导体材料选用P3HT、Tips-Pentecene、DPP衍生物中的至少一种；和/或

用于制备所述第一有机绝缘层和/或第二有机绝缘层的有机绝缘材料选用Sytop、AF2004、1,2-二(三氯甲硅烷基)乙烷、聚苯乙烯中的至少一种；和/或

所述载体基板的材料为玻璃、PEN、PET、PI中的至少一种。

9.如权利要求4所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述源电极和/或所述漏电极的材料为金、银、铜金属中的一种。

10.按权利要求4-9所述方法制备的有机场效应晶体管在OLED领域和传感领域的应用。