CN106206363A - 烘烤装置和方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种用于烘烤晶圆的烘烤装置。烘烤装置包括晶圆吸盘，配置为保持晶圆，以及加热器件，设置在晶圆吸盘上方并且配置为加热晶圆。烘烤装置还包括承载手臂，配置为将晶圆转移至晶圆吸盘上方。当晶圆由晶圆吸盘保持时，晶圆吸盘物理接触晶圆的底面的中心区域。本发明实施例涉及烘烤装置和方法。

Description

烘烤装置和方法
技术领域
本发明实施例涉及烘烤装置和方法。
背景技术
半导体器件用于多种电子应用，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他的电子设备。通常通过以下步骤来制造半导体器件：在晶圆上方相继沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层；以及使用光刻工艺来图案化各个材料层，以在各个材料层上形成电路组件和元件。在单个晶圆上通常制造许多集成电路，并且通过沿着划线在集成电路之间锯切来分割晶圆上的单独的管芯。例如，通常以多芯片模块或以其他的封装类型将单独的管芯分别封装。
在光刻工艺中，对晶圆施加光刻胶。光刻胶的薄层在晶圆的表面上展开，并且在半导体制造工艺中曝光和显影光刻胶以形成图案。现在，这些显影的图案具有非常精细的细节，并且在光刻工艺期间，一些问题可能造成显影的光刻胶中的不理想的缺陷。
尽管用于光刻装置的现有器件通常能满足其预期目的，但是这些方法不能在所有的方面完全符合要求。结果，在光刻工艺期间，提供改进晶圆的光刻胶的质量的方案将是所期望的。
发明内容
根据本发明的一些实施例，提供了一种用于烘烤晶圆的烘烤装置，包括：晶圆吸盘，配置为保持所述晶圆；加热器件，设置在所述晶圆吸盘上方，配置为加热所述晶圆；以及承载手臂，配置为将所述晶圆转移至所述晶圆吸盘上方；其中，当所述晶圆由所述晶圆吸盘保持时，所述晶圆吸盘接触所述晶圆的底面的中心区域。
根据本发明的另一些实施例，还提供了一种用于烘烤晶圆的烘烤装置，包括：晶圆吸盘，配置为保持所述晶圆；加热器件，设置在所述晶圆吸盘上方，配置为加热所述晶圆，其中，当所述加热器件加热所述晶圆时，所述晶圆吸盘旋转所述晶圆。
根据本发明的又一些实施例，还提供了一种用于烘烤晶圆的烘烤方法，包括：通过承载手臂将晶圆转移至晶圆吸盘上方；通过提升所述晶圆吸盘，将所述晶圆放置在所述晶圆吸盘上；通过所述晶圆吸盘提升所述晶圆以接近加热器件；以及通过所述加热器件加热所述晶圆。
附图说明
当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。
图1是根据本发明一些实施例的烘烤装置的立体图。
图2是根据本发明一些实施例的烘烤装置的示意图。
图3是根据本发明一些实施例的烘烤方法的流程图。
图4A至图4E是根据本发明的一些实施例的在烘烤方法的中间阶段期间的烘烤装置的示意图。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。
描述了一些实施例的变化。贯穿各个视图和说明性实施例，相同的参考标号用于指示相同的元件。应该理解，可以在该方法之前、期间和之后提供附加的操作，并且对于该方法的其他的实施例，可以替换或去除所描述的一些操作。
提供了烘烤装置和方法。在一些实施例中，烘烤装置包括在半导体装置中。半导体装置配置为在晶圆上实施半导体制造工艺。
在一些实施例中，半导体装置是光刻装置，并且半导体制造工艺是光刻工艺。光刻装置配置为在晶圆上实施光刻工艺。光刻工艺配置为通过使用图案化的掩模和光束以选择性地曝光光刻胶层而将电路图案转印至衬底上。光刻工艺可以包括光刻胶涂覆、软烘烤、掩模对准、曝光图案、曝光后烘烤、显影光刻胶、硬烘烤和冲洗、其他合适工艺和它们的组合。
在一些实施例中，半导体装置是化学机械抛光(CMP)装置、物理汽相沉积(PVD)装置、化学汽相沉积(CVD)装置、离子注入装置、外延装置、溅射装置、热处理装置、蚀刻装置或另一合适的装置。
在一些实施例中，半导体制造工艺是CMP工艺、PVD工艺、CVD工艺、ALD工艺、掺杂工艺、丝网印刷工艺、干蚀刻工艺、湿蚀刻工艺或另一合适的工艺。
图1是根据本发明一些实施例的烘烤装置1的立体图。图2是根据本发明一些实施例的烘烤装置1的示意图。烘烤装置1配置为在晶圆W1上实施烘烤工艺，诸如软烘烤、曝光后烘烤或硬烘烤。在一些实施例中，烘烤装置1配置为烘烤晶圆W1以用于光刻工艺。
在一些实施例中，晶圆W1包括光刻胶W11和衬底W12。光刻胶W11通过涂覆工艺涂覆在衬底W12上。在一些实施例中，光刻胶W11包括正性光刻胶材料或负性光刻胶材料。光刻胶W11包括感光剂、树脂和溶剂。
在软烘烤工艺中，例如，烘烤工艺用于减少光刻胶W11的溶剂。在软烘烤工艺之前，未固化光刻胶W11。因此，根据衬底W12的倾斜度，容易改变光刻胶W11的轮廓，并且颗粒容易附着于光刻胶W11。
烘烤装置1包括腔室10、支撑基底20、移动机构30、承载手臂40、晶圆吸盘50、升降机构60和加热器件70。腔室10包括可移动地设置在腔室10的侧壁12上的遮挡板11。
遮挡板11配置为覆盖侧壁12的门开口13。门开口13配置为用于晶圆W1穿过。在一些实施例中，遮挡板11通过在打开位置和关闭位置之间滑动沿着侧壁12移动。当遮挡板11位于打开位置时，门开口13未被覆盖。当遮挡板11位于关闭位置时，遮挡板11完全覆盖门开口13。
支撑基底20设置在腔室10中。移动机构30设置在支撑基底20中。移动机构30配置为移动承载手臂40。
在一些实施例中，移动机构30包括轨道31和升降元件32。轨道31沿着移动方向D1延伸。升降元件32可移动地设置在轨道31上，并且配置为沿着轨道31移动。升降元件32连接至承载手臂40，并且配置为沿着升降方向D2提升或降低承载手臂40。在一些实施例中，升降方向D2垂直于移动方向D1。
承载手臂40可移动地设置在支撑基底20上并且连接至升降元件32。承载手臂40配置为转移晶圆W1。承载手臂40通过移动机构30沿着移动方向D1或升降方向D2移动。
在一些实施例中，承载手臂40是冷却手臂，配置为在晶圆W1通过加热器件70加热后冷却晶圆W1。承载手臂40包括连接立柱41和托板42。在一些实施例中，连接立柱41是L型结构。连接立柱41连接至升降元件32和托板42。在一些实施例中，连接立柱41穿过支撑基底20的导引开口21。
托板42配置为支撑晶圆W1。在一些实施例中，托板42是冷却板，配置为在晶圆W1通过加热器件70加热后冷却晶圆W1。此外，托板42包括配置为用于晶圆吸盘50或升降机构60穿过的槽43。在一些实施例中，槽43沿着移动方向D1从托板42的中心向托板42的边缘延伸。
在一些实施例中，托板42的承载表面421的面积对应于晶圆W1的顶面W13和底面W14的面积。承载表面421是托板42的主表面。当晶圆W1由托板42支撑时，晶圆W1的底面W14接触托板42的支撑表面421。顶面W13和底面W14是晶圆W1的主表面。底面W14与顶面W13相对。
在一些实施例中，托板42的承载表面421与水平面平行。因此，由于在烘烤工艺之前未固化光刻胶W11，所以光刻胶W11的顶面W13平行于水平面。
晶圆吸盘50设置在腔室10中和支撑基底20上。晶圆吸盘50配置为保持晶圆W1。在一些实施例中，晶圆吸盘50是静电晶圆吸盘。当晶圆W1放置在晶圆吸盘50上或由晶圆吸盘50保持时，晶圆W1的底面W14接触晶圆吸盘50的保持表面51。
在一些实施例中，顶面W13和底面W14中的每个面积均在从约130cm2至约707cm2的范围内。保持表面51的面积在从约18cm2至约135cm2的范围内。在一些实施例中，晶圆W1的底面W14(或顶面W13)的面积是晶圆吸盘50的保持表面51的面积的约1倍至约36倍。
保持表面51是晶圆吸盘50的主表面。在一些实施例中，保持表面51平行于水平面。因此，由于在烘烤工艺之前未固化光刻胶W11，光刻胶W11的顶面W13平行于水平面。
在一些实施例中，当晶圆W1由晶圆吸盘50保持时，晶圆吸盘50接触晶圆W1的底面W14的中心区域Z1。在一些实施例中，当晶圆W1由晶圆吸盘50保持时，晶圆吸盘50接触晶圆W1的底面W14的中心。
升降机构60设置在支撑基底20中。升降机构60配置为沿着升降方向D2提升或降低晶圆吸盘50。升降机构60还配置为旋转晶圆吸盘50以使晶圆W1旋转。
加热器件70设置在晶圆吸盘50上方。加热器件70配置为加热晶圆W1。在一些实施例中，加热器件70是电磁加热器、红外线加热器或电阻加热器。在一些实施例中，加热器件70包括加热板71。加热板71平行于晶圆吸盘50。在一些实施例中，加热板71是金属板或陶瓷板。
加热板71具有面向晶圆吸盘50的保持表面51的加热表面72。加热表面72的面积大于或等于晶圆W1的顶面W13。加热表面72平行于保持表面51。在一些实施例中，加热表面72平行于晶圆W1的顶面W13(或晶圆吸盘50的保持表面51)。因此，光刻胶W11由加热板71均匀加热。
图3是根据本发明一些实施例的烘烤方法的流程图。图4A至图4E是根据本发明的一些实施例的在烘烤方法的中间阶段期间的烘烤装置1的示意图。在步骤S101中，如图1所示，将晶圆W1放置在承载手臂40的托板42上。托板42位于邻近或接触支撑基底20的冷却位置。
在一些实施例中，遮挡板11位于打开位置处。晶圆W1通过门开口13转移至腔室10中并且通过转移手臂(未在图中示出)被放置在托板42上。当晶圆W1放置在托板42上之后，遮挡板11位于关闭位置以覆盖门开口13。
当晶圆W1放置在托板42上时，晶圆W1的底面W14接触托板42的承载表面421并且晶圆W1的底面W14平行于水平面。因此，光刻胶W11的顶面W13平行于水平面并且光刻胶W11的厚度均匀。
在步骤S103中，晶圆W1通过承载手臂40转移至晶圆吸盘50上方。如图4A所示，具有晶圆W1的托板42沿着升降方向D2通过升降元件32升起。在一些实施例中，在将晶圆W1放置在晶圆吸盘50上之前，托板42沿着升降方向D2通过升降元件32升起。
之后，如图4B所示，具有晶圆W1的托板42沿着移动方向D1通过移动机构30移动直到晶圆W1位于晶圆吸盘50上方。当晶圆W1位于晶圆吸盘50上方时，托板42和晶圆W1介于晶圆吸盘50和加热器件70之间。
如图4B所示，晶圆吸盘50位于邻近支撑基底20的初始位置。在步骤S105中，在将晶圆W1放置在晶圆吸盘50上之前，通过升降机构60旋转晶圆吸盘50。在一些实施例中，在晶圆W1转移至腔室10中之前，旋转晶圆吸盘50。在一些实施例中，在晶圆W1放置在晶圆吸盘50上之前，旋转晶圆吸盘50。在一些实施例中，晶圆吸盘50的旋转速度在从约5rpm至约4500rpm的范围内。
在一些实施例中，一些颗粒P1落在晶圆吸盘50的保持表面51上。当将晶圆W1放置在晶圆吸盘50上时，如果在晶圆W1和保持表面51之间具有颗粒P1，晶圆W1相对于水平面倾斜。在烘烤工艺之后，光刻胶W11的顶面W13将相对于晶圆W1的底面W14倾斜。因此，由于当晶圆W1放置在晶圆吸盘50上时有颗粒介于晶圆W1和保持表面51之间，所以在烘烤工艺之后，光刻胶W11的厚度不均匀并且导致光刻胶W11的轮廓。
当晶圆吸盘50旋转时，晶圆吸盘50给保持表面51上的颗粒P1提供离心力，并且因此，颗粒通过保持表面51从保持表面51去除。晶圆W1和晶圆吸盘50的保持表面51之间没有颗粒。因此，在烘烤工艺之后，光刻胶W11的顶面W13平行于晶圆W1的底面W14，并且光刻胶W11的厚度均匀。
在托板42位于晶圆吸盘50上方之前，晶圆吸盘50停止旋转。在一些实施例中，在晶圆吸盘50接触晶圆W1之前，晶圆吸盘50停止旋转。在一些实施例中，晶圆吸盘50在预定时间之后停止旋转。在一些实施例中，预定时间在从约1秒至约10秒的范围内。
在步骤S107中，通过提升晶圆吸盘50，晶圆W1放置在晶圆吸盘50上。如图4C中所示，在晶圆吸盘50停止旋转之后，沿着升降方向D2，晶圆吸盘50通过升降机构60向着接触位置提升。在接触位置中，晶圆吸盘50接触支撑在托板42上的晶圆W1。
如果晶圆吸盘50通过销(未在图中示出)提升，晶圆吸盘50的底面W14可能被销划损(销的末端的面积可以在从约1mm2至约49mm2)。由于底面W14划损，在后续工艺中，当晶圆W1设置在晶圆吸盘50上时，晶圆W1可能倾斜。
当晶圆吸盘50接近在接触位置中的晶圆W1时，晶圆吸盘50的提升速度降低。晶圆W1的底面W14的面积是晶圆吸盘50的保持表面51的面积的约1倍至约36倍。因此，晶圆W1的底面W14可以不被晶圆吸盘50划损，并且晶圆W1的生产良率增加。
在一些实施例中，当晶圆吸盘50相对于在接触位置的晶圆W1，在预定距离A1以外远离晶圆W1时，晶圆吸盘50的平均提升速度是晶圆吸盘50相对于晶圆W1在预定距离A1内时的晶圆吸盘50的平均提升速度的约6倍至约50倍。当晶圆吸盘50在预定距离A1以外远离晶圆W1时，晶圆吸盘50的平均提升速度在从约30mm/s至约50mm/s的范围内。晶圆吸盘50在预定距离A1内的平均提升速度在从约1mm/s至约5mm/s的范围内。
此外，在一些实施例中，支撑基底20和在接触位置中的托板42之间的距离A2在从约30mm至约80mm的范围内。预定距离A1在从约1mm至约5mm的范围内。距离A2是预定距离A1的约6倍至约50倍。因此，晶圆吸盘50所花费的从初始位置移动以接触在接触位置中的晶圆W1的时间减少，并且因此，烘烤工艺需要的时间减少。
之后，在晶圆W1位于晶圆吸盘50上方之后，晶圆吸盘50被提升至将其放置在与中心区域Z1物理接触的接触位置。如图4C所示，晶圆吸盘50穿过托板42的槽43以接触在接触位置中的晶圆W1的底面W14的中心区域Z1。
之后，晶圆吸盘50保持晶圆W1。如图4C所示，当晶圆W1由晶圆吸盘50保持时，晶圆W1位于加热器件70和晶圆吸盘50之间。
加热板71位于晶圆吸盘50上方，并且晶圆吸盘50在远离支撑基底20的接触位置中接触晶圆W1。因此，在支撑基底20上的颗粒P1(或在邻近支撑基底20的升降机构60上)不应该落在在接触位置中的晶圆W1的顶面W13上。
在一些实施例中，在晶圆吸盘50保持晶圆W1后，承载手臂40移动回至冷却位置中。在一些实施例中，在晶圆吸盘50保持晶圆W1后，不移动承载手臂40。在晶圆W1由加热器件70加热后，当晶圆W1再次放置在承载手臂40上时，移动承载手臂40。
在步骤S109中，如图4D所示，在晶圆W1保持在晶圆吸盘50上之后，晶圆W1通过晶圆吸盘50提升至接近加热器件70的加热位置。在一些实施例中，在晶圆W1提升至加热位置中后，承载手臂40移动回至冷却位置中。
在一些实施例中，在晶圆W1提升至接近加热器件70的加热位置之后，不移动承载手臂40，并且在晶圆W1由加热器件70加热后，当晶圆W1再次放置在承载手臂40上时，再次移动承载手臂40。
在步骤S111中，在加热位置中，晶圆W1由加热板71加热。如图4D所示，当晶圆W1由加热器件70的加热板71加热时，晶圆W1位于加热器件70和晶圆吸盘50之间。
在一些实施例中，加热器件70的加热温度在从约70℃至约250℃的范围内。在一些实施例中，加热位置和加热板71之间的距离A2在从约30mm至约80mm的范围内。光刻胶W11的溶剂通过加热板71的加热而减少。由于去除了晶圆吸盘50的保持表面51上的颗粒，所以光刻胶W11的顶面W13平行于晶圆W1的底面W14和水平面。在加热板71加热晶圆W1之后，光刻胶W11的厚度均匀。
在一些实施例中，当加热器件70加热晶圆W1时，晶圆吸盘50旋转晶圆W1。在一些实施例中，当加热器件70加热晶圆W1时，晶圆吸盘50的旋转速度在从约5rpm至约100rpm的范围内。因此，当加热器件70加热晶圆W1时，通过旋转晶圆W1，光刻胶W11的温度分布和厚度均匀。
在一些实施例中，晶圆W1通过与加热板71的加热表面72接触，由加热板71加热。当晶圆吸盘50接近加热板71时，晶圆吸盘50的提升速度降低。
在一些实施例中，当晶圆吸盘50相对于加热板71，在预定距离以外远离加热板71时，晶圆吸盘50的平均提升速度是晶圆吸盘50在预定距离内的平均提升速度的约6倍至约30倍。当晶圆吸盘50在预定距离以外远离加热板71时，晶圆吸盘50的平均提升速度在从约0.5mm/s至约3mm/s的范围内。晶圆吸盘50在预定距离内的平均提升速度在从约0.1mm/s至约1.5mm/s的范围内。因此，用于将晶圆吸盘50从接触位置移动至加热位置的时间减少，并且因此，烘烤工艺需要的时间减少。
在步骤S113中，如图4D和图4E所示，晶圆W1通过晶圆吸盘50下降，从而在晶圆W1由加热板71加热之后，晶圆W1与承载手臂40接触。在晶圆W1通过晶圆吸盘50从加热位置下降之前，托板42移动至接触位置中或位于加热板71和晶圆吸盘50下方。
在一些实施例中，当晶圆吸盘50相对于在接触位置中的托板42，在预定距离A3以外远离托板42时，晶圆吸盘50的平均下降速度是晶圆吸盘50在预定距离A3内的平均下降速度的约1倍至约25倍。当晶圆吸盘50在预定距离A1以外远离托板42时，晶圆吸盘50的平均下降速度在从约1.5mm/s至约2.5mm/s的范围内。晶圆吸盘50在预定距离A3内的平均下降速度在从约0.1mm/s至约1.5mm/s的范围内。
此外，在一些实施例中，加热板71和在接触位置中的托板42之间的距离A4在从约30mm至约50mm的范围内。在一些实施例中，预定距离A3在从约1mm至约5mm的范围内。距离A4是预定距离A3的约6倍至约50倍。因此，用于将晶圆W1从加热位置放置在接触位置中的托板42上的时间减少。
在一些实施例中，在晶圆W1接触托板42之后，晶圆吸盘50通过升降机构60持续下降至初始位置。
在步骤S115中，如图2所示，晶圆W1通过承载手臂40从晶圆吸盘50转移至冷却位置中。晶圆W1在冷却位置处停留在托板42上持续一段冷却期。在一些实施例中，冷却期在从约20秒至约60秒的范围内。
在一些实施例中，冷却晶圆W1至环境温度以用于后续的半导体制造工艺。在一些实施例中，环境温度在从约13℃至约32℃的范围内。
提供了烘烤装置和方法的实施例。烘烤装置配置为烘烤晶圆以用于光刻工艺。由于烘烤装置的加热器件位于晶圆上方，所以已经落在晶圆上的颗粒减少。晶圆由晶圆吸盘保持以防止晶圆的底面被划损，并且晶圆的生产良率增加。
此外，当晶圆由加热器件加热时，晶圆吸盘旋转晶圆，并且因此，光刻胶的温度分布和厚度均匀。此外，在晶圆放置在晶圆吸盘上之前，旋转晶圆吸盘，并且因此，可以去除落在晶圆吸盘上的颗粒。
在一些实施例中，提供了用于烘烤晶圆的烘烤装置。烘烤装置包括晶圆吸盘，配置为保持晶圆，以及加热器件，设置在晶圆吸盘上方并且配置为加热晶圆。烘烤装置还包括承载手臂，配置为将晶圆转移至晶圆吸盘上方。当晶圆由晶圆吸盘保持时，晶圆吸盘接触晶圆的底面的中心区域。
在一些实施例中，提供了用于烘烤晶圆的烘烤装置。烘烤装置包括晶圆吸盘，配置为保持晶圆，以及加热器件，设置在晶圆吸盘上方并且配置为加热晶圆。当加热器件加热晶圆时，晶圆吸盘旋转晶圆。
在一些实施例中，提供了用于烘烤晶圆的烘烤方法。烘烤方法包括：通过承载手臂将晶圆转移至晶圆吸盘上方，并且通过提升晶圆吸盘将晶圆放置在晶圆吸盘上。烘烤方法还包括：通过晶圆吸盘，提升晶圆以接近加热器件，并且通过加热器件加热晶圆。
根据本发明的一些实施例，提供了一种用于烘烤晶圆的烘烤装置，包括：晶圆吸盘，配置为保持所述晶圆；加热器件，设置在所述晶圆吸盘上方，配置为加热所述晶圆；以及承载手臂，配置为将所述晶圆转移至所述晶圆吸盘上方；其中，当所述晶圆由所述晶圆吸盘保持时，所述晶圆吸盘接触所述晶圆的底面的中心区域。
在上述烘烤装置中，所述晶圆吸盘提升至接触位置，在所述晶圆位于所述晶圆吸盘上方之后，在所述接触位置中，所述晶圆吸盘与所述中心区域接触，并且在所述晶圆吸盘保持所述晶圆之后，所述晶圆通过所述晶圆吸盘提升至接近所述加热器件的加热位置。
在上述烘烤装置中，当所述晶圆由所述晶圆吸盘保持时，所述晶圆位于所述加热器件和所述晶圆吸盘之间。
在上述烘烤装置中，当所述晶圆通过所述加热器件加热时，所述晶圆由所述晶圆吸盘旋转。
在上述烘烤装置中，在将所述晶圆放置在所述晶圆吸盘上之前，旋转所述晶圆吸盘。
在上述烘烤装置中，所述晶圆吸盘相对于所述晶圆，在预定距离以外远离所述晶圆时，所述晶圆吸盘的平均提升速度是所述晶圆吸盘在所述预定距离内的平均提升速度的约6倍至约50倍，其中所述预定距离在从约1mm至约5mm的范围内。
在上述烘烤装置中，所述晶圆的底面的面积是所述晶圆吸盘的保持表面的面积的约1倍至约36倍，其中，当所述晶圆吸盘保持所述晶圆时，所述保持表面接触所述底面。
在上述烘烤装置中，所述加热器件具有面向所述晶圆吸盘的保持表面的加热表面，并且所述加热表面的面积大于或等于所述晶圆的顶面。
在上述烘烤装置中，所述加热器件的加热温度在从约70℃至约250℃的范围内。
根据本发明的另一些实施例，还提供了一种用于烘烤晶圆的烘烤装置，包括：晶圆吸盘，配置为保持所述晶圆；加热器件，设置在所述晶圆吸盘上方，配置为加热所述晶圆，其中，当所述加热器件加热所述晶圆时，所述晶圆吸盘旋转所述晶圆。
在上述烘烤装置中，当所述晶圆由所述晶圆吸盘保持时，所述晶圆位于所述加热器件和所述晶圆吸盘之间。
在上述烘烤装置中，当所述晶圆由所述晶圆吸盘保持时，所述晶圆吸盘接触所述晶圆的底面的中心区域。
在上述烘烤装置中，在将所述晶圆放置在所述晶圆吸盘上之前，旋转所述晶圆吸盘。
在上述烘烤装置中，所述晶圆的底面的面积是所述晶圆吸盘的保持表面的面积的约1倍至约36倍，其中，当所述晶圆吸盘保持所述晶圆时，所述保持表面接触所述底面。
在上述烘烤装置中，所述加热器件具有面向所述晶圆吸盘的保持表面的加热表面，并且所述加热表面的面积大于或等于所述晶圆的顶面。
根据本发明的又一些实施例，还提供了一种用于烘烤晶圆的烘烤方法，包括：通过承载手臂将晶圆转移至晶圆吸盘上方；通过提升所述晶圆吸盘，将所述晶圆放置在所述晶圆吸盘上；通过所述晶圆吸盘提升所述晶圆以接近加热器件；以及通过所述加热器件加热所述晶圆。
在上述烘烤方法中，进一步包括：在将所述晶圆放置在所述晶圆吸盘上之前，旋转所述晶圆吸盘。
在上述烘烤方法中，进一步包括：当通过所述加热器件加热所述晶圆时，通过所述晶圆吸盘旋转所述晶圆。
在上述烘烤方法中，进一步包括：在通过所述加热器件加热所述晶圆之后，通过所述晶圆吸盘降低所述晶圆以使所述晶圆接触所述承载手臂。
在上述烘烤方法中，进一步包括：通过所述承载手臂从所述晶圆吸盘转移所述晶圆。
上面概述了若干实施例的部件、使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实现与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围、并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。

Claims (10)

1.一种用于烘烤晶圆的烘烤装置，包括：
晶圆吸盘，配置为保持所述晶圆；
加热器件，设置在所述晶圆吸盘上方，配置为加热所述晶圆；以及
承载手臂，配置为将所述晶圆转移至所述晶圆吸盘上方；
其中，当所述晶圆由所述晶圆吸盘保持时，所述晶圆吸盘接触所述晶圆的底面的中心区域。
2.根据权利要求1所述的烘烤装置，其中，所述晶圆吸盘提升至接触位置，在所述晶圆位于所述晶圆吸盘上方之后，在所述接触位置中，所述晶圆吸盘与所述中心区域接触，并且在所述晶圆吸盘保持所述晶圆之后，所述晶圆通过所述晶圆吸盘提升至接近所述加热器件的加热位置。
3.根据权利要求1所述的烘烤装置，其中，当所述晶圆由所述晶圆吸盘保持时，所述晶圆位于所述加热器件和所述晶圆吸盘之间。
4.根据权利要求1所述的烘烤装置，其中，当所述晶圆通过所述加热器件加热时，所述晶圆由所述晶圆吸盘旋转。
5.根据权利要求1所述的烘烤装置，在将所述晶圆放置在所述晶圆吸盘上之前，旋转所述晶圆吸盘。
6.根据权利要求1所述的烘烤装置，其中，所述晶圆吸盘相对于所述晶圆，在预定距离以外远离所述晶圆时，所述晶圆吸盘的平均提升速度是所述晶圆吸盘在所述预定距离内的平均提升速度的约6倍至约50倍，其中所述预定距离在从约1mm至约5mm的范围内。
7.根据权利要求1所述的烘烤装置，其中，所述晶圆的底面的面积是所述晶圆吸盘的保持表面的面积的约1倍至约36倍，其中，当所述晶圆吸盘保持所述晶圆时，所述保持表面接触所述底面。
8.根据权利要求1所述的烘烤装置，其中，所述加热器件具有面向所述晶圆吸盘的保持表面的加热表面，并且所述加热表面的面积大于或等于所述晶圆的顶面。
9.一种用于烘烤晶圆的烘烤装置，包括：
晶圆吸盘，配置为保持所述晶圆；
加热器件，设置在所述晶圆吸盘上方，配置为加热所述晶圆，
其中，当所述加热器件加热所述晶圆时，所述晶圆吸盘旋转所述晶圆。
10.一种用于烘烤晶圆的烘烤方法，包括：
通过承载手臂将晶圆转移至晶圆吸盘上方；
通过提升所述晶圆吸盘，将所述晶圆放置在所述晶圆吸盘上；
通过所述晶圆吸盘提升所述晶圆以接近加热器件；以及
通过所述加热器件加热所述晶圆。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112216634A (zh) * 2020-10-13 2021-01-12 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种渐进式晶圆烘烤方法

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2014642B1 (en) * 2015-04-15 2016-12-20 Suss Microtec Lithography Gmbh Method and device for curing at least in part a photoresist applied to a substrate.
US9768244B1 (en) 2016-03-17 2017-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device
US10520821B2 (en) 2016-11-29 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography process with enhanced etch selectivity
US11112698B2 (en) 2016-11-29 2021-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist with gradient composition for improved uniformity
US10649339B2 (en) 2016-12-13 2020-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Resist material and method for forming semiconductor structure using resist layer
US10115585B2 (en) 2016-12-15 2018-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Hardmask composition and methods thereof
US10866511B2 (en) 2016-12-15 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet photolithography method with developer composition
US10517179B2 (en) 2016-12-15 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Material composition and methods thereof
US10115592B2 (en) 2016-12-15 2018-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Patterning process with silicon mask layer
US10672619B2 (en) 2016-12-15 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Material composition and methods thereof
US10079178B1 (en) 2017-03-17 2018-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Formation method of semiconductor device structure using multilayer resist layer
US10083832B1 (en) 2017-03-24 2018-09-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Under layer composition and method of manufacturing semiconductor device
US10312108B2 (en) 2017-04-06 2019-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming semiconductor structure using modified resist layer
US10741410B2 (en) 2017-04-28 2020-08-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Material composition and methods thereof
US10394123B2 (en) 2017-05-17 2019-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Blocking layer material composition and methods thereof in semiconductor manufacturing
US11022886B2 (en) 2017-05-17 2021-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co,, Ltd. Bottom-up material formation for planarization
US10163648B2 (en) 2017-05-19 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of semiconductor device fabrication having application of material with cross-linkable component
US10672610B2 (en) 2017-05-19 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Grafting design for pattern post-treatment in semiconductor manufacturing
US10520820B2 (en) 2017-05-26 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Negative tone developer for extreme ultraviolet lithography
US10527941B2 (en) 2017-05-30 2020-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet photoresist and method
US10032640B1 (en) 2017-06-20 2018-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Inc. Formation of semiconductor structure with a photoresist cross link and de-cross link process
US10520822B2 (en) 2017-06-30 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography techniques for reducing resist swelling
US10186542B1 (en) 2017-07-18 2019-01-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Patterning for substrate fabrication
US11014103B2 (en) 2017-07-26 2021-05-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10073347B1 (en) 2017-08-24 2018-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor method of protecting wafer from bevel contamination
US10691023B2 (en) 2017-08-24 2020-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for performing lithography process with post treatment
US10861698B2 (en) 2017-08-29 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pattern fidelity enhancement
US11222783B2 (en) 2017-09-19 2022-01-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Using cumulative heat amount data to qualify hot plate used for postexposure baking
US10274847B2 (en) 2017-09-19 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Humidity control in EUV lithography
US11004679B2 (en) 2017-09-27 2021-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for supplying chemical liquid in semiconductor fabrication
US11086211B2 (en) 2017-11-08 2021-08-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Masks and methods of forming the same
US11300878B2 (en) 2017-11-13 2022-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist developer and method of developing photoresist
US11029602B2 (en) 2017-11-14 2021-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist composition and method of forming photoresist pattern
US10529552B2 (en) 2017-11-29 2020-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device and a coating material
US10698317B2 (en) 2018-02-23 2020-06-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Underlayer material for photoresist
US10381481B1 (en) 2018-04-27 2019-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multi-layer photoresist
US10631392B2 (en) 2018-04-30 2020-04-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV collector contamination prevention
US10845698B2 (en) 2018-05-30 2020-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask, method of forming the same and method of manufacturing a semiconductor device using the same
US11127592B2 (en) 2018-05-31 2021-09-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photosensitive groups in resist layer
US11287740B2 (en) 2018-06-15 2022-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist composition and method of forming photoresist pattern
US11016386B2 (en) 2018-06-15 2021-05-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist composition and method of forming photoresist pattern
US10867839B2 (en) 2018-06-15 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Patterning methods for semiconductor devices
US11442364B2 (en) 2018-06-28 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Materials and methods for forming resist bottom layer
US10867872B2 (en) 2018-07-27 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method and apparatus for manufacturing semiconductor structure
US10838304B2 (en) 2018-08-13 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Priming material for organometallic resist
US10768527B2 (en) 2018-08-13 2020-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Resist solvents for photolithography applications
US11106138B2 (en) 2018-08-14 2021-08-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography process and material for negative tone development
US11022885B2 (en) 2018-08-31 2021-06-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photosensitive middle layer
US11215924B2 (en) 2018-08-31 2022-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist, developer, and method of forming photoresist pattern
US10978301B2 (en) 2018-08-31 2021-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Morphology of resist mask prior to etching
US11226562B2 (en) 2018-09-20 2022-01-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
US10859915B2 (en) 2018-09-21 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Adhesion layer for multi-layer photoresist
US11971659B2 (en) 2018-10-08 2024-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist composition and method of forming photoresist pattern
US10691020B2 (en) 2018-10-25 2020-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus for dispensing liquid material and method for fabricating semiconductor device
US11215929B2 (en) 2018-10-30 2022-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
US10867793B2 (en) 2018-10-30 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor package and method of fabricating the same
US11307500B2 (en) 2018-10-30 2022-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for removing photoresistor layer, method of forming a pattern and method of manufacturing a package
US10845704B2 (en) 2018-10-30 2020-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet photolithography method with infiltration for enhanced sensitivity and etch resistance
US11605538B2 (en) 2018-10-31 2023-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Protective composition and method of forming photoresist pattern
US11079681B2 (en) 2018-11-21 2021-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography method for positive tone development
US10811270B2 (en) 2019-03-15 2020-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Ultra narrow trench patterning using plasma etching
US11367616B2 (en) 2019-07-31 2022-06-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of patterning material layer
US11289376B2 (en) 2019-07-31 2022-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Methods for forming self-aligned interconnect structures
US11067898B2 (en) 2019-07-31 2021-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Gamma ray generator, gamma ray lithography system and method of performing gamma ray lithography
US11651961B2 (en) 2019-08-02 2023-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Patterning process of a semiconductor structure with enhanced adhesion
US11163235B2 (en) 2019-08-22 2021-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus for forming a photoresist layer, method for forming a masking layer, and method for forming a photoresist layer
US11681221B2 (en) 2019-08-28 2023-06-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV photoresist with low-activation-energy ligands or high-developer-solubility ligands
US11694896B2 (en) 2019-10-31 2023-07-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist developer and method of developing photoresist
US11934101B2 (en) 2019-11-27 2024-03-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist composition and method of forming photoresist pattern
US11411033B2 (en) 2019-12-20 2022-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor device and manufacturing method thereof
US11664213B2 (en) 2019-12-26 2023-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bevel edge removal methods, tools, and systems
US11392036B2 (en) 2020-01-31 2022-07-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist and method
US11502005B2 (en) 2020-02-19 2022-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor devices and methods of forming the same
TW202136327A (zh) 2020-02-27 2021-10-01 台灣積體電路製造股份有限公司 製造半導體裝置的方法
US11703765B2 (en) 2020-02-27 2023-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist composition and method of manufacturing a semiconductor device
US11784046B2 (en) 2020-03-30 2023-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US11705332B2 (en) 2020-03-30 2023-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist layer surface treatment, cap layer, and method of forming photoresist pattern
US11942322B2 (en) 2020-05-22 2024-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing semiconductor devices and pattern formation method
US11714355B2 (en) 2020-06-18 2023-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist composition and method of forming photoresist pattern
US11935746B2 (en) 2021-03-10 2024-03-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Pattern formation through mask stress management and resulting structures
US11887851B2 (en) 2021-07-29 2024-01-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming and using mask
US11892774B2 (en) 2021-08-30 2024-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5416047A (en) * 1990-09-07 1995-05-16 Tokyo Electron Limited Method for applying process solution to substrates
CN1737693A (zh) * 2004-08-20 2006-02-22 三星电子株式会社 晶片烘烤装置
US20060097740A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Solid State Measurements, Inc. In-situ wafer and probe desorption using closed loop heating
CN103208449A (zh) * 2012-01-13 2013-07-17 旺宏电子股份有限公司 晶圆在支撑座上对准的装置、方法及系统
TW201506990A (zh) * 2013-03-15 2015-02-16 Tokyo Electron Ltd 用於定向自組裝微影控制之多重步驟烘烤設備及方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5554563A (en) 1995-04-04 1996-09-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company In situ hot bake treatment that prevents precipitate formation after a contact layer etch back step
US6468918B1 (en) 1995-09-29 2002-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company In situ photoresist hot bake in loading chamber of dry etch
US7789576B2 (en) 2007-03-27 2010-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. PEB embedded exposure apparatus
US8873020B2 (en) 2011-08-24 2014-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning nozzle for advanced lithography process

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5416047A (en) * 1990-09-07 1995-05-16 Tokyo Electron Limited Method for applying process solution to substrates
CN1737693A (zh) * 2004-08-20 2006-02-22 三星电子株式会社 晶片烘烤装置
US20060097740A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Solid State Measurements, Inc. In-situ wafer and probe desorption using closed loop heating
CN103208449A (zh) * 2012-01-13 2013-07-17 旺宏电子股份有限公司 晶圆在支撑座上对准的装置、方法及系统
TW201506990A (zh) * 2013-03-15 2015-02-16 Tokyo Electron Ltd 用於定向自組裝微影控制之多重步驟烘烤設備及方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112216634A (zh) * 2020-10-13 2021-01-12 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种渐进式晶圆烘烤方法

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Publication number Publication date
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