CN106206266A - 一种推阱工艺 - Google Patents

一种推阱工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN106206266A
CN106206266A CN201610585603.1A CN201610585603A CN106206266A CN 106206266 A CN106206266 A CN 106206266A CN 201610585603 A CN201610585603 A CN 201610585603A CN 106206266 A CN106206266 A CN 106206266A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature rise
boiler tube
rise period
passed
reaction boiler
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610585603.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106206266B (zh
Inventor
陈敏
徐远
欧新华
袁琼
符志岗
刘宗金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Xindao Electronic Technology Co., Ltd
Original Assignee
SHANGHAI PRISEMI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHANGHAI PRISEMI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical SHANGHAI PRISEMI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201610585603.1A priority Critical patent/CN106206266B/zh
Publication of CN106206266A publication Critical patent/CN106206266A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106206266B publication Critical patent/CN106206266B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/82—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明涉及二极管的优化领域，尤其涉及一种应用于TVS二极管的推阱工艺，于一反应炉管内进行，包括：第一升温阶段，通入惰性气体至所述反应炉管，以使放置于所述反应炉管内的半导体器件被所述惰性气体包围；第二升温阶段，通入氧气至所述反应炉管，以在所述半导体器件的表面生成薄氧化层；恒温阶段及降温阶段，继续通入所述惰性气体至所述反应炉管，以使所述半导体器件在所述惰性气体的氛围下继续所述推阱工艺；其中，在所述第二升温阶段，还通入二氯乙烯气体至所述反应炉管，以吸附所述反应炉管内部以及所述半导体器件表面的钠离子杂质。

Description

一种推阱工艺
技术领域
本发明涉及二极管的优化领域，尤其涉及一种应用于TVS二极管的推阱工艺。
背景技术
TVS管（Transient Voltage Suppressor，瞬变电压抑制二极管）作为一种二极管形态的保护器件被广泛运用于各种I/O（输入/输出）接口、手机、PC、平板上。随着半导体技术的发展，产品对TVS二极管的要求也越来越严苛，TVS二极管的漏电流必须一收再收，才能适应产品优化的需求。
然而TVS二极管漏电可能性是多方面的，产品设计、工艺流程、产线沾污都会引起漏电流。经实验测试显示，初测的漏电分布图为随机分布，因工艺所用化学品和设备均为工厂认证的基准设备，二极管有源区失效分析也并未发现离子注入的晶格缺陷，所以漏电源不大可能是因外界沾污和工艺引入。
通常TVS二极管是由BN（N型埋层）和P型衬底组成的，PN结的形成可以简单地分为离子注入和推阱两部分；其中离子注入阶段的注入浓度和能量确定很难再做更改，但注入后的推阱仍有优化的空间。
发明内容
鉴于上述技术问题，本发明提供一种优化的推阱工艺，应用于TVS二极管，通过合理选用推阱炉管设备型号，引入并正确配比DCE（二氯乙烯）气氛，优化升降温时间来改善TVS二极管的漏电，以提高产品性能。
本发明解决上述技术问题的主要技术方案为：
一种推阱工艺，其特征在于，于一反应炉管内进行，所述推阱工艺包括：
第一升温阶段，通入惰性气体至所述反应炉管，以使放置于所述反应炉管内的半导体器件被所述惰性气体包围；
第二升温阶段，通入氧气至所述反应炉管，以在所述半导体器件的表面生成薄氧化层；
恒温阶段及降温阶段，继续通入所述惰性气体至所述反应炉管，以使所述半导体器件在所述惰性气体的氛围下继续所述推阱工艺；
其中，在所述第二升温阶段，还通入二氯乙烯气体至所述反应炉管，以吸附所述反应炉管内部以及所述半导体器件表面的钠离子杂质。
优选的，上述的推阱工艺，其中，所述惰性气体为氮气。
优选的，上述的推阱工艺，其中，在所述第一升温阶段、所述恒温阶段和所述降温阶段，所述氮气的通入流量为15 l/min。
优选的，上述的推阱工艺，其中，所述第一升温阶段为所述反应炉管的温度升温至900摄氏度的阶段。
优选的，上述的推阱工艺，其中，所述第一升温阶段的持续时间为75分钟。
优选的，上述的推阱工艺，其中，所述第二升温阶段包括前半升温阶段、中间恒温阶段以及后半升温阶段；
其中，所述氧气和所述二氯乙烯气体于所述前半升温阶段和所述后半升温阶段通入，且在所述中间恒温阶段，通入惰性气体至所述反应炉管。
优选的，上述的推阱工艺，其中，在所述前半升温阶段，所述反应炉管的温度从900摄氏度升温至1100摄氏度；
在所述后半升温阶段，所述反应炉管的温度从1100摄氏度升温至1150摄氏度。
优选的，上述的推阱工艺，其中，所述前半升温阶段的持续时间为40分钟，所述中间恒温阶段的持续时间为20分钟，所述后半升温阶段的持续时间为20分钟。
优选的，上述的推阱工艺，其中，在所述前半升温阶段和所述后半升温阶段，所述氧气的通入流量为15 l/min，所述二氯乙烯的通入流量为400ml/min。
优选的，上述的推阱工艺，其中，在所述恒温阶段，所述反应炉管的温度维持在1150摄氏度。
优选的，上述的推阱工艺，其中，所述恒温阶段的持续时间为160分钟。
优选的，上述的推阱工艺，其中，所述半导体器件为TVS二极管。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：
本发明提供的TVS二极管的推阱工艺，通过合理选用推阱炉管设备型号，引入并正确配比DCE（二氯乙烯）气氛，优化升降温时间来改善TVS二极管的漏电，以提高产品性能。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1是本发明的一实施例中TVS二极管的推阱工艺通入气体示意图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。当然除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
下面结合具体的实施例以及附图详细阐述本发明的推阱工艺。
在传统的TVS二极管的推阱工艺中，主要是通氮气，在1000℃升温至1150℃的时候会通入一小段的氧。本发明在此基础上，通过合理选用推阱炉管设备型号，引入并正确配比DCE（二氯乙烯）气氛，优化升降温时间来改善TVS二极管的漏电，以提高产品性能。
本发明的推阱工艺，在一个6寸的Thermco炉管内进行，该Thermco炉管具备极好的温控能力，可以有效控制推阱的升降温速率。具体的，本发明的推阱工艺包括以下步骤：
第一升温阶段（图中标示为T1），通入惰性气体至反应炉管，以使放置于反应炉管内的半导体器件被惰性气体包围。在该步中，惰性气体优选为氮气（N2），且本发明的推阱工艺针对离子注入后的TVS二极管，因此该步中的半导体器件即为TVS二极管。但需注意，本发明的推阱工艺的设计理念和工艺步骤，同样可适用于其他需要执行此工艺步骤的半导体器件。
作为一个优选的实施例，该步中氮气N2的通入流量为15 l/min。通入氮气使得整个反应炉管处于惰性气体的保护氛围中，以确保推阱工艺的顺利进行。并且，在该第一升温阶段T1，反应炉管的温度从初始温度升温至900摄氏度（图1中展示出反应炉管从800摄氏度升温至900摄氏度的区间），且该第一升温阶段T1的持续时间为75分钟。需要注意的是，此处所列举的900摄氏度、75分钟等具体数值，均只代表本发明的一个实施例中进行的推阱工艺所采用的具体温度和具体时间值，在本发明的其他实施例中，这些数值可以根据具体的工艺需求进行调整，此处所列举的具体数值不应该理解为对本发明的限制。
参照图1，在第一升温阶段T1，实际包含恒温的阶段（T1阶段中温度线呈水平的阶段）和升温的阶段（T1阶段中温度线呈上升的阶段），这些水平的阶段和上升的阶段也均可根据实际的工艺需求进行调整，在本实施例中，例如可以控制反应炉管的温度在800摄氏度时维持25分钟（图中标示为min），上升为900摄氏度的持续时间例如可以为20分钟，然后在900摄氏度维持30分钟。
第二升温阶段（图中标示为T2），通入氧气（O2）至反应炉管，以在TVS二极管的表面生成薄氧化层；同时，还通入二氯乙烯（简写为DCE）气体至反应炉管，DCE气体可以吸附反应炉管内部以及TVS二极管表面或者反应过程中可能产生的杂质钠离子。
作为一个优选的实施例，该第二升温阶段T2具体包括前半升温阶段T21、中间恒温阶段T22以及后半升温阶段T23；其中，氧气O2和二氯乙烯气体DCE于前半升温阶段T21和后半升温阶段T23通入，且在中间恒温阶段T22，仍然通入氮气N2至反应炉管。将氧气O2和二氯乙烯气体DCE分为两个阶段通入，可以精确地控制O2和DCE气体的通入量，防止因通入过多的O2和DCE而导致TVS二极管表面生成过厚的氧化膜，影响后续制程。
具体的，在前半升温阶段T21，反应炉管的温度可以从900摄氏度升温至1100摄氏度，持续时间可例如为40分钟；然后在中间恒温阶段T22维持1100摄氏度，持续时间可例如为20分钟；在后半升温阶段T23，反应炉管的温度可从1100摄氏度升温至1150摄氏度，持续时间可例如为20分钟。同样需要注意，此处所列举的温度和分钟等具体数值，也均只代表本发明的一个实施例中进行的推阱工艺所采用的具体温度和具体时间值，在本发明的其他实施例中，这些数值可以根据具体的工艺需求进行调整，此处所列举的具体数值不应该理解为对本发明的限制。
参照图1，在前半升温阶段T21和后半升温阶段T23，控制氧气的通入流量为15 l/min，二氯乙烯的通入流量为400ml/min。在该第二升温阶段T2引入适量比例的O2和DCE，可以在TVS二极管器件表面生成所需厚度的薄氧化层的同时，吸附杂质钠离子。在O2气体中加入DCE，氧化速率和氧化层质量都有所提高。其中，氧化层速率生长变快可从两个方面解释：（1）掺氯氧化时有H2O生成，加速氧化；（2）氯积累在Si-SiO2界面（TVS二极管的硅衬底界面）附近，氯与硅反应生成了氯硅化物，氯硅化物稳定性差，在有氧的情况下很容易转变为SiO2。而引入DCE后氧化层质量提高是因为：热氧化过程中掺入氯会使氧化层中含有一定量的氯原子，从而减少钠离子（存在于反应炉管内部以及TVS二极管表面或者反应过程中可能产生）沾污，钝化SiO2中钠离子的活性，改善器件击穿特性。
需要注意，DCE降低钠离子的核心思想是掺氯反应，除了DCE外，TCA（三氯乙烷），HCL（氯化氢）也曾被用于钠离子的吸附，但是TCA对臭氧层有污染，HCL多为气态源，与水蒸气混合有腐蚀作用，对输运管道质量要求非常高，因此综合来看，本发明所采用的液态源的DCE是最佳选择。
恒温阶段T3及降温阶段T4，继续通入氮气至反应炉管，并且T3阶段的炉管温度维持在1150摄氏度，以使TVS二极管在高温下N2的保护氛围下继续推阱工艺。降温阶段T4即反应炉管的温度从恒温阶段的1150摄氏度降至初始温度（与T1阶段对应，图1中展示出反应炉管的温度降至800摄氏度的区间）。并且该恒温阶段T3的持续时间可例如为160分钟，降温阶段T4的持续时间可例如为185分钟。同样需要注意，此处所列举的温度和分钟等具体数值，也均只代表本发明的一个实施例，而不应该理解为对本发明的限制。
推阱是一个高温的过程，它决定了注入的深度，时间一般有几个小时到十几个小时不等，本发明上述的实施例列举了其中一种情形。在这一系列的高温环节中，升温和降温的速率对半导体器件有着潜移默化的影响，如果升降温速率太快，器件受热不均，内部会形成缺陷引起漏电，因此参照上述实施例，本发明通过控制升降温速率，并在两个独立的升温阶段通入氧气和二氯乙烯气体，以控制在半导体器件表面生成的氧化层厚度，同时吸附杂质钠离子。
综上所述，本发明提供的TVS二极管的推阱工艺，通过合理选用推阱炉管设备型号，在通氧气时引入并正确配比DCE（二氯乙烯）气氛，优化升降温时间来改善TVS二极管的漏电，以提高产品性能。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。

Claims (12)

1.一种推阱工艺，其特征在于，于一反应炉管内进行，所述推阱工艺包括：
第一升温阶段，通入惰性气体至所述反应炉管，以使放置于所述反应炉管内的半导体器件被所述惰性气体包围；
第二升温阶段，通入氧气至所述反应炉管，以在所述半导体器件的表面生成薄氧化层；
恒温阶段及降温阶段，继续通入所述惰性气体至所述反应炉管，以使所述半导体器件在所述惰性气体的氛围下继续所述推阱工艺；
其中，在所述第二升温阶段，还通入二氯乙烯气体至所述反应炉管，以吸附所述反应炉管内部以及所述半导体器件表面的钠离子杂质。
2.如权利要求1所述的推阱工艺，其特征在于，所述惰性气体为氮气。
3.如权利要求2所述的推阱工艺，其特征在于，在所述第一升温阶段、所述恒温阶段和所述降温阶段，所述氮气的通入流量为15 l/min。
4.如权利要求1所述的推阱工艺，其特征在于，所述第一升温阶段为所述反应炉管的温度升温至900摄氏度的阶段。
5.如权利要求4所述的推阱工艺，其特征在于，所述第一升温阶段的持续时间为75分钟。
6.如权利要求1所述的推阱工艺，其特征在于，所述第二升温阶段包括前半升温阶段、中间恒温阶段以及后半升温阶段；
其中，所述氧气和所述二氯乙烯气体于所述前半升温阶段和所述后半升温阶段通入，且在所述中间恒温阶段，通入惰性气体至所述反应炉管。
7.如权利要求6所述的推阱工艺，其特征在于，在所述前半升温阶段，所述反应炉管的温度从900摄氏度升温至1100摄氏度；
在所述后半升温阶段，所述反应炉管的温度从1100摄氏度升温至1150摄氏度。
8.如权利要求6所述的推阱工艺，其特征在于，所述前半升温阶段的持续时间为40分钟，所述中间恒温阶段的持续时间为20分钟，所述后半升温阶段的持续时间为20分钟。
9.如权利要求6所述的推阱工艺，其特征在于，在所述前半升温阶段和所述后半升温阶段，所述氧气的通入流量为15 l/min，所述二氯乙烯的通入流量为400ml/min。
10.如权利要求1所述的推阱工艺，其特征在于，在所述恒温阶段，所述反应炉管的温度维持在1150摄氏度。
11.如权利要求10所述的推阱工艺，其特征在于，所述恒温阶段的持续时间为160分钟。
12.如权利要求1所述的推阱工艺，其特征在于，所述半导体器件为TVS二极管。
CN201610585603.1A 2016-07-22 2016-07-22 一种推阱工艺 Active CN106206266B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610585603.1A CN106206266B (zh) 2016-07-22 2016-07-22 一种推阱工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610585603.1A CN106206266B (zh) 2016-07-22 2016-07-22 一种推阱工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106206266A true CN106206266A (zh) 2016-12-07
CN106206266B CN106206266B (zh) 2020-02-04

Family

ID=57492672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610585603.1A Active CN106206266B (zh) 2016-07-22 2016-07-22 一种推阱工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106206266B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5494852A (en) * 1993-07-28 1996-02-27 Sony Electronics Inc. High capacity semiconductor dopant deposition/oxidization process using a single furnace cycle
JP2000357659A (ja) * 1999-06-14 2000-12-26 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US6495429B1 (en) * 2002-01-23 2002-12-17 International Business Machines Corporation Controlling internal thermal oxidation and eliminating deep divots in SIMOX by chlorine-based annealing
CN1661782A (zh) * 2004-02-23 2005-08-31 海力士半导体有限公司 用以在半导体器件中形成氧化膜的方法
CN102315310A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 比亚迪股份有限公司 一种太阳能电池片制备中的扩散工艺
JP5719282B2 (ja) * 2011-11-29 2015-05-13 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンの製造方法
CN105280484A (zh) * 2015-06-05 2016-01-27 常州天合光能有限公司 一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺
CN106548937A (zh) * 2015-09-18 2017-03-29 上海先进半导体制造股份有限公司 退火的工艺方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5494852A (en) * 1993-07-28 1996-02-27 Sony Electronics Inc. High capacity semiconductor dopant deposition/oxidization process using a single furnace cycle
JP2000357659A (ja) * 1999-06-14 2000-12-26 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US6495429B1 (en) * 2002-01-23 2002-12-17 International Business Machines Corporation Controlling internal thermal oxidation and eliminating deep divots in SIMOX by chlorine-based annealing
CN1661782A (zh) * 2004-02-23 2005-08-31 海力士半导体有限公司 用以在半导体器件中形成氧化膜的方法
CN102315310A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 比亚迪股份有限公司 一种太阳能电池片制备中的扩散工艺
JP5719282B2 (ja) * 2011-11-29 2015-05-13 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンの製造方法
CN105280484A (zh) * 2015-06-05 2016-01-27 常州天合光能有限公司 一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺
CN106548937A (zh) * 2015-09-18 2017-03-29 上海先进半导体制造股份有限公司 退火的工艺方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106206266B (zh) 2020-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kushner Plasma chemistry of He/O2/SiH4 and He/N2O/SiH4 mixtures for remote plasma‐activated chemical‐vapor deposition of silicon dioxide
US6114258A (en) Method of oxidizing a substrate in the presence of nitride and oxynitride films
US20060209625A1 (en) Method for liquid mixing supply
JP2016522567A5 (zh)
García-Tabarés et al. Understanding phosphorus diffusion into silicon in a MOVPE environment for III–V on silicon solar cells
CN102931068A (zh) 一种锗基mosfet栅介质的制备方法
CN104741335A (zh) 扩散用石英舟的清洗方法
CN106206266A (zh) 一种推阱工艺
CN103107086A (zh) 一种低压芯片的生产工艺及其低压芯片
CN106653939A (zh) 一种应用于晶硅太阳能电池的热氧化工艺
US20180221816A1 (en) Plasma abatement of nitrous oxide from semiconductor process effluents
JP6698871B2 (ja) 酸素プラズマ洗浄サイクルの使用によるプラズマ軽減固形物回避
Li et al. An advanced qualitative model regarding the role of oxygen during POCl3 diffusion in silicon
CN103715300B (zh) 一种扩散后低方阻硅片返工的方法
KR950004387A (ko) 고 용량 반도체 도펀트의 증착 및 산화 방법
CN114068758B (zh) 一种硼扩散处理控制方法、装置和炉管
CN103715302A (zh) 一种低表面浓度的扩散方法
CN203333758U (zh) 二氧化硅薄膜的生产设备
CN105621347A (zh) 二氧化硅薄膜的制备方法
CN103531440B (zh) 一种晶圆背面的表面修复方法
Lambert et al. Optical Emission Spectroscopy Analysis of Microwave Plasma‐Enhanced Chemical Vapor Deposition Systems Dynamic Gas Response
CN106548937A (zh) 退火的工艺方法
Kim et al. Diffusion of boron in silicon during O 2/NF 3 oxidation
CN104851792A (zh) 钝化的处理方法
KR20150058039A (ko) 액체 또는 기체 주입 플라즈마 애싱 시스템들 및 방법들

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Zuchongzhi road in Pudong New Area Zhangjiang hi tech park Shanghai 201203 Lane 2277 Building No. 7

Patentee after: Shanghai Xindao Electronic Technology Co., Ltd

Address before: Zuchongzhi road in Pudong New Area Zhangjiang hi tech park Shanghai 201203 Lane 2277 Building No. 7

Patentee before: SHANGHAI PRISEMI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder