CN106191787A - 一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机及其操作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于镀膜机领域，提供了一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机，包括装取片室、镀膜室和蒸发室，所述装取片室与所述蒸发室均与所述镀膜室连通，且所述装取片室与所述镀膜室之间设有控制其连通与闭合的第一阀门，所述蒸发室与所述镀膜室之间设有控制其连通与闭合的第二阀门，所述装取片室与所述镀膜室之间还设有用于带动工件进出所述镀膜室的传动装置，所述蒸发室内具有镀料组件和用于加热所述镀料组件的电阻片，所述镀料组件紧贴在所述电阻片上。该镀膜机包括装取片室、镀膜室和蒸发室，使其镀膜室一直处于真空状态，无需因装取片而破真空导致吸附水汽等杂质，镀膜状态时没有水汽等杂质的干扰，气体气氛相对稳定，从而提高了镀膜品质和稳定性。
Description
技术领域
本发明属于镀膜机领域，尤其涉及一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机及其操作方法。
背景技术
现有的真空电阻式蒸发镀膜机，一般采用一个真空室，利用电阻加热法将待镀材料紧贴在电阻片或电阻丝上熔融汽化，从而蒸发沉积到基片上，并且每炉装取片和蒸发镀膜均在该真空室完成。
由于待镀材料加热会熔融为液体，受液体向下重力影响，待镀材料需位于电阻片或电阻丝上方，并朝上方蒸发。待镀材料一般为一次性材料，每炉镀膜完成后需要换一次。
现有的单一真空室电阻式蒸发镀膜机的装取片、抽真空、镀膜均在该真空室内完成，每炉装取片时镀膜室都会破真空至大气状态，镀膜室内壁会吸附水汽等杂质，在镀膜状态时，水汽等杂质会影响镀膜品质和稳定性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题为提供一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机及其操作方法，旨在避免镀膜室内壁会吸附水汽等杂质，提高镀膜品质和稳定性。
为解决上述技术问题，本发明是这样实现的，一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机，包括装取片室、镀膜室和蒸发室，所述装取片室与所述蒸发室均与所述镀膜室连通，且所述装取片室与所述镀膜室之间设有控制其连通与闭合的第一阀门，所述蒸发室与所述镀膜室之间设有控制其连通与闭合的第二阀门，所述装取片室与所述镀膜室之间还设有用于带动工件进出所述镀膜室的传动装置，所述蒸发室内具有镀料组件和用于加热所述镀料组件的电阻片，所述镀料组件紧贴在所述电阻片上。
进一步地，所述镀料组件包括镀料载体和待镀材料，所述待镀材料放置在所述镀料载体内，所述镀料载体的一端具有开口，并紧贴在所述电阻片上，所述镀料载体的开口一端不接触所述电阻片并朝向所述工件。
进一步地，所述工件与所述镀料载体均为竖直方向，所述镀料载体的开口沿水平方向朝向所述工件。
进一步地，所述镀料载体内还包括用于吸附所述待镀材料的蓬松金属丝。
进一步地，所述镀膜室内包括用于承载所述工件的工件架，所述工件架可绕其中心线旋转。
进一步地，所述传动装置与所述工件架连接。
进一步地，所述镀膜机还包括晶振探头、晶体振荡器和膜厚控制仪，所述晶振探头与所述晶体振荡器和膜厚控制仪电连接，共同组成振荡回路，所述晶振探头随所述工件架一起绕其中心线旋转，且所述晶振探头与所述工件位于所述工件架同一圆周位置。
本发明还提供了一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机的操作方法，包括以下步骤：
装片：将工件在装取片室内进行装片；
装料：将含有待镀材料的镀料载体装入蒸发室内；
装取片室抽真空：对所述装取片室进行抽真空，抽真空到指定真空度后，打开第一阀门，使传动装置带动所述工件到达镀膜室的工件架上；
蒸发室抽真空：对所述蒸发室进行抽真空，抽真空到指定真空度后，打开第二阀门进行镀膜，直至镀膜完成；
取片：已镀膜工件在传动装置带动下传动至装取片室，关闭第一阀门，将所述装取片室内的已镀膜工件取出。
进一步地，还包括以下步骤：
换料：镀膜完成后，关闭第二阀门，将所述蒸发室内的镀料载体取出，更换含有待镀材料的镀料载体。
本发明与现有技术相比，有益效果在于：本发明的一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机，其包括装取片室、镀膜室和蒸发室。在装取片室内进行装取片和抽真空；在镀膜室内进行产品加工；在蒸发室内进行镀料组件的加热。这样镀膜室会一直处于真空状态，无需因装取片而破真空导致吸附水汽等杂质，镀膜状态时没有水汽等杂质的干扰，气体气氛相对稳定，从而提高了镀膜品质和稳定性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图1所示，本发明实施例提供的一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机100，其包括装取片室1、镀膜室2和蒸发室3。所述装取片室1内进行装取片和抽真空；所述镀膜室2内进行产品加工；所述蒸发室3内进行镀料组件的加热。所述装取片室1与所述蒸发室3均与所述镀膜室2连通，且所述装取片室1与所述镀膜室2之间设有控制其连通与闭合的第一阀门4，所述蒸发室3与所述镀膜室2之间设有控制其连通与闭合的第二阀门5。所述装取片室1与所述镀膜室2之间还设有带动工件6进入所述镀膜室2的传动装置(未图示)，所述蒸发室3内具有镀料组件31和电阻片32，所述镀料组件31紧贴在所述电阻片32上，所述电阻片32加热所述镀料组件31。
所述镀料组件31包括镀料载体311和待镀材料312，所述待镀材料312放置在所述镀料载体311内。在本发明实施例中，所述含有待镀材料312的镀料载体311在蒸发室3内沿竖直方向紧贴所述电阻片32。所述镀料载体311的一端具有开口，并紧贴在所述电阻片32上。所述镀料载体311的开口一端不接触所述电阻片32并朝向所述工件6，以便将汽化后的待镀材料312镀膜在所述工件6上。
在本发明实施例中，所述工件6与所述镀料载体311均为竖直方向，所述镀料载体311的开口沿水平方向朝向所述工件6，从而可以使所述镀料载体311内的待镀材料312沿水平方向向工件6蒸发，相比于传统的将待镀材料由下往上蒸发的方式，节约待镀材料，材料利用率高。
所述镀料载体311内还包括用于吸附所述待镀材料的蓬松金属丝(未图示)，以便于吸附所述待镀材料312，防止其液化后流出所述镀料载体311。
所述镀膜室2内包括用于承载所述工件6的工件架21，所述工件架21可绕其中心线旋转，本发明实施例中的工件架为立式公转架或立式公自转架，当然也可以是其他类型的转架。所述传动装置与所述工件架21连接，用于将工件6运送至所述工件架21上。所述工件6贴合在所述工件架21的外表面，并沿所述工件架21的中心线旋转，可一次性对多个工件6进行镀膜加工。
所述镀膜机100还包括晶振探头7、晶体振荡器8和膜厚控制仪9，所述晶振探头7与所述晶体振荡器8和膜厚控制仪9电连接，共同组成振荡回路。所述晶振探头7随所述工件架21一起绕其中心线旋转，且所述晶振探头7与所述工件6位于所述工件架21的同一圆周位置，用于在镀膜状态时检测所述工件6的膜层厚度。
本发明实施例还提供了一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机100的操作方法，包括以下步骤：
装片：将工件6在装取片室1内进行装片；
装料：将含有待镀材料312的镀料载体311装入蒸发室3内；
装取片室抽真空：对所述装取片室1进行抽真空，抽真空到指定真空度后，打开第一阀门4，使传动装置带动所述工件6到达镀膜室2的工件架21上；
蒸发室抽真空：对所述蒸发室3进行抽真空，抽真空到指定真空度后，打开第二阀门5进行镀膜，直至镀膜完成；
取片：已镀膜工件6在传动装置带动下传动至装取片室1，关闭第一阀门4，将所述装取片室1内的已镀膜工件6取出。
所述操作方法还包括以下步骤：
换料：镀膜完成后，关闭第二阀门5，将所述蒸发室3内的镀料载体311取出，更换含有待镀材料312的镀料载体311。
具体工作时，将待镀工件6在所述装取片室1进行装片，装片完成后进行抽真空，到达指定真空度后打开所述第一阀门4，所述待镀工件6在传动装置的带动下到达所述镀膜室2的工件架21上。
所述待镀材料312为低熔点材料，所述镀料载体311为高熔点材料，将待镀材料312添加到所述镀料载体311中，再将含有待镀材料312的镀料载体311在蒸发室3内沿竖直方向紧贴所述电阻片32，且所述镀料载体311的开口方向朝向所述待镀工件6。
待所述蒸发室3内抽真空到指定真空度后，打开所述第二阀门5，通过电阻片32对含有待镀材料312的镀料载体311进行加热，使待镀材料312朝着待镀工件6所在方向蒸发，从而在所述镀膜室2内完成镀膜产品加工。
镀膜完成后，关闭所述第二阀门5，蒸发室3破真空至大气状态，更换含有待镀材料312的镀料载体311。
已镀膜的工件6在所述传动装置的带动下，从所述工件架21上到达所述装取片室1，关闭所述第一阀门4，所述装取片室1破真空至大气状态，将已镀膜的工件6取出。
本发明实施例的一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机100，其包括装取片室1、镀膜室2和蒸发室3。在装取片室1内进行装取片和抽真空；在镀膜室2内进行产品加工；在蒸发室3内进行镀料组件的加热。这样镀膜室2会一直处于真空状态，无需因装取片而破真空导致吸附水汽等杂质，镀膜状态时没有水汽等杂质的干扰，气体气氛相对稳定，从而提高了镀膜品质和稳定性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机，其特征在于，包括装取片室、镀膜室和蒸发室，所述装取片室与所述蒸发室均与所述镀膜室连通，且所述装取片室与所述镀膜室之间设有控制其连通与闭合的第一阀门，所述蒸发室与所述镀膜室之间设有控制其连通与闭合的第二阀门，所述装取片室与所述镀膜室之间还设有用于带动工件进出所述镀膜室的传动装置，所述蒸发室内具有镀料组件和用于加热所述镀料组件的电阻片，所述镀料组件紧贴在所述电阻片上。
2.如权利要求1所述的多真空室的电阻式蒸发镀膜机，其特征在于，所述镀料组件包括镀料载体和待镀材料，所述待镀材料放置在所述镀料载体内，所述镀料载体的一端具有开口，并紧贴在所述电阻片上，所述镀料载体的开口一端不接触所述电阻片并朝向所述工件。
3.如权利要求2所述的多真空室的电阻式蒸发镀膜机，其特征在于，所述工件与所述镀料载体均为竖直方向，所述镀料载体的开口沿水平方向朝向所述工件。
4.如权利要求2所述的多真空室的电阻式蒸发镀膜机，其特征在于，所述镀料载体内还包括用于吸附所述待镀材料的蓬松金属丝。
5.如权利要求1所述的多真空室的电阻式蒸发镀膜机，其特征在于，所述镀膜室内包括用于承载所述工件的工件架，所述工件架可绕其中心线旋转。
6.如权利要求5所述的多真空室的电阻式蒸发镀膜机，其特征在于，所述传动装置与所述工件架连接。
7.如权利要求5所述的多真空室的电阻式蒸发镀膜机，其特征在于，所述镀膜机还包括晶振探头、晶体振荡器和膜厚控制仪，所述晶振探头与所述晶体振荡器和膜厚控制仪电连接，共同组成振荡回路，所述晶振探头随所述工件架一起绕其中心线旋转，且所述晶振探头与所述工件位于所述工件架同一圆周位置。
8.一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机的操作方法，其特征在于，包括以下步骤：
装片：将工件在装取片室内进行装片；
装料：将含有待镀材料的镀料载体装入蒸发室内；
装取片室抽真空：对所述装取片室进行抽真空，抽真空到指定真空度后，打开第一阀门，使传动装置带动所述工件到达镀膜室的工件架上；
蒸发室抽真空：对所述蒸发室进行抽真空，抽真空到指定真空度后，打开第二阀门进行镀膜，直至镀膜完成；
取片：已镀膜工件在传动装置带动下传动至装取片室，关闭第一阀门，将所述装取片室内的已镀膜工件取出。
9.如权利要求8所述的一种多真空室的电阻式蒸发镀膜机的操作方法，其特征在于，还包括以下步骤：
换料：镀膜完成后，关闭第二阀门，将所述蒸发室内的镀料载体取出，更换含有待镀材料的镀料载体。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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Effective date of registration: 20170306 Address after: 518000 Guangdong Province, Longhua New District, big wave Hua Sheng Road, No. 45 Baohua Industrial Park, building 4, building 2, building Applicant after: Power Feng Industrial Co., Ltd. of Shenzhen Address before: 518000 Guangdong Province, Longhua New District, Hua Sheng Road, No. 45 Baohua Industrial Park, building 4, No. Applicant before: SHENZHEN WONDERINNO TECHNOLOGY CO., LTD. |
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| GR01 | Patent grant | ||
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Effective date of registration: 20191230 Address after: 404100 No.78, Yunwu Road, Beibei District, Chongqing Patentee after: Xiameixi technology partnership (limited partnership) of Liangjiang New District, Chongqing Address before: 2, building 4, 518000, Baohua Industrial Park, 45 Hua Sheng Road, Longhua New District, Guangdong, Shenzhen Patentee before: Power Feng Industrial Co., Ltd. of Shenzhen |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
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Effective date of registration: 20200812 Address after: No.5-138, Yunhan Avenue, Shuitu hi tech Industrial Park, Beibei District, Chongqing Patentee after: CHONGQING XINJING SPECIAL GLASS Co.,Ltd. Address before: 404100 No.78, Yunwu Road, Beibei District, Chongqing Patentee before: Xiameixi technology partnership (L.P.) of Liangjiang New District, Chongqing |