CN106188067A - 吡咯并吡咯二酮衍生物及其钙钛矿电池 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种呋喃基吡咯并吡咯二酮衍生物及其钙钛矿电池。以呋喃基吡咯并吡咯二酮为结构单元,通过改变苯胺类给电子基团的给电子能力,精细调节材料的光学带隙与能级,以此提高材料的空穴传输性质。目前螺二芴Spiro‑OMeTAD材料的售价约为500元人民币每克,本发明制备出的呋喃基吡咯并吡咯二酮衍生物初步成本核算为100元人民币每克,与经典的螺二芴材料相比,本发明制得的材料成本更加低廉,电池的能量转换效率得到进一步提高,显示出很好的应用潜力。
Description
技术领域
本发明涉及一种可用于钙钛矿太阳能电池的吡咯并吡咯二酮衍生物。
背景技术
自从2009年钙钛矿电池第一次被研制出来以后,由于其较高的能量转换效率和较长的稳定工作时间,引起了工业界和学术界的广泛关注。2013年,钙钛矿电池效率高于非晶硅太阳能电池,被Science评选为当年度十大科学突破之一。目前,溶液法制作的钙钛矿电池效率达到20%以上,在大气环境中稳定工作的时间超过1000小时,这些结果表明钙钛矿电池具有巨大的商业应用前景。
钙钛矿电池主要由金属氧化物、钙钛矿材料和空穴传输材料等三个部分组成,其中金属氧化物常用介孔二氧化钛,钙钛矿材料常用甲胺铅碘或甲胺铅溴,空穴传输材料常用螺二芴衍生物。在钙钛矿电池制备过程中,所耗费用占比最高者为螺二芴型空穴传输材料,这在很大程度上提高了电池成本。因此开发出新的空穴传输材料来代替常用的2,2’,7,7’-四(二甲氧基二苯胺)螺二芴(Spiro-OMeTAD)显得尤为重要。最近,国内外对于钙钛矿空穴传输材料的研究主要集中在螺二芴类、芘类和导电聚合物类等。
发明内容
发明目的:本发明的目的是在量子化学辅助分子设计的基础上,提供一种成本低廉、效率较高的新型吡咯并吡咯二酮衍生物空穴传输材料。
技术方案:呋喃基吡咯并吡咯二酮衍生物,具有如下式I所示的结构:
I;
其中,主体为没有取代基团的呋喃基吡咯并吡咯二酮;
A为正己基或正十二烷基;
B为4-三苯胺基、4-(9-咔唑基)苯基或3-(9-苯基)咔唑基;
C为4-三苯胺基、4-(9-咔唑基)苯基或3-(9-苯基)咔唑基。
作为一种优选的方案,所述的吡咯并吡咯二酮衍生物,A为正己基,B和C均为4-三苯胺基,所述衍生物具有式I-A的结构:
I-A。
作为一种优选的方案,所述的吡咯并吡咯二酮衍生物,A为正己基,B和C均为4-(9-咔唑基)苯基,所述衍生物具有式I-B的结构:
I-B。
作为一种优选的方案,所述的吡咯并吡咯二酮衍生物,A为正己基,B和C均为3-(9-苯基)咔唑基,所述衍生物具有式I-C的结构:
I-C。
一种钙钛矿电池,包括基板、阳极、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、阴极,所述的空穴传输层为2,5-二正己基-3,6-双(5-(4-(二苯胺基)苯基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮(I-A)、2,5-二正己基-3,6-双(5-(4-(9H-9-咔唑基)苯基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮(I-B)、2,5-二正己基-3,6-双(5-(9-苯基-9H-3-咔唑基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮(I-C)中一种或几种。
作为一种优选的方案,所述的一种钙钛矿电池,所述的基片为ITO透明导电玻璃基板,电子传输层采用介孔二氧化钛,钙钛矿层为CH3NH3PbI3-xClx,其中x为0-0.5。
有益效果:本发明以呋喃基吡咯并吡咯二酮为结构单元,通过改变苯胺类给电子基团的给电子能力,精细调节材料的光学带隙与能级,以此提高材料的空穴传输性质。目前螺二芴Spiro-OMeTAD材料的售价约为500元人民币每克,本发明制备出的呋喃基吡咯并吡咯二酮衍生物初步成本核算为100元人民币每克,与经典的螺二芴材料相比,本发明制得的材料成本更加低廉,电池的能量转换效率得到进一步提高,显示出很好的应用潜力。
附图说明
图1为本发明实施例1制得的2,5-二正己基-3,6-双(5-(4-(二苯胺基)苯基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮(I-A)核磁共振氢谱;
图2为本发明实施例2制得的2,5-二正己基-3,6-双(5-(4-(9H-9-咔唑基)苯基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮(I-B)核磁共振氢谱;
图3为本发明实施例3制得的2,5-二正己基-3,6-双(5-(9-苯基-9H-3-咔唑基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮(I-C)核磁共振氢谱;
图4为本发明制备的空穴传输材料的紫外-可见吸收光谱图;
图5为本发明的钙钛矿太阳能电池结构示意图;
图6为本发明的钙钛矿太阳能电池的电流电压曲线图。
具体实施方式
实施例1
2,5-二正己基-3,6-双(5-(4-(二苯胺基)苯基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮(I-A)的制备方法
步骤1:在三口烧瓶内加入90mL 2-甲基-1-丁醇,5.17g(225mmol)钠,在氩气保护下加热至90℃后加入5mLFeCl3溶液,当金属钠全部溶解后,反应冷却至85℃。用注射器向其中滴加13.96g(150mmol)2-氰基呋喃,然后缓慢滴加8mL二异丙基琥珀酸酯,滴加时间为1h,当二异丙基琥珀酸酯完全加入后反应2h。然后冷却至50℃,滴加65mL甲醇,然后缓慢滴加25mL冰醋酸,反应回流15min。待反应结束后,冷却至室温,过滤。使用热甲醇和水洗涤,50℃下真空干燥,得暗红色固体即为目标产物7.34g,产率36%。
步骤2:在三口烧瓶内加入2.05g上述红色固体,9.77g碳酸铯,55℃下搅拌,氩气保护下加入150mL DMF,加热至120℃,反应1h。用注射器向其中加入10.18g 1-正己基碘和DMF50mL,加热至130℃反应过夜。待反应结束后,冷却到室温,转移至烧杯后加入200mL水,搅拌30min。混合液用CH2Cl2萃取三次,合并有机相。然后用水萃取三次,无水Na2SO4干燥,过滤。使用旋转蒸发仪去除溶剂后,以石油醚为洗脱剂,经硅胶柱层析分离得暗红色固体2.28g,产率68%。
步骤3:在圆底烧瓶内加入1.32g上述暗红色固体,24mL氯仿,将0.3mL液溴溶于12mL氯仿后转移至圆底烧瓶内,氩气保护下室温反应过夜。待反应结束后,加入Na2S2O3溶液,搅拌30min。混合液用氯仿萃取三次,合并有机相。然后用水萃取三次,无水Na2SO4干燥,过滤。使用旋转蒸发仪去除溶剂后,以二氯甲烷:石油醚=2:1为洗脱剂,经硅胶柱层析分离得紫红色固体1.30g,产率72%。
步骤4:将上述紫红色固体(0.59g,1.00mmol),三苯胺硼酸(1.16g,4.00mmol),[Pd(PPh3)4](0.06g,0.05mmol)三者溶于甲苯(20mL)之中,将碳酸铯(1.30g,4.00mmol)溶于水(5mL)之中,两者混合在氩气保护下搅拌回流40h。混合物冷却至室温,用氯仿萃取,合并有机相,无水硫酸钠干燥,过滤,旋转蒸发,使用石油醚和二氯甲烷混合溶剂(1:1)柱层析分离,得到黄色固体0.81g(88%)。1H NMR(300MHz,CDCl3):δ8.38(s,2H,furan),7.60(d,4H,J=7.8Hz,triphenylamino),7.30(t,8H,triphenylamino),7.15-7.06(m,16H,triphenylamino),6.84(s,2H,furan),4.20(t,4H,n-hexyl),1.85-1.75(m,4H,n-hexyl),1.49-1.39(m,4H,n-hexyl),1.33-1.23(m,8H,n-hexyl),0.81(t,6H,n-hexyl).相关谱图如图1所示。
实施例2
2,5-二正己基-3,6-双(5-(4-(9H-9-咔唑基)苯基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮(I-B)的制备方法
步骤1-3同实施例一。
步骤4:将上述紫红色固体(0.59g,1.00mmol),4-(9-咔唑基)苯基硼酸(1.15g,4.00mmol),[Pd(PPh3)4](0.06g,0.05mmol)三者溶于甲苯(20mL)之中,将碳酸铯(1.30g,4.00mmol)溶于水(5mL)之中,两者混合在氩气保护下搅拌回流48h。混合物冷却至室温,用氯仿萃取,合并有机相,无水硫酸钠干燥,过滤,旋转蒸发,使用石油醚和二氯甲烷混合溶剂(1:1)柱层析分离,得到黄色固体0.90g(98%)。1H NMR(300MHz,CDCl3):δ8.48(d,2H,J=3.8Hz,furan),8.17(d,4H,J=7.6Hz,benzene),8.00(d,4H,J=8.5Hz,carbazole),7.70(d,4H,J=8.5Hz,carbazole),7.50-7.41(m,8H,carbazole+benzene),7.32(t,4H,carbazole),7.09(d,2H,J=3.8Hz,furan),4.29(t,4H,n-hexyl),1.92-1.87(m,4H,n-hexyl),1.54-1.48(m,4H,n-hexyl),1.38-1.28(m,8H,n-hexyl),0.88(t,6H,n-hexyl).相关谱图如图2所示。
实施例3
2,5-二正己基-3,6-双(5-(9-苯基-9H-3-咔唑基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮(I-C)的制备方法
步骤1-3同实施例1。
步骤4:将上述紫红色固体(0.59g,1.00mmol),3-(9-苯基)咔唑基硼酸(1.15g,4.00mmol),[Pd(PPh3)4](0.06g,0.05mmol)三者溶于甲苯(20mL)之中,将碳酸铯(1.30g,4.00mmol)溶于水(5mL)之中,两者混合在氩气保护下搅拌回流40h。混合物冷却至室温,用氯仿萃取,合并有机相,无水硫酸钠干燥,过滤,旋转蒸发,使用石油醚和二氯甲烷混合溶剂(1:1)柱层析分离,得到黄色固体0.84g(91%)。1H NMR(300MHz,CDCl3):δ8.49(d,2H,J=3.8Hz,furan),8.44(s,2H,carbazole),8.16(d,2H,J=7.7Hz,carbazole),7.75(d,2H,J=8.7Hz,carbazole),7.63-7.49(m,10H,carbazole+benzene),7.43-7.33(m,8H,carbazole+benzene),6.98(d,2H,J=3.8Hz,furan),4.29(t,4H,n-hexyl),1.96-1.86(m,4H,n-hexyl),1.66-1.58(m,4H,n-hexyl),1.43-1.28(m,8H,n-hexyl),0.85(t,6H,n-hexyl).相关谱图如图3所示。
采用实施例1制得的化合物I-A,实施例2制得的化合物I-B,实施例3制得的化合物I-C测试的紫外-可见吸收光谱如图4所示。由此图可知,上述化合物I-A在582和630nm呈现双峰吸收,最大摩尔消光系数εmax为120 000L·mol–1·cm–1;上述化合物I-B在557和605nm呈现双峰吸收,最大摩尔消光系数εmax为88 000L·mol–1·cm–1;上述化合物I-C在571和621nm呈现双峰吸收,最大摩尔消光系数εmax为111 000L·mol–1·cm–1。这些结果均表明上述化合物对紫外-可见光具有较大的吸收面积和较强的集光能力。
实施例4
本实施例采用实施例1制得的化合物I-A作为钙钛矿电池的空穴传输层材料,电池器件结构为:ITO(150nm)/二氧化钛(100nm)/钙钛矿(250nm)/吡咯并吡咯二酮衍生物I-A(150nm)/金属银(120nm),并测试该电池电流-电压曲线,计算得出电池效率,如图6所示。具体实验步骤如下:
步骤1:将ITO透明导电玻璃基片超声清洗,再分别用去离子水、丙酮、乙醇反复清洗三次,干燥完全后用紫外灯和臭氧处理ITO导电玻璃表面以去除残留的有机物。处理完毕后放入手套箱备用。
步骤2:二氧化钛以旋涂的方式覆盖到上述ITO基板上,转速为3000-3500rpm,时间为30秒。然后在150℃温度下退火90分钟,重复旋涂步骤使得二氧化钛厚度为100nm。
步骤3:将上述二氧化钛涂层板放到手套箱中,然后在二氧化钛上旋涂一层钙钛矿层(CH3NH3PbI3-xClx,其中x为0-0.5),转速为3000-3500rpm,在100℃温度下退火90分钟,重复旋涂步骤使得钙钛矿层厚度为250nm。
步骤4:将空穴传输材料I-A溶在氯苯中,浓度为100mg/mL,在上述钙钛矿层上旋涂空穴传输层,转速为3000-3500rpm,在90℃温度下退火90分钟,重复旋涂步骤使得空穴传输层厚度为150nm。
步骤5:将Ag电极真空蒸镀到空穴传输材料的上层,厚度为120nm。
实施例5
将空穴传输材料换为实施例2制得的化合物I-B,步骤同实施例四。
实施例6
将空穴传输材料换为实施例3制得的化合物I-C,步骤同实施例四。
对比实施例
将空穴传输材料换为已知的Spiro-OMeTAD,步骤同实施例四。在同等条件下,与上述实施例4、实施例5和实施例6比较,测试电池电流-电压曲线,计算得出电池效率。目前测得的商品化Spiro-OMeTAD光电转换效率为(6.2±0.4)%,本发明的吡咯并吡咯二酮衍生物效率为(7.5±1.1)%。
以上是本发明的较佳实施例,凡依本发明技术方案所作的改变,所产生的功能作用未超出本发明技术方案的范围时,均属于本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种呋喃基吡咯并吡咯二酮衍生物,其特征在于,具有如下式I所示的结构:
其中,主体为没有取代基团的呋喃基吡咯并吡咯二酮;
A为正己基或正十二烷基;
B为4-三苯胺基、4-(9-咔唑基)苯基或3-(9-苯基)咔唑基;
C为4-三苯胺基、4-(9-咔唑基)苯基或3-(9-苯基)咔唑基。
2.根据权利要求1所述的呋喃基吡咯并吡咯二酮衍生物,其特征在于,A为正己基,B和C均为4-三苯胺基,所述衍生物为2,5-二正己基-3,6-双(5-(4-(二苯胺基)苯基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮,具有式I-A的结构:
3.根据权利要求1所述的呋喃基吡咯并吡咯二酮衍生物,其特征在于,A为正己基,B和C均为4-(9-咔唑基)苯基,所述衍生物为2,5-二正己基-3,6-双(5-(4-(9H-9-咔唑基)苯基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮,具有式I-B的结构:
4.根据权利要求1所述的呋喃基吡咯并吡咯二酮衍生物,其特征在于,A为正己基,B和C均为3-(9-苯基)咔唑基,所述衍生物为2,5-二正己基-3,6-双(5-(9-苯基-9H-3-咔唑基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮,具有式I-C的结构:
5.一种钙钛矿电池,包括基板、阳极、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、阴极,其特征在于,所述的空穴传输层为2,5-二正己基-3,6-双(5-(4-(二苯胺基)苯基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮、2,5-二正己基-3,6-双(5-(4-(9H-9-咔唑基)苯基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮、2,5-二正己基-3,6-双(5-(9-苯基-9H-3-咔唑基)-2-呋喃基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4(2H,5H)-二酮中一种或几种。
6.根据权利要求5所述的钙钛矿电池,其特征在于,所述的基片为ITO透明导电玻璃基板,电子传输层采用介孔二氧化钛,钙钛矿层为CH3NH3PbI3-xClx,其中x为0-0.5。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109053735A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-12-21 | 南京邮电大学 | 一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料及其应用 |
CN110563735A (zh) * | 2019-09-27 | 2019-12-13 | 江苏好收成韦恩农化股份有限公司 | 制备双氟磺草胺的方法 |
CN111834537A (zh) * | 2019-07-18 | 2020-10-27 | 广州华睿光电材料有限公司 | 一种包含光取出层的有机电致发光器件 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014078701A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-05-01 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 有機薄膜太陽電池素子用材料およびその用途 |
CN105131640A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-12-09 | 华南理工大学 | 异吡咯并吡咯二酮染料及其应用 |
-
2016
- 2016-07-19 CN CN201610571489.7A patent/CN106188067B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014078701A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-05-01 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 有機薄膜太陽電池素子用材料およびその用途 |
CN105131640A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-12-09 | 华南理工大学 | 异吡咯并吡咯二酮染料及其应用 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
ANDREW M. NAMESPETRA 等: "Development of simple hole-transporting materials for perovskite solar cells", 《CANADIAN JOURNAL OF CHEMISTRY》 * |
RUIFA JIN 等: "Rational Design of Diketopyrrolopyrrole-Based Small Molecules as Donating Materials for Organic Solar Cells", 《INTERNATIONAL JOURNAL OF MOLECULAR SCIENCES》 * |
宋志浩 等: "新型空穴传输材料在钙钛矿太阳能电池中的研究进展", 《物理学报》 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109053735A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-12-21 | 南京邮电大学 | 一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料及其应用 |
CN109053735B (zh) * | 2018-06-27 | 2021-05-04 | 南京邮电大学 | 一种基于并吡咯核芳香胺类有机半导体材料及其应用 |
CN111834537A (zh) * | 2019-07-18 | 2020-10-27 | 广州华睿光电材料有限公司 | 一种包含光取出层的有机电致发光器件 |
CN110563735A (zh) * | 2019-09-27 | 2019-12-13 | 江苏好收成韦恩农化股份有限公司 | 制备双氟磺草胺的方法 |
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