CN106181734A - 一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法。本方法使用双面抛光机,上盘和下盘为合成树脂锡盘,配上粒径为W0.5的金刚石抛光液,将氮化镓单晶片放在双面抛光机游星轮上,其中上盘设为螺旋凹槽条纹,两条凹槽间距为1.5mm,凹槽深度为15μm,下盘为同心圆槽条纹,两条凹槽间距为1mm,凹槽深度为20μm,压力为100‑500g/cm2,转速为10‑40r/min,金刚石抛光液的流量为5ml‑20ml/min。使用合成树脂锡盘,配上金刚石抛光液,大大缩短了加工时间,提高了加工效率,由于划痕深度小,为后面化学机械抛光工序奠定了基础。采用锡盘双面抛光,可以获得更高的去除速率和表面质量。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料的加工,特别是涉及一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法。
背景技术
氮化镓(GaN)晶体是新型第三代半导体电子材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、介电常数小、热导率大和化学稳定性等优点,在光显示、光存储、光探测等光电子器件和高温、高频大功率电子等器件领域有广阔的应用前景。
GaN晶片的表面状态对其作为器件和外延衬底应用有着重要影响。在器件制造过程中,GaN晶片表面存在的划痕和损伤层,会使晶格发生周期性严重破坏,形成空间电荷区,造成表面漏电流,使其器件噪声和漏电流增加,从而影响了GaN基电极接触和器件性能,影响器件的可靠性和成品率。因此,GaN衬底晶片必须经过多道研磨及抛光流程,尤其高精密抛光加工难度大,耗时长,成本高。
传统的双面抛光布方法存在抛光时间长,效率低,0.03μm/min左右,锡盘双面抛光为0.35μm/min左右,锡盘双面抛光TTV小于2μm,双面抛光布的TTV参数较高,6μm左右,见表1。
发明内容
鉴于现有技术存在的问题,本发明提出一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法。该方法为新型GaN单晶片的双面锡盘抛光方法,与传统的双面抛光布方法相比,能够获得更高的加工效率和晶片表面质量。
本发明采用的锡盘双面抛光设备是在原来的设备(兰州瑞德6B双面研磨机)基础上改造的,将原来的两面铸铁盘换成两面合成树脂锡盘,上下盘的锡盘刻槽精度必须保持指标。
为了达到上述目的,本发明采取的技术方案是:一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法,其特征在于,使用双面抛光机,上盘和下盘为合成树脂锡盘,配上粒径为W0.5的金刚石抛光液,将氮化镓单晶片放在双面抛光机游星轮上,其中上盘设为螺旋凹槽条纹,并且相近的两条凹槽间距为1.5mm,凹槽深度为15μm,下盘为同心圆槽条纹,并且相近的两条凹槽间距为1mm,凹槽深度为20μm,压力为100-500g /cm2,转速为10-40 r /min,金刚石抛光液的流量为5ml-20ml/min。
本发明具有以下有益效果:使用合成树脂锡盘,配上金刚石抛光液,大大缩短了加工时间,提高了加工效率,并且表面在肉眼观察下,表面细腻,光滑,布满了非常细小的划痕,划痕深度非常小,为后面化学机械抛光工序奠定了良好的基础。从表1可以看出,采用锡盘双面抛光,可以获得更高的去除速率和表面质量。本发明解决了GaN加工效率低的问题,并且大大降低了GaN晶片TTV和Bow两个重要指标。
表1 双面抛光工艺条件对比表
通过该方法,在微分干涉显微镜下(50倍)观察晶片表面,几乎看不到晶片表面划痕,然后通过原子力显微镜(AFM)测试,在10μm×10μm区域内,Ra在0.924mn,说明该方法可以获得几乎无表面划痕的表面质量,为下步CMP奠定了很好的基础,节约CMP时间,从5h减少到2h。
附图说明
图1为本发明合成树脂锡盘上盘结构示意图;
图2为本发明合成树脂锡盘下盘结构示意图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明做进一步说明。
实施例:将粗磨好的GaN单晶片进行清洗干净,放在双面抛光机上的游星轮,采用合成树脂锡盘,配上粒径为W0.5的金刚石抛光液(购买国内富丰源公司的金刚石抛光液),对其GaN单晶片进行双面机械抛光,其中上盘为螺旋凹槽条纹(见图1),并且两条凹槽间距为1.5mm,凹槽深度为15μm,下盘为同心圆槽条纹(见图2),并且两条凹槽间距为1mm,凹槽深度为20μm,压力为400g/cm2,转速为30r/min,金刚石抛光液的流量为8ml/min。
金刚石抛光液配合锡盘,二者的作用模式是通过机械作用,使金刚石颗粒可以镶嵌在锡盘表面上,使其固结模式产生磨削作用,可以快速去除晶片,上盘间距1.5mm螺旋条纹,利于金刚石抛光液能够通畅的流到下表面,反之,金刚石抛光液则始终在上表面作用,很少的液流到下表面。下盘间距为1mm的同心圆条纹能够保持金刚石抛光液,间距过宽造成表面划伤严重,速率较慢,间距过窄金刚石抛光液流失浪费,去除速率较慢,最终会造成两面去除不均匀,Bow、TTV参数较差。
Claims (1)
1. 一种用于氮化镓单晶片的合成树脂锡盘双面抛光方法,其特征在于,使用双面抛光机,上盘和下盘为合成树脂锡盘,配上粒径为W0.5的金刚石抛光液,将氮化镓单晶片放在双面抛光机游星轮上,其中上盘设为螺旋凹槽条纹,并且相近的两条凹槽间距为1.5mm,凹槽深度为15μm,下盘为同心圆槽条纹,并且相近的两条凹槽间距为1mm,凹槽深度为20μm,压力为100-500g /cm2,转速为10-40 r /min,金刚石抛光液的流量为5ml-20ml /min。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107991230A (zh) * | 2018-01-08 | 2018-05-04 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法 |
CN114800222A (zh) * | 2022-05-13 | 2022-07-29 | 中锗科技有限公司 | 一种锗晶片双面抛光的方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5318694U (zh) * | 1976-07-28 | 1978-02-17 | ||
CN1345264A (zh) * | 1999-03-30 | 2002-04-17 | 株式会社尼康 | 抛光盘、抛光机、抛光方法及制造半导体器件的方法 |
JP2002254297A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-10 | Toyoda Mach Works Ltd | 螺旋溝ラップ定盤 |
CN104044087A (zh) * | 2014-06-18 | 2014-09-17 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种蓝宝石抛光用铜盘及其修盘方法 |
CN104465363A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-03-25 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种利用合成树脂锡盘的碳化硅单晶片化学机械抛光方法 |
CN105666300A (zh) * | 2016-02-02 | 2016-06-15 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种碳化硅晶片的双面抛光方法 |
-
2016
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5318694U (zh) * | 1976-07-28 | 1978-02-17 | ||
CN1345264A (zh) * | 1999-03-30 | 2002-04-17 | 株式会社尼康 | 抛光盘、抛光机、抛光方法及制造半导体器件的方法 |
JP2002254297A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-10 | Toyoda Mach Works Ltd | 螺旋溝ラップ定盤 |
CN104044087A (zh) * | 2014-06-18 | 2014-09-17 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种蓝宝石抛光用铜盘及其修盘方法 |
CN104465363A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-03-25 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种利用合成树脂锡盘的碳化硅单晶片化学机械抛光方法 |
CN105666300A (zh) * | 2016-02-02 | 2016-06-15 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种碳化硅晶片的双面抛光方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107991230A (zh) * | 2018-01-08 | 2018-05-04 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法 |
CN107991230B (zh) * | 2018-01-08 | 2019-12-17 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法 |
CN114800222A (zh) * | 2022-05-13 | 2022-07-29 | 中锗科技有限公司 | 一种锗晶片双面抛光的方法 |
CN114800222B (zh) * | 2022-05-13 | 2023-09-26 | 中锗科技有限公司 | 一种锗晶片双面抛光的方法 |
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