CN106159107B - 有机发光二极管照明灯片及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光二极管照明灯片及其制备方法。该有机发光二极管照明灯片的制备方法包括：制作阵列背板，所述阵列背板包括第一衬底以及形成在所述第一衬底上的第一电极；在所述阵列背板设置有所述第一电极的一面贴附静电膜，对所述静电膜进行构图形成图案化的静电膜，以所述图案化的静电膜为掩膜形成有机膜层；形成第二电极，得到有机发光二极管器件；对所述有机发光二极管器件进行封装。该OLED制备过程不需要使用精细金属掩膜。

Description

有机发光二极管照明灯片及其制备方法
技术领域
本公开至少一实施例涉及一种有机发光二极管照明灯片及其制备方法。
背景技术
随着有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)技术的成熟，OLED照明也逐渐走向市场。近年来的研究表明，OLED照明具有灯具能效高、光线柔和、分布均匀、显色指数高、健康无辐射、可支持柔性应用等无以取代的优点。
发明内容
本公开的至少一实施例涉及一种有机发光二极管照明灯片及其制备方法，该OLED制备过程不需要使用精细金属掩膜(Fine Metal Mask)。
本公开至少一实施例涉及一种有机发光二极管照明灯片的制备方法，包括：制作阵列背板，所述阵列背板包括第一衬底以及形成在所述第一衬底上的第一电极；在所述阵列背板设置有所述第一电极的一面贴附静电膜，对所述静电膜进行构图形成图案化的静电膜，以所述图案化的静电膜为掩膜形成有机膜层；形成第二电极，得到有机发光二极管器件；对所述有机发光二极管器件进行封装。
本公开至少一实施例涉及一种有机发光二极管照明灯片，包括灯片主体，所述灯片主体包括照明部，所述灯片主体的边缘围绕的区域内包括至少一个不发光区域；所述照明部包括第一衬底以及形成在所述第一衬底上的多个有机发光二极管器件，各所述有机发光二极管器件包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机膜层；所述有机膜层在所述照明部连续延伸。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1a为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法流程图；
图1b为本公开一实施例提供的OLED照明灯片发光区域示意图；
图2a为图1b的OLED照明灯片的MN处的阵列背板的剖面示意图；
图2b为本公开一实施例提供的OLED照明灯片中包括外接电极的阵列背板的剖面示意图；
图2c为图2b的简化示意图；
图3a为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中形成的静电膜的俯视示意图；
图3b为本图3a中对应外接电极处的剖视示意图；
图4a为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中形成的图案化的静电膜的俯视示意图；
图4b为图4a中AB处的剖视示意图；
图5a为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中形成有机膜层的薄膜的俯视示意图(有机膜层的薄膜整面覆盖，并对有机膜层的薄膜做了半透明处理)；
图5b为图5a中CD处的剖视示意图；
图6a为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中去除搭接区静电膜的俯视示意图；
图6b为图6a中EF处的剖视示意图；
图7a为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中形成的第二电极的薄膜的俯视示意图(第二电极的薄膜整面覆盖，并对第二电极的薄膜做了半透明处理)；
图7b为图7a中GH处的剖视示意图；
图8a为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中去掉除引出电极区外的掩膜区静电膜以及形成在其上的膜层的俯视示意图；
图8b为图8a中IJ处的剖视示意图；
图8c为形成的有机膜层(有机膜层的图形)的示意图；
图8d为形成的第二电极(第二电极的图形)的示意图；
图9为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中形成封装薄膜的示意图；
图10为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中形成第二衬底的示意图；
图11a为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中掩膜区和第二区域的示意图；
图11b为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中利用激光经掩膜版照射第一衬底和第二衬底的组合去除的示意图；
图12为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中去除第二区域的第一衬底和第二衬底以及位于两者之间的膜层的示意图；
图13为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中贴附第一水氧阻隔层的示意图；
图14为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中将第一衬底和承载第一衬底的承载基板分离的示意图；
图15为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中贴附第二水氧阻隔层的示意图；
图16a为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中镂空区和第二区域的示意图；
图16b为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中贴附第一水氧阻隔层和第二水氧阻隔层后进行切割，以形成镂空区域的示意图；
图17为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中贴附光取出膜后进行切割，以形成镂空区域的示意图；
图18a为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中形成的OLED器件的最终造型的示意图(照明灯片不具有镂空结构)；
图18b为图18a提供的OLED照明灯片的KL处剖视示意图；
图19为本公开一实施例提供的OLED照明灯片制备方法中形成的OLED器件的最终造型的示意图(照明灯片具有镂空结构)；
图20为图19提供的OLED照明灯片的XY处剖视示意图(相邻镂空区域之间或相邻不发光区域之间的灯片主体具有一个子像素)；
图21为图19提供的OLED照明灯片的XY处剖视示意图(相邻镂空区域之间或相邻不发光区域之间的灯片主体具有两个子像素)。
附图标记：
100-承载基板；101-第一衬底；1015-第一电极；1010-第一绝缘层；1011-电极走线；1012-第二绝缘层；1013-阻抗走线电极；1014-第三绝缘层；1016-像素定义层；10160-像素限制区域；10250-搭接区；1025-外接电极；102-静电膜；1020-图案化的静电膜；1021-第一区域；103-有机膜层；104-第二电极；1040-第二电极的薄膜；01020-掩膜区；10280-引出电极区；1028-引出电极区的掩膜区静电膜；105-封装薄膜；106-第二衬底；107-第一水氧阻隔层；108-第二水氧阻隔层；109-光取出膜；21021-第二区域；200-掩膜版；2001-掩膜版的光透过区域；2002-掩膜版的不透光区域；011-发光区域；012-边缘封装区域；013-镂空区域；10-灯片主体；01-子像素；0011-照明部；002-不发光区域；031-第三区域。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
通常的OLED照明灯片制备过程中，形成有机膜层以及阴极的过程中，需要使用精细金属掩膜(Fine Metal Mask，FMM)，而FMM价格昂贵，并且在制备过程中，因其自身重力作用，可能会导致制得的OLED照明灯片的对应FMM边缘区域的子像素与对应FMM中间区域的子像素的大小不一，从而使得OLED照明灯片边缘区域与中间区域的发光亮度不一，发光不均匀。
本公开至少一实施例提供一种OLED照明灯片的制备方法，如图1a所示，包括：制作阵列背板，阵列背板包括第一衬底以及形成在第一衬底上的第一电极；在阵列背板设置有第一电极的一面贴附静电膜，对静电膜进行构图形成图案化的静电膜，以图案化的静电膜为掩膜形成有机膜层；形成第二电极，得到OLED器件；对OLED器件进行封装。
本公开至少一实施例提供的OLED照明灯片的制备方法，OLED制备过程不需要使用FMM，以静电膜代替通常的OLED照明灯片制备过程中使用的FMM，使得OLED照明灯片制备更加简单，制得的OLED照明灯片发光亮度均一。
实施例1
本实施例以形成图1b所示的结构为例进行说明OLED照明灯片的制备方法，但本实施例形成的图形不限于图1b示出的图形。图1b中形成的图形结构为一蝴蝶状的照明灯片，发光区域011构成照明灯片的照明部，照明灯片还包括不发光区域002，不发光区域002例如包括边缘封装区。用户可看到亮度的区域为发光区域011。例如，发光区域011包括多个子像素。
本实施例提供的OLED照明灯片的制备方法，包括如下步骤。
S1、制作阵列背板，阵列背板包括第一衬底101以及形成在第一衬底101上的第一电极1015。
例如，制作阵列背板包括如下步骤。形成的阵列背板可如图2a所示。
S101、在第一衬底101上形成第一绝缘层1010。第一衬底101置于基板100上，基板100例如包括玻璃基板。
S102、在第一绝缘层1010上形成电极走线1011的图形。
S103、在电极走线1011的图形上形成第二绝缘层1012，对第二绝缘层1012进行构图形成第二绝缘层过孔。
S104、在构图后的第二绝缘层上形成阻抗走线电极1013的图形，阻抗走线电极1013经第二绝缘层过孔与电极走线1011电连接。
阻抗走线电极1013的设置可以使得照明灯片的发光更加均匀，阻抗走线电极1013可为线型、折线型等形状，阻抗走线电极1013可设置在其所在的子像素区域内，可通过调节阻抗走线电极1013的长度来调节电阻。亦可不设置阻抗走线电极1013，本公开的实施例对此不作限定。
S105、在阻抗走线电极1013的图形上形成第三绝缘层1014，对第三绝缘层1014进行构图形成第三绝缘层过孔。
S106、在构图后的第三绝缘层上形成第一电极1015的图形，第一电极1015经第三绝缘层过孔与阻抗走线电极1013电连接。
S107、在第一电极1015的图形上形成像素定义层1016以形成像素限制区域10160的图形。
下面例举几种各层适合的材质，需要说明的是，本公开实施例各层的材质并不限于列举的材料。第一衬底101可包括柔性衬底，其材质可包括聚酰亚胺(polyimide，PI)。第一绝缘层1010、第二绝缘层1012、第三绝缘层和像素定义层1016材质可包括氮化硅(SiNx)，氧化硅(SiOx)，氮氧化硅(SiNxOy)中的一种或多种。第一绝缘层1010可作为缓冲层，电极走线1011可采用低电阻材质的金属，例如，可采用金、银、铜、铝、钼、钛中的至少一种。第一电极1015和阻抗走线电极1013可采用透明导电材料，例如可采用氧化铟锡(Indium TinOxides，ITO)，亦可采用叠层结构，例如采用金属与导电金属氧化物的叠层，例如可采用金属和ITO的叠层，金属包括金、银、铜、铝、钼、钛中的至少一种。
例如，在制作阵列背板的过程中，还包括形成外接电极1025，外接电极1025包括搭接区10250和引出电极区10280，搭接区的外接电极被配置来与第二电极搭接(第二电极与外接电极电连接)，引出电极区10280的外接电极被配置来连接外接电路。例如，外接电极可与电源的一端电连接。外接电极可单独形成，也可采用与上述步骤中的一层或多层同层形成，一些示例中，第一电极1015包括靠近第三绝缘层1014的金属铝层以及设置在铝层上的ITO，并且与第一电极1015同层形成有外接电极1025，外接电极1025也包括靠近第三绝缘层1014的金属铝层以及设置在铝层上的ITO。第一电极1015不与外接电极1025电连接。形成的结构如图2b所示。为了方便描述，后续附图中，图2b的结构简化为图2c。图2c中，对应搭接区10250，像素定义层1016包括第一过孔10161，对应引出电极区10280，像素定义层1016包括第二过孔10162。第二电极通过第一过孔10161与外接电极1025搭接，外接电路通过第二过孔10162与外接电极1025电连接。当然，第一电极1015和外接电极1025的结构以及材质不限于上述描述，只是以此为例进行说明。对于第一电极，例如，第一电极1015可通过电极走线1011与外接电路电连接，但不限于此。
需要说明的是，本公开的实施例以图2a所示的阵列背板为例进行说明，但阵列背板并不限于图2a示出的结构。
例如，阵列背板形成步骤中，为避免开口率的降低，可使得电极走线1011等设置在发光区域的边缘部位。但本公开的实施例不限于此。本公开的实施例中，阵列背板在不发光区域处可不设置子像素结构，例如，阵列背板在不发光区域处不形成第一电极等膜层。通过掩膜版在该处的遮挡即可实现。
S2、如图3a、3b所示，在阵列背板设置有第一电极1015的一面贴附静电膜102，如图4a、4b所示，对静电膜进行构图形成图案化的静电膜1020，如图5a、5b所示，以图案化的静电膜1020为掩膜形成有机薄膜层1030。
例如，采用蒸镀法形成有机膜层的薄膜，对静电膜进行构图包括去除第一区域1021的静电膜，保留掩膜区的静电膜，图4a中填充图案的部分即对应掩膜区01020，第一区域1021为有效蒸镀区域。例如，第一区域102大于发光区域011。有效蒸镀区域例如对应形成的有机膜层的区域。
例如，对静电膜进行构图包括采用激光切割技术去除第一区域静电膜。例如，可使用激光勾勒出需去除区域的轮廓，再利用胶带粘贴并去除需去除区域的静电膜。对静电膜进行构图时，可通过控制激光能量以实现半切效果，即只切割静电膜，不伤及第一衬底。需要说明的是，静电膜的去除不限于上述给出的方法。
静电膜是一种不涂胶膜，不含有胶材成分，是一种自粘膜，靠静电吸附来粘着物品，仅靠静电实现吸附。例如，静电膜材质包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)中的至少一个，但不限于此。例如，静电膜因其仅靠静电实现吸附，比较容易去除。
S3、形成有机膜层以及第二电极，得到OLED器件；
例如，形成有机膜层以及第二电极包括：如图6a、6b所示，在保护气氛下去除搭接区静电膜以及其上的膜层以露出外接电极的搭接区10250，如图7a、7b所示，形成第二电极的薄膜1040；如图8a、8b所示，在保护气氛下去掉除引出电极区10280外的掩膜区静电膜以及形成在其上的膜层(掩膜区静电膜上形成有有机膜层的薄膜1030和第二电极的薄膜1040)，得到有机膜层103和第二电极104，第二电极104与外接电极1025电连接，形成的有机膜层如图8c所示，形成的第二电极如图8d所示。引出电极区10280的掩膜区静电膜1028如图8b所示。保护气氛例如包括氮气气氛，但不限于此。图8a中，为了清楚的显示引出电极区10280的掩膜区静电膜1028，静电膜之上的膜层透明化处理。
S4、对OLED器件进行封装。
例如，对OLED器件进行封装包括：形成第二电极104后，进行薄膜封装，形成的封装薄膜105如图9所示。
从而，得到了OLED照明灯片。得到的照明灯片中，发光区域为一蝴蝶形状，得到的照明灯片可参考如图1b。
例如，为了更好的起到防水氧的效果，进行薄膜封装后，还可包括：
S5、如图10所示，在第一衬底101设置OLED器件的一侧贴附第二衬底106。
需要说明的是，本公开的实施例中，OLED器件可包括阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和阴极。例如，上述各层可依次叠层设置。从而，有机膜层103可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)中的至少一种。需要说明的是，在另一实施例提供的OLED器件中，也可不设置空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)中的至少一层。此外，上述层叠结构仅仅为示意性的，根据本公开实施例的OLED器件可以减少上述层中的某些层，也可以增加其他的层。例如，还可以包括空穴阻挡层、电子阻挡层等。本公开的实施例对此不作限定。有机膜层103的材质可参照通常设计，在此不再赘述。
实施例2
通常的OLED照明灯片，受制程限制，无法实现中间镂空的设计，因此在外观造型上难有显著突破。本实施例提出的器件结构和制备工艺可有效解决该问题，为灯片造型设计提供了更为宽广的设计空间。
本实施例制备的OLED照明灯片包括镂空结构。
本实施例在实施例1的基础上进行。例如，还可以包括如下步骤。
S6、如图11a、11b所示，贴附第二衬底106后，利用激光切割技术对第一衬底101和第二衬底106的组合进行切割，以去除第二区域21021的第一衬底101和第二衬底106以及位于两者之间的膜层，第二区域21021位于掩膜区01020的范围内，并且小于掩膜区01020，从而可使得OLED器件封装的更好，在切割后也能有较好的防水氧能力。第二区域21021的图形可参照掩膜区01020的图形。图11a中，蝴蝶轮廓中，虚线为掩膜区01020的边界，实线为第二区域21021的边界。第一衬底101和第二衬底106的组合例如是指在第一衬底101上贴附第二衬底106后得到的结构。
S7、对第一衬底101和第二衬底106的组合进行切割后，使激光经过掩膜版200照射切割后的第一衬底101和第二衬底106的组合，使位于第二区域21021的第一衬底101和第二衬底106以及位于两者之间的膜层被剥离，将被剥离的部分与承载第一衬底101的承载基板100分离，得到的结构如图12所示。掩膜版200的图形可如图11a所示。如图11a、11b所示，掩膜版200对应于第二区域21021的位置为光透过区域2001，其余区域为不透光区域2002。对第一衬底101和第二衬底106的组合进行切割并剥离被激光照射部分后得到的结构如图12所示。
S8、将被剥离的部分与承载第一衬底101的承载基板100分离后，如图13所示，在去除了被剥离部分的第二衬底106上贴附第一水氧阻隔层107。
S9、利用激光照射承载第一衬底101的承载基板100，将第一衬底101与承载第一衬底101的承载基板100完全分离。分离后的结构如图14所示。
S10、去除了被剥离部分的第一衬底101与承载第一衬底101的承载基板100完全分离后，如图15所示，在去除了被剥离部分的第一衬底101远离OLED器件的一面贴附第二水氧阻隔层108。
S11、贴附第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108后，利用激光切割技术对第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108的组合进行切割，以形成镂空区域013，如图16a和图16b所示。如图16a所示，镂空区域013位于第二区域21021的范围内并且小于第二区域21021，从而可使得OLED器件封装的更好，在切割后也能有较好的防水氧能力。例如，被切割掉的部分(镂空区域)包括第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108。镂空区域013与第二区域21021的图形可如图16a所示。图16a中，蝴蝶轮廓中，虚线为第二区域21021的边界，实线为镂空区域013的边界。得到的结构可如图16b所示。图16b中还示出了发光区域011和边缘封装区域012。第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108的组合例如是指贴附第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108后的结构。
本实施例提供的方法中，第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108的设置，可以进一步提高防水氧封装效果，可以提高照明灯片的寿命和耐久性。并且，镂空设计时，可以实现OLED寿命以及灯片造型二者的兼容。
本实施例提供的方法可以支持柔性OLED灯片各种复杂的镂空设计方案，为灯片造型设计提供更大空间。
实施例3
本实施例制备的OLED照明灯片也包括镂空结构。
本实施例在实施例2的基础上进行。例如，如图17所示，为了提高光取出效率，本实施例在贴附第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108后，对第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108的组合进行切割前，还包括在第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108至少之一上贴附光取出膜109。从而，贴附光取出膜109后，可利用激光切割技术对第一水氧阻隔层107、第二水氧阻隔层108和光取出膜109的组合进行切割以形成镂空区域013，同样的，镂空区域013位于第二区域21021的范围内并且小于第二区域21021。例如，被切割掉的部分(镂空区域)包括第一水氧阻隔层107、第二水氧阻隔层108和光取出膜109。
实施例4
在实施例1的基础上，为了进一步起到防水氧的效果，本实施例进行了的第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108至少之一的贴附。
例如，贴附第二衬底106后，在第二衬底106上贴附第一水氧阻隔层107。
例如，贴附第一水氧阻隔层107后，将第一衬底101和承载第一衬底101的承载基板100分离。
例如，分离第一衬底101和承载第一衬底101的承载基板100后，在第一衬底101远离OLED器件的一面贴附第二水氧阻隔层108。
实施例5
在实施例4的基础上，为了提高光取出效率，还包括在第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108至少之一上贴附光取出膜109。
本实施例中，不发光区域可包括第一衬底101、第二衬底106、第一水氧阻隔层107、第二水氧阻隔层108和光取出膜109。
以下列举几种膜层的材质，需要说明的是，本公开的实施例给出的膜层的材质不限于列举的情形。例如，第二衬底106、第一水氧阻隔层107以及第二水氧阻隔层108的材质可包括聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等。封装薄膜105可包括有机封装薄膜和无机封装薄膜的至少一种，例如可以一层无机封装薄膜封装后再进行一层有机封装薄膜的封装，但不限于此。无机封装薄膜可包括氮化硅膜，有机封装薄膜可包括六甲基二硅氧烷(HMDSO)，但不限于此。有关光取出膜109可参照通常设计。
例如，上述实施例中，第一电极为阳极，第二电极为阴极，但不限于此。
本公开的以上实施例中以剖面线处包括一个子像素为例进行说明，但本公开的实施例中，剖面线处亦可包括多个子像素，本公开的实施例对此不作限定。
本公开的实施例中切割可以采用激光切割，但不限于此。例如，还可以采用机械切割的方式进行切割。
例如，本公开的实施例中，形成薄膜例如是指形成整面的薄膜，可作为待图形化的薄膜进行图形化，进而得到所需的图形。例如，形成薄膜可采用蒸镀法，磁控溅射法等。
例如，本公开的实施例中，封装薄膜105、第二衬底106、第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108可以整面贴附。即，封装薄膜105、第二衬底106、第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108为面状的薄膜。
实施例6
本实施例提供一种有机发光二极管照明灯片，如图18a所示，包括灯片主体10，灯片主体包括照明部0011，灯片主体的边缘围绕的区域内包括至少一个不发光区域002。
照明部0011包括第一衬底101以及形成在第一衬底101上的多个有机发光二极管器件，各有机发光二极管器件包括第一电极1015、第二电极104以及设置在第一电极1015和第二电极104之间的有机膜层103；有机膜层103在照明部连续延伸。
如图18b所示，不发光区域002包括边缘封装区域012，还包括第三区域031。例如，第三区域031不设置像素结构，不发光。
图18b可对应实施例1形成的照明灯片，实施例4和实施例5形成的照明灯片也可如图18a所示。
例如，各有机发光二极管器件的第一电极1015独立设置在其所属的有机发光二极管器件中，第二电极104在照明部连续延伸。即，第一电极1015分立。第一衬底上设置多个独立的第一电极1015。例如，每个子像素01设置一个第一电极1015。
例如，多个有机发光二极管器件经封装薄膜105封装，并在封装薄膜105远离第一衬底101的一面设置第二衬底106。
例如，还可在第二衬底106远离封装薄膜105的一面设置第一水氧阻隔层107，在第一衬底101远离第二衬底106的一面设置第二水氧阻隔层108。
本实施例提供的有机发光二极管照明灯片，可采用实施例1、实施例4或实施例5的方法形成。例如照明部0011可与之前描述中的发光区域011对应。
实施例7
如图19所示，本实施例的有机发光二极管照明灯片包括镂空结构。例如，不发光区域002包括镂空区域013和边缘封装区域012，在灯片主体靠近镂空区域013位置处和灯片主体的边缘位置处，第一水氧阻隔层107和第二水氧阻隔层108贴附在一起。
图19和图20示出了图18b中KL处的剖视示意图，图19示出了KL处设置一个子像素01的情形，图20示出了KL处设置两个子像素01的情形。需要说明的是，图19和图20只是为了描述方便给出的图示，KL处也可以设置更多个子像素，本公开的实施例对此不作限定。
图19和图20可对应实施例2制备的照明灯片。实施例3的照明灯片也可参照图18。
例如，也可将实施例6的不发光区域去除一部分，从而得到镂空结构的照明灯片。例如，图18b对应的结构中，可去除第三区域031，从而可得到镂空结构的照明灯片。
有以下几点需要说明：
(1)除非另作定义，本公开实施例以及附图中，同一附图标记代表同一含义。
(2)本公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(3)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(4)在不冲突的情况下，本公开的同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种有机发光二极管照明灯片的制备方法，包括：
制作阵列背板，所述阵列背板包括第一衬底以及形成在所述第一衬底上的第一电极；
在所述阵列背板设置有所述第一电极的一面贴附静电膜，对所述静电膜进行构图形成图案化的静电膜，以所述图案化的静电膜为掩膜形成有机膜层；采用蒸镀法形成所述有机膜层的薄膜，对所述静电膜进行构图包括去除第一区域的静电膜，保留掩膜区的静电膜，所述第一区域为有效蒸镀区域；
形成第二电极，得到有机发光二极管器件；
对所述有机发光二极管器件进行封装；对所述有机发光二极管器件进行封装包括：形成所述有机膜层和所述第二电极后，进行薄膜封装；
进行所述薄膜封装后，在所述第一衬底设置有机发光二极管器件的一侧贴附第二衬底；
贴附所述第二衬底后，对所述第一衬底和所述第二衬底的组合进行切割，并去除第二区域的所述第一衬底和所述第二衬底以及位于两者之间的膜层，所述第二区域位于所述掩膜区的范围内并且小于所述掩膜区。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管照明灯片的制备方法，其中，对所述静电膜进行构图包括采用激光切割技术去除所述第一区域的静电膜。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管照明灯片的制备方法，其中，
所述阵列背板还包括形成在所述第一衬底上的外接电极，所述外接电极包括搭接区和引出电极区；
形成所述有机膜层和所述第二电极包括：在保护气氛下去除所述搭接区的静电膜以及形成在其上的膜层，形成第二电极的薄膜；并在保护气氛下去掉除所述引出电极区外的掩膜区静电膜以及形成在其上的膜层，得到有机膜层和第二电极；所述第二电极与所述外接电极电连接。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管照明灯片的制备方法，其中，贴附所述第二衬底后，在所述第二衬底上贴附第一水氧阻隔层；
贴附所述第一水氧阻隔层后，将所述第一衬底和承载所述第一衬底的承载基板分离；
分离所述第一衬底和所述承载基板后，在所述第一衬底远离所述有机发光二极管器件的一面贴附第二水氧阻隔层。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管照明灯片的制备方法，还包括在所述第一水氧阻隔层和所述第二水氧阻隔层至少之一上贴附光取出膜。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管照明灯片的制备方法，其中，去除第二区域的所述第一衬底和所述第二衬底以及位于两者之间的膜层包括：使激光经过掩膜版照射切割后的所述第二区域的所述第一衬底和所述第二衬底的组合，使位于所述第二区域的所述第一衬底和所述第二衬底以及位于两者之间的膜层被剥离，将被剥离部分与承载所述第一衬底的承载基板分离。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管照明灯片的制备方法，其中，
将所述被剥离的部分与所述承载基板分离后，在去除了所述被剥离部分的所述第二衬底上贴附第一水氧阻隔层；
利用激光照射所述承载基板，将所述第一衬底与所述承载基板完全分离；
去除了所述被剥离部分的所述第一衬底与所述承载基板完全分离后，在去除了所述被剥离部分的所述第一衬底远离所述有机发光二极管器件的一面贴附第二水氧阻隔层。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管照明灯片的制备方法，其中，贴附所述第一水氧阻隔层和所述第二水氧阻隔层后，对所述第一水氧阻隔层和所述第二水氧阻隔层的组合进行切割以形成镂空区域，所述镂空区域位于所述第二区域的范围内并且小于所述第二区域。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管照明灯片的制备方法，贴附所述第一水氧阻隔层和所述第二水氧阻隔层后，进行切割前，还包括在所述第一水氧阻隔层和所述第二水氧阻隔层至少之一上贴附光取出膜。
10.根据权利要求1-9任一项所述的有机发光二极管照明灯片的制备方法，其中，所述静电膜的材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)中的至少一个。
11.根据权利要求1-9任一项所述的有机发光二极管照明灯片的制备方法，其中，制作阵列背板包括：
在所述第一衬底上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成电极走线的图形；
在所述电极走线的图形上形成第二绝缘层，对所述第二绝缘层进行构图形成第二绝缘层过孔；
在构图后的所述第二绝缘层上形成阻抗走线电极的图形，所述阻抗走线电极经所述第二绝缘层过孔与所述电极走线电连接；
在所述阻抗走线电极的图形上形成第三绝缘层，对所述第三绝缘层进行构图形成第三绝缘层过孔；
在构图后的所述第三绝缘层上形成所述第一电极的图形，所述第一电极经所述第三绝缘层过孔与所述阻抗走线电极电连接；
在所述第一电极的图形上形成像素定义层以形成像素限制区域的图形。
12.一种有机发光二极管照明灯片，包括灯片主体，所述灯片主体包括照明部，所述灯片主体的边缘围绕的区域内包括至少一个不发光区域，所述不发光区域包括镂空区域，所述照明部靠近所述镂空区域处和所述灯片主体的边缘为边缘封装区域；
所述照明部包括第一衬底、第二衬底以及形成在所述第一衬底上的多个有机发光二极管器件，所述多个有机发光二极管器件位于所述第一衬底和所述第二衬底之间，各所述有机发光二极管器件包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机膜层；所述有机膜层在所述照明部连续延伸。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管照明灯片，其中，各所述有机发光二极管器件的第一电极独立设置在其所属的有机发光二极管器件中，所述第二电极在所述照明部连续延伸。
14.根据权利要求12或13所述的有机发光二极管照明灯片，其中，所述多个有机发光二极管器件经封装薄膜封装，并在所述封装薄膜远离所述第一衬底的一面设置所述第二衬底，在所述第二衬底远离所述封装薄膜的一面设置第一水氧阻隔层，在所述第一衬底远离所述第二衬底的一面设置第二水氧阻隔层。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管照明灯片，其中，在所述灯片主体靠近所述镂空区域位置处和所述灯片主体的边缘位置处，所述第一水氧阻隔层和所述第二水氧阻隔层贴附在一起。
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