CN106133860A - 芯片型电子部件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够实现所期望的特性的芯片型电子部件。安装于基板的芯片型电子部件(1a)具备:芯片基体(2),具有上面、下面以及侧面;内部电极(3a、3b、3c),形成于芯片基体(2)的内部;以及覆盖层(5),由具有比芯片基体(2)低的介电常数的绝缘材料形成,并被设置为覆盖芯片基体(2)的侧面的至少一部分。这样一来,能够减少在与芯片基体(2)的厚度方向正交的方向上,形成于芯片基体(2)的内部的内部电极(3a、3b、3c)与配置于覆盖层(5)的外侧的其它电极部件之间的不必要的杂散电容,因此能够提供能够实现所期望的特性的芯片型电子部件(1a)。
Description
技术领域
本发明涉及在由电介质材料形成的芯片基体的内部形成有电极的芯片型电子部件。
背景技术
以往,已知由不同种类材料构成的陶瓷层层叠而成的芯片型电子部件。例如,如图6所示,在专利文献1所记载的芯片型电子部件100中,芯片基体101以层叠有介电常数相对较高的高介电常数陶瓷层101a和介电常数相对较低的低介电常数陶瓷层101b的层叠构造形成。此时,成为高介电常数陶瓷层101a被上下配置的低介电常数陶瓷层101b夹着的构造,在高介电常数陶瓷层101a分别与上下的低介电常数陶瓷层101b各自的边界上形成有内部电极102。并且,各内部电极102分别与形成于芯片基体101的侧面的外部电极103连接。
在这样构成的芯片型电子部件100中,由于上下的内部电极102经由高介电常数陶瓷层101a对置配置,因此能够构成电容器。并且,在上述的芯片型电子部件100中构成电容器的情况下,虽然可以考虑在高介电常数陶瓷层101a与上下的内部电极102之间设定所期望的电容,但存在和上下的内部电极102不同的其它电极部件与该内部电极102之间产生杂散电容的情况。在这样的情况下,难以得到所期望的电容,因此需要防止该内部电极102与其它电极部件之间的不必要的杂散电容。
这里,在现有的芯片型电子部件100中,在由高介电常数陶瓷层101a和上下的内部电极102构成的电容器部的上下分别配置有低介电常数陶瓷层101b。因此,例如,能够减少内部电极102、与将芯片型电子部件100安装在布线基板时的位于该芯片型电子部件100的正下方的布线基板的布线电极、形成于低介电常数陶瓷层101b的内部的其它的内部电极之间的不必要的杂散电容。
专利文献1:日本特开2013-134999号公报(参照0076段,图6等)
然而,在上述现有的芯片型电子部件100中,虽然能够减少内部电极102与配置于该内部电极102的上侧及下侧的其它电极部件之间的不必要的杂散电容,即,在芯片型电子部件100的厚度方向上与其它电极部件之间的不必要的杂散电容,但难以防止与在与该厚度方向正交的方向上配设的其它电极部件之间的不必要的杂散电容。
发明内容
本发明是鉴于上述的课题而提出的,其目的在于提供一种芯片型电子部件,在具有内部电极的芯片型电子部件中,通过减少在与其厚度方向正交的方向上配设的其它电极部件与内部电极之间的杂散电容,从而能够实现所期望的特性。
为了实现上述的目的,本发明的芯片型电子部件的特征在于,在安装于基板的芯片型电子部件中,具备:芯片基体,具有上面、下面以及侧面;内部电极,形成于上述芯片基体的内部;以及覆盖层,由具有比上述芯片基体低的介电常数的绝缘材料形成,并被设置为覆盖上述芯片基体的上述侧面的至少一部分。
在该情况下,由具有比芯片基体低的介电常数的绝缘材料形成的覆盖层被设置为覆盖与芯片基体的厚度方向正交的该芯片基体的侧面的至少一部分。因此,能够减少在与芯片基体的厚度方向正交的方向上,形成于芯片基体内部的内部电极与配置于覆盖层的外侧的其它电极部件之间的不必要的杂散电容,由此,能够提供一种能够实现所期望的特性的芯片型电子部件。
另外,也可以具备形成于上述芯片基体的上述侧面的多个第一侧面电极,上述多个第一侧面电极各自的至少一部分被上述覆盖层覆盖。在该情况下,能够减少在与芯片基体的厚度方向正交的方向上,形成于芯片基体内部的内部电极以及各第一侧面电极与配置于覆盖层的外侧的其它电极部件之间不必要的杂散电容。进一步,由于各第一侧面电极各自的至少一部分被覆盖层覆盖,因此即使以窄间距来配置各第一侧面电极,也能够实现相邻的第一侧面电极之间的杂散电容的减少,并能够抑制不必要的杂散电容。
另外,也可以上述多个第一侧面电极还分别具备延伸部,该延伸部延伸形成为从上述芯片基体的上述侧面绕至上述下面,该延伸部从上述覆盖层露出。在将芯片型电子部件安装于基板时,由形成于芯片基体侧面的侧面电极形成芯片型电子部件的外部电极的情况下,必须确保在基板侧存在比芯片型电子部件在俯视观察时的面积大的安装面积,因此难以实现基板的小型化。因此,虽然可以考虑在芯片基体的下面形成芯片型电子部件的外部电极的LGA(Land Grid Array:栅格阵列)构造,但是通常,由于在内部电极与外部电极的连接中使用通孔导体,因此芯片基体的内部电极等的设计自由度在芯片基体的内部形成通孔导体的相应部分被限制。
因此,在各第一侧面电极中,通过将延伸部形成为从芯片基体的侧面绕至下面,并使该延伸部从覆盖层露出,从而能够成为将芯片型电子部件的各第一侧面电极的延伸部作为外部电极来利用的LGA构造。因此,能够减少在与芯片型电子部件的厚度方向正交的方向上形成于芯片基体内部的内部电极以及各第一侧面电极与配置于覆盖层的外侧的其它电极部件之间的不必要的杂散电容,并能够确保芯片基体的内部电极等的设计自由度,由此能够实现芯片型电子部件的特性改善。
也可以具备形成于上述芯片基体的上述侧面的第二侧面电极,上述第二侧面电极的至少一部分形成在上述覆盖层上。在该情况下,在形成于第二侧面电极的覆盖层上的部分与形成于芯片基体内部的内部电极之间,由于夹设有介电常数比芯片基体低的覆盖层,所以能够减少内部电极与第二侧面电极之间产生的不必要的杂散电容。
上述内部电极也可以被形成为,在上述芯片基体的上述侧面被上述覆盖层覆盖的部分中其端部到达上述芯片基体与上述覆盖层之间的边界。若内部电极的端部从芯片基体的侧面露出,则由于存在与形成于芯片基体的侧面的电极、芯片基体的外部的导电部件发生短路的担忧,因此在形成该内部电极时,通常在其端部与芯片基体的侧面之间设定考虑到加工偏差的间隙。因此,存在芯片基体的内部的设计空间窄了设定该间隙的量的问题。
然而,由于本发明在芯片基体的侧面设置了由绝缘材料形成的覆盖层,因此在芯片基体的侧面被覆盖层所覆盖的部分中,即使将内部电极的端部形成为到达芯片基体及覆盖层的边界,也能够防止形成于芯片基体的侧面的电极(例如,第二侧面电极)与外部的导电部件之间发生短路。因此,不需要在形成内部电极时设定上述间隙,从而能够扩大芯片基体的内部的设计空间。
另外,在将内部电极的端部形成为到达芯片基体及覆盖层的边界的情况下,例如,虽然考虑到形成于覆盖层上的第二侧面电极与内部电极之间的距离变近,且两者之间的杂散电容变大,但由于覆盖层由具有比芯片基体低的介电常数的材料形成,因此能够减少内部电极与第二侧面电极之间产生的不必要的杂散电容。
另外,上述覆盖层可以被设置为除了上述芯片基体的上述侧面之外还覆盖上述芯片基体的上述上面以及上述下面中的至少一方。在该情况下,能够减少内部电极与配置于被覆盖层覆盖的芯片基体的上面以及下面中至少一方的其它的电极等导电性部件之间产生的不必要的杂散电容。
另外,上述覆盖层可以被设置为覆盖角部,上述角部是上述芯片基体的上述侧面与上述芯片基体的上述上面以及上述下面各自之间的边界部。这样一来,由于容易受到来自外部的冲击的芯片基体的角部被覆盖层保护,因此能够防止因来自外部的冲击而导致芯片型电子部件破损的情况。
根据本发明,由具有比芯片基体低的介电常数的绝缘材料形成的覆盖层被设置为覆盖与芯片基体的厚度方向正交的该芯片基体的侧面的至少一部分。因此,能够减少在与芯片基体的厚度方向正交的方向上,形成于芯片基体内部的内部电极与配置于覆盖层的外侧的其它电极部件之间的不必要的杂散电容,由此,能够提供一种能够实现所期望的特性的芯片型电子部件。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式所涉及的芯片型电子部件的剖视图。
图2是图1的芯片型电子部件的立体图。
图3是本发明的第二实施方式所涉及的芯片型电子部件的剖视图。
图4是本发明的第三实施方式所涉及的芯片型电子部件的剖视图。
图5是本发明的第四实施方式所涉及的芯片型电子部件的剖视图。
图6是现有的芯片型电子部件的剖视图。
具体实施方式
<第一实施方式>
参照图1及图2本对发明的第一实施方式所涉及的芯片型电子部件1a进行说明。此外,图1是芯片型电子部件1a的剖视图,图2是芯片型电子部件1a的立体图。此外,在图2中省略图示覆盖层5。
如图1所示,该实施方式所涉及的芯片型电子部件1a具备:芯片基体2,其具有上面、下面以及侧面;多个内部电极3a、3b、3c,它们形成于芯片基体2的内部;多个侧面电极4,它们形成于芯片基体2的侧面(相当于本发明的“第一侧面电极”);以及覆盖层5,其被设置为覆盖形成各侧面电极4的芯片基体2的侧面。该芯片型电子部件1a例如是芯片电容器、片式电感器、内置电容器及电感器的LC芯片部件等,是安装于基板等的部件。
芯片基体2例如由以低温共烧陶瓷等陶瓷材料形成的多个陶瓷层的层叠体构成,在规定的陶瓷层的主面上形成各内部电极3a、3b、3c。此时,各内部电极3a、3b、3c能够借助使用了含有Cu、Ag等金属的导电性糊剂的打印技术等来分别形成。并且,也有在芯片基体2的内部形成有用于连接形成于不同的陶瓷层的规定的内部电极彼此的通孔导体的情况。并且,一部分的内部电极3a、3c与形成于芯片基体2侧面的侧面电极4连接。
如图2所示,各侧面电极4由Cu、Ag等金属构成,并分别形成于芯片基体2的侧面。此时,如图1所示,各侧面电极4分别具备形成于芯片基体2侧面的侧面部4a以及以从芯片基体2的侧面绕至下面的方式延伸形成的延伸部4b,各延伸部4b被设置为从覆盖层5露出。而且,设置于芯片基体2的下面的各侧面电极4的延伸部4b通过锡焊等与外部的基板连接。此外,为了提高与基板的连接性,可以在各侧面电极4的表面上实施镀金、镀镍/锡。并且,各侧面电极4也可以分别与上述延伸部4b相同地,形成为其一部分绕至芯片基体2的上面。
覆盖层5由介电常数比形成芯片基体2的各陶瓷层低的陶瓷材料形成,并在该实施方式中,覆盖层5以覆盖芯片基体2的整个侧面以及芯片基体2的侧面与上面及下面各自之间的边界部亦即角部的方式设置。因此,各侧面电极4分别成为被覆盖层5覆盖除了延伸部4b之外的侧面部4a的构造。这里,覆盖层5例如能够通过浸渍等形成于芯片基体2的侧面。此外,形成覆盖层5的材料只要是介电常数比芯片基体2低的绝缘材料(例如,介电常数较低的陶瓷、树脂等),则能够适当地变更。
另外,覆盖层5也可以不必覆盖芯片基体2的整个侧面,只要至少覆盖各侧面电极4的侧面部4a即可。并且,覆盖层5可以是除了芯片基体2的侧面之外进一步覆盖芯片基体2的上面以及芯片基体2的下面的没有形成电极的部分中至少一方的结构。在该情况下,能够减少内部电极3a、3b、3c、与配置于被覆盖层5所覆盖的芯片基体2的上面以及下面中至少一方的其它电极等导电性部件之间产生的不必要的杂散电容。此外,覆盖层5也可以覆盖芯片基体2的全部四个侧面。
因此,根据上述的实施方式,能够提供一种芯片型电子部件1a,由具有比芯片基体2低的介电常数的绝缘材料形成的覆盖层5被设置为覆盖芯片基体2的侧面,因此能够减少在与芯片基体2的厚度方向正交的方向上,芯片基体2的各内部电极3a、3b、3c与配置于覆盖层5的外侧的其它电极部件之间的不必要的杂散电容。
另外,由于各侧面电极4的侧面部4a被覆盖层5覆盖,因此能够减少在与芯片基体2的厚度方向正交的方向上,各侧面电极4与配置于覆盖层5的外侧的其它电极部件之间的不必要的杂散电容。并且,各侧面电极4分别被覆盖层5覆盖,因此即使以窄间距来配置各侧面电极4,也能够实现相邻的侧面电极4之间的杂散电容的减少,并能够通过不必要的杂散电容的减少而实现所期望的特性。
然而,在将芯片型电子部件1a安装于基板时,以形成于芯片基体2侧面的侧面电极4形成芯片型电子部件1a的外部电极的情况下,由于必须确保在基板侧存在比芯片型电子部件1a在俯视观察时的面积大的安装面积,因此难以实现基板的小型化。因此,虽然可以考虑将芯片型电子部件1a的外部电极形成于芯片基体2的下面的LGA(Land Grid Array)构造,但是,由于通常在内部电极3a、3b、3c与外部电极的连接中使用通孔导体,因此芯片基体2的内部电极3a、3b、3c等的设计自由度在芯片基体2的内部形成通孔导体的相应部分被限制。
因此,在各侧面电极4中,通过以从芯片基体2的侧面绕至下面的方式形成延伸部4b,并使该延伸部4b从覆盖层5露出,从而能够形成将芯片型电子部件1a的各侧面电极4的延伸部4b作为外部电极来利用的LGA构造。因此,能够减少在与芯片型电子部件1a的厚度方向正交的方向上,形成于芯片基体2内部的内部电极3a、3b、3c以及各侧面电极4、与配置于覆盖层5的外侧的其它电极部件等之间的不必要的杂散电容,并能够确保芯片基体2的内部电极3a、3b、3c等的设计自由度。
另外,通过覆盖层5覆盖芯片基体2的角部,从而容易受到来自外部的冲击的芯片基体2的角部被覆盖层5保护,因此能够防止因来自外部的冲击而导致芯片型电子部件1a破损的情况。
<第二实施方式>
参照图3对本发明的第二实施方式所涉及的芯片型电子部件1b进行说明。此外,图3是芯片型电子部件1b的剖视图。
如图3所示,该实施方式所涉及的芯片型电子部件1b与参照图1及图2进行说明的第一实施方式的芯片型电子部件1a的不同之处在于,各侧面电极4仅设置有侧面部4a而未设置延伸部4b。其它的结构与第一实施方式的芯片型电子部件1a相同,因此通过标注相同附图标记而省略说明。
在该情况下,代替各侧面电极4的延伸部4b,在芯片基体2的下面设置有用于外部连接的多个接地电极7。而且,配置于纸面下侧的内部电极3c借助通孔导体等层间连接导体6与规定的接地电极7连接,并且配置于纸面上侧的内部电极3a经由纸面右侧的侧面电极4、连接于该侧面电极4的下侧的内部电极3d以及层间连接导体6与规定的接地电极7连接。
在该情况下,也由于芯片基体2的侧面被覆盖层5覆盖,因此与第一实施方式同样地,能够减少在与芯片基体2的厚度方向正交的方向上,各内部电极3a、3b、3c、3d与外部的其它电极部件之间的不必要的杂散电容。并且,在配置于纸面上侧的内部电极3a与接地电极7的连接中利用侧面电极4(纸面右侧),从而无需在内部电极3a与内部电极3d之间的空间形成(贯穿芯片基体2的内部的)层间连接导体,因此提高了形成于芯片基体2内部的内部电极3a、3b、3c、3d等的设计自由度。并且,也能够实现芯片型电子部件1b的特性改善。
<第三实施方式>
参照图4对本发明的第三实施方式所涉及的芯片型电子部件1c进行说明。此外,图4是芯片型电子部件1c的剖视图。
如图4所示,该实施方式所涉及的芯片型电子部件1c与参照图1及图2进行说明的第一实施方式的芯片型电子部件1a的不同之处在于,各侧面电极4(相当于本发明的“第二侧面电极”)的一部分形成于覆盖芯片基体2的侧面的覆盖层5上。由于其它的结构与第一实施方式的芯片型电子部件1a相同,因此通过标注相同附图标记而省略说明。
在该情况下,在由介电常数比芯片基体2低的陶瓷糊剂以覆盖除了芯片基体2的侧面的下部之外的部分的方式形成了覆盖层5之后,形成各侧面电极4。这里,配置于纸面上侧的内部电极3a、与连接于侧面电极4(纸面右侧)的下部的内部电极3d通过层间连接导体6连接。
根据该结构,由于在各侧面电极4的形成于覆盖层5上的部分与形成于芯片基体2内部的内部电极3a、3b之间夹设有介电常数比芯片基体2低的覆盖层5,因此能够减少内部电极3a、3b与侧面电极4之间产生的不必要的杂散电容。而且,通过不必要的杂散电容的减少能够在芯片型电子部件1c中实现所期望的特性。
此外,覆盖层5也可以形成为覆盖芯片基体2的整个侧面。在该情况下,例如,可以将各侧面电极4形成为从芯片基体2的侧面绕至上面,从而使该延伸形成的部分与规定的内部电极3a、3b、3c借助层间连接导体等连接。并且,也可以是使用层间连接导体来连接规定的内部电极3a、3b、3c与侧面电极4的延伸部4b的结构。并且,覆盖层5也可以覆盖芯片基体2的侧面及上面的边界部(角部)。
<第四实施方式>
参照图5对本发明的第四实施方式所涉及的芯片型电子部件1d进行说明。此外,图5是芯片型电子部件1d的剖视图。
如图5所示,该实施方式的芯片型电子部件1d与参照图3进行说明的第二实施方式的芯片型电子部件1b的不同之处在于未设置侧面电极4,且在内部电极3b被形成为在芯片基体2被覆盖层5覆盖的部分中,其端部到达芯片基体2与覆盖层5的边界。由于其它的结构与第二实施方式的芯片型电子部件1b相同,因此通过标注相同附图标记而省略说明。
若内部电极3b的端部从芯片基体2的侧面露出,则存在所述内部电极3b的端部与芯片基体2的外部的导电部件等发生短路的担忧,因此在形成该内部电极3b时,通常在其端部与芯片基体2之间设置考虑到加工偏差的间隙。因此,芯片基体2的内部的设计空间窄了设定该间隙的量,例如,在将芯片型电子部件1d作为芯片电容器构成的情况下,在被限定的芯片尺寸中难以实现高电容化。
然而,对于该实施方式所涉及的芯片型电子部件1d而言,由于在芯片基体2的侧面设置了由绝缘材料形成的覆盖层5,因此在芯片基体2的侧面被覆盖层5覆盖的部分中,即使将内部电极3b的端部形成为到达芯片基体2及覆盖层5的边界,也能够防止该内部电极3b的端部与外部的导电部件等之间发生短路。因此,不需要在形成内部电极3b时设定上述间隙,从而能够扩大芯片基体2的内部的设计空间。并且,通过消除内部电极3b的端部与芯片基体2的侧面之间的间隙,例如在将芯片型电子部件1d作为芯片电容器来构成的情况下,能够形成具有更大面积的内部电极3b,因此能够实现芯片型电子部件1d的高电容化。
此外,关于上述的第三实施方式的芯片型电子部件1c,在芯片基体2的侧面被覆盖层5所覆盖的部分中,也可以将内部电极3b的端部形成为到达芯片基体2及覆盖层5的边界。在该情况下,即使内部电极3b的端部到达芯片基体2的侧面,也能够由于在内部电极3b与侧面电极4之间夹设有覆盖层5而防止两者的短路。因此,例如在将芯片型电子部件1c作为芯片电容器来构成的情况下,能够形成具有更大面积的内部电极3b,从而实现芯片型电子部件1c的高电容化。
另外,在第三实施方式的芯片型电子部件1c中,将内部电极3b的端部形成为到达芯片基体2及覆盖层5的边界的情况下,虽然考虑到形成于覆盖层5上的侧面电极4与内部电极3b之间的距离变近,从而使两者之间的杂散电容变大,但由于覆盖层5由具有比芯片基体2低的介电常数的材料形成,因此能够减少内部电极3b与侧面电极4之间产生的不必要的杂散电容。
此外,本发明并不局限于上述的各实施方式,只要不脱离其主旨,能够进行除了上述内容之外的各种变更。例如,在上述的各实施方式中,在由覆盖层5除了芯片基体2的侧面之外还覆盖上面或下面的情况下,覆盖层5的覆盖芯片基体2的侧面的部分、与覆盖上面或下面的部分可以由相同的材料形成,也可以由不同材料形成。
另外,本发明能够适用于具备内部电极的各种芯片型电子部件。
附图标记说明:1a、1b、1c、1d…芯片型电子部件;2…芯片基体;3a、3b、3c、3d…内部电极;4…侧面电极(第一侧面电极、第二侧面电极);4b…延伸部;5…覆盖层。
Claims (7)
1.一种芯片型电子部件,安装于基板,其特征在于,具备:
芯片基体,具有上面、下面以及侧面;
内部电极,形成于所述芯片基体的内部;以及
覆盖层,由具有比所述芯片基体低的介电常数的绝缘材料形成,并被设置为覆盖所述芯片基体的所述侧面的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的芯片型电子部件,其特征在于,
具备形成于所述芯片基体的所述侧面的多个第一侧面电极,
所述多个第一侧面电极各自的至少一部分被所述覆盖层覆盖。
3.根据权利要求2所述的芯片型电子部件,其特征在于,
所述多个第一侧面电极还分别具备延伸部,该延伸部延伸形成为从所述芯片基体的所述侧面绕至所述下面,该延伸部从所述覆盖层露出。
4.根据权利要求1所述的芯片型电子部件,其特征在于,
具备形成于所述芯片基体的所述侧面的第二侧面电极,
所述第二侧面电极的至少一部分形成在所述覆盖层上。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的芯片型电子部件,其特征在于,
所述内部电极被形成为,在所述芯片基体的所述侧面被所述覆盖层覆盖的部分中其端部到达所述芯片基体与所述覆盖层之间的边界。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的芯片型电子部件,其特征在于,
所述覆盖层被设置为除了所述芯片基体的所述侧面之外还覆盖所述芯片基体的所述上面以及所述下面中的至少一方。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的芯片型电子部件,其特征在于,
所述覆盖层被设置为覆盖角部,所述角部是所述芯片基体的所述侧面与所述芯片基体的所述上面以及所述下面各自之间的边界部。
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