CN106129797A - 基于ws2/石墨烯异质结的超短脉冲光纤激光器 - Google Patents

基于ws2/石墨烯异质结的超短脉冲光纤激光器 Download PDF

Info

Publication number
CN106129797A
CN106129797A CN201610651652.0A CN201610651652A CN106129797A CN 106129797 A CN106129797 A CN 106129797A CN 201610651652 A CN201610651652 A CN 201610651652A CN 106129797 A CN106129797 A CN 106129797A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
graphene
thin
hetero
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610651652.0A
Other languages
English (en)
Inventor
陶丽丽
李京波
邹炳锁
陈燚
张荣兴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong University of Technology
Original Assignee
Guangdong University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong University of Technology filed Critical Guangdong University of Technology
Priority to CN201610651652.0A priority Critical patent/CN106129797A/zh
Publication of CN106129797A publication Critical patent/CN106129797A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1106—Mode locking
    • H01S3/1112—Passive mode locking
    • H01S3/1115—Passive mode locking using intracavity saturable absorbers
    • H01S3/1118—Semiconductor saturable absorbers, e.g. semiconductor saturable absorber mirrors [SESAMs]; Solid-state saturable absorbers, e.g. carbon nanotube [CNT] based
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H01S3/06791—Fibre ring lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明提供了一种WS2/石墨烯异质结薄膜的制备方法，以及基于该异质结薄膜的被动锁模光纤激光器的搭建方法。该方法包括：首先，大面积均匀的WS2薄膜由磁控溅射法制备，然后将石墨烯转移到|WS2薄膜上，形成WS2/石墨烯异质结，再通过强碱溶液刻蚀，得到独立的WS2/石墨烯异质结薄膜，将其放置于光纤光路系统中可作为可饱和吸收体产生超短脉冲激光。本发明创新地采用WS2/石墨烯异质结薄膜，同时克服了WS2被动锁模脉宽不够窄以及石墨烯调制深度小的缺点，从而可以得到调制深度大的超短脉冲光纤激光器。

Description

基于WS2/石墨烯异质结的超短脉冲光纤激光器
技术领域
本发明属于被动锁模超快光纤激光器技术领域，具体涉及一种大面积均匀WS2/石墨烯异质结可饱和吸收体薄膜的制备，以及基于该材料的被动锁模光纤脉冲激光器。
背景技术
超短脉冲(皮秒及飞秒量级)激光相对于传统的长脉冲(微秒及纳秒量级)的激光，在使用过程中对加工材料周围基本不会造成任何的热损伤，是一种超精密无损加工工具，因此超短脉冲激光在精密加工、手术医疗、科研等领域具有重要的研究和应用价值。尤其是超短脉冲光纤激光器，其具有结构简单、出光性能稳定、免维护、易携带等多重优势，已成为各行各业的优选高科技工具。
被动锁模是一种可用于产生超短脉冲激光的方法，其基本原理是在光路中加入饱和吸收体，光源通过饱和吸收体之后，边翼部分的损耗大于中央部分，导致光脉冲变窄，从而产生超短脉冲激光。由此可见，可饱和吸收体是超短脉冲激光最重要的零部件。目前，锁模激光器中使用较多的仍是半导体可饱和吸收镜(SESAM)，但是SESAM还是存在很多几乎不可克服的问题，如在制备方法上，SESAM通常是采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)法制备，不仅制作工艺复杂，而且必须基于昂贵的超净室制造系统，同时，性能上还存在工作波长范围窄(<100nm)、恢复时间长、调制深度难以调控、光损伤阈值低等诸多问题。因此寻找一种能够替代SESAM的可饱和吸收体材料成为了超短脉冲激光领域的研究热点。
石墨烯作为一种新型的二维材料，已经被广泛证实能够作为可饱和吸收体产生超短脉冲激光，但是石墨烯由于单原子层吸光太弱，导致调制深度太小(～1.3％)。WS2，MoS2等类石墨烯用作可饱和吸收体，克服了石墨烯存在的吸光弱、调制深度小的缺陷，但是WS2，MoS2的较长的激子衰减时间导致其不能有效压缩脉冲宽度，通常只能得到亚纳秒及皮秒量级的脉冲激光。因此，开发一种新型可饱和吸收体材料，获得调制深度大，且能有效压缩脉宽得到亚皮秒甚至飞秒量级的超快激光成为了一项有意义的工作。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的是提供一种大面积均匀的WS2/石墨烯异质结可饱和吸收体薄膜的制备方法，以及基于该材料的超短脉冲光纤激光器的搭建方法。
具体技术方案如下：
(1)WS2薄膜制备：磁控溅射法在石英衬底上制备WS2薄膜。采用WS2多晶块体作为靶材，射频功率为60W，氩气气压为50Pa，石英衬底加热到200℃，持续沉积1～20min。将磁控溅射法制得的薄膜放在管式炉中做热处理，通氩气作为保护气，流速为100sccm。上游低温区放置高纯硫粉，设置温度为200℃，炉膛中心温度设置为550～850℃，保持1～10小时后自然降温至室温即可。
(2)石墨烯的覆盖：将生长在铜衬底上的石墨烯裁剪成所需要的大小及形状，用1000～3000rpm的转速在其表面涂覆一层5％的PMMA/苯甲醚溶液，时间为10～60s，80℃烘干，然后将其浸泡在过硫酸铵的过饱和溶液中，刻蚀掉铜衬底，使其漂浮在溶液表面。然后用高纯度去离子水冲洗石墨烯薄膜3～10遍，最后将其转移至WS2薄膜的表面。
(3)WS2/石墨烯异质结薄膜的剥离：采用质量分数为5％的PMMA/苯甲醚溶液，旋涂在WS2/石墨烯异质结薄膜表面，旋涂转速为1000～3000rpm,时间为10～60s，80℃烘干，然后将其浸泡在强碱溶液中，在一定温度下加热，使薄膜脱离石英衬底，漂浮在表面。然后用去离子水漂洗三遍，裁剪成2×2mm的小片，待转移到光纤端面。
步骤(3)中的强碱溶液为NaOH、KOH或两者混合的溶液，溶液质量分数为10％～50％，加热温度为50℃～90℃。
基于上述步骤制备的WS2/石墨烯异质结可饱和吸收体薄膜的脉冲光纤激光器包括泵浦光源和谐振腔两大部分。其中谐振腔为环形腔，依次连接波分复用器，增益光纤，偏振无关隔离器，偏振控制器，可饱和吸收体和耦合器形成环形谐振腔；泵浦光源与波分复用器的另一端相连。所述增益光纤为掺镱的光纤，泵浦源的波长为980nm，波分复用器的中心波长为1064nm。
本发明的优点:
(1)磁控溅射法制备的WS2薄膜分布均匀、质量稳定、工艺简单，而且薄膜厚度可通过工艺参数，如溅射时间，精确控制。
(2)WS2/石墨烯异质结可饱和吸收体，结合了WS2和石墨烯的优点，可获得调制深度大，脉宽窄的超快激光。
(3)使用时，只需要将WS2/石墨烯异质结薄膜转移到光纤连接头的端面即可，操作方便，而且整个激光光路系统都是在光纤内部运行的，不受外界环境的干扰，性能非常稳定。
附图说明
图1是实施例1中磁控溅射法制备的WS2薄膜的吸收光谱。
图2是实施例1中磁控溅射法制备的WS2薄膜的拉曼光谱。
图3是实施例1中磁控溅射法制备的WS2薄膜的原子力显微镜图片。
图4是实施例1中磁控溅射法制备的WS2薄膜的透射电镜图片。
图5是实施例中基于磁控溅射法制备的WS2/石墨烯异质结可饱和吸收体薄膜的环形腔光纤脉冲激光器结构示意图。其中LD-激光泵浦源，WDM-波分复用器，YDF-镱掺杂光纤，PI-ISO-光路隔离器，PC-偏振控制器，OC-输出耦合器。
图6为实验测量的基于WS2/石墨烯异质结可饱和吸收体薄膜的环形腔掺镱光纤脉冲激光器的脉冲序列图。
具体实施方式
下面通过具体的实验实施例子结合附图对本发明下行具体下述，有必要有出的是本实施例只用于对本发明做下一步说明，不能理不为对本发明保护范围的对制，本发明的保护范围由本附的本利要本书对定。
实施例1
步骤一：磁控溅射法在石英衬底上制备WS2薄膜。采用WS2多晶块体作为靶材，射频功率为60W，氩气气压为50Pa，石英衬底加热到200℃，持续沉积10min。将磁控溅射得到的薄膜放在管式炉中做热处理，通氩气作为保护气，流速为100sccm。上游低温区放置高纯硫粉，设置温度为200℃，炉膛中心温度设置为800℃，保持2小时后自然降温至室温即可。
步骤二：石墨烯的覆盖。将生长在铜衬底上的石墨烯裁剪成所需要的大小及形状，用2000rpm的转速在其表面涂覆一层5％的PMMA/苯甲醚溶液，时间为30s，80℃烘干，然后将其浸泡在过硫酸铵的过饱和溶液中，刻蚀掉铜衬底，使其漂浮在溶液表面。然后用高纯度去离子水冲洗石墨烯薄膜三遍，最后将其转移到WS2薄膜的表面。
步骤三：采用质量分数为5％的PMMA/苯甲醚溶液，旋涂在步骤二中制得的WS2/石墨烯异质结薄膜的表面，旋涂转速为2000rpm,时间为20s，80℃烘干，然后将其浸泡在质量分数为30％的KOH溶液中，在60℃下加热，使薄膜脱离衬底，漂浮在表面。然后用去离子水漂洗三遍，裁剪成2×2mm的小片。
本实施例中的光纤脉冲激光器采用环形腔结构，增益光纤选用掺镱光纤，泵浦源的波长为980nm，波分复用器的中心波长为1064nm。用光纤熔接机按照图5的顺序依次连接波分复用器，增益光纤，偏振无关隔离器，偏振控制器，可饱和吸收体和耦合器，在耦合器的输出端口连接相关仪器来测量光纤激光器的激光输出特性。
实施例2
步骤一：磁控溅射法在石英衬底上制备WS2薄膜。采用WS2多晶块体作为靶材，射频功率为60W，氩气气压为50Pa，石英衬底加热到200℃，持续沉积5min。将磁控溅射得到的薄膜放在管式炉中做热处理，通氩气作为保护气，流速为100sccm。上游低温区放置高纯硫粉，设置温度为200℃，炉膛中心温度设置为800℃，保持2小时后自然降温至室温即可。
步骤二：石墨烯的覆盖。将生长在铜衬底上的石墨烯裁剪成所需要的大小及形状，用2000rpm的转速在其表面涂覆一层5％的PMMA/苯甲醚溶液，时间为30s，80℃烘干，然后将其浸泡在过硫酸铵的过饱和溶液中，刻蚀掉铜衬底，使其漂浮在溶液表面。然后用高纯度去离子水冲洗石墨烯薄膜三遍，最后将其转移到WS2薄膜的表面。
步骤三：采用质量分数为5％的PMMA/苯甲醚溶液，旋涂在步骤二中制得的WS2/石墨烯异质结薄膜的表面，旋涂转速为2000rpm,时间为20s，80℃烘干，然后将其浸泡在质量分数为30％的KOH溶液中，在60℃下加热，使薄膜脱离衬底，漂浮在表面。然后用去离子水漂洗三遍，裁剪成2×2mm的小片。
本实施例中的光纤脉冲激光器采用环形腔结构，增益光纤选用掺镱光纤，泵浦源的波长为980nm，波分复用器的中心波长为1064nm。用光纤熔接机按照图5的顺序依次连接波分复用器，增益光纤，偏振无关隔离器，偏振控制器，可饱和吸收体和耦合器，在耦合器的输出端口连接相关仪器来测量光纤激光器的激光输出特性。
实施例3
本实施例提供一种脉冲光纤激光器，其包括基于泵浦光源和谐振腔，其特征在于，还包括一种WS2/石墨烯异质结薄膜可饱和吸收体，所述WS2/石墨烯异质结薄膜可饱和吸收体布置在激光器的增益光纤端面。所述增益光纤为掺镱的光纤，泵浦源的波长为980nm，波分复用器的中心波长为1064nm。
其中，所述谐振腔为环形腔，包括波分复用器，增益光纤，偏振无关隔离器，偏振控制器，可饱和吸收体和耦合器依次连接形成的环形谐振腔；所述泵浦光源与波分复用器的输入端相连。
而本实施例所使用的WS2/石墨烯异质结薄膜可饱和吸收体的制备，包括如下步骤：
(1)WS2薄膜制备：通过磁控溅射法在石英衬底上制备WS2薄膜，采用WS2多晶块体作为靶材，射频功率为60W，氩气气压为50Pa，石英衬底加热到200℃，持续沉积1～20min；
(2)WS2薄膜加热：将磁控溅射法制得的所述WS2薄膜置于管式炉中做热处理，通氩气作为保护气，其流速为100sccm；并在所述WS2薄膜上游低温区放置高纯硫粉，设置温度为200℃，炉膛中心温度设置为550～850℃，保持1～10小时后自然降温至室温；
(3)石墨烯的覆盖：将生长在铜衬底上的石墨烯裁剪成适合的大小及形状，用1000～3000rpm的转速在其表面涂覆一层5％的PMMA/苯甲醚溶液，涂覆时间为10～60s，80℃烘干，然后将其浸泡在过硫酸铵的过饱和溶液中，刻蚀掉铜衬底，使所述石墨烯形成石墨烯薄膜漂浮在溶液表面，然后用高纯度去离子水冲洗所述石墨烯薄膜3～10遍，再将所述石墨烯薄膜转移至WS2薄膜的表面以得到WS2/石墨烯异质结薄膜；
(4)WS2/石墨烯异质结薄膜的剥离：采用质量分数为5％的PMMA/苯甲醚溶液，旋涂在所述WS2/石墨烯异质结薄膜表面，旋涂转速为1000～3000rpm,时间为10～60s，80℃烘干，然后将其浸泡在强碱溶液中，加热使薄膜脱离石英衬底，漂浮在强碱溶液表面；然后用去离子水漂洗三遍，裁剪成2×2mm的小片。

Claims (5)

1.一种WS2/石墨烯异质结薄膜可饱和吸收体的制备，其特征在于，包括如下步骤：
(1)WS2薄膜制备：通过磁控溅射法在石英衬底上制备WS2薄膜，采用WS2多晶块体作为靶材，射频功率为60W，氩气气压为50Pa，石英衬底加热到200℃，持续沉积1～20min；
(2)WS2薄膜加热：将磁控溅射法制得的所述WS2薄膜置于管式炉中做热处理，通氩气作为保护气，其流速为100sccm；并在所述WS2薄膜上游低温区放置高纯硫粉，设置温度为200℃，炉膛中心温度设置为550～850℃，保持1～10小时后自然降温至室温；
(3)石墨烯的覆盖：将生长在铜衬底上的石墨烯裁剪成适合的大小及形状，用1000～3000rpm的转速在其表面涂覆一层5％的PMMA/苯甲醚溶液，涂覆时间为10～60s，80℃烘干，然后将其浸泡在过硫酸铵的过饱和溶液中，刻蚀掉铜衬底，使所述石墨烯形成石墨烯薄膜漂浮在溶液表面，然后用高纯度去离子水冲洗所述石墨烯薄膜3～10遍，再将所述石墨烯薄膜转移至WS2薄膜的表面以得到WS2/石墨烯异质结薄膜；
(4)WS2/石墨烯异质结薄膜的剥离：采用质量分数为5％的PMMA/苯甲醚溶液，旋涂在所述WS2/石墨烯异质结薄膜表面，旋涂转速为1000～3000rpm,时间为10～60s，80℃烘干，然后将其浸泡在强碱溶液中，加热使薄膜脱离石英衬底，漂浮在强碱溶液表面；然后用去离子水漂洗三遍，裁剪成2×2mm的小片。
2.根据权利要求1所述的一种WS2/石墨烯异质结薄膜可饱和吸收体的制备，其特征在于，所述步骤(4)中的强碱溶液为NaOH、KOH或两者混合的溶液，所述溶液质量分数为10％～50％，并加热至温度为50℃～90℃。
3.一种脉冲光纤激光器，包括基于泵浦光源和谐振腔，其特征在于，还包括权利要求1或2所述的WS2/石墨烯异质结薄膜可饱和吸收体。
4.根据权利要求3所述的脉冲光纤激光器，其特征在于，所述谐振腔为环形腔，包括波分复用器，增益光纤，偏振无关隔离器，偏振控制器，可饱和吸收体和耦合器依次连接形成的环形谐振腔；所述泵浦光源与波分复用器的输入端相连。
5.根据权利要求4所述的脉冲激光器，其特征在于，所述增益光纤为掺镱的光纤，泵浦源的波长为980nm，波分复用器的中心波长为1064nm。
CN201610651652.0A 2016-08-09 2016-08-09 基于ws2/石墨烯异质结的超短脉冲光纤激光器 Pending CN106129797A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610651652.0A CN106129797A (zh) 2016-08-09 2016-08-09 基于ws2/石墨烯异质结的超短脉冲光纤激光器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610651652.0A CN106129797A (zh) 2016-08-09 2016-08-09 基于ws2/石墨烯异质结的超短脉冲光纤激光器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106129797A true CN106129797A (zh) 2016-11-16

Family

ID=57258628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610651652.0A Pending CN106129797A (zh) 2016-08-09 2016-08-09 基于ws2/石墨烯异质结的超短脉冲光纤激光器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106129797A (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106953227A (zh) * 2017-05-11 2017-07-14 重庆大学 场控波长间隔可调多波长超快光纤激光器
CN111048983A (zh) * 2019-11-23 2020-04-21 上海应用技术大学 一种光纤激光器用饱和吸收体及其制备方法
CN112881509A (zh) * 2021-01-04 2021-06-01 北京交通大学 纳米厚度半导体薄膜异质结层间电荷转移的光学探测方法
CN113193069A (zh) * 2021-03-31 2021-07-30 西安交通大学 一种hBN/BAlN异质结紫外探测器及其制备方法
CN113410742A (zh) * 2021-05-28 2021-09-17 西北工业大学 可饱和吸收体、制备方法、全固态超快激光器及测试装置
CN113725316A (zh) * 2021-07-13 2021-11-30 山东大学 基于聚焦离子束辐照制备二维光伏探测器的方法
CN113745957A (zh) * 2021-07-27 2021-12-03 西安邮电大学 一种基于ws2的可饱和吸收体的制备方法
CN113823989A (zh) * 2021-10-08 2021-12-21 天津理工大学 一种采用二硫化钨作为稳定波长输出的多波长光纤激光器及其制备方法
CN114050200A (zh) * 2021-07-13 2022-02-15 山东大学 基于聚焦离子束辐照结合湿法转移制备二维半导体器件的方法
CN116191191A (zh) * 2023-02-20 2023-05-30 南京信息工程大学 基于管状和层状纳米材料混合的可饱和吸收体及其激光器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102351175A (zh) * 2011-11-03 2012-02-15 东南大学 化学气相沉积法制备石墨烯的高质量转移方法
CN102774118A (zh) * 2012-07-31 2012-11-14 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种以静电保护膜为媒介转移石墨烯薄膜的方法
CN102897759A (zh) * 2012-10-17 2013-01-30 东南大学 一种大尺寸石墨烯的无损转移方法
CN103342356A (zh) * 2013-07-10 2013-10-09 合肥微晶材料科技有限公司 一种金属箔基底石墨烯的转移方法
CN104218443A (zh) * 2014-08-20 2014-12-17 鲍小志 基于二维层状材料的实用化可饱和吸收器件及其制备方法
CN104370281A (zh) * 2014-10-21 2015-02-25 江南石墨烯研究院 一种cvd生长的石墨烯的转移装置和方法
CN104451592A (zh) * 2014-12-15 2015-03-25 中国科学院微电子研究所 一种将石墨烯从金属表面向目标衬底表面无损转移的方法
US20150083206A1 (en) * 2012-03-22 2015-03-26 The University Of Manchester Photovoltaic cells

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102351175A (zh) * 2011-11-03 2012-02-15 东南大学 化学气相沉积法制备石墨烯的高质量转移方法
US20150083206A1 (en) * 2012-03-22 2015-03-26 The University Of Manchester Photovoltaic cells
CN102774118A (zh) * 2012-07-31 2012-11-14 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种以静电保护膜为媒介转移石墨烯薄膜的方法
CN102897759A (zh) * 2012-10-17 2013-01-30 东南大学 一种大尺寸石墨烯的无损转移方法
CN103342356A (zh) * 2013-07-10 2013-10-09 合肥微晶材料科技有限公司 一种金属箔基底石墨烯的转移方法
CN104218443A (zh) * 2014-08-20 2014-12-17 鲍小志 基于二维层状材料的实用化可饱和吸收器件及其制备方法
CN104370281A (zh) * 2014-10-21 2015-02-25 江南石墨烯研究院 一种cvd生长的石墨烯的转移装置和方法
CN104451592A (zh) * 2014-12-15 2015-03-25 中国科学院微电子研究所 一种将石墨烯从金属表面向目标衬底表面无损转移的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LONGHUIZENG: "High-responsivity UV-Vis Photodetector Based on Transferable WS2 Film Deposited by Magnetron Sputtering", 《SCIENTIFIC REPORTS》 *
沐浩然: "《SCIENTIFIC REPORTS》", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106953227A (zh) * 2017-05-11 2017-07-14 重庆大学 场控波长间隔可调多波长超快光纤激光器
CN111048983A (zh) * 2019-11-23 2020-04-21 上海应用技术大学 一种光纤激光器用饱和吸收体及其制备方法
CN112881509A (zh) * 2021-01-04 2021-06-01 北京交通大学 纳米厚度半导体薄膜异质结层间电荷转移的光学探测方法
CN113193069A (zh) * 2021-03-31 2021-07-30 西安交通大学 一种hBN/BAlN异质结紫外探测器及其制备方法
CN113410742B (zh) * 2021-05-28 2022-06-21 西北工业大学 可饱和吸收体、制备方法、全固态超快激光器及测试装置
CN113410742A (zh) * 2021-05-28 2021-09-17 西北工业大学 可饱和吸收体、制备方法、全固态超快激光器及测试装置
CN113725316A (zh) * 2021-07-13 2021-11-30 山东大学 基于聚焦离子束辐照制备二维光伏探测器的方法
CN114050200A (zh) * 2021-07-13 2022-02-15 山东大学 基于聚焦离子束辐照结合湿法转移制备二维半导体器件的方法
CN114050200B (zh) * 2021-07-13 2023-12-05 山东大学 一种制备二维半导体器件的方法
CN113745957A (zh) * 2021-07-27 2021-12-03 西安邮电大学 一种基于ws2的可饱和吸收体的制备方法
CN113745957B (zh) * 2021-07-27 2022-12-06 西安邮电大学 一种基于ws2的可饱和吸收体的制备方法
CN113823989A (zh) * 2021-10-08 2021-12-21 天津理工大学 一种采用二硫化钨作为稳定波长输出的多波长光纤激光器及其制备方法
CN116191191A (zh) * 2023-02-20 2023-05-30 南京信息工程大学 基于管状和层状纳米材料混合的可饱和吸收体及其激光器
CN116191191B (zh) * 2023-02-20 2024-02-23 南京信息工程大学 基于管状和层状纳米材料混合的可饱和吸收体及其激光器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106129797A (zh) 基于ws2/石墨烯异质结的超短脉冲光纤激光器
Feng et al. MXene Ti3C2Tx absorber for a 1.06 μm passively Q-switched ceramic laser
CN106129796A (zh) 基于磁控溅射法制备的MoS2可饱和吸收体薄膜及相应的超短脉冲光纤激光器
Ismail et al. A Q-switched erbium-doped fiber laser with a graphene saturable absorber
Jiang et al. A graphene Q-switched nanosecond Tm-doped fiber laser at 2 μm
Ma et al. Passively Q-switched Nd: GdLaNbO4 laser based on 2D PdSe2 nanosheet
Uehara et al. A passively Q-switched compact Er: Lu2O3 ceramics laser at 2.8 μm with a graphene saturable absorber
Liu et al. MoS2 saturable absorber prepared by chemical vapor deposition method for nonlinear control in Q-switching fiber laser
Wang et al. Q-switched Tm3+-doped fiber laser with a micro-fiber based black phosphorus saturable absorber
Kawase et al. Passively Q-switched 2.9 μm Er: YAP single crystal laser using graphene saturable absorber
Wang et al. Graphene sheet stacks for Q-switching operation of an erbium-doped fiber laser
Hu et al. Generation of Q-switched pulse by Bi2Se3 topological insulator in Yb: KGW laser
Liu et al. Passively Q-switched dual-wavelength Yb: LSO laser based on tungsten disulphide saturable absorber
Tarka et al. Power scaling of an all-PM fiber Er-doped mode-locked laser based on graphene saturable absorber
Sobon et al. A tunable, linearly polarized Er-fiber laser mode-locked by graphene/PMMA composite
Liu et al. Ultrafast photonics applications of zirconium carbide as a novel mode-locker for fiber lasers
Sobon Application of 2D materials to ultrashort laser pulse generation
Xiao et al. Epsilon-near-zero indium tin oxide nanocolumns array as a saturable absorber for a Nd: BGO laser
He et al. Low-threshold, nanosecond, high-repetition-rate vortex pulses with controllable helicity generated in Cr, Nd: YAG self-Q-switched microchip laser
Li et al. Yb-doped passively mode-locked fiber laser with Bi2Te3-deposited
You et al. CW and Q-switched GGG/Er: Pr: GGG/GGG composite crystal laser at 2.7 µm
Yao et al. A graphene-based passively Q-switched Ho: YAG laser
Liu et al. High power single wavelength ceramic Nd: YAG laser at 1116 nm
CN109980495B (zh) 可饱和吸收体制备方法、可饱和吸收体及光纤激光器
Gorbachenya et al. Passively Q-switched Er, Yb: GdAl3 (BO3) 4 laser with single-walled carbon nanotube based saturable absorber

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Tao Lili

Inventor after: Li Jingbo

Inventor after: Zou Bingsuo

Inventor after: Zhang Rongxing

Inventor before: Tao Lili

Inventor before: Li Jingbo

Inventor before: Zou Bingsuo

Inventor before: Chen Yi

Inventor before: Zhang Rongxing

CB03 Change of inventor or designer information
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20161116

RJ01 Rejection of invention patent application after publication