CN106129083A - 一种量子点转印方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种量子点转印方法，该方法包括：a：准备至少两枚印章，每枚印章的印模面上均设置有具有单一发光波长的量子点膜，不同印章上的量子点膜具有不同的发光波长；b：将设置有量子点膜的印章一一与过渡基板对准并相接触，使各量子点膜逐一转印到过渡基板上；c：将具有量子点膜的过渡基板与电致发光器件的导电基板对准并相接触，使量子点膜转印到电致发光器件的导电基板上。本发明的量子点转印方法中，大部分转印工序都发生在印章和过渡基板之间，当印章和过渡基板之间发生转印错误时，只需更换成本较低的过渡基板即可，不仅大大降低了导电基板上发生转印出错的几率，而且大大降低导电基板的报废率，节约企业成本。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种量子点转印方法。
背景技术
随着半导体技术的快速发展，半导体集成电路集成度不断提高，集成电路内部器件尺寸已经降低到纳米尺度，在光电子学领域，经常使用涉及纳米级表面的各类波导、光栅和光子晶体阵列，尤其在QLED(Quantum Dots Light Emitting Diode，量子点发光二极管)显示屏的制作中，需要将较大数量的纳米级的RGB(红绿蓝)量子点准确设置至电致发光器件的基板(通常是TFT薄膜晶体管)上的像素阵列，采用量子点转印技术可以实现准确设置。
现有的量子点转印技术一般包括以下几个步骤：(1)制作印章；(2)在印章上制备量子点膜：利用印章蘸取量子点材料，或者在印章表面涂覆量子点材料，获得带量子点膜的印章；(3)转印：将带量子点膜的印章与TFT基板接触，从而将量子点膜转印到TFT基板的特定位置上。
由于QLED中量子点一般有三个颜色，即红量子点、绿量子点及蓝量子点，上述的量子点膜也分为三个不同的颜色，需要将这个三种颜色的量子点膜分别转印到TFT基板上，在转印成功的TFT基板上有多个像素点组成的阵列，每个像素点中均包括红绿蓝这三个颜色的量子点。
现有的量子点转印技术在转印过程中极易出现印章与TFT基板对位不准确的情况，导致量子点膜转印后子像素点发生错位。而QLED显示屏对转印后TFT基板上量子点膜位置的对准率要求极高，若其中出现几个位置偏差的RGB量子点，最后生产的显示屏均无法达到标准，产品的良率很低。
对未转印成功的TFT基板一般是进行清洗处理或者直接废弃，其中，采用清洗的方法无法在不损坏TFT基板电路的情况下做到彻底洗净，故最终只能将其废弃。由于TFT基板是QLED显示屏的基础元件，其价格昂贵，因转印造成的量子点对准率低而造成的TFT基板报废对生产企业来说将是一个巨大的浪费。
如何提高TFT基板上量子点膜阵列位置的对准率是当前需要解决的问题。
发明内容
本发明的发明目的在于提供一种量子点转印方法，该量子点转印方法能够降低电致发光器件的导电基板的报废率，降低企业成本。
一种量子点转印方法，包括以下步骤：
a：准备至少两枚印章，每枚印章的印模面上均设置有具有单一发光波长的量子点膜，不同印章上的量子点膜具有不同的发光波长；
b：将设置有量子点膜的印章一一与过渡基板对准并相接触，使各量子点膜逐一转印到过渡基板上；
c：将具有量子点膜的过渡基板与电致发光器件的导电基板对准并相接触，使量子点膜转印到电致发光器件的导电基板上。
本发明的量子点转印方法不直接将印章上的量子点膜转印到导电基板上，而是先将具有不同发光波长(即不同颜色)的各量子点膜依次转印到过渡基板上，当所有需转印的量子点膜均正确转印到过渡基板上后，再将过渡基板上的量子点膜一次性转印到导电基板。如此，大部分转印工序都发生在印章和过渡基板之间，当印章和过渡基板之间发生转印错误(即量子点膜阵列位置未对准)时，只需更换成本较低的过渡基板即可，无需造成导电基板的不必要浪费，不仅大大降低了导电基板上发生转印出错的几率，提高导电基板上量子点膜阵列位置的对准率，而且能够大大降低导电基板的报废率，节约企业成本。
本发明中，印章印模面上的微纳结构可以是相同的，也可以是不同的，这主要取决了最终需要转印的导电基板。
本发明将具有不同发光波长的量子点膜设置在不同的印章上，有利于加快量子点膜的转印程序，避免使用同一印章转印具有不同发光波长的量子点膜，便于工业化生产。
作为优选，所述过渡基板的表面设有微格阵列，该微格阵列包含有至少两个第一特定位置，至少两个第一特定位置分别用于转印具有不同发光波长的量子点膜，且这些第一特定位置互不重叠。
导电基板表面的像素阵列则包含有至少两个第二特定位置，至少两个第二特定位置分别用于转印具有不同发光波长的量子点膜，且用于转印同一量子点膜的第二特定位置与第一特定位置一一对应。
在过渡基板和导电基板上还分别设置有对位线或对位标，以辅助印章与微格阵列、微格阵列与像素阵列对位。所述对位线或对位标可以直接设置在过渡基板或导电基板上，也可以通过将激光投射在过渡基板或导电基板上形成所述对位线或对位标，该对位线或对位标可以用于辅助图像校准。
本发明中，所述过渡基板的表面能大于印模面的表面能、且所述过渡基板的表面能小于导电基板的表面能。
如此使得过渡基板与量子点膜之间的粘着量大于印模面与量子点膜之间的粘着量，从而量子点膜能够从印章上脱离而粘附到过渡基板上；同时也使得导电基板与量子点膜之间的粘着量大于过渡基板与量子点膜之间的粘着量，从而量子点膜能够从过渡基板上脱离而粘附到导电基板上。
量子点膜可以直接转印到导电基板上，也可以转印到具有功能层(该功能层可以是电子注入层或电子传输层，也可以是空穴注入层或空穴传输层)的导电基板上，在导电基板已设置有功能层的情况下，所述过渡基板的表面能大于印模面的表面能、且所述过渡基板的表面能小于功能层的表面能。即功能层与量子点膜之间的粘着量应大于过渡基板与量子点膜之间的粘着量，从而量子点膜能够从过渡基板上脱离而粘附到导电基板的功能层上。
由于印章一般都是采用高弹体材料制成的，为了避免印章变形，作为优选，步骤a中，所述印模面的外表面设置有防溶胀膜。由于印章的印模面上都带有用于携带量子点膜的微纳结构，因此防溶胀膜的设置应当不影响印模面上微纳结构的完整、正确显现。
作为优选，所述防溶胀膜采用聚氯代对二甲苯制成。
作为优选，在印模面上已设置有防溶胀膜的情况下，所述过渡基板的表面能大于防溶胀膜的表面能、且所述过渡基板的表面能小于导电基板的表面能。
或者，在印模面上已设置有防溶胀膜、且在所述导电基板上已设有功能层的情况下，所述过渡基板的表面能大于防溶胀膜的表面能、且所述过渡基板的表面能小于功能层的表面能。
作为优选，所述过渡基板采用聚二甲基硅氧烷或光刻胶制成。采用这两种材料制成的过渡基板具有满足上述要求的表面能。
作为优选，步骤a中，所述量子点膜的设置方法包括：
先将含有量子点的液体沉积在基底上，获得量子点膜；再使印章的印模面与基底上的量子点膜接触，使量子点膜转移到印模面上，获得设置有量子点膜的印章。
采用该方法设置量子点膜，同样应当保证基底的表面能小于印模面(或防溶胀膜)的表面能，当印章与基底分离时，量子点膜能从玻璃基底的表面脱离，而粘附到印模面(或防溶胀膜)上。
作为优选，所述基底上设置有十八烷基三氯硅烷膜。十八烷基三氯硅烷是一种高疏水性材料，能够进一步降低基底的表面能。
除了采用上述将量子点膜从基底上转移到印章的印模面的方式设置量子点膜外，还可以直接在印章的印模面上设置(可以是涂布、旋涂、打印或其他合适方法)量子点胶体，干燥后形成量子点膜，获得设置有量子点膜的印章。
采用该方法时，应当注意印模面上量子点胶体的设置量，避免因量子点膜太厚而淹没印章印模面上的微纳结构。
本发明中，所述导电基板可以是电致发光器件中所有需要准确设置量子点膜的基板，如带TFT及电极(如ITO、FTO、AZO)的玻璃或柔性基板。
其中，ITO表示氧化铟锡(Indium tin oxide)透明导电玻璃，FTO表示掺杂氟的氧化锡(SnO2)透明导电玻璃，AZO表示铝掺杂的氧化锌(ZnO)透明导电玻璃。
作为优选，所述量子点膜的发光波长选自红光、绿光和蓝光中至少一种色光的发光波长范围。
与现有技术相比，本发明的有益效果体现在：
本发明的量子点转印方法不直接将印章上的量子点膜转印到导电基板上，而是先将具有不同发光波长(即不同颜色)的各量子点膜依次转印到过渡基板上，当所有需转印的量子点膜均正确转印到过渡基板上后，再将过渡基板上的量子点膜一次性转印到导电基板。如此，大部分转印工序都发生在印章和过渡基板之间，当印章和过渡基板之间发生转印错误(即量子点膜阵列未对准)时，只需更换成本较低的过渡基板即可，无需造成导电基板的不必要浪费，不仅大大降低了导电基板上发生转印出错的几率，提高导电基板上量子点膜阵列位置的对准率，而且能够大大降低导电基板的报废率，节约企业成本。
附图说明
图1为本发明一种量子点转印方法的流程图；
其中，1：模具，2：印章，3：防溶胀膜，4：量子点膜，5：十八烷基三氯硅烷膜，6：玻璃基底，7：过渡基板，8：功能层，9：TFT基板。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案作进一步详细说明。
实施例1
一种量子点转印方法(其流程参照图1)，包括：
(1)制作聚二甲基硅氧烷(PDMS)印章：
PDMS印章的制作方法参照授权公告号为CN 101825842B的中国专利文献中公开的方法；
(2)制作设置有防溶胀膜的PDMS印章：
将PDMS印章放入真空蒸镀腔体，在PDMS印章的印模面上蒸镀一层聚氯代对二甲苯(Parylene-C)，形成防溶胀膜，获得设置有防溶胀膜的PDMS印章；
(3)制作过渡基板：
采用PDMS制作过渡基板，制作方法为：将PDMA胶体铺在一个平面模具上，加热至60℃，光照5h制得过渡基板；
该过渡基板的表面设有微格阵列，该微格阵列由用于转印红色量子点膜的特定位置A、用于转印绿色量子点膜的特定位置B和用于转印蓝色量子点膜的特定位置C组成，特定位置A、特定位置B和特定位置C互不重叠；
TFT基板表面的像素阵列则由用于转印红色量子点膜的特定位置A’、用于转印绿色量子点膜的特定位置B’和用于转印蓝色量子点膜的特定位置C’组成，且特定位置A与特定位置A’、特定位置B与特定位置B’、特定位置C与特定位置C’一一对应；
在过渡基板和TFT基板上还分别设置有对位线或对位标，以辅助印章与微格阵列、微格阵列与像素阵列对位；
(4)制作具有红色量子点膜的PDMS印章：
先将红色量子点胶体沉积在玻璃基底上，干燥后形成红色量子点膜；再使带防溶胀膜的PDMS印章与玻璃基底上的红色量子点膜充分接触，接触后分离，与防溶胀膜相接触的红色量子点膜即从玻璃基底上脱离，粘附到防溶胀膜上，获得具有红色量子点膜的印章；
(5)第一步转印：
以过渡基板上的对位线或对位标为参照，将具有红色量子点膜的PDMS印章与过渡基板对准并相接触，接触后分离，PDMS印章上的红色量子点膜转印到过渡基板的特定位置A上，获得具有红色量子点膜的过渡基板；
(6)制作具有绿色量子点膜的PDMS印章：
制作方法与步骤(4)相同；
(7)第二步转印：
以过渡基板上的对位线或对位标为参照，将具有绿色量子点膜的PDMS印章与具有红色量子点膜的过渡基板对准并相接触，接触后分离，PDMS印章上的绿色量子点膜转印到过渡基板的特定位置B上，获得具有RG色量子点膜的过渡基板，其中，RG色量子点膜即为红绿色量子点膜；
(8)制作具有蓝色量子点膜的PDMS印章：
制作方法与步骤(4)相同；
(9)第三步转印：
以过渡基板上的对位线或对位标为参照，将具有蓝色量子点膜的PDMS印章与具有RG色量子点膜的过渡基板对准并相接触，接触后分离，PDMS印章上的蓝色量子点膜转印到过渡基板的特定位置C上，获得具有RGB色量子点膜的的过渡基板，其中，RGB色量子点膜即为红绿蓝色量子点膜；
在步骤(4)-(9)中，若任意一种颜色的量子点膜的转印位置(即上述特定位置A、特定位置B或者特定位置C，下同)没有对准，则将过渡基板废弃，重新换一块新的过渡基板，从第一种颜色的量子点膜开始重新转印，直至三种颜色的量子点膜都转印成功；
(10)第四步转印：
以TFT基板上的对位线或对位标为参照，将具有RGB色量子点膜的过渡基板与TFT基板对准并相接触，接触后分离，RGB色量子点膜即一次性转印到TFT基板的像素阵列中；
若本步骤中RGB色量子点膜没有对准TFT基板的特定区域，则重新取一块新的TFT基板、一块新的具有RGB色量子点膜的过渡基板，重新转印，直至转印成功。
实施例2
一种量子点转印方法(其流程参照图1)，包括：
(1)制作PDMS印章：与实施例1相同；
(2)制作具有防溶胀膜的PDMS印章：与实施例1相同；
(3)制作过渡基板：与实施例1相同；
(4)制作具有红色量子点膜的PDMS印章：
将红色量子点分散在正辛烷中，获得固含量为60mg/ml的红色量子点溶液，在PDMS印章的防溶胀膜上以1500rpm的转速旋涂该红色量子点溶液，旋涂时间60s，形成红色量子点膜，获得具有红色量子点膜的PDMS印章；
(5)第一步转印：与实施例1相同；
(6)制作具有绿色量子点膜的PDMS印章：与步骤(4)相同；
(7)第二步转印：与实施例1相同；
(8)制作具有蓝色量子点膜的PDMS印章：与步骤(4)相同；
(9)第三步转印：与实施例1相同；
(10)第四步转印：与实施例1相同。
实施例3
一种量子点转印方法(其流程参照图1)，包括：
(1)制作PDMS印章：与实施例1相同；
(2)制作具有防溶胀膜的PDMS印章：与实施例1相同；
(3)制作过渡基板：与实施例1相同；
该过渡基板的表面设有微格阵列，该微格阵列由用于转印红色量子点膜的特定位置A和用于转印绿色量子点膜的特定位置B组成，特定位置A和特定位置B互不重叠；
TFT基板表面的像素阵列则由用于转印红色量子点膜的特定位置A’和用于转印绿色量子点膜的特定位置B’组成，且特定位置A与特定位置A’、特定位置B与特定位置B’一一对应；
在过渡基板和TFT基板上还分别设置有对位线或对位标，以辅助印章与微格阵列、微格阵列与像素阵列对位；
(4)制作具有红色量子点膜的PDMS印章：与实施例1相同；
(5)第一步转印：与实施例1相同；
(6)制作具有绿色量子点膜的PDMS印章：与步骤(4)相同；
(7)第二步转印：与实施例1相同；获得具有RG色量子点膜的过渡基板；
在步骤(4)-(7)中，若任意一种颜色的量子点膜的转印位置没有对准，则将过渡基板废弃，重新换一块新的过渡基板，从第一种颜色的量子点膜开始重新转印，直至两种颜色的量子点膜都转印成功；
(8)第三步转印：
以TFT基板上的对位线或对位标为参照，将具有RG色量子点膜的过渡基板与TFT基板对准并相接触，接触后分离，RG色量子点膜即一次性转印到TFT基板的像素阵列中；
若本步骤中RG色量子点膜没有对准TFT基板的像素阵列，则重新取一块新的TFT基板、一块新的具有RG色量子点膜的过渡基板，重新转印，直至转印成功。
实施例4
一种量子点转印方法(其流程参照图1)，包括：
(1)制作PDMS印章：与实施例1相同；
(2)制作具有防溶胀膜的PDMS印章：与实施例1相同；
(3)制作过渡基板：
采用SU8系列光刻胶制作过渡基板，制作方法为：将SU8系列光刻胶铺在一个平面模具上，加热至60℃后光照5h，制得过渡基板；
该过渡基板的表面设有微格阵列，该微格阵列与实施例1中过渡基板表面的微格阵列相同；
(4)制作具有红色量子点膜的PDMS印章：与实施例1相同；
(5)第一步转印：与实施例1相同；
(6)制作具有绿色量子点膜的PDMS印章：与步骤(4)相同；
(7)第二步转印：与实施例1相同；
(8)制作具有蓝色量子点膜的PDMS印章：与步骤(4)相同；
(9)第三步转印：与实施例1相同；
(10)第四步转印：与实施例1相同。
实施例5
一种量子点转印方法(其流程参照图1)，包括：
(1)制作PDMS印章：与实施例1相同；
(2)制作具有防溶胀膜的PDMS印章：与实施例1相同；
(3)制作过渡基板：与实施例1相同；
(4)制作具有十八烷基三氯硅烷膜的玻璃基底：
制作方法为：将玻璃基底清洗干净后，置于1nM的十八烷基三氯硅烷(化学式为(OTS,CH3(CH2)17SiO3)SAM，缩写为OTS-SAM)溶液中浸泡24小时，制得具有OTS-SAM膜的玻璃基底；
(5)制作具有红色量子点膜的PDMS印章：
先将红色量子点胶体沉积在玻璃基底的OTS-SAM膜上，干燥后形成红色量子点膜；再使具有防溶胀膜的PDMS印章与玻璃基底上的红色量子点膜充分接触，接触后分离，与PDMS印章相接触的红色量子点膜即从玻璃基底上脱离，粘附到PDMS印章表面，获得具有红色量子点膜的印章；
(6)第一步转印：与实施例1相同；
(7)制作具有绿色量子点膜的PDMS印章：与步骤(5)相同；
(8)第二步转印：与实施例1相同；
(9)制作具有蓝色量子点膜的PDMS印章：与步骤(5)相同；
(10)第三步转印：与实施例1相同；
(11)第四步转印：与实施例1相同。
实施例6
一种量子点转印方法(其流程参照图1)，包括：
(1)制作PDMS印章：与实施例1相同；
(2)制作过渡基板：
采用SU8系列光刻胶制作过渡基板，制作方法为：将SU8系列光刻胶铺在一个平面模具上，加热至60℃后光照5h，制得过渡基板；
该过渡基板上未设置微格阵列、对位线或对位标；
(3)制作具有OTS-SAM膜的玻璃基底：与实施例4相同；
(4)制作具有红色量子点膜的PDMS印章：与实施例4相同；
(5)第一步转印：
将激光投射到过渡基板上，在过渡基板上形成对位线或对位标，以该对位线或对位标为参照，将具有红色量子点膜的PDMS印章与过渡基板对准并相接触，接触后分离，PDMS印章上的红色量子点膜转印到过渡基板上，获得具有RB色量子点膜(即红蓝色量子点膜)的过渡基板；
(6)制作具有蓝色量子点膜的PDMS印章：与步骤(4)相同；
(7)第二步转印：
将激光投射到过渡基板上，在过渡基板上形成对位线或对位标，以该对位线或对位标为参照，将具有蓝色量子点膜的PDMS印章与具有红色量子点膜的过渡基板对准并相接触，接触后分离，PDMS印章上的蓝色量子点膜转印到过渡基板上，获得具有RB色量子点膜(即红蓝色量子点膜)的过渡基板；
在步骤(4)-(7)中，若任意一种颜色的量子点膜的转印位置没有对准，则将过渡基板废弃，重新换一块新的过渡基板，从第一种颜色的量子点膜开始重新转印，直至两种颜色的量子点膜都转印成功；
(8)第三步转印：
将激光投射到TFT基板上，在TFT基板上形成对位线或对位标，以该对位线或对位标为参照，将具有RB色量子点膜的过渡基板与TFT基板对准并相接触，接触后分离，RB色量子点膜即一次性转印到TFT基板的像素阵列中；若本步骤中RB色量子点膜没有对准TFT基板的像素阵列，则重新取一块新的TFT基板、一块新的具有RB色量子点膜的过渡基板，重新转印，直至转印成功。
实施例7
一种量子点转印方法(其流程参照图1)，包括：
(1)制作PDMS印章：与实施例1相同；
(2)制作具有防溶胀膜的PDMS印章：与实施例1相同；
(3)制作过渡基板：与实施例1相同；
(4)制作具有红色量子点膜的PDMS印章：与实施例1相同；
(5)第一步转印：与实施例1相同；
(6)制作具有绿色量子点膜的PDMS印章：与实施例1相同；
(7)第二步转印：与实施例1相同；
(8)制作具有蓝色量子点膜的PDMS印章：与实施例1相同；
(9)第三步转印：与实施例1相同；
在步骤(4)-(9)中，若任意一种颜色的量子点膜的转印位置没有对准，则将过渡基板废弃，重新换一块新的过渡基板，从第一种颜色的量子点膜开始重新转印，直至三种颜色的量子点膜都转印成功；
(10)第四步转印：
以TFT基板上的对位线或对位标为参照，将具有RGB色量子点膜的过渡基板与具有电子注入及传输层的TFT基板对准并相接触，接触后分离，RGB色量子点膜即一次性转印到TFT基板像素阵列的电子注入及传输层上；
若本步骤中RGB色量子点膜没有对准电子注入及传输层，则重新取一块新的具有电子注入及传输层的TFT基板、一块新的具有RGB色量子点膜的过渡基板，重新转印，直至转印成功。
实施例8
一种量子点转印方法(其流程参照图1)，包括：
(1)制作PDMS印章：与实施例1相同；
(2)制作具有防溶胀膜的PDMS印章：与实施例1相同；
(3)制作过渡基板：与实施例1相同；
该过渡基板的表面设有微格阵列，该微格阵列由用于转印绿色量子点膜的特定位置B和用于转印蓝色量子点膜的特定位置C组成，特定位置B和特定位置C互不重叠；
TFT基板表面的像素阵列则由用于转印绿色量子点膜的特定位置B’和用于转印蓝色量子点膜的特定位置C’组成，且特定位置B与特定位置B’、特定位置C与特定位置C’一一对应；
(4)制作具有绿色量子点膜的PDMS印章：与实施例1相同；
(5)第一步转印：
将激光投射到过渡基板上，在过渡基板上形成对位线或对位标，以该对位线或对位标为参照，将具有绿色量子点膜的PDMS印章与过渡基板对准并相接触，接触后分离，PDMS印章上的绿色量子点膜转印到过渡基板的特定位置B上，获得具有绿色量子点膜的过渡基板；
(6)制作具有蓝色量子点膜的PDMS印章：与实施例1相同；
(7)第二步转印：
将激光投射到过渡基板上，在过渡基板上形成对位线或对位标，以该对位线或对位标为参照，将具有蓝色量子点膜的PDMS印章与具有绿色量子点膜的过渡基板对准并相接触，接触后分离，PDMS印章上的蓝色量子点膜转印到过渡基板的特定位置C上，获得具有GB色量子点膜(即绿蓝色量子点膜)的过渡基板；
在步骤(4)-(7)中，若任意一种颜色的量子点膜的转印位置没有对准，则将过渡基板废弃，重新换一块新的过渡基板，从第一种颜色的量子点膜开始重新转印，直至两种颜色的量子点膜都转印成功；
(8)第三步转印：
将激光投射到TFT基板上，在TFT基板上形成对位线或对位标，以该对位线或对位标为参照，将具有GB色量子点膜的过渡基板与具有空穴注入及传输层的TFT基板对准并相接触，接触后分离，GB色量子点膜即一次性转印到TFT基板的空穴注入及传输层上；
若本步骤中GB色量子点膜没有对准空穴注入及传输层，则重新取一块新的具有空穴注入及传输层的ITO导电玻璃、一块新的具有GB色量子点膜的过渡基板，重新转印，直至转印成功。
通过多次试验，得出如下概率分析结果，其中，每次量子点膜准确转印的几率约为1/3，则直接将三种颜色的量子点膜转印到TFT基板上的准确率是(1/3)3＝1/27，即每27块已转印的TFT基板中仅有一块TFT基板是准确转印的，则获得一次准确转印需要的成本是27×1000元(一块TFT基板的成本)＝27000元。
采用本发明的方法进行转印，获得一块准确转印的过渡基板的几率也约为1/27，获得一块准确转印的TFT基本的几率约为1/3，则获得一次准确转印需要的成本约为：27×100(一块过渡基板的成本)×3+3×1000(一块TFT基板的成本)＝11100元。由此可见，采用本发明进行量子点转印所需的成本仅为现有方法所需成本的约40％。
Claims (10)
1.一种量子点转印方法，其特征在于，包括以下步骤：
a：准备至少两枚印章，每枚印章的印模面上均设置有具有单一发光波长的量子点膜，不同印章上的量子点膜具有不同的发光波长；
b：将设置有量子点膜的印章一一与过渡基板对准并相接触，使各量子点膜逐一转印到过渡基板上；
c：将具有量子点膜的过渡基板与电致发光器件的导电基板对准并相接触，使量子点膜转印到电致发光器件的导电基板上。
2.如权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，所述导电基板上设有功能层，所述过渡基板的表面能大于印模面的表面能、且所述过渡基板的表面能小于功能层的表面能。
3.如权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，步骤a中，所述印模面的外表面设置有防溶胀膜。
4.如权利要求3所述的量子点转印方法，其特征在于，所述防溶胀膜采用聚氯代对二甲苯制成。
5.如权利要求3所述的量子点转印方法，其特征在于，所述导电基板上设有功能层，所述过渡基板的表面能大于防溶胀膜的表面能、且所述过渡基板的表面能小于功能层的表面能。
6.如权利要求1～5任一所述的量子点转印方法，其特征在于，所述过渡基板采用聚二甲基硅氧烷或光刻胶制成。
7.如权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，步骤a中，所述量子点膜的设置方法包括：
先将含有量子点的液体沉积在基底上，获得量子点膜；再使印章的印模面与基底上的量子点膜接触，使量子点膜转移到印模面上，获得设置有量子点膜的印章。
8.如权利要求7所述的量子点转印方法，其特征在于，所述基底上设置有十八烷基三氯硅烷膜。
9.如权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，所述导电基板包括TFT基板。
10.如权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，所述量子点膜的发光波长选自红光、绿光和蓝光中至少一种色光的发光波长范围。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610526184.4A CN106129083B (zh) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | 一种量子点转印方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201610526184.4A CN106129083B (zh) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | 一种量子点转印方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106129083A true CN106129083A (zh) | 2016-11-16 |
| CN106129083B CN106129083B (zh) | 2019-02-05 |
Family
ID=57282283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610526184.4A Active CN106129083B (zh) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | 一种量子点转印方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN106129083B (zh) |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |