CN106116703A - 一种遮光陶瓷及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种遮光陶瓷及其制备方法，该遮光陶瓷由陶瓷层、至少一层高折射率薄膜反射层和至少一层低折射率薄膜反射层组层。其制备方法为将陶瓷粉、粘结剂、分散剂和溶剂混合球磨后成型，烧结抛光后得陶瓷层；在上述陶瓷层表面按需求依次镀制相应高、低折射率薄膜反射层，即可。本发明遮光陶瓷包含了特定的陶瓷层和薄膜反射层，所述陶瓷层漏过的光可被本发明薄膜反射层进行全反射，使遮光陶瓷达到完全的遮光效果，而且所述薄膜反射层不导电，克服了油墨遮光方式对指纹信号传输的干扰和削弱。本发明遮光陶瓷由特定的陶瓷层和特定的薄膜反射层组成，二者的结合力牢固，且表面硬度高，可显著提高指纹识别模组的装配合格率。

Description

一种遮光陶瓷及其制备方法
技术领域
本发明属于材料制造及应用领域，本发明涉及一种遮光陶瓷及其制备方法。
背景技术
陶瓷材料可以用于指纹识别模组或手机外观件，但是陶瓷材料在使用过程中会有不同程度漏光。为解决漏光问题，传统的做法是，在陶瓷材料背面预先丝印油墨遮光层，以防止透光。但是由于丝印油墨含有大量的有机树脂，其本身的介电常数低，会严重削弱电容信号的传输强度，甚至测不到指纹信号；且由于丝印油墨表面外观很容易出现丝印缺陷，例如凸点、凹坑、气泡、厚度不均匀等等，会严重干扰信号采集的准确度，甚至造成指纹识别芯片损坏或信号采集误判，从而导致模组良品率很低。
由于丝印油墨含有大量的有机树脂，其本身的介电常数低，会严重削弱电容信号的传输强度，甚至测不到指纹信号；且由于丝印油墨中的无机填料很难分散均匀，施工后表面容易出现丝印缺陷，例如凸点、凹坑、气泡、厚度不均匀等等，会严重干扰信号采集的准确度，甚至造成指纹识别芯片损坏或信号采集误判，从而导致模组良品率很低。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种遮光陶瓷，该遮光陶瓷包含陶瓷层和薄膜反射层，能将陶瓷层漏过的光进行全反射，使遮光陶瓷达到完全的遮光效果，而且所述薄膜反射层不导电，可克服油墨遮光方式对指纹信号传输的干扰和削弱；同时本发明遮光陶瓷显著提高了指纹识别模组的装配合格率。
本发明的目的在于提供一种遮光陶瓷。
本发明的目的在于提供一种遮光陶瓷的制备方法。
本发明所采取的技术方案是：
一种遮光陶瓷，该遮光陶瓷由陶瓷层和薄膜反射层组成，所述薄膜反射层含有至少一层高折射率薄膜反射层和至少一层低折射率薄膜反射层，高、低折射率薄膜反射层以任意方式进行叠层。
一种遮光陶瓷，该遮光陶瓷由陶瓷层和薄膜反射层组成，所述薄膜反射层含有至少一层高折射率薄膜反射层和至少一层低折射率薄膜反射层，高、低折射率薄膜反射层进行叠层，叠层方式为：多层高折射率薄膜反射层和一层低折射率薄膜反射层进行交叉叠层，或者多层低折射率薄膜反射层和一层高折射率薄膜反射层进行交叉叠层，或者多层高折射率薄膜反射层和多层低折射率薄膜反射层进行交叉叠层。
进一步的，所述高、低折射率薄膜反射层的单层厚度独立为1nm~10μm。
进一步的，所述陶瓷层厚度为0.01mm~100mm。
进一步的，所述陶瓷层含有陶瓷粉、粘结剂和分散剂，所述陶瓷粉为ZrO2、Si3N4、SiC、PbZrxTi(1-x)O3、Ta2O5、BaTiO3、MgO、BaO、Y2O3、AlN、MgF2中的至少一种。
进一步的，所述低折射率薄膜反射层为B2O3、BaO、Y2O3、AlN、MgO、MgF2、SiO2、Al2O3中的至少一种。
进一步的，所述高折射率薄膜反射层为ZnO、TiO2、Ti2O3、Ti3O5、SiC、BN、ZrO2、Si3N4、BaTiO3中的至少一种。
遮光陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
1）陶瓷层的制备：将陶瓷粉、粘结剂、分散剂和溶剂混合球磨后，得到浆料；将浆料成型后进行烧结得到陶瓷层毛坯；陶瓷层毛坯经双面抛光、清洗后得到陶瓷层；
2）薄膜反射层的制备：在上述陶瓷层表面，将高、低折射率薄膜反射层原料按需求依次镀制成相应厚度和层数的高、低折射率薄膜反射层，即可得到遮光陶瓷。
进一步的，步骤1）所述陶瓷粉、粘结剂、分散剂和溶剂的质量比为（15~60）：（5~15）：（1~5）：（10~65）。
进一步的，步骤2）所述镀制的方法为真空蒸镀、磁控溅射和离子镀。
本发明的有益效果是：
1）本发明提供了一种遮光陶瓷，该遮光陶瓷包含了特定的陶瓷层和薄膜反射层，所述陶瓷层漏过的光可被本发明薄膜反射层进行全反射，使遮光陶瓷达到完全的遮光效果，而且所述薄膜反射层不导电，克服了油墨遮光方式对指纹信号传输的干扰和削弱。
2）本发明遮光陶瓷由特定的陶瓷层和特定的薄膜反射层组成，二者的结合力牢固，且表面硬度高，可显著提高指纹识别模组的装配合格率。
具体实施方式
一种遮光陶瓷，该遮光陶瓷由陶瓷层和薄膜反射层组成，所述薄膜反射层含有至少一层高折射率薄膜反射层和至少一层低折射率薄膜反射层，高、低折射率薄膜反射层以任意方式进行叠层。
优选的，一种遮光陶瓷，该遮光陶瓷由陶瓷层和薄膜反射层组成，所述薄膜反射层含有至少一层高折射率薄膜反射层和至少一层低折射率薄膜反射层，高、低折射率薄膜反射层进行叠层，叠层方式为：多层高折射率薄膜反射层和一层低折射率薄膜反射层进行交叉叠层，或者多层低折射率薄膜反射层和一层高折射率薄膜反射层进行交叉叠层，或者多层高折射率薄膜反射层和多层低折射率薄膜反射层进行交叉叠层。
更优选的，一种遮光陶瓷，该遮光陶瓷由陶瓷层和薄膜反射层组成，所述薄膜反射层含有6层高折射率薄膜反射层和6层低折射率薄膜反射层，高、低折射率薄膜反射层进行叠层，叠层方式为：陶瓷层表面依次设有3层高折射率薄膜反射层、3层低折射率薄膜反射层、2层高折射率薄膜反射层、2层低折射率薄膜反射层、1层高折射率薄膜反射层、1层低折射率薄膜反射层；或者将高、低折射率薄膜反射层的顺序对换。
优选的，所述高、低折射率薄膜反射层的单层厚度独立为1nm~10μm。
优选的，所述高、低折射率薄膜反射层的单层厚度独立为1~900nm。
优选的，所述薄膜反射层的厚度为2nm~1000μm。
优选的，所述薄膜反射层的厚度为2nm~1μm。
优选的，所述陶瓷层厚度为0.01mm~100mm，陶瓷层表面的粗糙度Ra≤0.05μm。
优选的，所述陶瓷层含有陶瓷粉、粘结剂和分散剂，所述陶瓷粉为ZrO2、Si3N4、SiC、PbZrxTi(1-x)O3、Ta2O5、BaTiO3、MgO、BaO、Y2O3、AlN、MgF2中的至少一种。
优选的，所述粘结剂为聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乙烯乙酸酯、聚甲基丙烯酸树脂、甲基纤维素、乙基纤维素、硝化纤维酯、聚氨酯树脂和酚醛树脂中的至少一种。
优选的，所述分散剂为卵磷脂、TXA-15、PMMA、六偏磷酸钠和鱼油中的至少一种。
优选的，所述低折射率薄膜反射层为B2O3、BaO、Y2O3、AlN、MgO、MgF2、SiO2、Al2O3中的至少一种。
优选的，所述高折射率薄膜反射层为ZnO、TiO2、Ti2O3、Ti3O5、SiC、BN、ZrO2、Si3N4、BaTiO3中的至少一种。
遮光陶瓷的制备方法，包括以下步骤：
1）陶瓷层的制备：将陶瓷粉、粘结剂、分散剂和溶剂混合球磨后，得到浆料；将浆料成型后进行烧结得到陶瓷层毛坯；陶瓷层毛坯经双面抛光、清洗后得到陶瓷层；
2）薄膜反射层的制备：在上述陶瓷层表面将高、低折射率薄膜反射层原料按需求依次镀制成相应厚度和层数的高、低折射率薄膜反射层，即可得到遮光陶瓷。
优选的，步骤1）所述陶瓷粉、粘结剂、分散剂和溶剂的质量比为（15~60）：（5~15）：（1~5）：（10~65）。
优选的，所述溶剂为水、无水乙醇、异丙醇、丁醇、松油醇、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、丁基卡必醇中的至少一种。
优选的，步骤1）所述成型为流延成型、干压成型或注射成型。
优选的，步骤1）所述烧结温度为1000~1700℃，保温时间为0.5~10h。
优选的，步骤2）所述镀制的方法为真空蒸镀、磁控溅射和离子镀。
优选的，当镀制方法为真空蒸镀时，真空蒸镀的真空度为10-5Pa~10-2Pa，蒸镀电流为50~400毫安，蒸镀速率为0.30~30nm/min；
当镀制方法为磁控溅射时，所述磁控溅射的功率为1500~4500W，溅射气压为0.01~10Pa，靶基距30~100毫米，氩气流量为10~300sccm。
优选的，步骤2）所述高折射率薄膜反射层原料为ZnO、TiO2、Ti2O3、Ti3O5、SiC、BN、ZrO2、Si3N4、BaTiO3中的至少一种；低折射率薄膜反射层原料为B2O3、BaO、Y2O3、AlN、MgO、MgF2、SiO2、Al2O3中的至少一种。
下面结合具体实施例对本发明作进一步的说明，但并不局限于此。
实施例1 一种遮光陶瓷
本实施例遮光陶瓷的结构
本实施例遮光陶瓷由陶瓷层和薄膜反射层组成，具体层结构为：在陶瓷层表面依次设有3层高折射率薄膜反射层、3层低折射率薄膜反射层、2层高折射率薄膜反射层、2层低折射率薄膜反射层、1层高折射率薄膜反射层、1层低折射率薄膜反射层。
所述高折射率薄膜反射层由原料ZnO和SiC制成，单层厚度为1nm。
所述低折射率薄膜反射层由原料B2O3、BaO和Y2O3制成，单层厚度为1nm。
所述陶瓷层中的含有的陶瓷粉为Ta2O5、Si3N4、SiC和PbZrxTi(1-x)O3，陶瓷层的厚度为0.05mm。
本实施例遮光陶瓷的制备方法为：
1）陶瓷层的制备
原料的称取：分别称取15份Ta2O5、10份Si3N4、15份SiC、10份PbZrxTi(1-x)O3，5份聚乙烯、5份甲基纤维素，3份卵磷脂分散剂，37份异丙醇。
注射成型：将上述称取好的原料混合球磨后，得到浆料，再将浆料注射成型。
烧结：将上述注射成型的坯体在1200℃下烧结后保温0.5h，得到陶瓷层毛坯；
抛光：将陶瓷层毛坯双面抛光、清洗后得到陶瓷层，陶瓷层表面的粗糙度Ra≤0.05μm。
2）薄膜反射层的制备
同时以ZnO和SiC为靶材，通过磁控溅射的方法，在上述制备好的陶瓷层表面镀制3层高折射率薄膜反射层（每层厚度为1nm）；然后再以B2O3、BaO和Y2O3为靶材通过磁控溅射的方法，在3层高折射率薄膜反射层表面镀制3层低折射率薄膜反射层（每层厚度为1nm）；同理，再依次镀制2层高折射率薄膜反射层、2层低折射率薄膜反射层、1层高折射率薄膜反射层、1层低折射率薄膜反射层，即可。
上述磁控溅射过程中，磁控溅射的功率为1500~4500W，溅射气压为0.1~1.5Pa，靶基距30~100毫米，氩气流量为100~250sccm。
对本实施例制备的遮光陶瓷的遮光效果和表面硬度进行检测，检测结果显示本实施例制备的遮光陶瓷的透过率为0.1%。
实施例2一种遮光陶瓷
本实施例遮光陶瓷的结构
本实施例遮光陶瓷由陶瓷层和薄膜反射层组成，具体层结构为：在陶瓷层表面依次设有2层高折射率薄膜反射层、1层低折射率薄膜反射层、2层高折射率薄膜反射层、1层低折射率薄膜反射层、2层高折射率薄膜反射层、1层低折射率薄膜反射层。
所述高折射率薄膜反射层由原料BN制成，单层厚度为100nm。
所述低折射率薄膜反射层由原料AlN制成，单层厚度为100nm。
所述陶瓷层中的含有的陶瓷粉为BaTiO3、MgO、BaO、Si3N4，陶瓷层的厚度为10mm。
本实施例遮光陶瓷的制备方法为：
1）陶瓷层的制备
原料的称取：分别称取20份BaTiO3、6份MgO、12份BaO、22份Si3N4，2份硝化纤维酯、3份聚氨酯树脂，3份TXA-15分散剂，32份无水乙醇。
注射成型：将上述称取好的原料混合球磨后，得到浆料，再将浆料注射成型。
烧结：将上述注射成型的坯体在1000℃下烧结后保温1h，得到陶瓷层毛坯；
抛光：将陶瓷层毛坯双面抛光、清洗后得到陶瓷层，陶瓷层表面的粗糙度Ra≤0.05μm，厚度为10mm。
2）薄膜反射层的制备
同时以BN为靶材，通过磁控溅射的方法，在上述制备好的陶瓷层表面镀制2层高折射率薄膜反射层（每层厚度为10nm）；然后再以AlN为靶材通过磁控溅射的方法，在2层高折射率薄膜反射层表面镀制1层低折射率薄膜反射层（每层厚度为10nm）；同理，再依次镀制2层高折射率薄膜反射层、1层低折射率薄膜反射层、2层高折射率薄膜反射层、1层低折射率薄膜反射层，即可。
上述磁控溅射过程中，磁控溅射的功率为1500~4500W，溅射气压为0.1~1.5Pa，靶基距30~100毫米，氩气流量为100~250sccm。
对本实施例制备的遮光陶瓷的遮光效果和表面硬度进行检测，检测结果显示本实施例制备的遮光陶瓷的透过率为0.2%。
实施例3一种遮光陶瓷
本实施例遮光陶瓷的结构
本实施例遮光陶瓷由陶瓷层和薄膜反射层组成，具体层结构为：在陶瓷层表面依次设有1层高折射率薄膜反射层、3层低折射率薄膜反射层、1层高折射率薄膜反射层、3层低折射率薄膜反射层、1层高折射率薄膜反射层、3层低折射率薄膜反射层。
所述高折射率薄膜反射层由原料ZrO2制成，单层厚度为500nm。
所述低折射率薄膜反射层由原料MgO制成，单层厚度为900nm。
所述陶瓷层中的含有的陶瓷粉为BaO、Y2O3、AlN、MgF2，陶瓷层的厚度为100mm。
本实施例遮光陶瓷的制备方法为：
1）陶瓷层的制备
原料的称取：分别称取5份BaO、2份Y2O3、4份AlN、4份MgF2，5份酚醛树脂，1份PMMA分散剂，10份丁醇。
注射成型：将上述称取好的原料混合球磨后，得到浆料，再将浆料注射成型。
烧结：将上述注射成型的坯体在1700℃条件下焙烧0.5h，得到陶瓷层毛坯；
抛光：将陶瓷层毛坯双面抛光、清洗后得到陶瓷层，陶瓷层表面的粗糙度Ra≤0.05μm。
2）薄膜反射层的制备
同时以ZrO2为靶材，通过磁控溅射的方法，在上述制备好的陶瓷层表面镀制1层高折射率薄膜反射层（每层厚度为500nm）；然后再以MgO为靶材通过磁控溅射的方法，在1层高折射率薄膜反射层表面镀制3层低折射率薄膜反射层（每层厚度为900nm）；同理，再依次镀制1层高折射率薄膜反射层、3层低折射率薄膜反射层、1层高折射率薄膜反射层、3层低折射率薄膜反射层，即可。
上述磁控溅射过程中，磁控溅射的功率为1500~4500W，溅射气压为0.1~1.5Pa，靶基距30~100毫米，氩气流量为100~250sccm。
对本实施例制备的遮光陶瓷的遮光效果和表面硬度进行检测，检测结果显示本实施例制备的遮光陶瓷的透过率为0.05%。
实施例4一种遮光陶瓷
本实施例遮光陶瓷的结构
本实施例遮光陶瓷由陶瓷层和薄膜反射层组成，具体层结构为：在陶瓷层表面依次设有2层高折射率薄膜反射层、2层低折射率薄膜反射层。
所述高折射率薄膜反射层由原料Si3N4、BaTiO3制成，单层厚度为10μm。
所述低折射率薄膜反射层由原料MgF2、SiO2制成，单层厚度为10μm。
所述陶瓷层中的含有的陶瓷粉为SiC、PbZrxTi(1-x)O3、Ta2O5，陶瓷层的厚度为0.01mm。
本实施例遮光陶瓷的制备方法为：
1）陶瓷层的制备
原料的称取：分别称取20份SiC、20份PbZrxTi(1-x)O3、20份Ta2O5，5份聚甲基丙烯酸树脂，10份六偏磷酸钠，5份鱼油，55份松油醇。
注射成型：将上述称取好的原料混合球磨后，得到浆料，再将浆料注射成型。
烧结：将上述注射成型的坯体在1500℃条件下焙烧2h，得到陶瓷层毛坯；
抛光：将陶瓷层毛坯双面抛光、清洗后得到陶瓷层，陶瓷层表面的粗糙度Ra≤0.05μm。
2）薄膜反射层的制备
同时以Si3N4、BaTiO3为靶材，通过磁控溅射的方法，在上述制备好的陶瓷层表面镀制2层高折射率薄膜反射层（每层厚度为10μm）；然后再以MgF2、SiO2为靶材通过磁控溅射的方法，在2层高折射率薄膜反射层表面镀制2层低折射率薄膜反射层（每层厚度为10μm）；即可。
上述磁控溅射过程中，磁控溅射的功率为1500~4500W，溅射气压为0.01~10Pa，靶基距30~100毫米，氩气流量为10~300sccm。
对本实施例制备的遮光陶瓷的遮光效果和表面硬度进行检测，检测结果显示本实施例制备的遮光陶瓷的透过率为0.5%。
实施例5 一种遮光陶瓷
本实施例遮光陶瓷的结构
本实施例遮光陶瓷由陶瓷层和薄膜反射层组成，具体层结构为：在陶瓷层表面依次设有1层低折射率薄膜反射层、1层高折射率薄膜反射层。
所述高折射率薄膜反射层由原料SiC、BN、ZrO2制成，单层厚度为10nm。
所述低折射率薄膜反射层由原料B2O3、BaO制成，单层厚度为80nm。
所述陶瓷层中的含有的陶瓷粉为ZrO2、Y2O3、BaTiO3，陶瓷层的厚度为20mm。
本实施例遮光陶瓷的制备方法为：
1）陶瓷层的制备
原料的称取：分别称取15份ZrO2、10份Y2O3、15份BaTiO3，5份聚乙烯，5份聚乙烯乙酸酯，3份六偏磷酸钠分散剂，37份水。
注射成型：将上述称取好的原料混合球磨后，得到浆料，再将浆料注射成型。
烧结：将上述注射成型的坯体在1000℃条件下焙烧10h，得到陶瓷层毛坯；
抛光：将陶瓷层毛坯双面抛光、清洗后得到陶瓷层，陶瓷层表面的粗糙度Ra≤0.05μm。
2）薄膜反射层的制备
同时以B2O3、BaO为靶材，通过真空蒸镀的方法，在上述制备好的陶瓷层表面镀制1层低折射率薄膜反射层（单层厚度为80nm）；然后再以SiC、BN、ZrO2为靶材通过真空蒸镀的方法，在1层低折射率薄膜反射层表面镀制1层高折射率薄膜反射层（单层厚度为10nm）；即可。
上述真空蒸镀过程中，真空蒸镀的真空度为10-5Pa~10-2Pa，蒸镀电流为50~400毫安，蒸镀速率为0.30~30nm/min。
实施例6 一种遮光陶瓷
本实施例遮光陶瓷的结构
本实施例遮光陶瓷由陶瓷层和薄膜反射层组成，具体层结构为：在陶瓷层表面依次设有1层低折射率薄膜反射层、1层高折射率薄膜反射层。
所述高折射率薄膜反射层由原料SiC、BN、ZrO2制成，单层厚度为10nm。
所述低折射率薄膜反射层由原料B2O3、BaO制成，单层厚度为80nm。
所述陶瓷层中的含有的陶瓷粉为ZrO2、Y2O3、Al2O3、AlN、SiC，陶瓷层的厚度为20mm。
本实施例遮光陶瓷的制备方法为：
1）陶瓷层的制备
原料的称取：分别称取15份ZrO2、10份Y2O3、5份Al2O3、5份AlN、5份SiC、5份聚乙烯，5份聚乙烯乙酸酯，3份六偏磷酸钠分散剂，37份水。
注射成型：将上述称取好的原料混合球磨后，得到浆料，再将浆料注射成型。
烧结：将上述注射成型的坯体在1000℃条件下焙烧10h，得到陶瓷层毛坯；
抛光：将陶瓷层毛坯双面抛光、清洗后得到陶瓷层，陶瓷层表面的粗糙度Ra≤0.05μm。
2）薄膜反射层的制备
同时以B2O3、BaO为靶材，通过真空蒸镀的方法，在上述制备好的陶瓷层表面镀制1层低折射率薄膜反射层（单层厚度为80nm）；然后再以SiC、BN、ZrO2为靶材通过真空蒸镀的方法，在1层低折射率薄膜反射层表面镀制1层高折射率薄膜反射层（单层厚度为10nm）；即可。
上述真空蒸镀过程中，真空蒸镀的真空度为10-5Pa~10-2Pa，蒸镀电流为50~400毫安，蒸镀速率为0.30~30nm/min。
对本实施例制备的遮光陶瓷的遮光效果和表面硬度进行检测，检测结果显示本实施例制备的遮光陶瓷的透过率为0.15%。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种遮光陶瓷，其特征在于：该遮光陶瓷由陶瓷层和薄膜反射层组成，所述薄膜反射层含有至少一层高折射率薄膜反射层和至少一层低折射率薄膜反射层，高、低折射率薄膜反射层以任意方式进行叠层。
2.一种遮光陶瓷，其特征在于：该遮光陶瓷由陶瓷层和薄膜反射层组成，所述薄膜反射层含有至少一层高折射率薄膜反射层和至少一层低折射率薄膜反射层，高、低折射率薄膜反射层进行叠层，叠层方式为：多层高折射率薄膜反射层和一层低折射率薄膜反射层进行交叉叠层，或者多层低折射率薄膜反射层和一层高折射率薄膜反射层进行交叉叠层，或者多层高折射率薄膜反射层和多层低折射率薄膜反射层进行交叉叠层。
3.根据权利要求1~2任一所述的遮光陶瓷，其特征在于：所述高、低折射率薄膜反射层的单层厚度独立为1nm~10μm。
4.根据权利要求1~2任一所述的遮光陶瓷，其特征在于：所述陶瓷层厚度为0.01mm~100mm。
5.根据权利要求1~2任一所述的遮光陶瓷，其特征在于：所述陶瓷层含有陶瓷粉、粘结剂和分散剂，其特征在于：所述陶瓷粉为ZrO2、Si3N4、SiC、PbZrxTi(1-x)O3、Ta2O5、BaTiO3、MgO、BaO、Y2O3、AlN、MgF2中的至少一种。
6.根据权利要求1~2任一所述的遮光陶瓷，其特征在于：所述低折射率薄膜反射层为B2O3、BaO、Y2O3、AlN、MgO、MgF2、SiO2、Al2O3中的至少一种。
7.根据权利要求1~2任一所述的遮光陶瓷，其特征在于：所述高折射率薄膜反射层为ZnO、TiO2、Ti2O3、Ti3O5、SiC、BN、ZrO2、Si3N4、BaTiO3中的至少一种。
8.权利要求1~2任一所述遮光陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）陶瓷层的制备：将陶瓷粉、粘结剂、分散剂和溶剂混合球磨后，得到浆料；将浆料成型后进行烧结得到陶瓷层毛坯；陶瓷层毛坯经双面抛光、清洗后得到陶瓷层；
2）薄膜反射层的制备：在上述陶瓷层表面，将高、低折射率薄膜反射层原料按需求依次镀制成相应厚度和层数的高、低折射率薄膜反射层，即可得到遮光陶瓷。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：步骤1）所述陶瓷粉、粘结剂、分散剂和溶剂的质量比为（15~60）：（5~15）：（1~5）：（10~65）。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：步骤2）所述镀制的方法为真空蒸镀、磁控溅射和离子镀。
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