CN106113359A - 智能密胺餐具的生产工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种智能密胺餐具的生产工艺，包括以下步骤：原料准备：称取所需重量的密胺；预热凝：将密胺加热至凝固；第一次加压：将预热凝后的密胺置于模具中，通过模具进行加压，得到半成品；芯片融合：将智能芯片搁置于半成品上，然后加入预热凝后的密胺于模具中，通过模具进行第二次加压，得到成品；所述模具包括上模和下模，上模和下模分别进行特定的参数设置；通过本生产工艺能够避免在智能餐具生产过程中芯片因受高温、高压等作用而造成损坏，以致智盘系统无法识读或识读错误的现象，以获得正确的数据信息，对人们日常生活和工作质量和效率的提高有重要意义。

Description

智能密胺餐具的生产工艺
技术领域
本发明涉及餐具的加工，尤其是一种智能密胺餐具的生产工艺。
背景技术
密胺做成塑料餐具具有轻巧、美观、能耐低温、耐煮、耐污染、不易跌碎等性能，密胺经过处理后制作成的餐具安全可靠，无毒无味，具有较强的硬度，不易摔破，有很强的耐用性。另外一大特点就是容易着色，颜色丰富细腻。密胺因其综合性能好，已日益成为人们日常生活用品，尤其是餐具备受欢迎的一种产品。
而随着科技的进步，在信息科技发达的今天，“信息数据化”已经日益融入到人们生活的方方面面。智能密胺餐可以通过其自带的芯片，通过射频技术实现对所需信号的获取，信号经过处理，从而得到想要的数据，再借助于相应的系统方便地完成工作内容。从而极大程度减轻了工作内容，提高工作效率及方便了人们的生活和工作。
智能餐具需要设置有RFID芯片，由于RFID芯片具有极大的敏感性，故在智能餐具生产过程中，芯片因受高温、高压、气压等作用会对芯片线圈、芯片本身造成损坏、芯片工作频率的降低，以致智盘系统无法识读或识读错误的现象，不能获得正确的数据信息。若生产出合格产品，智能餐具的生产工艺是极为重要的一个环节，可靠、优良的生产工艺具有重要的意义和市场竞争价值。
发明内容
针对现有技术的缺点，本发明提供了一种可靠的智能密胺餐具的生产工艺。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案是智能密胺餐具的生产工艺，包括以下步骤：
原料准备：称取所需重量的密胺；
预热凝：将密胺加热至凝固；
第一次加压：将预热凝后的密胺置于模具中，通过模具进行加压，得到半成品；
芯片融合：将智能芯片搁置于半成品上，然后加入预热凝后的密胺于模具中，通过模具进行第二次加压，得到成品；芯片线圈外包裹有环氧树脂，一方面保护线圈在高温下不受伤害；二是压制过程中芯片受热，环氧树脂融化，从而将芯片固定在密胺餐具中。
芯片在高温压制的过程中电阻会发生变化，产生0.5-0.7MHZ的下降。故在设计芯片的时候就需要将芯片电阻设计为比实际值略高些，这样芯片在压制进入密胺餐具后，智能餐盘的电阻能够符合要求。
所述模具包括上模和下模,下模具中设计有放置芯片的槽口。
于本发明一实施例中，预热凝的时间为50-60S，温度为50℃-60℃，加热至密胺的凝固表面出现细小纹路。
于本发明一实施例中，所述第一次加压的压力为135-165Kgf/cm2、温度为155℃-175℃、时间为60-100s。
于本发明一实施例中，第一次加压时所述下模温度为170℃-175℃，所述上模温度为165℃-170℃。
于本发明一实施例中，智能芯片搁置时半成品的温度保持为150℃-175℃。所述智能芯片的中心位于所述餐具中心的1cm处。
于本发明一实施例中，所述第二次加压的压力为160-185Kgf/cm2、温度为160℃-180℃、时间为80-120s。
于本发明一实施例中，第二次加压时所述上模温度为170℃-180℃，所述下模温度为160℃-165℃。第一次加压时下模的温度适当高于上模的温度，而第二次加压时下模的温度应适当低于上模的温度，同时，第二次加热时下模的温度不能高于第一次加热时上模的温度。这样以使得模具中的密胺材料在两次加压时进行充分、均匀的熔融流动，使得智能芯片能在该温度模式的设置下能很好地、无损地被密胺进行包裹保证了固化后产品的质量和性能更加优良。
于本发明一实施例中，还包括贴花加金，所述提花加金步骤具体包括以下步骤：
贴花准备：将贴花进行预烘烤，刷粉后再次烘烤；
压花：将贴花放置到芯片融合后的密胺餐具表面，压花的时间为8-12s，压力为120-135Kgf/cm2、（温度为80℃-110℃）；
加金：压花完成后，在贴花周围加刷金粉，再次进行加压，时间为20-30s，压力为150-160Kgf/cm2、（温度为80℃-110℃）。
于本发明一实施例中，还包括打磨抛光，对密胺餐具的边缘和表面进行打磨。
于本发明一实施例中，第一次加压时，放置于模具中的密胺占密胺总原料重量的1/3-1/2。
本发明具有以下有益效果：
通过对各个工序的特殊设定，通过预热凝、第一次加压、芯片融合三步重点的工艺加工，将智能芯片包裹到所述餐具的特定位置，使其能够性能稳定地进行信号的识读。第一次加压和芯片融合时上模和下模的温度及压力的设置，能使芯片无损地被密胺包裹，保证了固化后产品的质量和性能更加优良。
本发明通过对各步骤，尤其是加压时的各参数的选择，避免了在密胺智能餐盘生产过程中因受高温高压等对智能芯片造成损坏及引起的性能降低，导致智盘系统无法识读或识读错误的现象；本生产工艺采用特殊设定的温度模式、压力模式及原料加入方式、智能芯片的放入模式等一系列布设，确保了获得质量合格、性能可靠稳定的智能餐盘。
进一步地，通过贴花加金步骤各工艺参数的设置，保证了在不影响智能餐具识读功能的同时使得产品更加美观，提高了产品的附加价值，使产品更具有市场竞争力。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的描述。
实施例1
称取120g的密胺粉，以55℃-75℃的温度将密胺加热50-60S，直至密胺凝固且密胺的凝固表面出现细小纹路时保温。
将50g预热凝后的密胺置于模具中，将上模温度设置为165℃，所述下模温度设置为170℃，压力为140-160Kgf/cm2，加压时间为70s，得到半成品。
打开上模，保证下模内半成品的温度为160℃-165℃，将智能芯片搁置于半成品上，所述智能芯片的中心位于所述餐具中心的1cm左右处，其中将芯片外包裹有环氧树脂，保护线圈在高温下不受伤害的同时使得压制过程环氧树脂融化，从而将芯片固定在密胺餐具中。 芯片电阻设计为比实际值高0.5-0.7MHZ，这样芯片在压制进入密胺餐具后，智能餐盘的电阻能够符合要求。然后加入剩下的80g预热凝后的密胺于下模中，通过模具进行第二次加压；第二次加压的压力为180-185Kgf/cm2、第二次加压时所述上模温度为175℃，所述下模温度为165℃。
实施例2
称取200g的密胺粉，以55℃-75℃的温度将密胺加热50-60S，直至密胺凝固且密胺的凝固表面出现细小纹路时保温。
将80g预热凝后的密胺置于模具中，将上模温度设置为160℃，所述下模温度设置为175℃，压力为135-150Kgf/cm2，加压时间为100s，得到半成品。
打开上模，保证下模内半成品的温度为160℃-165℃，将智能芯片搁置于半成品上，所述智能芯片的中心位于所述餐具中心的1cm左右处，其中将芯片外包裹有环氧树脂，保护线圈在高温下不受伤害的同时使得压制过程环氧树脂融化，从而将芯片固定在密胺餐具中。 芯片电阻设计为比实际值高0.5-0.7MHZ，这样芯片在压制进入密胺餐具后，智能餐盘的电阻能够符合要求。然后加入剩下的120g预热凝后的密胺于下模中，通过模具进行第二次加压；第二次加压的压力为170-175Kgf/cm2、第二次加压时所述上模温度为180℃，所述下模温度为160℃。
将贴花进行预烘烤，刷粉后再次烘烤，然后将贴花放置到芯片融合后的密胺餐具表面，压花的时间为8-12s，压力为120-135Kgf/cm2、（温度为80℃-110℃）。
压花完成后，在贴花周围加刷金粉，再次进行加压，时间为20-30s，压力为150-160Kgf/cm2、（温度为80℃-110℃）。
最后对密胺餐具的边缘和各个表面进行打磨、抛光。
实施例3
称取100g的密胺粉，以55℃-75℃的温度将密胺加热50-60S，直至密胺凝固且密胺的凝固表面出现细小纹路时保温。
将50g预热凝后的密胺置于模具中，将上模温度设置为155℃，所述下模温度设置为175℃，压力为155-165Kgf/cm2，加压时间为60s，得到半成品。
打开上模，保证下模内半成品的温度为160℃-165℃，将智能芯片搁置于半成品上，所述智能芯片的中心位于所述餐具中心的1cm左右处，其中将芯片外包裹有环氧树脂，保护线圈在高温下不受伤害的同时使得压制过程环氧树脂融化，从而将芯片固定在密胺餐具中。 芯片电阻设计为比实际值高0.5-0.7MHZ，这样芯片在压制进入密胺餐具后，智能餐盘的电阻能够符合要求。然后加入剩下的50g预热凝后的密胺于下模中，通过模具进行第二次加压；第二次加压的压力为160-170Kgf/cm2、第二次加压时所述上模温度为175℃，所述下模温度为165℃。
然后将贴花放置到芯片融合后的密胺餐具表面，压花的时间为8-12s，压力为120-135Kgf/cm2、（温度为80℃-110℃）。
压花完成后，在贴花周围加刷金粉，再次进行加压，时间为20-30s，压力为150-160Kgf/cm2、（温度为80℃-110℃）。
最后，对密胺餐具的边缘和各个表面进行打磨、抛光，得到最终产品。
嵌入到密胺餐具中的智能芯片是由一个天线（线圈）和一块环氧树脂胶进行外包裹的RFID芯片构成。在智盘餐具生产过程中芯片因受高温、高压、气压等作用会对芯片线圈、芯片本身造成损坏、芯片工作频率的降低，以致智盘系统无法识读或识读错误的现象，从而不能获得正确的数据信息
本发明通过合理而优化的生产工艺，在密胺工具的模压过程中，成功实现了将智能芯片性能完好地包裹到密胺餐具中，得到质量优异、性能稳定的智能餐盘，能根据人们预先设定的程序需要实现数据的读取，极大有助于人们获得更加高效、便捷的日常生活和工作，提高了人们的生活质量和工作效率。
上述具体实施例只是用来解释说明本发明，而非是对本发明进行限制，在本发明的宗旨和权利要求的保护范围内，对本发明做出的任何不付出创造性劳动的替换和改变，皆落入本发明专利的保护范围。

Claims (10)

1.一种智能密胺餐具的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
原料准备：称取所需重量的密胺；
预热凝：将密胺加热至凝固；
第一次加压：将预热凝后的密胺置于模具中，通过模具进行加压，得到半成品；
芯片融合：将智能芯片搁置于半成品上，然后加入预热凝后的密胺于模具中，通过模具进行第二次加压，得到成品；
所述模具包括上模和下模。
2.如权利要求1所述的智能密胺餐具的生产工艺，其特征在于，预热凝的时间为50-60S，温度为50℃-60℃，加热至密胺的凝固表面出现细小纹路。
3.如权利要求1所述的智能密胺餐具的生产工艺，其特征在于，所述第一次加压的压力为135-165Kgf/cm2、温度为155℃-175℃、时间为60-100s。
4.如权利要求3所述的智能密胺餐具的生产工艺，其特征在于，第一次加压时所述上模温度为155℃-165℃，所述下模温度为170℃-175℃。
5.如权利要求1所述的智能密胺餐具的生产工艺，其特征在于，智能芯片搁置时半成品的温度保持为150℃-175℃。
6.如权利要求1所述的智能密胺餐具的生产工艺，其特征在于，所述第二次加压的压力为160-185Kgf/cm2、温度为160℃-180℃、时间为80-120s。
7.如权利要求6所述的智能密胺餐具的生产工艺，其特征在于，第二次加压时所述上模温度为170℃-180℃，所述下模温度为160℃-165℃。
8.如权利要求1所述的智能密胺餐具的生产工艺，其特征在于，还包括贴花加金，所述贴花加金步骤具体包括以下步骤：
贴花准备：将贴花进行预烘烤，刷粉后再次烘烤；
压花：将贴花放置到芯片融合后的密胺餐具表面，压花的时间为8-12s，压力为120-135Kgf/cm2；
加金：压花完成后，在贴花周围加刷金粉，再次进行加压，时间为20-30s，压力为150-160Kgf/cm2。
9.如权利要求1至8任一所述的智能密胺餐具的生产工艺，其特征在于，还包括打磨抛光，对密胺餐具的边缘和表面进行打磨。
10.如权利要求1至8任一所述的智能密胺餐具的生产工艺，其特征在于，第一次加压时，放置于模具中的密胺占密胺总原料重量的1/3-1/2。
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