CN106059509B - 用于放大电容信号源提供的信号的系统和集成电路 - Google Patents

用于放大电容信号源提供的信号的系统和集成电路 Download PDF

Info

Publication number
CN106059509B
CN106059509B CN201610367683.3A CN201610367683A CN106059509B CN 106059509 B CN106059509 B CN 106059509B CN 201610367683 A CN201610367683 A CN 201610367683A CN 106059509 B CN106059509 B CN 106059509B
Authority
CN
China
Prior art keywords
gain
signal
amplifier
digital
coupled
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610367683.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106059509A (zh
Inventor
迈克尔·克罗普菲奇
乔斯·路易斯·塞巴洛斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of CN106059509A publication Critical patent/CN106059509A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106059509B publication Critical patent/CN106059509B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/38—Positive-feedback circuit arrangements without negative feedback
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G7/00—Volume compression or expansion in amplifiers
    • H03G7/06—Volume compression or expansion in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G7/08—Volume compression or expansion in amplifiers having semiconductor devices incorporating negative feedback
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G7/00—Volume compression or expansion in amplifiers
    • H03G7/06—Volume compression or expansion in amplifiers having semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
    • H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/187—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2175—Class D power amplifiers; Switching amplifiers using analogue-digital or digital-analogue conversion
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/002—Control of digital or coded signals
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3005—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3089—Control of digital or coded signals
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G7/00—Volume compression or expansion in amplifiers
    • H03G7/002—Volume compression or expansion in amplifiers in untuned or low-frequency amplifiers, e.g. audio amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/153—Arrangements in which a pulse is delivered at the instant when a predetermined characteristic of an input signal is present or at a fixed time interval after this instant
    • H03K5/1532—Peak detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/153—Arrangements in which a pulse is delivered at the instant when a predetermined characteristic of an input signal is present or at a fixed time interval after this instant
    • H03K5/1536—Zero-crossing detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R23/00—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R3/00—Circuits for transducers, loudspeakers or microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/555—A voltage generating circuit being realised for biasing different circuit elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45166—Only one input of the dif amp being used for an input signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45526—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising a resistor-capacitor combination and being coupled between the LC and the IC
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
    • H04R2201/003—Mems transducers or their use

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Circuit For Audible Band Transducer (AREA)

Abstract

本发明涉及用于放大电容信号源提供的信号的系统和集成电路。系统包括：可变增益放大器，包括被配置为耦接至所述电容信号源的输入节点；模数转换器，耦接至所述可变增益放大器的输出端；数字增益块，耦接至所述模数转换器的输出端；以及增益控制电路，被配置为测量耦合至所述可变增益放大器的模拟信号的振幅，根据第一增益函数调整所述可变增益放大器的第一增益，以及根据第二增益函数调整所述数字增益块的第二增益。

Description

用于放大电容信号源提供的信号的系统和集成电路
本申请是申请日为2013年4月16日，申请号为201310132190.8，发明名称为“用于高输入电容信号放大器的系统和方法”的分案申请。
技术领域
本发明总体涉及半导体电路和方法，更具体地，涉及用于低失真电容信号源的放大器。
背景技术
音频麦克风通常用于各种消费者应用中，例如，移动电话、数字录音机、个人计算机和电话会议系统。特别地，批量生产的成本敏感应用中使用低成本驻极体电容传声器(ECM)。ECM麦克风通常包括安装在具有声孔和电输出端的小封装内的驻极体材料薄膜。驻极体材料粘贴在隔膜上，或本身构成隔膜。大多数ECM麦克风还包括与目标应用，例如，移动电话内的音频前端放大器对接的前置放大器。另一种麦克风是微电子机械系统(MEMS)麦克风，可实施为直接蚀刻在集成电路上的压敏隔膜。
环境声压级跨越非常大的动态范围。例如，人类听觉的阈值约为0dBSPL，谈话的声音约为60dBSPL，而50m之外的喷气式飞机的声音约为140dBSPL。麦克风(例如，MEMS麦克风)的隔膜能承受高强度声信号，并精确地将这些高强度声信号转换为电子信号，但对这种高电平信号的处理较为困难。例如，优化许多音频麦克风放大器和前置放大器，以用于一个特定动态范围。由此，这些系统可能无法在不产生严重失真的情况下处理整个音频范围。
发明内容
根据实施方式，一种用于放大电容信号源提供的信号的系统，包括：可变增益放大器，包括被配置为耦接至所述电容信号源的输入节点；模数转换器，耦接至所述可变增益放大器的输出端；数字增益块，耦接至所述模数转换器的输出端；以及增益控制电路，被配置为测量耦合至所述可变增益放大器的模拟信号的振幅，根据第一增益函数调整所述可变增益放大器的第一增益，以及根据第二增益函数调整所述数字增益块的第二增益
根据实施方式，一种用于放大电容信号源提供的信号的集成电路，所述集成电路包括：信号放大器，包括被配置为耦接至所述电容信号源的输入节点；峰值检测器，耦接至所述信号放大器的输出端；增益控制器，耦接至所述峰值检测器的输出端；可控衰减电路，耦接至所述信号放大器的所述输入节点，并且耦合至所述增益控制器的第一增益控制信号；模数转换器，耦接至所述信号放大器的输出端；数字滤波器，耦接至所述模数转换器的输出端；以及增益系数控制块，耦接至所述数字滤波器并耦合至所述增益控制器的所述第二增益控制信号，其中，所述增益控制器被配置为响应于所述电容信号源的增加的振幅增加所述可控衰减电路的衰减或减少所述信号放大器的增益，并响应于所述电容信号源的增加的振幅增加所述数字滤波器的增益。
根据实施方式，一种方法包括：确定电容信号源提供的输入信号的振幅；基于确定的振幅在模拟域内压缩输入信号，以形成压缩模拟信号；将压缩模拟信号转换为压缩数字信号；以及，在数字域内解压数字信号，以形成解压数字信号。在实施方式中，压缩模拟信号包括调整与电容信号源耦合的放大器的第一增益，解压数字信号包括调整数字处理块的第二增益。
下文中的附图和说明对本发明的一个或多个实施方式的细节进行了阐述。根据说明书、附图以及权利要求，本发明的其他特征、目标和优点将是显而易见的。
附图说明
为了更完整地理解本发明及其优点，现在将结合附图进行以下说明，在附图中：
图1a至图1e示出了根据本发明实施方式的放大器集成电路；
图2a至图2c示出了根据另一实施方式的示例性放大器集成电路；
图3a至图3c示出了示例性过零检测器、示例性峰值检测器和示例性时序图；
图4a至图4d示出了示例性增益控制曲线；以及
图5示出了示例性封装麦克风系统。
不同图中的对应数字和符号基本表示对应部分，除非另有说明。绘制附图的目的在于明确示出优选实施方式的相关方面，其并不一定按比例绘制。为了更明确地示出特定实施方式，图号后可能会添加表示相同结构、材料或过程步骤的变化的字母。
具体实施方式
下文将对当前优选实施方式的制造和使用进行详细说明。但是，应理解的是，本发明提供的多个适用概念可在各种特定环境下实施。所述特定实施方式仅为制造和使用本发明的特定方式的举例说明，并不限定本发明的范围。
下文将就特定环境下的实施方式，即，用于诸如MEMS的电容信号源或驻极体电容传声器(ECM)的放大器对本发明进行说明。但是，本发明还可用于其他类型的电路和系统，例如，音频系统、通信系统、传感器系统和连接到高阻抗信号源的其他系统。
在实施方式中，通过在模拟域中压缩电容信号源的输出信号，对压缩信号进行模数转换，随后在数字域中解压信号，放大器可保持诸如麦克风的电容信号源的较大动态范围。通过进行压缩和解压，电容传感器或麦克风的总灵敏度可在其整个输出范围内保持恒定。例如，在某些实施方式中，可达到140dB SPL的高声信号，同时将系统的总谐波失真保持在10％以下。
在某些实施方式中，通过衰减电容信号源的输出信号而实现电容信号源的输出信号的压缩。在某些实施方式中，可实施前端衰减的控制和实施，例如，如2011年8月25日提交的名称为“用于低失真电容信号源放大器的系统和方法”的共同待决申请13/217,890所述。该申请的全部内容通过引用结合于此。例如，在一个实施方式中，可通过调整耦合至输入放大器(耦合至电容信号源的输出端)的输入端的阻抗而对信号进行衰减。可通过控制耦合至放大器的输入端的电容而调整输入电平。在另一个实施方式中，可通过控制耦合至放大器的输入端的电阻而调整输入电平，使高通网络可调。可替代地，可在放大器的输入端使用其他阻抗类型。在另外的实施方式中，可通过调整电容传感器的两个板之间的电压而控制输入电平，从而调整电容传感器本身的声信号到电信号的增益。
在某些实施方式中，使用峰值检测器在放大级的输出端感应麦克风或电容传感器的信号电平。随后调整输入信号的振幅，直到放大级的输出小于峰值检测器确定的峰值。在某些实施方式中，过零检测器检测到输入信号或放大输入信号的AC过零时调整输入信号的振幅。可替代地，可使用其他电平或功率传感系统、电路或方法，例如，RMS或平均功率电平检测器。
图1a示出了示例性放大器集成电路(IC)100，其被配置为耦合至MEMS麦克风102，MEMS麦克风102用虚线示出，以表示麦克风102并不一定包括在IC 100上。在某些实施方式中，麦克风102还可包括在IC 100上，或包括在收容在同一封装内的单独模子(die)上。在替代实施方式中，可使用诸如ECM麦克风的其他麦克风类型，或其他类型的电容传感器电路，代替MEMS麦克风102。
IC 100具有可变增益放大器106、模数转换器(A/D)108、可变数字增益块110、信号检测和电平自适应块112、数字接口114和偏压发生器104。可变增益放大器106具有放大MEMS麦克风102的输出的一个或多个级，MEMS麦克风102通过输入引脚(pad)116耦接至IC100。在某些实施方式中，可实施可变增益放大器106的一部分，例如，如于2011年7月14日提交的名称为“用于电容信号源放大器的系统和方法”的共同待决申请13/183,193所述。该申请的全部内容通过引用结合于此。可替代地，可根据本领域中已知的技术实施可变增益放大器106。在一个实施方式中，数字接口114向输出引脚118输出麦克风信号的位流或脉冲宽度调制表示。附加地和/或可替代地，向输出接口提供数字增益块110的多位输出，并/或将其在内部使用。
在一个实施方式中，信号检测和电平自适应块112测量可变增益放大器106的输出端的振幅，并将增益控制信号GC1和GC2作为测量振幅的函数而对其进行计算。可替代地，信号检测和电平自适应块112可测量放大器106的信号输入的振幅。在某些实施方式中，响应于电容信号源或麦克风102输出的振幅增加，信号检测和电平自适应块112减少可变增益放大器106的增益。信号检测和电平自适应块112通过GC1减少可变增益放大器106的增益时，可变数字增益块110的增益相应增加。通过响应于可变增益放大器106的增益减少而相应增加数字增益块110的增益，麦克风系统的灵敏度在非常大的动态范围内都为线性。
在某些实施方式中，对于达到预定阈值的输入电平，可变增益放大器106的增益和数字增益块110的增益固定。超过该阈值时，压缩被应用于可变增益放大器106，扩展被应用于数字增益块110。在一个实施方式中，该阈值被设定为约115dB SPL。可替代地，可采用其他阈值。在某些实施方式中，设置该阈值，以使用尽可能多的A/D转换器108的输入动态范围，但不会对高信号电平下的A/D转换器108的输入进行限幅，和/或在高输入电平下造成过大音频失真。在替代实施方式中，或在替代模式下，信号检测和电平自适应块112可被配置为在低输入电平下在可变增益放大器106提供信号放大，并在数字增益块110提供压缩，以进一步减少ADC的噪声贡献，并降低关于面积和电流消耗方面的系统设计要求。例如，通过允许电容输入源102的噪声贡献，在较低输入电平下使用越高的增益削弱模数转换器108的噪声贡献，可变增益放大器106的输入级变得越重要，从而降低较低输入电平下的输入相关噪声电平。在实施方式中，可使用诸如西格玛-德尔塔A/D转换器的音频过采样数据转换器实施模数转换器108。可替代地，可使用其他模数转换器架构。在一个实施方式中，模数转换器108具有约1MHz至约4MHz的采样率，使用抽取滤波器，采样率降低到约8.33kHz至约33.33kHz。数字接口114在约1MHz至约4MHz的频率下提供位流或脉冲宽度调制输出。在替代实施方式中，还可采用这些范围之外的采样率。数字输出118可用于驱动这些电路(包括，但不限于)：抽取滤波器和其他后处理块。
在使用MEMS麦克风的某些实施方式中，偏压发生器104为麦克风102本身在引脚117提供偏压。在某些实施方式中，根据特定麦克风和系统实施方式，该偏压可在约3V和约16V之间。可替代地，可采用其他电压范围。如果麦克风或传感器102不要求有偏压，或在其他位置提供所需偏压，可省略偏压发生器104。应进一步理解的是，可使用替代实施方式中的一个以上的部件和/或一个以上的IC实施IC 100上的部件。
图1b示出了信号检测和电平自适应块112的示例性实施。峰值检测器122检测可变增益放大器106的输出端的峰值信号，控制器124根据峰值检测器122的输出经由增益控制信号GC1控制可变增益放大器106的增益，并经由增益控制信号GC2控制数字增益块110的增益。可使用数字字、脉冲调制信号或模拟信号(例如，电流或电压)实施增益控制信号GC1。增益控制信号GC2实施为(例如)数字字或脉冲调制数字信号。
图1c示出了根据本发明实施方式的可变增益放大器106。可变增益放大器106包括放大器128前面的衰减器126。在实施方式中，可使用可选择电容器阵列、可选择电阻器阵列或其他有源或无源衰减器结构实施衰减器126。在实施方式中，可选择电阻器阵列可用于转换电高通转移函数的转角频率，以提供可调衰减，其中，较低转角频率为电容传感器的电容和IC 100的输入阻抗的函数。放大器128将单端输入信号127转换为差分输出信号Vp和Vn。可使用共同待决申请13/183,193和13/217,890所述的电路，或使用本领域中已知的其他放大器结构实施衰减器126和放大器128。可替代地，放大器128的增益还可由增益控制信号GC1控制。
图1d示出了用于在输入端实施可变增益的替代电路。此处，增益控制信号GC1控制偏压发生器132，偏压发生器132向耦接放大器134的MEMS麦克风102提供偏压。在某些实施方式中，MEMS麦克风102的增益与提供的偏压成正比。通过响应检测的峰值信号电压而改变偏压，电容传感器的灵敏度改变，导致改变了放大器108的输入端的信号电平。可使用电荷泵前面的数模转换器(如共同待决申请13/217,890所述)或使用本领域中已知的其他电路、系统或技术实施可变电压偏压发生器132。
图1e示出了数字增益块110和数字接口114的示例实施方式。可使用数字滤波器140和增益系数选择块142实施数字增益块110。在一个实施方式中，数字低通滤波器140接收模数转换器108的单个位输出，执行数字低通滤波函数，并生成N位滤波数字输出信号。可替代地，数字滤波器140可实施任何其他滤波函数，包括但不限于，带通和高通滤波函数。在一个实施方式中，数字滤波器140生成8位信号；然而，也可采用其他分辨率。根据特定应用及其规格，数字滤波器140可实施为有限脉冲响应(FIR)滤波器、无限脉冲响应(IIR)或其他数字滤波器类型。增益系数块142根据增益控制信号GC2选择滤波系数，例如，z域滤波系数。在一个实施方式中，数字低通滤波器140为具有可调转移函数144和约1MHz和约4MHz之间的采样率的二阶滤波器。可替代地，也可使用其他滤波器阶数、采样率和转移函数。数字低通滤波器140还可包括用于A/D转换器108的抽取滤波器。
在实施方式中，使用数字噪音整形器146实施数字接口114。可使用诸如具有约1MHz和约4MHz之间的采样率的5阶反馈结构的西格玛-德尔塔(∑-△)D/A实施数字噪音整形器146。可替代地，还可使用其他结构。在实施方式中，数字增益块110和数字接口114被配置为具有比模数转换器108低的噪底。在某些实施方式中，该噪底至少比模数转换器108的噪底低20dB；但是，根据特定应用及其规格，可使用其他余量。
图2a示出了根据本发明实施方式的IC 200。在某些实施方式中，可使用IC 200的部件实施图1a所示的IC 100的功能。在实施方式中，IC 200经由放大器输入脚244和偏压脚248连接到MEMS麦克风202或其他类型的电容传感器。可使用衰减器272、前置放大器206和放大器208实施可变增益放大器278。放大器208对放大器206的输出端进行单端到差分的转换。通过将放大器206的单端输出转换为差分信号，生成的信号更难受到干扰，例如，电源干扰的影响。在放大器206已经生成差分输出信号的实施方式中，放大器208可省略。正峰值检测器210和负峰值检测器212分别由放大器208的输出端260和262驱动。在实施方式中，正负峰值检测器210和212将其峰值保持有限的一段时间，例如，约10μs至约1ms。毫无疑问，也可将峰值保持该范围之外的其他时间段。可替代地，正负峰值检测器210和212可具有差分输入，代替单端输入。
在实施方式中，由使用(例如)可选择电容器和输入电阻器的可选择输入阻抗或输入信号分离器实施衰减器272。解码器270基于数字信号256生成衰减器272的开关选择信号，在某些实施方式中，还可用于改变放大器206的增益。可替代地，可使用其他衰减器结构。
放大器206的输入可由电压源231和串联电阻器233代表的偏压发生器235偏压。在实施方式中，可使用本领域中已知的偏压技术实施该偏压发生器。
过零检测器214耦接至放大器206的输出端。在实施方式中，过零检测器214的输出用于确保衰减器的开关设置或信号增益仅在检测到过零时变化，从而减少改变输入衰减器设置期间的可闻失真。可替代地，过零检测器214的输入端可耦接到信号链中的其他点，例如，到差分转换器208的单端的输出端。在本发明的另外的替代实施方式中，过零检测器214可省略。
差分比较器216将正峰值检测器210和负峰值检测器212与固定阈值Vnmax和Vlmin相比较。在实施方式中，这些固定阈值被设定为与约114dBSPL和约118dBSPL之间的等量输入压力对应。这些阈值的绝对值取决于麦克风的灵敏度、封装特性、偏压条件和其他因素。可替代地，可使用与其他声压范围对应的阈值。还可使用可调阈值提供可调或可变换增益曲线。
在实施方式中，所述系统可被配置为通过引入第二差分阈值电平提供增加的增益，以降低声压电平。此处，放大器增益增加，使信号始终高于第一阈值电平但低于第二阈值电平。在一个实例中，较低阈值电平可被设定为与约-15dBFS的ADC输出电平对应，较高阈值电平可被设定为与约-12dBFS的ADC输出电平对应。根据特定系统、其规格和ADC的特定设计，可使用其他阈值电平。
可使用施密特触发器实施比较器216，但是，在替代实施方式中，可使用其他比较器类型。在图2a所示的实施方式中，使用差分实施方式实施比较器216，其中，将到差分转换块208的单端的差分输出直接与正峰值检测器210中存储的最大正差分信号和负峰值检测器212中存储的最大负差分信号相比较。
比较器216的输出生成峰值检测信号264，其通过“与”门222与过零检测器的输出进行“与”运算。应理解的是，逻辑门222为可以本领域中已知的各种方式实施的逻辑函数的举例说明。
“与”门的输出(代表在检测的过零区的检测峰值)被耦接到加法/减法计数器224的输入端。在实施方式中，如有检测峰值，加法/减法计数器224递增，如无检测峰值，加法/减法计数器224递减。加法/减法计数器的递减下降到限定限值(与衰减器272被配置为不提供衰减的情况对应)。如果比较器216始终指示输入信号低于阈值电平，则实现这一点。在某些实施方式中，倒计数所需的时间大于正计数。在实施方式中，正计数率和倒计数率可编程。正计数率和倒计数率可选择为在不产生可闻伪声的范围内的值。例如，在某些实施方式中，所述正计数率和倒计数率被选择为约50Hz和200Hz之间。可替代地，可使用该范围之外的其他正计数率和倒计数率。
查找表(LUT)226被耦接到加法/减法计数器的输出端。在实施方式中，LUT 226输出n位数字字256，所述n位数字字256由解码器270和数字解压块276解码。在实施方式中，n位数字字256为8位；然而，根据特定实施方式及其规格，可使用其他位宽度。可替代地，LUT226可输出对解码器270和数字解压块276具有不同位宽度的两个单独字。
可使用西格玛-德尔塔A/D转换器实施A/D转换器274，可使用数字噪音整形器前面的可调系数数字滤波器实施数字解压块276，如上文中图1e的实施方式所述。可替代地，可使用其他转换器和可变增益架构。在实施方式中，数字解压块276向输出脚280提供单个位位流输出。
在实施方式中，电压源236、电阻器238和低通滤波器240代表的偏压发生器234在引脚248上输出用于麦克风202的偏压。可使用(例如)电荷泵和/或本领域中已知的其他技术实施偏压发生器234。在实施方式中，在衰减器设置变化期间，对转角频率为mHz至Hz范围的低通滤波器通过开关242进行分路。对低通滤波器240进行分路使麦克风202的偏压在衰减器272的设置变化之后快速稳定。
图2b示出与电容信号源202有关的放大器206和208的示例实施方式。MEMS装置202耦接至第一级放大器206，第一级放大器206进一步耦接至第二级208。衰减器272与第一级放大器206的输入端244并联耦合。第一级放大器206具有基于晶体管M1和电容器C11和C22的增益增强源跟随电路，第二级放大器208具有电容反馈配置方式的全差分放大器260。MEMS装置202通过电压源Vmic、麦克风电容Cmic和寄生电容Cp建模。在实施方式中，MEMS装置202由与电阻器RB串联的电压源VB偏压，电阻器RB的电阻在GΩ范围内。电阻器RB和电容器C22形成对来自电压源VB的噪声进行滤波的低通滤波器。可替代地，根据特定系统及其规格，RB可采用较低电阻值。
在实施方式中，偏压装置VB、RB、第一级206和第二级208设置在同一集成电路(IC)200上，MEMS麦克风202经由连接垫244和248连接到IC 200。可替代地，MEMS麦克风202还可设置在与第一级206和第二级208相同的IC 200上，这种情况下，MEMS麦克风202的端子可在内部耦接至第一级206和偏压电阻器RB。
在实施方式中，MEMS麦克风202的一个端子耦接至晶体管M1的门，另一个端子耦接至电容器C11和C22和电阻器RB。晶体管M1与电容器C11和C22的组合形成增益增强源跟随电路。在施方式中，M1被配置为源跟随或电压跟随装置，其中，晶体管M1的栅极上的信号在晶体管M1的源极缓冲。由于晶体管M1的栅极与晶体管M1的源极之间存在最小相移，晶体管M1对电压Vmic具有增强效果。在实施方式中，第一级206相对于Vmic的增益约为G1＝1+C11/C22，忽略Cmic、寄生电容Cp、M1的跨导和其他寄生分量的影响。在实施方式中，G1被设定为在约0dB和约20dB之间。可替代地，根据特定系统及其规格，G1可采用其他值。
在实施方式中，M1经由电流源IB在阈下范围内偏压，以减少热噪声和闪变噪声。在某些实施方式中，在阈下范围内对M1进行偏压在电流消耗与热/闪变噪声之间提供了良好平衡。另外，装置M1设有较大面积，以进一步减少闪变噪声。
在实施方式中，第二级208包括差分放大器260，电容器C3P、C3N、C4P和C4N形成电容反馈网络。第二级208的电压增益为约C3/C4。在实施方式中，第二级208的增益被设在约0dB和约20dB之间；然而，还可使用该范围之外的增益。使用高电阻反馈电阻器RFB对放大器260的输入进行偏压。在某些实施方式中，电阻器RFB处于GΩ范围内。可替代地，根据特定应用及其规格，可使用较低电阻值。在一个实施方式中，使用串联耦合的二极管接法MOS实施电阻器RFB。通过使用二极管接法晶体管，如果放大器260的输入偏压开始偏移，二极管接法晶体管导电，从而使临时DC反馈通路将放大器260的输入保持在适当偏压下。
在实施方式中，放大器260实施为具有共模反馈的全差分运算跨导放大器(OTA)，但是，在替代实施方式中，可使用其他放大器架构，包括但不限于对称放大器、折叠共源共栅放大器、仪表放大器和米勒放大器。
在实施方式中，由于与端子248和244上的输入信号同相的第一级206的输出端的C11的相反端的驱动实现了较低阻抗，电容器尺寸Cmic的影响与放大器电路内存在的电容器相比大大降低。输入转角频率可通过在M1的栅极对偏压网络建模的电容Cmic和附加输入电阻Ri限定。在实施方式中，Ri在约10GΩ和约1TΩ之间。可替代地，Ri还可处于该范围之外。在某些实施方式中，图2b所示的实施方式可实现具有较小传感器电容值的良好噪声特性。
在一个实施方式中，Cmic的值约为3.3pF，第一级放大器206的增益为约1，第二级放大器208的增益为约5，3dB低转角频率约为20Hz，3dB高转角频率约为100kHz。此处，输出负载电容器CL限制了放大器208的带宽，可作为连接到第二级208的输出端的A/D转换器274(图2a)的抗混叠滤波器。在替代实施方式中，对于高带宽系统，或不要求进行滤波的系统，上转角频率可高得多，例如，200kHz。
在实施方式中，可通过增加C3P和C3N减少第二级208的热噪声。由于第二级208由第一级206缓冲，电容C3P和C3N的增加不直接加载MEMS麦克风202的输出。在某些实施方式中，所述电路可被配置为使得第一级206实现最大增益，例如，6dB，第二级208用于进行信号模式转换，例如，将单端信号转换为差分信号。第二级208还可用于灵敏度自适应，因为第一级206可能无法单独提供30dB。
图2c示出了放大器206和208的另一个实施方式，其中，增益控制信号GC1通过调整C11、C22和/或Ri的值控制放大器206的增益。
图3a示出了可用于实施图2a中的过零检测器214的示例性过零电路300。过零电路300的输入信号用与DC电压源303串联的AC电压源301代表。低通滤波器302对输入信号进行滤波，求和点306从输入信号的未滤波版本中减去低通滤波输入信号。在实施方式中，低通滤波器302的转角频率在约1mHz和约10Hz之间的范围。可替代地，根据特定应用及其规格，可使用其他转角频率。低通滤波器302和306的组合起高通网络的作用，高通网络可过滤DC偏压以及低频漂移。比较器304将求和点的输出与地电压或基准电压相比较。Vsig改变极性时，由此激活信号Zdet。在实施方式中，可使用本领域中已知的电路拓扑结构实施过零检测器。在某些实施方式中，使用施密特触发器实施比较器304。
图3b示出了可用于实施图2a中的峰值检测器210和212的示例性峰值检测电路310。使用在相位为期间起作用的开关312在电容器314上对输入电压Vin进行采样。缓冲在电容器314上采样的电压的放大器316的输出经由开关318在电容器320上采样。比较器322将缓冲放大器316的输出与电容器320上的采样电压相比较，以提供峰值电压V输出峰值。在相位为期间，对比较器322进行采样，在相位和比较器322的输出V输出峰值均为正值时，开关318起作用。在实施方式中，可使用(例如)本领域中已知的开关电容器电路技术实施电路310。图3c示出了非重叠相位和的示例性时序图。在实施方式中，可使用本领域中已知的技术产生相位和
图4a至图4d示出了可使用示例性系统，例如，图1a所示的100和图2a所示的系统200实施的示例性增益曲线。图4a示出了示例性增益电平对声级输入的图示。曲线402表示输入可变增益放大器的增益，曲线404表示数字增益块的增益。虚线406表示阈值电平，若超过阈值电平，对输入可变增益放大器进行压缩，对数字增益块进行解压。根据图4a，对于达到约115dB SPL的输入声压级，输入可变增益放大器被设定为具有约10dB的增益，数字增益块被设定为具有约-20dB的增益。在该声压级以上时，输入声压级每增加1dB，将输入可变增益放大器的增益减少1dB。由此，超过阈值406时，输入声压级每增加1dB，数字解压块的增益增加1dB。应理解的是，图4a的解压曲线仅为多种可能增益曲线的一个示例。在本发明的替代实施方式中，根据使用的特定麦克风或电容传感器，初始增益和阈值可有所不同。
图4b示出了对94dB SPL下的灵敏度为-36dBV的MEMS麦克风施加图4a的增益曲线时产生的系统灵敏度。曲线410表示dB全刻度(FS)下的系统灵敏度对输入声压级。如从图4a可以看出的，在对前端施加10dB增益，对A/D转换器后面的数字增益控制块施加-20dB增益的范围内，94dB SPL下的系统总灵敏度约为-46dB FS。
图4c示出了根据一个替代实施方式的增益电平对声级输入的图示。曲线414表示输入可变增益放大器的增益，曲线412表示数字增益块的增益。根据图4c，随着输入声压级降低(向下扩展到较低输入电平)，所述输入可变增益放大器提供增加的增益，而数字增益块随着输入声压级的降低提供对应减少的增益。图4d中的曲线416表示与图4c中的增益曲线对应的系统增益响应。在实施方式中，如果低输入电平下的增加增益(称为可变增益放大器的输入)可降低A/D转换器的噪声，或者，如果达到相同噪声电平，ADC的较高噪声贡献可能导致ADC的面积较小，电流消耗较少。
在本发明的某些实施方式中，各个增益曲线可选择或可编程，以支持不同麦克风和不同声环境。例如，在一个实施方式中，图4a和4c所示的增益曲线可选择性地在相同系统中实施。在另外的实施方式中，增益曲线可使用多个区域。例如，输入放大器可具有增益根据输入振幅或声压级的降低而增加的低振幅区域、增益恒定的中振幅区域，以及增益根据输入振幅的增加而减少的高输入压缩区域。在该实施方式中，数字增益块可具有随着输入增益曲线的对应增加而增加的补充增益曲线。在另一个实施方式中，可变增益输入放大器增益曲线可与数字增益块不匹配，以提供进行压缩和/或解压的生成的系统增益曲线。
图5示出示例性封装麦克风放大系统500，其包括经由焊线510耦接至示例性麦克风接口模子516的MEMS麦克风模子514。麦克风接口模子516可包括如上述实施方式所述的电路。在一个实施方式中，麦克风接口模子516的位流输出通过焊线512耦接至引线框和/或封装引脚508。MEMS麦克风模子514和麦克风接口模子516设置在衬底506上，衬底506上安装有外壳502。声孔504使声能到达MEMS麦克风模子514。在替代实施方式中，MEMS麦克风模子514和麦克风接口模子516可在单个模子上实施。
根据实施方式，一种方法包括：确定电容信号源提供的输入信号的振幅；基于确定的振幅在模拟域内压缩输入信号，以形成压缩模拟信号；将压缩模拟信号转换为压缩数字信号；以及，在数字域内解压数字信号，以形成解压数字信号。在实施方式中，压缩模拟信号包括调整耦接至电容信号源的放大器的第一增益，解压数字信号包括调整数字处理块的第二增益。在某些实施方式中，调整放大器的第一增益包括调整耦接至电容信号源的输出端的可控阻抗。
在实施方式中，调整放大器的第一增益包括将第一增益设定为与确定的振幅成反比，调整数字信号处理块的第二增益包括将第二增益设定为与确定的振幅成正比。如果确定的振幅小于第一阈值振幅，放大器的第一增益和数字信号处理块的第二增益可恒定。在某些实施方式中，调整放大器的第一增益包括将第一增益设定为与高于第一阈值振幅的确定的振幅成反比，调整数字信号处理块的第二增益包括将第二增益设定为与高于第一阈值振幅的确定的振幅成正比。
在实施方式中，所述数字信号处理块包括数字滤波器，调整第二增益包括调整数字滤波器的滤波系数。在实施方式中，所述方法可进一步包括：将解压信号转换为单个位流信号。这可包括使用数字噪音整形器。在某些实施方式中，确定输入信号的振幅包括放大或缓冲电容信号源提供的信号以形成放大信号，以及检测放大信号的峰值电压。
根据另一实施方式，用于放大电容信号源提供的信号的系统包括可变增益放大器、模数转换器、数字增益块和增益控制电路。可变增益放大器包括被配置为耦接至电容信号源的输入节点。模数转换器耦接至可变增益放大器的输出端，所述数字增益块耦接至模数转换器的输出端。增益控制块被配置为测量耦接至可变增益放大器的模拟信号的振幅，根据第一增益函数调整可变增益放大器的第一增益，并根据第二增益函数调整数字增益块的第二增益。在某些实施方式中，可变增益放大器包括可变增益放大器的增益小于一的增益设置。
在实施方式中，第一增益函数将第一增益限定为与电容信号源提供的信号的振幅成反比的值，第二增益函数将第二增益限定为与电容信号源提供的信号的振幅成正比的值。在另一实施方式中，第一增益函数将第一增益限定为与高于第一阈值的电容信号源提供的信号的振幅成反比，所述第二增益函数将第二增益限定为与高于第一阈值的电容信号源提供的信号的振幅成正比。第一增益函数可进一步将第一增益限定为第一阈值以下的恒量，第二增益函数可进一步将第二增益限定为第一阈值以下的恒量。
在某些实施方式中，所述系统还包括电容信号源，其可为MEMS麦克风或其他类型的麦克风。在某些实施方式中，所述系统还包括耦接到数字增益块的输出端的数字噪音整形器。数字噪音整形器可包括一位的位流输出。在某些实施方式中，数字增益块包括数字滤波器，增益控制电路被配置为通过调整数字滤波器的滤波系数而调整第二增益。在实施方式中，可变增益放大器、模数转换器和增益控制电路设置在集成电路上。
根据另一实施方式，用于放大电容信号源提供的信号的集成电路，包括：信号放大器，具有被配置为耦接至电容信号源的输入节点；峰值检测器，耦接至信号放大器的输出端；增益控制器，耦接至峰值检测器的输出端，以及可控衰减电路，耦接至信号放大器的输入节点和增益控制器的第一增益控制信号。在某些实施方式中，信号放大器可具有小于一的增益。所述集成电路进一步包括：模数转换器，耦接至信号放大器的输出端；数字滤波器，耦接至模数转换器的输出端，以及增益系数控制块，耦接至数字滤波器，耦合增益控制器的第二增益控制信号。所述增益控制器可被配置为响应于电容信号源的振幅增加，增加可控衰减电路的衰减或减少信号放大器的增益，并响应于电容信号源的振幅增加，增加数字滤波器的增益。可用西格玛-德尔塔模数转换器实施模数转换器。
在实施方式中，增益控制器被配置为在位于电容信号源的输出端的信号高于第一阈值振幅时增加可控衰减电路的衰减并增加数字滤波器的增益。
在实施方式中，可控衰减电路包括：多个电容器；以及多个开关，耦接在多个电容器与信号放大器的输入端之间，使多个开关可由增益控制器控制。在某些实施方式中，可控衰减电路包括信号放大器的可控输入阻抗。
示例性系统的优点包括在不向系统中引入高非线性的情况下处理高声输入信号。例如，在一个实施方式中，对于声输入电平为140dBSPL的MEMS麦克风可实现小于10％的总谐波失真(THD)。示例性系统的另一个优点包括在不消耗大量电流和硅面积的情况下具有非常高的同等动态范围。由于高输入电平由于前端放大器的信号压缩而没有达到A/D转换器的输入，对于较低声输入电平，模数转换器的设计可优化。通过在较低输入电平下提供较高增益，可在低输入电平下实现良好噪声特性，其中主要噪声来源为麦克风和输入放大器。
尽管已经参照示例性实施方式对本发明进行了描述，但该描述并非旨在被理解为具有限制性。本领域的技术人员参照本描述，对本发明的示例性实施方式以及其他实施方式进行各种修改和组合将是显而易见的。因此，旨在所附权利要求包含任何这种变型或实施方式。

Claims (17)

1.一种用于放大电容信号源提供的信号的系统，所述系统包括：
可变增益放大器，包括被配置为与所述电容信号源耦接的输入节点；
模数转换器，耦接至所述可变增益放大器的输出端；
数字增益块，耦接至所述模数转换器的输出端；以及
增益控制电路，被配置为
测量耦合至所述可变增益放大器的模拟信号的振幅，
根据第一增益函数调整所述可变增益放大器的第一增益，以及
根据第二增益函数调整所述数字增益块的第二增益。
2.根据权利要求1所述的系统，其中：
所述第一增益函数将所述第一增益限定为与所述电容信号源提供的信号的振幅成反比，
所述第二增益函数将所述第二增益限定为与所述电容信号源提供的信号的振幅成正比。
3.根据权利要求1所述的系统，其中：
所述第一增益函数将所述第一增益限定为与高于第一阈值的所述电容信号源提供的信号的振幅成反比，
所述第二增益函数将所述第二增益限定为与高于所述第一阈值的所述电容信号源提供的信号的振幅成正比。
4.根据权利要求3所述的系统，其中：
所述第一增益函数进一步将所述第一增益限定为低于所述第一阈值的恒定值；以及
所述第二增益函数进一步将所述第二增益限定为低于所述第一阈值的恒定值。
5.根据权利要求1所述的系统，进一步包括所述电容信号源。
6.根据权利要求5所述的系统，其中，所述电容信号源包括MEMS麦克风。
7.根据权利要求1所述的系统，进一步包括耦接至所述数字增益块的输出端的数字噪音整形器。
8.根据权利要求7所述的系统，其中，所述数字噪音整形器包括一位位流输出端。
9.根据权利要求1所述的系统，其中：
所述数字增益块包括数字滤波器；以及
所述增益控制电路被配置为通过调整所述数字滤波器的滤波系数而调整所述第二增益。
10.根据权利要求1所述的系统，其中，所述可变增益放大器、所述模数转换器以及所述增益控制电路被设置在集成电路上。
11.根据权利要求1所述的系统，其中，所述可变增益放大器包括所述可变增益放大器的所述增益小于1的增益设置。
12.一种用于放大电容信号源提供的信号的集成电路，所述集成电路包括：
信号放大器，包括被配置为与所述电容信号源耦接的输入节点；
峰值检测器，耦接至所述信号放大器的输出端；
增益控制器，耦接至所述峰值检测器的输出端；
可控衰减电路，耦接至所述信号放大器的所述输入节点，并且耦合至所述增益控制器的第一增益控制信号；
模数转换器，耦接至所述信号放大器的输出端；
数字滤波器，耦接至所述模数转换器的输出端；以及
增益系数控制块，耦接至所述数字滤波器并耦合至所述增益控制器的第二增益控制信号，其中，所述增益控制器被配置为响应于所述电容信号源的增加的振幅来增加所述可控衰减电路的衰减或减少所述信号放大器的增益，并响应于所述电容信号源的增加的振幅来增加所述数字滤波器的增益。
13.根据权利要求12所述的集成电路，其中，所述增益控制器被配置为在所述电容信号源的输出端的信号高于第一阈值振幅时增加所述可控衰减电路的衰减并增加所述数字滤波器的增益。
14.根据权利要求12所述的集成电路，其中，所述模数转换器包括西格玛-德尔塔模数转换器。
15.根据权利要求12所述的集成电路，其中，所述可控衰减电路包括：
多个电容器；以及
多个开关，耦接在所述多个电容器与所述信号放大器的输入端之间，所述多个开关可由所述增益控制器控制。
16.根据权利要求12所述的集成电路，其中，所述可控衰减电路向所述信号放大器提供可控输入阻抗。
17.根据权利要求12所述的集成电路，其中，所述信号放大器包括小于1的增益。
CN201610367683.3A 2012-04-16 2013-04-16 用于放大电容信号源提供的信号的系统和集成电路 Active CN106059509B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/447,792 US8638249B2 (en) 2012-04-16 2012-04-16 System and method for high input capacitive signal amplifier
US13/447,792 2012-04-16
CN201310132190.8A CN103378813B (zh) 2012-04-16 2013-04-16 用于高输入电容信号放大器的系统和方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310132190.8A Division CN103378813B (zh) 2012-04-16 2013-04-16 用于高输入电容信号放大器的系统和方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106059509A CN106059509A (zh) 2016-10-26
CN106059509B true CN106059509B (zh) 2019-04-23

Family

ID=49232407

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310132190.8A Active CN103378813B (zh) 2012-04-16 2013-04-16 用于高输入电容信号放大器的系统和方法
CN201610367683.3A Active CN106059509B (zh) 2012-04-16 2013-04-16 用于放大电容信号源提供的信号的系统和集成电路

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310132190.8A Active CN103378813B (zh) 2012-04-16 2013-04-16 用于高输入电容信号放大器的系统和方法

Country Status (4)

Country Link
US (3) US8638249B2 (zh)
KR (2) KR101535710B1 (zh)
CN (2) CN103378813B (zh)
DE (1) DE102013206838B4 (zh)

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8629795B2 (en) * 2009-09-09 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Micro-electro-mechanical systems (MEMS), systems, and operating methods thereof
ITTO20120987A1 (it) 2012-11-14 2014-05-15 St Microelectronics Srl Circuito elettronico digitale di interfaccia per un trasduttore acustico, e relativo sistema di trasduzione acustico
US9635460B2 (en) * 2011-08-18 2017-04-25 Knowles Electronics, Llc Sensitivity adjustment apparatus and method for MEMS devices
US9236837B2 (en) 2011-08-25 2016-01-12 Infineon Technologies Ag System and method for low distortion capacitive signal source amplifier
US8995690B2 (en) 2011-11-28 2015-03-31 Infineon Technologies Ag Microphone and method for calibrating a microphone
EP2608569B1 (en) * 2011-12-22 2014-07-23 ST-Ericsson SA Digital microphone device with extended dynamic range
US10211792B2 (en) 2012-04-04 2019-02-19 Ams Ag Sensor amplifier arrangement and method of amplifying a sensor signal
US9300259B2 (en) * 2012-04-04 2016-03-29 Ams Ag Sensor amplifier arrangement and method for amplification of a sensor signal
US8638249B2 (en) * 2012-04-16 2014-01-28 Infineon Technologies Ag System and method for high input capacitive signal amplifier
US9281744B2 (en) 2012-04-30 2016-03-08 Infineon Technologies Ag System and method for a programmable voltage source
US9214911B2 (en) 2012-08-30 2015-12-15 Infineon Technologies Ag System and method for adjusting the sensitivity of a capacitive signal source
DE102012110737B4 (de) * 2012-11-09 2020-12-10 Infineon Technologies Ag Analog-Digital-Wandler-Anordnung
KR20140104169A (ko) * 2013-02-20 2014-08-28 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템
US9419562B1 (en) 2013-04-09 2016-08-16 Cirrus Logic, Inc. Systems and methods for minimizing noise in an amplifier
GB2513406B (en) 2013-04-26 2016-01-20 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd Signal processing for MEMS capacitive transducers
JP6156496B2 (ja) 2013-07-11 2017-07-05 日本電気株式会社 光通信装置
US9197179B2 (en) * 2013-08-30 2015-11-24 Broadcom Corporation Low voltage transmitter
US9332369B2 (en) 2013-10-22 2016-05-03 Infineon Technologies Ag System and method for automatic calibration of a transducer
KR20150054214A (ko) * 2013-11-11 2015-05-20 한국전자통신연구원 커패시터형 센서 리드아웃 회로
US9190903B2 (en) 2013-12-20 2015-11-17 Infineon Technologies, Ag System and method for a controlled feedback charge pump
US9502019B2 (en) 2014-02-10 2016-11-22 Robert Bosch Gmbh Elimination of 3D parasitic effects on microphone power supply rejection
US9609410B2 (en) * 2014-02-20 2017-03-28 Stmicroelectronics S.R.L. Processing circuit for a multiple sensing structure digital microelectromechanical sensor having a broad dynamic range and sensor comprising the processing circuit
KR101878648B1 (ko) * 2014-03-17 2018-08-16 로베르트 보쉬 게엠베하 생산 중에 mems 마이크로폰들의 모든 전기적 노이즈 테스팅을 위한 시스템 및 방법
US9490764B2 (en) * 2014-04-17 2016-11-08 Interdigital Patent Holdings, Inc. Fast automatic gain control (AGC) for packet based systems
JP6310317B2 (ja) * 2014-04-25 2018-04-11 ローム株式会社 マイク用のバイアス回路、オーディオインタフェース回路、電子機器
US9679509B2 (en) * 2014-05-01 2017-06-13 Samsung Display Co., Ltd. Positive feedback enhanced switching equalizer with output pole tuning
CN104066036A (zh) * 2014-06-19 2014-09-24 华为技术有限公司 拾音装置及拾音方法
US9626981B2 (en) * 2014-06-25 2017-04-18 Cirrus Logic, Inc. Systems and methods for compressing a digital signal
US9831844B2 (en) * 2014-09-19 2017-11-28 Knowles Electronics, Llc Digital microphone with adjustable gain control
US10182296B2 (en) * 2014-11-11 2019-01-15 Invensense, Inc. Secure audio sensor
US20160133271A1 (en) * 2014-11-11 2016-05-12 Knowles Electronic, Llc Microphone With Electronic Noise Filter
CN105744452B (zh) * 2014-12-12 2019-04-02 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风电路
US10200794B2 (en) * 2014-12-31 2019-02-05 Invensense, Inc. Ultrasonic operation of a digital microphone
JP6540975B2 (ja) 2015-02-27 2019-07-10 Tdk株式会社 マイクロフォン用の集積回路構成体、マイクロフォンシステム、およびマイクロフォンシステムの１つ以上の回路パラメータを調整するための方法
KR20160132574A (ko) * 2015-05-11 2016-11-21 현대자동차주식회사 자동이득제어모듈, 그 제어방법, 이를 포함하는 차량, 및 그 제어방법
WO2017016591A1 (en) * 2015-07-27 2017-02-02 Epcos Ag Electronic circuit for a microphone and microphone
US9673768B2 (en) * 2015-07-29 2017-06-06 Invensense, Inc. Multipath digital microphones
WO2017029636A2 (en) * 2015-08-18 2017-02-23 Wizedsp Ltd. Ultra-low distortion microphone buffer
EP3145216B1 (en) * 2015-09-17 2018-11-14 Nxp B.V. Amplifier system
CN105337913B (zh) * 2015-11-11 2018-10-30 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种正交锁相环直流偏置自适应调整方法
US10008990B2 (en) * 2016-02-03 2018-06-26 Infineon Technologies Ag System and method for acoustic transducer supply
WO2017144255A1 (en) * 2016-02-24 2017-08-31 Widex A/S Hearing aid system and a method of operating a hearing aid system
US9729119B1 (en) * 2016-03-04 2017-08-08 Atmel Corporation Automatic gain control for received signal strength indication
CN106230397A (zh) * 2016-08-08 2016-12-14 钰太芯微电子科技（上海）有限公司 一种mems麦克风动态范围增大的方法
EP3497943A4 (en) * 2016-08-09 2020-03-04 Harman International Industries, Incorporated MICROPHONE AND METHOD FOR PROCESSING SOUND SIGNALS
CN109565284A (zh) * 2016-08-11 2019-04-02 罗伯特·博世有限公司 具有动态增益缩放系统的数字麦克风
KR101718079B1 (ko) 2016-08-26 2017-03-20 주식회사 에이디텍 마이크로폰 시스템
JP6829375B2 (ja) * 2016-09-28 2021-02-10 ミツミ電機株式会社 光走査型ヘッドマウントディスプレイ及び網膜走査型ヘッドマウントディスプレイ
US10250980B2 (en) * 2016-10-19 2019-04-02 Fortemedia, Inc. Digital microphone and control method therefor
US10396740B2 (en) 2016-11-14 2019-08-27 Electronics & Telecommunications Research Institute Microphone driving device and digital microphone including the same
US20180167730A1 (en) * 2016-12-12 2018-06-14 Invensense, Inc. Microelectromechanical systems (mems) microphone feedback filtering
WO2018144367A1 (en) * 2017-02-03 2018-08-09 iZotope, Inc. Audio control system and related methods
CN106817101B (zh) * 2017-03-15 2018-03-06 中国人民解放军火箭军工程大学 具有自适应控制增益大动态范围的跨阻放大器及接收器
EP3379204B1 (en) 2017-03-22 2021-02-17 Knowles Electronics, LLC Arrangement to calibrate a capacitive sensor interface
US10123103B1 (en) * 2017-04-21 2018-11-06 Infineon Technologies Austria Ag Sigma delta modulator for sensors
CN107276590B (zh) * 2017-05-15 2020-07-28 南京中感微电子有限公司 一种信号处理方法及系统
CN107222228B (zh) * 2017-07-18 2023-05-23 上海东软载波微电子有限公司 自动增益控制电路及其控制方法、接收机
IT201700100359A1 (it) 2017-09-07 2019-03-07 St Microelectronics Srl Circuito amplificatore, sistema e dispositivo corrispondenti
TWI679900B (zh) * 2018-04-24 2019-12-11 矽統科技股份有限公司 類比式麥克風及其控制方法
CN110401897B (zh) * 2018-04-24 2021-04-13 矽统科技股份有限公司 模拟式麦克风及其控制方法
CN112334867A (zh) 2018-05-24 2021-02-05 纽约州立大学研究基金会 电容传感器
WO2019246152A1 (en) * 2018-06-19 2019-12-26 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with reduced noise
US11254560B2 (en) 2018-06-19 2022-02-22 Knowles Electronics, Llc Transconductance amplifier
WO2020033761A1 (en) * 2018-08-08 2020-02-13 Chaoyang Semiconductor Jiangyin Technology Co., Ltd. Capacitive mems microphone with active compression
CN112449757B (zh) * 2018-08-08 2022-06-10 朝阳半导体技术江阴有限公司 具有内建自测试的电容性mems麦克风
US10727798B2 (en) 2018-08-17 2020-07-28 Invensense, Inc. Method for improving die area and power efficiency in high dynamic range digital microphones
JP7088785B2 (ja) * 2018-08-28 2022-06-21 日清紡マイクロデバイス株式会社 デジタルマイクロホン
US10855308B2 (en) 2018-11-19 2020-12-01 Invensense, Inc. Adaptive analog to digital converter (ADC) multipath digital microphones
US10838683B2 (en) * 2019-01-17 2020-11-17 Apogee Electronics Corporation Digitally controlled microphone with audio compressor
KR102077848B1 (ko) * 2019-02-28 2020-02-14 관악아날로그테크놀러지스 주식회사 센서 신호를 탐지하는 반도체 장치 및 이를 포함하는 센서 시스템
US10756707B1 (en) 2019-05-22 2020-08-25 International Business Machines Corporation Area-efficient dynamic capacitor circuit for noise reduction in VLSI circuits
CN110265042B (zh) * 2019-05-31 2021-07-23 歌尔科技有限公司 声音信号处理方法、装置及设备
CN110708633B (zh) * 2019-10-29 2021-08-17 科大讯飞股份有限公司 电压匹配电路和系统
CN112581971B (zh) * 2020-12-11 2024-05-03 杭州海康威视数字技术股份有限公司 一种音频信号处理方法及装置
US12069430B2 (en) 2021-03-03 2024-08-20 Invensense, Inc. Microphone with flexible performance
CN113660579B (zh) * 2021-07-30 2024-06-21 歌尔微电子股份有限公司 Asic芯片以及mems麦克风
US11888455B2 (en) 2021-09-13 2024-01-30 Invensense, Inc. Machine learning glitch prediction
CN114374364B (zh) * 2021-12-21 2023-09-05 深圳市汇顶科技股份有限公司 D类放大器及相关芯片和电子装置
US11843907B1 (en) * 2022-06-03 2023-12-12 Infineon Technologies Ag Linearization method applied to a MEMS microphone system
TWI806701B (zh) * 2022-07-11 2023-06-21 瑞昱半導體股份有限公司 放大器系統

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7612358A (nl) 1976-11-08 1978-05-10 Philips Nv Versterkerinrichting voor akoestische signalen voorzien van middelen voor het onderdrukken van ongewenste stoorsignalen.
US4112384A (en) 1977-05-24 1978-09-05 Morgan Industries Controlled recovery automatic gain control amplifier
FR2538648A1 (fr) 1982-12-28 1984-06-29 Thomson Csf Circuit de suppression de signal de microphone pour poste telephonique
GB2232024B (en) * 1989-05-22 1994-01-12 Seikosha Kk Method and apparatus for recording and/or producing sound
US5399989A (en) 1991-12-03 1995-03-21 Rockwell International Corporation Voltage amplifying source follower circuit
US5363147A (en) 1992-06-01 1994-11-08 North American Philips Corporation Automatic volume leveler
US6266423B1 (en) 1998-04-15 2001-07-24 Aphex Systems, Ltd. Microphone output limiter
US6650364B1 (en) * 1998-05-08 2003-11-18 Cirrus Logic, Inc. Selectable threshold multimode gain control apparatus and method for setting mutually continuous analog, digital, and shutter gain levels
US6750906B1 (en) * 1998-05-08 2004-06-15 Cirrus Logic, Inc. Histogram-based automatic gain control method and system for video applications
US6121908A (en) * 1998-08-28 2000-09-19 Linear Technology Corporation Monolithic filter gain control circuits and techniques with favorable noise behavior
US6686957B1 (en) * 1999-03-31 2004-02-03 Cirrus Logic, Inc. Preview mode low resolution output system and method
WO2001078446A1 (en) 2000-04-07 2001-10-18 Microtronic Nederland B.V. Microphone with range switching
AU2001257333A1 (en) 2000-04-26 2001-11-07 Sybersay Communications Corporation Adaptive speech filter
US6429988B1 (en) * 2000-09-22 2002-08-06 International Business Machines Corporation System and method for calibrating a corner frequency of a tunable filter using ADC code difference method
US6710644B2 (en) * 2000-11-29 2004-03-23 Broadcom Corporation Low pass filter corner frequency tuning circuit and method
US20030155966A1 (en) 2002-02-20 2003-08-21 Harrison Reid R. Low-power, low-noise CMOS amplifier
US6654248B1 (en) * 2002-10-25 2003-11-25 Lsi Logic Corporation Top gated heat dissipation
US7027783B2 (en) * 2003-02-24 2006-04-11 Sami Vilhonen Method and apparatus providing reduction in transmitter current consumption using signal derived from rectified input signal
US6975193B2 (en) 2003-03-25 2005-12-13 Rockwell Automation Technologies, Inc. Microelectromechanical isolating circuit
US7761067B1 (en) * 2003-05-15 2010-07-20 Marvell International Ltd. Iterative filter circuit calibration
US7171010B2 (en) 2003-09-11 2007-01-30 Boston Acoustics, Inc. Dynamic bass boost apparatus and method
US7386074B1 (en) * 2003-10-06 2008-06-10 Redpine Signals, Inc. Digital automatic gain control method and apparatus
JP2007508755A (ja) 2003-10-14 2007-04-05 オーディオアシクス エー／エス マイクロフォン前置増幅器
KR20070021148A (ko) 2004-02-09 2007-02-22 아우디오아시스 에이/에스 디지털 마이크로폰
EP1714385A1 (en) 2004-02-09 2006-10-25 Audioasics A/S Digital microphone
EP1599067B1 (en) 2004-05-21 2013-05-01 Epcos Pte Ltd Detection and control of diaphragm collapse in condenser microphones
JP4328707B2 (ja) 2004-10-20 2009-09-09 株式会社オーディオテクニカ コンデンサマイクロホン
US7230555B2 (en) 2005-02-23 2007-06-12 Analogic Corporation Sigma delta converter with flying capacitor input
WO2007009465A2 (en) 2005-07-19 2007-01-25 Audioasics A/S Programmable microphone
US7389692B2 (en) 2005-11-04 2008-06-24 Ge Inspection Technologies, Lp Digital log amplifier for ultrasonic testing
JP4343179B2 (ja) * 2006-02-17 2009-10-14 株式会社東芝 電子透かし検出方法及び装置
CN101507104B (zh) * 2006-08-21 2013-05-08 美国思睿逻辑有限公司 高能效消费电子产品的音频功率输出级及其使用方法
EP1906704B1 (en) 2006-09-26 2012-03-21 Epcos Pte Ltd A calibrated microelectromechanical microphone
WO2008050171A1 (en) * 2006-10-25 2008-05-02 Sensitive Object Automatic gain control circuit, system including such circuit and method for atuomatic gain control
DE602007011031D1 (de) * 2007-02-15 2011-01-20 St Microelectronics Srl Volldifferentieller Demodulator mit variabler Verstärkung und Demodulationsverfahren eines Signals
KR101413380B1 (ko) 2007-08-28 2014-06-30 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 반도체 다이의 제조방법, 상기 방법으로 제조된 반도체다이를 포함하는 반도체 소자
US8199927B1 (en) 2007-10-31 2012-06-12 ClearOnce Communications, Inc. Conferencing system implementing echo cancellation and push-to-talk microphone detection using two-stage frequency filter
US8211752B2 (en) 2007-11-26 2012-07-03 Infineon Technologies Ag Device and method including a soldering process
DE112009001037B8 (de) 2008-05-05 2014-03-13 Epcos Pte Ltd Kondensatormikrophonbaugruppe, dc spannungsversorgung und verfahren zur erzeugung einer dc vorspannung
WO2009143434A2 (en) 2008-05-23 2009-11-26 Analog Devices, Inc. Wide dynamic range microphone
US7991175B2 (en) * 2008-10-06 2011-08-02 Bang & Olufsen A/S Method and a system to adjust the acoustical performance of a loudspeaker
US8200179B1 (en) * 2008-10-07 2012-06-12 Lattice Semiconductor Corporation Combined variable gain amplifier and analog equalizer circuit
US8325947B2 (en) 2008-12-30 2012-12-04 Bejing FUNATE Innovation Technology Co., Ltd. Thermoacoustic device
CN101771385B (zh) 2008-12-30 2013-01-30 北京富纳特创新科技有限公司 功率放大电路及应用该功率放大电路的热致发声装置
JP5253275B2 (ja) 2009-04-03 2013-07-31 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー コンデンサマイクの増幅回路
US8625809B2 (en) 2009-05-20 2014-01-07 Invensense, Inc. Switchable attenuation circuit for MEMS microphone systems
CN101557205B (zh) * 2009-05-26 2011-04-06 中国科学院微电子研究所 一种混合模式agc环路
US8004350B2 (en) 2009-06-03 2011-08-23 Infineon Technologies Ag Impedance transformation with transistor circuits
US8831246B2 (en) 2009-12-14 2014-09-09 Invensense, Inc. MEMS microphone with programmable sensitivity
JP2011130604A (ja) 2009-12-18 2011-06-30 Sanyo Electric Co Ltd 充電回路、増幅回路
US8067958B2 (en) 2010-01-12 2011-11-29 Infineon Technologies Ag Mitigating side effects of impedance transformation circuits
EP2421281A3 (en) 2010-08-17 2012-04-04 Nxp B.V. Circuit and method for monitoring a capacitive signal source
CN102386869A (zh) * 2010-08-27 2012-03-21 杭州中科微电子有限公司 一种模拟/数字可配置可变增益放大器
DE202011106756U1 (de) 2010-10-16 2012-03-01 Lawo Ag Audiosignalmischpultsystem und zum Einstellen der Vorverstärkung eines solchen
US20120250881A1 (en) 2011-03-29 2012-10-04 Mulligan Daniel P Microphone biasing
US8625832B2 (en) * 2011-04-04 2014-01-07 Invensense, Inc. Packages and methods for packaging microphone devices
US8610497B2 (en) * 2011-07-14 2013-12-17 Infineon Technologies Ag System and method for capacitive signal source amplifier
US9236837B2 (en) 2011-08-25 2016-01-12 Infineon Technologies Ag System and method for low distortion capacitive signal source amplifier
EP2608569B1 (en) 2011-12-22 2014-07-23 ST-Ericsson SA Digital microphone device with extended dynamic range
US8638249B2 (en) * 2012-04-16 2014-01-28 Infineon Technologies Ag System and method for high input capacitive signal amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
CN103378813B (zh) 2016-12-28
US20130271307A1 (en) 2013-10-17
US20160344360A1 (en) 2016-11-24
KR20140096015A (ko) 2014-08-04
KR101535710B1 (ko) 2015-07-09
DE102013206838B4 (de) 2018-10-18
US20140140538A1 (en) 2014-05-22
US8638249B2 (en) 2014-01-28
CN106059509A (zh) 2016-10-26
KR20130116812A (ko) 2013-10-24
DE102013206838A1 (de) 2013-10-17
US9722563B2 (en) 2017-08-01
CN103378813A (zh) 2013-10-30
US9413317B2 (en) 2016-08-09
KR101597040B1 (ko) 2016-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106059509B (zh) 用于放大电容信号源提供的信号的系统和集成电路
CN101933226B (zh) 可抑制干扰信号的信号调理器
EP2989810B1 (en) Signal processing for mems capacitive transducers
US10924069B2 (en) System and method for low distortion capacitive signal source amplifier
US9602924B2 (en) Microphone with programmable frequency response
CN105530010B (zh) 调制器及用于调制器的方法、音频系统
US20150208165A1 (en) Microphone Apparatus and Method To Provide Extremely High Acoustic Overload Points
CN107770708A (zh) 具有可配置的灵敏度、频率响应和噪声传递函数的数字硅麦克风
CN109565636A (zh) 具有改进频率响应和噪声特性的数字麦克风组件
TW201618559A (zh) 具有可調式增益控制之數位麥克風
CN111630873B (zh) 传感器装置和麦克风组件
US9041458B2 (en) Universal filter implementing second-order transfer function
Bach et al. 9.5 A 1.8 V true-differential 140dB SPL full-scale standard CMOS MEMS digital microphone exhibiting 67dB SNR
CN106658287A (zh) 麦克风系统和放大电路
JP2015530024A (ja) Ｍｅｍｓマイクロフォンおよびｍｅｍｓマイクロフォンの駆動方法
US20050099229A1 (en) Low-power integrated-circuit signal processor with wide dynamic range
JPH08509327A (ja) 静電容量形トランスデューサの高調波歪みを低減する方法及び回路構成
KR20240073058A (ko) 멀티 레벨 펄스 폭 변조 시스템에서의 공통 모드 보상

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant