CN106059269A - 一种适用于igbt多并联的驱动电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种适用于IGBT多并联的驱动电路，包括数字控制核，与IGBT路数对应的电压采样单元以及与IGBT路数对应的补偿单元，每一路所述电压采样单元与一路IGBT的辅助E端相连，用于将辅助E端对地的电压进行采样，并将采集到的电压输入至数字控制核，数字控制核对比与IGBT路数相同的采样电压，进行比较运算，将运算结果输入到补偿单元，使得IGBT辅助E端的电压一致。本发明通过采样单元采样每路IGBT的辅助E端电压，进而通过补偿单元及时进行电压补偿，解决了并联IGBT辅助发射极之间存在严重环流的问题。

Description

一种适用于IGBT多并联的驱动电路
技术领域
本发明属于IGBT驱动技术领域，具体涉及一种适用于IGBT多并联的驱动电路。
背景技术
现有的多路IGBT并联电路中，并联半导体辅助发射极之间存在严重的环流，使得半导体存在失效风险，同时，并联模块辅助发射极之间存在严重的环流，使得各个并联半导体门极电压出现差异，使得并联模块的电流出现不一致，影响半导体利用率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种适用于IGBT多并联的驱动电路，通过采样单元采样每路IGBT的辅助E端电压，进而通过补偿单元及时进行电压补偿，解决了并联IGBT辅助发射极之间存在严重环流的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用如下的技术方案：
一种适用于IGBT多并联的驱动电路，包括数字控制核，与IGBT路数对应的电压采样单元以及与IGBT路数对应的补偿单元，每一路所述电压采样单元与一路IGBT的辅助E端相连，用于将辅助E端对地的电压进行采样，并将采集到的电压输入至数字控制核，数字控制核对比与IGBT路数相同的采样电压，进行比较运算，将运算结果输入到补偿单元，使得IGBT辅助E端的电压一致。
优选地，所述补偿单元通过一个电阻连接到IGBT辅助E端。
优选地，内置在数字控制核的比较运算算法包括棒棒控制、PI控制、PID与前馈控制中任意一种满足各个IGBT辅助E端端电压一致的算法。
优选地，所述采样单元包括模数转换AD电路。
优选地，所述补偿单元包括数模转换DA电路。
采用本发明具有如下的有益效果：
1、通过闭环补偿，在并联半导体辅助发射极加入数控电流源，使得各个半导体辅助发射极之间电位一致，消除了环流；
2、通过数控补偿单元的补偿，使得各个并联半导体门极电压一致，从而使得并联半导体电流一致，提高半导体利用率。
附图说明
图1为本发明实施例的适用于IGBT多并联的驱动电路的原理框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参见图1，所示为本发明实施例的一种适用于IGBT多并联的驱动电路，包括数字控制核101，与IGBT路数对应的电压采样单元102以及与IGBT路数对应的补偿单元103，每一路电压采样单元102与一路IGBT的辅助E端相连，用于将辅助E端对地的电压进行采样，并将采集到的电压输入至数字控制核101，数字控制核101对比与IGBT路数相同的采样电压，进行比较运算，将运算结果输入到补偿单元103，使得IGBT辅助E端的电压一致。通过设置采样单元，数字控制核和补偿单元形成闭环补偿，使得各个半导体辅助发射极之间电位一致，消除了环流；通过数控补偿单元的补偿，使得各个并联半导体门极电压一致，从而使得并联半导体电流一致，提高半导体利用率。
在具体应用实例中，补偿单元通过一个电阻连接到IGBT辅助E端。内置在数字控制核的比较运算算法包括棒棒控制、PI控制、PID与前馈控制中任意一种满足各个IGBT辅助E端电压一致的算法。具体采用何种算法，根据具体需求选择。本发明实施例并不对具体算法进行限定。采样单元包括模数转换AD电路。补偿单元包括数模转换DA电路。在具体实施例中，补偿单元也可以设置为数字电压源。本领域技术人员可以理解的是，由于IGBT半导体，AD电路以及DA电路等为现有技术中较为常见的应用电路，本发明实施例在此不再赘述。
应当理解，本文所述的示例性实施例是说明性的而非限制性的。尽管结合附图描述了本发明的一个或多个实施例，本领域普通技术人员应当理解，在不脱离通过所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以做出各种形式和细节的改变。

Claims (5)

1.一种适用于IGBT多并联的驱动电路，其特征在于，包括数字控制核，与IGBT路数对应的电压采样单元以及与IGBT路数对应的补偿单元，每一路所述电压采样单元与一路IGBT的辅助E端相连，用于将辅助E端对地的电压进行采样，并将采集到的电压输入至数字控制核，数字控制核对比与IGBT路数相同的采样电压，进行比较运算，将运算结果输入到补偿单元，使得IGBT辅助E端的电压一致。
2.按照权利要求1所述的适用于IGBT多并联的驱动电路，其特征在于，所述补偿单元通过一个电阻连接到IGBT辅助E端。
3.按照权利要求1所述的适用于IGBT多并联的驱动电路，其特征在于，内置在数字控制核的比较运算算法包括棒棒控制、PI控制、PID与前馈控制中任意一种满足各个IGBT辅助E端电压一致的算法。
4.按照权利要求1至3任一所述的适用于IGBT多并联的驱动电路，其特征在于，所述采样单元包括模数转换AD电路。
5.按照权利要求1至3任一所述的适用于IGBT多并联的驱动电路，其特征在于，所述补偿单元包括数模转换DA电路。
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