CN106058054A - 叠层太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 19
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 12
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 9
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 125
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000954 Polyglycolide Polymers 0.000 description 1
- QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N Propyl levulinate Chemical compound CCCOC(=O)CCC(C)=O QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N [Si].O=[Si]=O Chemical compound [Si].O=[Si]=O FRIKWZARTBPWBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- TWFZGCMQGLPBSX-UHFFFAOYSA-N carbendazim Chemical compound C1=CC=C2NC(NC(=O)OC)=NC2=C1 TWFZGCMQGLPBSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004633 polyglycolic acid Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Electromagnetism (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种叠层太阳能电池，其依次包括顶电池单元、中间层、及底电池单元；所述顶电池单元的空穴传输层为非化学计量比的氧化镍；底电池单元为N型双面硅电池。上述叠层太阳能电池，由于顶电池单元采用新的空穴传输层，而底电池单元采用N型双面硅电池，使顶底电池相匹配，进而提高叠层太阳能电池的短路电流，进而使得叠层电池获得更高效率。本发明还公开了一种叠层太阳能电池的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，特别是涉及一种叠层太阳能电池及其制备方法。
背景技术
太阳光谱的能量分布较宽，一种半导体材料只能吸收能量比其能隙值高的光子。太阳光中能量较小的光子将透过电池而不能被利用；高能光子超出能隙宽度的多余能量，则通过光生载流子的能量热释作用传给电池材料本身的点阵原子使材料本身发热。这些能量都不能通过光生载流子传给负载，变成有效的电能。因此单结太阳能电池的理论转换效率的一般较低。
于是出现了叠层太阳能电池，其一般由宽禁带带隙的顶电池单元、中间层和窄带带隙的底电池三部分依次层叠而成。叠层太阳能电池可以让短波长的光被顶电池单元利用，波长较长的光透过顶电池单元被底电池单元利用，这样就有可能最大限度地将光能变成电能，提高太阳能电池的理论转换效率。
将成本较低的钙钛矿电池和技术最成熟的硅电池结合制备叠层电池，被认为是一种很有潜力的高效电池新技术。但是目前报道的叠层电池的最高效率仅为21.4％，远低于单结晶硅电池的效率记录(25.6％)。这是主要是由于叠层电池中顶底电池不匹配，导致短路电流较低(仅为13-16mA/cm2)造成的。
发明内容
基于此，有必要针对现有的叠层太阳能电池中顶底电池不匹配的问题，提供一种顶底电池匹配的叠层太阳能电池。
一种叠层太阳能电池，包括：
顶电池单元、底电池单元以及位于所述顶电池单元与所述底电池单元之间的中间层；
所述顶电池单元包括电子传输层、位于所述电子传输层上的且含有钙钛矿材料的光敏层、位于所述光敏层上的空穴传输层、以及第一外接电极；
所述空穴传输层的材料为非化学计量比的氧化镍；
所述底电池单元为N型双面硅电池。
上述叠层太阳能电池，由于顶电池单元采用非化学计量比的氧化镍作为空穴传输层材料，而底电池单元采用N型双面硅电池，使顶底电池相匹配，进而提高叠层太阳能电池的短路电流，进而使得叠层电池获得更高效率。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层通过化学喷涂法形成。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层的厚度为40～120nm。
在其中一个实施例中，所述中间层为透明导电薄膜层。
在其中一个实施例中，所述透明导电薄膜层的厚度为100～200nm。
在其中一个实施例中，所述底电池单元包括靠近所述中间层的内接电极，所述内接电极为点电极。
在其中一个实施例中，所述第一外接电极为金属栅线电极；所述第一外接电极与所述点电极位置相对设置。
在其中一个实施例中，所述点电极的高度为80～280nm。
本发明还提供了一种上述叠层太阳能电池的制备方法。
一种叠层太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
提供N型双面硅电池；
在所述N型双面硅电池上形成中间层；
在所述中间层上形成钙钛矿电池。
上述制备方法，工艺简单，易于制备大面积钙钛矿-晶体硅叠层电池。
本发明还提供了另一种上述叠层太阳能电池的制备方法。
提供衬底，所述衬底具有牺牲层；
在所述衬底的牺牲层上形成中间层以及钙钛矿电池模块；
通过水解将所述中间层及钙钛矿电池模块从所述衬底上剥离，并转移到硅电池模块上；
在所述钙钛矿电池模块上形成第一外接电极。
上述制备方法，适用于任何类型的硅电池模块，且可兼容于有绒面结构的硅电池模块。
附图说明
图1为本发明一实施例的叠层太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
参见图1，本发明一实施例的叠层太阳能电池1000，包括顶电池单元100、底电池单元120以及位于顶电池单元100与底电池单元200之间的中间层300。具体地，顶电池单元100为钙钛矿电池；也就是说，顶电池单元100是利用钙钛矿材料吸收光子并产生电子空穴对。底电池单元200为硅电池；也就是说，底电池单元200是利用硅基材料吸收光子并产生电子空穴对。
其中，顶电池单元100包括光敏层110、依次位于光敏层110一侧(图1中的上侧)的空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)120、第一透明导电薄膜层140、第一外接电极150、以及位于光敏层110另一侧(图1中的下侧)电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)160。
在顶电池单元100中，光敏层110为顶电池单元100的核心层。光敏层110中含有钙钛矿材料，钙钛矿材料在吸收光子之后可以产生电子空穴对。在本实施例中，光敏层110为钙钛矿材料形成的半导体薄膜。当然，可以理解的是，光敏层110还可以是钙钛矿材料填充的介孔结构。
本实施例的钙钛矿材料的通式为A Pb[I1-xBrx]3；其中，A选自[(NH2CHNH2)1-a(CH3NH3)a]、或[(NH2CHNH2)1-bCsb]；具体地，钙钛矿材料选自[(NH2CHNH2)1-a(CH3NH3)a]Pb[I1- xBrx]3、或[(CH3NH3)1-bCsb]Pb[I1-xBrx]3；其中，0.3≤x≤0.5，0.3≤a≤0.5，0.1≤b≤0.5。这样钙钛矿材料的禁带宽度容易控制在1.7～1.8eV范围，并且对光照稳定，不易发生晶相转变，且热稳定性好。
本发明的钙钛矿材料的禁带宽度优选为1.7～1.8eV。这样可使作为顶电池单元100的钙钛矿电池中光敏层110的禁带宽度与作为底电池单元200的硅电池的硅的禁带宽度相匹配，进而使顶电池单元100与底电池单元200的电流匹配，从而进一步提高叠层太阳能电池1000的电流效率。
当然，可以理解的是，本发明的钙钛矿材料并不局限于上述材料，还可以是CH3NH3PbI3等。
在顶电池单元100中，空穴传输层120的主要作用是，将光敏层110产生空穴分离导出。在发明中，空穴传输层120为非化学计量比的氧化镍。也就是说，空穴传输层120的材料选用非化学计量比的氧化镍NiOx。NiOx的功函数大致在5eV左右，这样可以与光敏层110形成良好的能带匹配；同时，NiOx的禁带宽度大致在3eV左右，其禁带宽度较大，减少了空穴传输层120对光的吸收，从而有利于提高叠层太阳电池的短路电流。
优选地，非化学计量比的氧化镍层的厚度为40～120nm。这样可以保证空穴的有效分离，同时进一步减少空穴传输层对光的吸收。
优选地，非化学计量比的氧化镍层通过化学喷涂法或溅射法形成。
在顶电池单元100中，第一透明导电层140的主要作用是收集传输载流子，在本实施例中，第一透明导电薄膜层140为ITO，当然，可以理解的是，第一透明导电薄膜层还可以是FTO、ZTO、AZO、IWO等。在本实施例中，第一透明导电薄膜层140通过物理气相沉积法形成。
在顶电池单元100中，第一外接电极150作为整个叠层太阳能电池1000的外接电极。在本实施例中，第一外接电极150为银栅线电极。当然，可以理解的是，第一外接电极150还可以是铜栅线电极等其它金属栅线电极。第一外接电极150可以采用热蒸发工艺或丝网印刷工艺形成。
在顶电池单元100中，电子传输层160的主要作用是将光敏层110产生的电子分离导出。在本实施例中，电子传输层160为二氧化钛致密层。当然，可以理解的是，电子传输层160还可以是ZnO、SnO等。
优选地，电子传输层160的厚度为300～400nm。这样可以保证电子的有效分离，同时减少寄生电阻。
在本实施例中的顶电池单元100中，太阳光从图1中上侧射入顶电池单元100，光敏层110吸收太阳光中的短波光，同时产生电子和空穴，电子通过电子传输层160导出，空穴通过空穴传输层120导出并最终传递至第一透明导电薄膜层140及第一外接电极150，从而产生光生电压，在接通外电路之后产生光电流。
在本发明中，中间层300的主要作用是在电学上连接顶电池单元100和底电池单元200。
在本实施例中，中间层300为第二透明导电层(TCO)。采用TCO作为中间层，其具有比遂穿结更高的导电性，可以有效降低顶电池单元100和底电池单元200之间的串联电阻，且不会增加额外的漏电和电池有效面积的损失，叠层太阳能电池的效率更高。
在本实施例中，中间层300为ITO，其光电性能优异，制备工艺成熟。当然，可以理解的是，中间层300还可以是其它透明导电氧化物，例如FTO、ZTO、AZO、IWO等。
优选地，中间层300的厚度为100～200nm。这样可以保证中间层300具有较低的方块电阻并降低中间层300对光的吸收。
当然，可以理解的是，本发明的中间层300还可以是遂穿结。遂穿结可以采用本领域技术人员所公知的结构以及材料，在此不再赘述！
本发明中的底电池单元200采用N型双面硅电池，具体地，底电池单元200包括晶体硅片210、位于晶体硅片210的一侧(图1中的上侧)的第一扩散掺杂层220、位于第一扩散掺杂层220上的第一绝缘钝化层230、以及贯穿第一绝缘钝化层230与第一扩散掺杂层220连通的内接电极240；位于晶体硅片210的另一侧(图1中的下侧)的第二扩散掺杂层260、位于第二扩散掺杂层260上的第二绝缘钝化层270；以及第二外接电极280。
其中，在本实施例中，晶体硅片210为N型，第一扩散掺杂层220为P型，第二扩散掺杂层260为N+型。
在本实施例中，晶体硅片210采用N型晶体硅片(n-c-Si)，可使底电池单元200的性能更加优越，能够克服采用P型的电池光致衰退现象，另外，其高效复合中心的密度远低于P型，使得载流体具有更高的寿命及扩散长度。具体地，晶体硅可以是单晶硅或多晶硅。更具体地，本实施方式的晶体硅片210为N型单晶硅片。
具体地，晶体硅片210的厚度一般小于200μm。优选地，晶体硅片210的厚度为100～200μm。这样既可以节约硅材料的使用，进而降低成本；又可以提高工艺稳定性。
其中，第一绝缘钝化层230的主要起到有效地起到减反射和钝化的作用。
第二绝缘钝化层270的主要作用是，抑制载流子在电池表面的复合，同时还能增加对长波的反射，起到背反射器的作用，增加对长波的吸收。
第一绝缘钝化层230与第二绝缘钝化层270均为叠层结构，一般为SiO2/SiNx或Al2O3/SiNx的叠层结构。
由于第一绝缘钝化层230以及第二绝缘钝化层270绝缘，因此在第一绝缘钝化层230以及第二绝缘钝化层270上开设有贯通孔，在贯通孔中填充导电物质，从而将PN结的电流导出。在本实施例中，内接电极240直接填充于第一绝缘钝化层230的贯通孔中，与第一扩散掺杂层220连通；第二外接电极280的上端直接填充于第二绝缘钝化层270上的贯通孔中，使第二外接电极280与第二扩散掺杂层260连通。
具体地，内接电极240为点电极，其材料为银，当然，可以理解的是，内接电极240还可以为铜等。
第二外接电极280为金属栅线电极，更具体地，第二外接电极280为银栅线电极。当然，可以理解的是，第二外接电极280也可以为铜栅线电极。
当然，可以理解的是，本发明的N型双面硅电池并不局限于上述结构，还可以是其它结构。
本发明还提供了一种上述叠层太阳能电池的制备方法。
一种叠层太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
提供N型双面硅电池；
在所述N型双面硅电池上形成中间层；
在所述中间层上形成钙钛矿电池。
其中，底电池单元的N型双面硅电池的制备，可以采用本领域技术人员所公知的方法，在此不再赘述。为了保证钙钛矿电池中光敏层的成膜质量，本制备方法优选N型双面硅电池中无绒面结构。
其中，中间层采用沉积的方式形成，具体地，采用PVD物理气相沉积、或RPD活性等离子体沉积。
其中，钙钛矿电池的形成以中间层作为衬底形成钙钛矿电池的各层。本领域技术人员根据实际情况选择合适的各层制备方法，在此不再赘述。
本发明还提供了另一种上述叠层太阳能电池的制备方法。
一种叠层太阳能电池的制备方法，其包括如下步骤：
S1、提供衬底，衬底具有牺牲层。
具体地，衬底包括基底、以及形成在基底上的牺牲层；优选地，衬底还包括位于牺牲层和基底之间的过渡层。
优选地，衬底通过如下方式形成：在硅片上生长二氧化硅，然后用电子束蒸发或热蒸发沉积金属；在沉积过程中金属与SiO2反应生成金属硅化物或金属氧化物，从而形成牺牲层。也就是说，基底的材质为硅，过渡层的材质为二氧化硅，牺牲层的材质为金属与SiO2反应生成金属硅化物或金属氧化物。其中，优选地，金属选自Ni、Cu、或Ti。在本实施例中，金属为Ni。
本发明对生长二氧化硅的厚度没有特殊限制。在本实施例中，二氧化硅的生长厚度为300nm。
优选地，金属的沉积厚度为3～10nm。这样既可以节约沉积时间，又可以形成良好的牺牲层。在本实施例中，金属的沉积厚度为3nm。
本发明的衬底可重复使用。重复使用时，只需沉积金属重新形成牺牲层即可。
S2、在衬底的牺牲层上形成中间层以及钙钛矿电池模块。
其中，中间层优选为透明导电薄膜层。优选地，中间层采用PVD物理气相沉积、或RPD活性等离子体沉积。在本实施例中，中间层的制作为：在牺牲层上RPD沉积ITO。
其中，此处的钙钛矿电池模块指顶电池单元中不包括第一外接电极的部分。在中间层上形成钙钛矿电池模块的具体步骤包括：
在中间层上依次形成电子传输层、光敏层、空穴传输层、保护层、及第一透明导电薄膜层。
优选地，在中间层上形成钙钛矿电池模块的具体步骤为：在中间层上喷涂钛酸异丙酯溶液，然后在500℃下烧结30min，形成TiO2致密薄膜(即电子传输层)。在TiO2致密薄膜上化学喷涂或热蒸发形成钙钛矿薄膜(即光敏层)。在钙钛矿薄膜上化学喷涂形成空穴传输层，接着热蒸发形成非化学计量比的氧化钼MoOx(即保护层)，最后沉积第一透明导电薄膜层。
当然，可以理解的是，本发明钙钛矿电池模块的形成步骤并不局限于上述形式，本领域技术人员可以根据实际情况做适当调整。
S3、通过水解将中间层及钙钛矿电池模块从衬底上剥离，并转移到硅电池模块上。
为了保护钙钛矿电池模块不受水解影响，优选地，在水解之前，在钙钛矿电池模块外形成透明防水保护层。
更优选地，透明防水保护层采用ProTeK，透明防水保护层通过喷涂的方式形成。
为了方便转移，在转移时优选采用热释放胶带作为转移载体。具体地，在形成透明防水保护层的钙钛矿电池模块上粘贴热释放胶带。当然，可以理解的是，在热释放胶带具有防水功能的情况下，也可以不包括形成透明防水层的步骤。
优选地，在水解之前，将热释放胶带粘贴在透明防水保护层上。这样更加便于水解操作。
其中，水解操作是将衬底和钙钛矿电池模块整体浸入水中，水从两侧渗透进入牺牲层，牺牲层中金属的硅化物或氧化物与水发生水解，从而牺牲层溶解，中间层与衬底分离，即实现钙钛矿电池模块从衬底上剥离。
其中，本发明对N型双面硅电池模块及其制备方法均没有特殊限制，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的N型双面硅电池模块以及其制备方法。
其中，转移的具体步骤为：以热释放胶带为支撑，将钙钛矿电池模块通过透明导电粘结剂粘贴在硅电池模块上。
优选地，事先在硅电池模块的顶面喷涂聚乙撑二氧噻吩(PEDOT，Poly(3,4-ethylenedioxythiophene))，然后将钙钛矿电池模块粘结在硅电池模块上。可以理解的是，透明导电粘结剂还可以是其他透明导电高分子材料。
在转移完毕之后，加热热释放胶带，将热释放胶带从钙钛矿电池模块的顶面剥离。
S5、在钙钛矿电池模块100’的顶面形成第一外接电极。
优选地，第一外接电极可以通过丝印或热蒸发形成。
当然，可以理解的是，步骤S5还可以在步骤S3之前，即在水解之前，在形成钙钛矿电池模块之后紧接着形成第一外接电极，即直接形成顶电池单元。
上述叠层太阳能电池的制备方法，采用现在衬底上制备钙钛矿电池，然后将钙钛矿电池剥离出来，并转移到硅电池模块上，形成一体化的叠层太阳能电池。顶底电池的制备分开，相互不受影响，从而增加了电池中各功能层的材料选择性以及制作工艺的选择性，并且还可以兼容硅电池的绒面结构。
上述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种叠层太阳能电池，其特征在于，包括：顶电池单元、底电池单元以及位于所述顶电池单元与所述底电池单元之间的中间层；
所述顶电池单元包括电子传输层、位于所述电子传输层上的且含有钙钛矿材料的光敏层、位于所述光敏层上的空穴传输层、以及第一外接电极；
所述空穴传输层的材料为非化学计量比的氧化镍；
所述底电池单元为N型双面硅电池。
2.根据权利要求1所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层通过化学喷涂法形成。
3.根据权利要求1所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为40～120nm。
4.根据权利要求1所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述中间层为透明导电薄膜层。
5.根据权利要求4所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述透明导电薄膜层的厚度为100～200nm。
6.根据权利要求1所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述底电池单元包括靠近所述中间层的内接电极，所述内接电极为点电极。
7.根据权利要求6所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述第一外接电极为金属栅线电极；所述第一外接电极与所述点电极位置相对设置。
8.根据权利要求6所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述点电极的高度为80～280nm。
9.一种权利要求1所述的叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供N型双面硅电池；
在所述N型双面硅电池上形成中间层；
在所述中间层上形成钙钛矿电池。
10.一种权利要求1所述的叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供衬底，所述衬底具有牺牲层；
在所述衬底的牺牲层上形成中间层以及钙钛矿电池模块；
通过水解将所述中间层及钙钛矿电池模块从所述衬底上剥离，并转移到硅电池模块上；
在所述钙钛矿电池模块上形成第一外接电极。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201610550576.4A CN106058054A (zh) | 2016-07-13 | 2016-07-13 | 叠层太阳能电池及其制备方法 |
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Publications (1)
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| CN106058054A true CN106058054A (zh) | 2016-10-26 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN201610550576.4A Pending CN106058054A (zh) | 2016-07-13 | 2016-07-13 | 叠层太阳能电池及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN106058054A (zh) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106410039A (zh) * | 2016-11-07 | 2017-02-15 | 大连理工大学 | 一种钙钛矿叠层太阳电池及其制备方法 |
| CN107195714A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-09-22 | 中国计量大学 | 一种含有图形化光学隔离层的叠层太阳能电池 |
| CN107623071A (zh) * | 2017-08-23 | 2018-01-23 | 西安电子科技大学 | 低温Si与有机叠层的太阳能电池及制备方法 |
| KR20180063866A (ko) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 엘지전자 주식회사 | 텐덤 태양전지 및 그 제조 방법 |
| KR20190026484A (ko) * | 2017-09-05 | 2019-03-13 | 엘지전자 주식회사 | 텐덤 태양전지 및 그 제조 방법 |
| CN109638161A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-16 | 储天新能源科技（长春）有限公司 | 一种高效钙钛矿太阳能电池的制备方法及钙钛矿太阳能电池 |
| KR20190053374A (ko) * | 2017-11-10 | 2019-05-20 | 엘지전자 주식회사 | 탠덤 태양전지 |
| CN110246923A (zh) * | 2019-06-29 | 2019-09-17 | 深圳黑晶光电科技有限公司 | 一种串联型钙钛矿/同质结硅叠层太阳能电池及其制备方法 |
| CN110890464A (zh) * | 2018-09-07 | 2020-03-17 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | 太阳能电池及其制备方法 |
| CN111584670A (zh) * | 2019-02-19 | 2020-08-25 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种叠层太阳能电池及其制备方法 |
| CN112018207A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-12-01 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种透光复合层、叠层太阳能电池及其制备方法 |
| CN114830365A (zh) * | 2020-11-16 | 2022-07-29 | 株式会社东芝 | 多层接合型光电变换元件及其制造方法 |
| US11462655B2 (en) | 2016-12-02 | 2022-10-04 | Lg Electronics Inc. | Tandem solar cell and method of manufacturing the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015017885A1 (en) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | Newsouth Innovations Pty Limited | A high efficiency stacked solar cell |
| CN104979474A (zh) * | 2015-05-25 | 2015-10-14 | 中国科学院半导体研究所 | 基于钙钛矿电池和hit电池的叠层太阳能电池及制作方法 |
| CN105023921A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-11-04 | 华北电力大学 | 一种钙钛矿-硅整体级联叠层太阳电池及其制备方法 |
| CN105047823A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-11-11 | 华南师范大学 | 一种半透明钙钛矿晶体硅串列叠层太阳能电池及其制备方法 |
-
2016
- 2016-07-13 CN CN201610550576.4A patent/CN106058054A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015017885A1 (en) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | Newsouth Innovations Pty Limited | A high efficiency stacked solar cell |
| CN104979474A (zh) * | 2015-05-25 | 2015-10-14 | 中国科学院半导体研究所 | 基于钙钛矿电池和hit电池的叠层太阳能电池及制作方法 |
| CN105023921A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-11-04 | 华北电力大学 | 一种钙钛矿-硅整体级联叠层太阳电池及其制备方法 |
| CN105047823A (zh) * | 2015-06-24 | 2015-11-11 | 华南师范大学 | 一种半透明钙钛矿晶体硅串列叠层太阳能电池及其制备方法 |
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| CHI HWAN LEE, ET AL.: "《Peel-and-Stick: Fabricating Thin Film Solar Cell on Universal Substrates》", 《SCIENTIFIC REPORTS》 * |
| DAVID P. MCMEEKIN, ET AL.: "《A mixed-cation lead mixed-halide perovskite absorber for tandem solar cells》", 《SCIENCE》 * |
| JEREMIE WERNER, ET AL.: "《Efficient Monolithic Perovskite/Silicon Tandem Solar Cell with Cell Area>1cm2》", 《J. PHYS. CHEM. LETT.》 * |
| NAM JOONG JEON, ET AL.: "《Compositional engineering of perovskite materials for high-performance solar cells》", 《NATURE》 * |
| XINGTIAN YIN, ET AL.: "《Highly Efficient Flexible Perovskite Solar Cells Using Solution-Derived NiOx Hole Contacts》", 《ACS NANO》 * |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106410039A (zh) * | 2016-11-07 | 2017-02-15 | 大连理工大学 | 一种钙钛矿叠层太阳电池及其制备方法 |
| KR20180063866A (ko) * | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 엘지전자 주식회사 | 텐덤 태양전지 및 그 제조 방법 |
| US11462655B2 (en) | 2016-12-02 | 2022-10-04 | Lg Electronics Inc. | Tandem solar cell and method of manufacturing the same |
| KR102457929B1 (ko) * | 2016-12-02 | 2022-10-25 | 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 | 텐덤 태양전지 및 그 제조 방법 |
| CN107195714A (zh) * | 2017-05-12 | 2017-09-22 | 中国计量大学 | 一种含有图形化光学隔离层的叠层太阳能电池 |
| CN107623071A (zh) * | 2017-08-23 | 2018-01-23 | 西安电子科技大学 | 低温Si与有机叠层的太阳能电池及制备方法 |
| CN107623071B (zh) * | 2017-08-23 | 2019-06-21 | 西安电子科技大学 | 低温Si与有机叠层的太阳能电池及制备方法 |
| KR102541127B1 (ko) * | 2017-09-05 | 2023-06-09 | 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 | 텐덤 태양전지 및 그 제조 방법 |
| KR20190026484A (ko) * | 2017-09-05 | 2019-03-13 | 엘지전자 주식회사 | 텐덤 태양전지 및 그 제조 방법 |
| KR20190053374A (ko) * | 2017-11-10 | 2019-05-20 | 엘지전자 주식회사 | 탠덤 태양전지 |
| KR102531881B1 (ko) * | 2017-11-10 | 2023-05-16 | 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 | 탠덤 태양전지 |
| CN110890464A (zh) * | 2018-09-07 | 2020-03-17 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | 太阳能电池及其制备方法 |
| CN109638161A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-16 | 储天新能源科技（长春）有限公司 | 一种高效钙钛矿太阳能电池的制备方法及钙钛矿太阳能电池 |
| CN111584670A (zh) * | 2019-02-19 | 2020-08-25 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种叠层太阳能电池及其制备方法 |
| CN110246923A (zh) * | 2019-06-29 | 2019-09-17 | 深圳黑晶光电科技有限公司 | 一种串联型钙钛矿/同质结硅叠层太阳能电池及其制备方法 |
| CN110246923B (zh) * | 2019-06-29 | 2024-05-28 | 深圳黑晶光电技术有限公司 | 一种串联型钙钛矿/同质结硅叠层太阳能电池及其制备方法 |
| CN112018207A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-12-01 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种透光复合层、叠层太阳能电池及其制备方法 |
| CN114830365A (zh) * | 2020-11-16 | 2022-07-29 | 株式会社东芝 | 多层接合型光电变换元件及其制造方法 |
| CN114830365B (zh) * | 2020-11-16 | 2023-11-28 | 株式会社东芝 | 多层接合型光电变换元件及其制造方法 |
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