CN106057954B - 具有双光波段功能的碘化铅光探测器 - Google Patents

具有双光波段功能的碘化铅光探测器 Download PDF

Info

Publication number
CN106057954B
CN106057954B CN201610467082.XA CN201610467082A CN106057954B CN 106057954 B CN106057954 B CN 106057954B CN 201610467082 A CN201610467082 A CN 201610467082A CN 106057954 B CN106057954 B CN 106057954B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pbi
fto
detector
photo
crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201610467082.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN106057954A (zh
Inventor
杨峰
马文利
赵勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Southwest Jiaotong University
Original Assignee
Southwest Jiaotong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Southwest Jiaotong University filed Critical Southwest Jiaotong University
Priority to CN201610467082.XA priority Critical patent/CN106057954B/zh
Publication of CN106057954A publication Critical patent/CN106057954A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106057954B publication Critical patent/CN106057954B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有双光波段功能的碘化铅光探测器。在一块FTO导电玻璃上铺放2H型PbI2晶体粉末上方再放置一块相同配置的FTO导电玻璃,形成FTO/PbI2/FTO的三明治结构,第一电极和第二电极分别设置在两块FTO上,热熔胶将两块FTO的边缘接触处封装。2H型PbI2晶体粉末为水浴法进行复分解反应制备PbI2晶体。本发明在短波段300nm‑500nm范围内,在不同波段处拥有相反的光伏电压响应。所制备的光波长控制开关能够在长短波长处均具备良好的工作能力,同时光电压和光谱的响应可以通过外加光照波长来调节,与二极管共同组成非常好的控制开关,利用这种光波长控制开关,可以很好地实现在非人工作条件下的开关控制作用,还可以保证开关坏境的非接触条件,具有十分广阔的应用前景。

Description

具有双光波段功能的碘化铅光探测器
技术领域
本发明涉及一种双光波段功能的碘化铅光探测器及其制备方法。
背景技术
光探测器又名“光检测器”,就是把信号(通信信息)从光波中分离(检测)出来,即进行光/电转换的器件,这种器件已广泛应用于通信、热武器跟踪瞄准、侦察、测距、雷达等领域,是信息和军事领域的关键器件和设备。光探测器的类型主要有光电倍增管、热电探测器、半导体光探测器等。其中光电倍增管由光电阴极和装在真空管内的倍增器组成,有很高的增益和很低的噪声,但尺寸较大且需要较高的偏置电压,不适通信系统;热电探测器包含了从热能到光能的转换,这种探测器的响应在相当宽的光谱范围内都是平坦的,但响应速度很慢也不适合通信系统;半导体光探测器由于体积小,灵活度高,响应速度快,在通信系统中得到了广泛的应用。传统的光探测器往往只具备单向工作能力,利用光与物质的各种相互作用,把光能转换为其他可感知量并进行输出,实现探测的目的,适用于简单稳定的工作环境,但面对复杂的环境或者更精细的要求,却只能束手无策或通过复杂工艺来满足要求。本发明中设计的具有双光波段功能的碘化铅光探测器不同于传统的光探测器,它在具备传统光探测器的优点上,还拥有设计简单却可双光波段工作的优势,可以更有力地推进光探测器的应用。
光探测器的作用主要就是通过探测器把光信号转换成电流信号再通过光控电路来实现继电器动作的控制。一般光探测器都利用半导体结区(PN结或金属-半导体)的光电压、光电导、电吸收和雪崩效应来工作。而无论是哪一种效应均 是由射入探测器的导波光束引起电子从价带到导带的受激跃迁,产生光生载流子(电子和空穴)。并由PN结或肖特基势垒将这些载流子收集起来,最终表现为光电压或光电流。而由于受激跃迁的方向与材料表面和体相间形成的本征带弯方向、杂质和缺陷能级引起的附加势场方向有关,碘化铅材料刚好具有长短波段处不同的光伏电压方向,因此通过具有单向导电性的二极管,可以形成在不同光波段下的光电开关,触发相应电路的工作,实现对动作的控制。
本发明光电探测器基于碘化铅光探测器与二极管共同组成,光探测器是利用具有光电效应的材料制成的能够实现光电转换的传感器,二极管具有单向导通的特点,可以辅助探测器进行电路的控制。大部分光探测器由于光电材料具有特定的带隙,因此在一定的光谱区域内具有较强的光谱选择性,所以不同的光探测器的光谱响应度在不同波长是不同的。因此光谱响应度是表征光探测器性能的一个重要参数指标。双光波段工作意味着适用于复杂的多路应用,如响应在不同波段的物质探测器、响应在可见光的太阳能电池、不同状况下进行电路切换的光电开关。
发明内容
本发明的目的就是提供具有双光波段功能的碘化铅光探测器,其能耗低,制备工艺也极为简单,工作光谱范围很大(300nm-800nm),且所制备的光探测器能够在长短波长处均具备良好的工作能力,同时光电压和光谱的响应可以通过外加光照波长来调节,与二极管共同组成具有双光波段功能的探测器,利用这种双光波段响应,可以很好地实现在非人工作条件下的光探测作用,还可以保证探测坏境的非接触条件,做成光敏开关等光电器件,具有十分广阔的应用前景。
本发明实现其发明的目的所采取的技术方案是:具有双光波段功能的碘化 铅光探测器,其具体做法是:
一块FTO导电玻璃上铺放2H型PbI2晶体粉末上方设置一块相同配置的FTO导电玻璃,形成FTO/PbI2/FTO的三明治结构,第一电极和第二电极分别设置在两块FTO上,热熔胶将两块FTO的边缘接触处封装。
所述2H型PbI2晶体采用如下的方法制备:
水浴法进行复分解反应制备PbI2晶体,强酸盐KI 260g溶于600ml去离子水中,并加热至30℃;弱酸盐(CH3COO)2Pb·3H2O 300g溶于600ml去离子水中;待两者均完全溶解后,将醋酸铅溶液缓慢加入到搅拌下的碘化铅热溶液中,得到难溶于水的PbI2沉淀,将得到的沉淀用水倾泻法洗涤8-10次,并超声处理5min;处理后的沉淀经80-90℃下干燥,结束后自然冷却至室温,再放置于通风阴暗处研成细粉,呈金黄色板状结晶。
将封装完成的三明治结构连接在能够选择性导通的电路中,通过不同波段照射探测器得到不同流向的光电压,经过二极管(1N4004型硅整流二极管正向导通电压为0.7V,反向耐压高达400V,反向漏电流低至5-50uA)进行选择性开关导通,辅助完成双光波段工作作用,具体电路如下图3所示。
光探测器的表征:
光电探测器的光伏-光谱性能测试利用表面光电压谱的测试平台,测试平台包括:500w氙灯光源、单色仪、斩波器、锁相放大器,探测器的两个电极接入锁相,在两个电极上还可外接直流电源,以考察外场对探测器光伏响应能力的影响,其中,两块FTO上的电极分别接正、负电极。
本发明方法的可能机理是:
Pb2++2I1-→PbI2
盐溶液通过水热反应,可在复分解反应过程中生成PbI2沉淀,经过去离子水 的多次冲洗,得到纯度极高的PbI2晶体。
PbI2材料在短波长光照下,光生空穴由表面移向体相,光伏响应为负值;在长波长光照下,光生电子由表面移向体相,光伏响应为正值。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
碘化铅(PbI2)具有较高的原子系数、较大的禁带宽度、电阻率高和载流子迁移率寿命极大等特点,是制备室温X射线和γ射线探测器的理想材料。碘化铅晶体是一种极有前途的室温核辐射探测器材料,可用于探测1KeV-1MeV范围内的α射线和γ射线,并且在制作大面积X射线成像阵列方面也具有非常大的潜能。由碘化铅晶体制成的探测器具有较高的能量分辨率和探测效率,可在较大温度范围内(-200℃-130℃)使用和保存,与同类型的探测器相比具有明显优势。
本发明利用PbI2材料在不同波长条件下的特殊光伏效应,结合具有单向导电性的二极管,制得的器件不仅具有很高的光伏响应能力,同时还兼具波长控制光伏响应等功能,制备能耗大大低于同类型的光探测器,其制备方法简单,反应温和,耗能小,对设备无特殊要求,适合大规模生产。实验证明,制得的光探测器在300nm-500nm和500nm-612nm两个波长范围内具有方向相反的光伏响应,能够对应导通相应的二极管,完成双光波段光探测的作用。
上述的光探测器结构为FTO/PbI2/FTO的三明治结构。
上述的波长控制开关为b步组装的光探测器与二极管的结合。
下面结合附图和具体的实施方式,对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
图1是本发明实施例一制备的PbI2晶体的扫描照片图。
图2是本发明实施例一制备的PbI2晶体的EDX能谱图。
图3是本发明实施例一制备的碘化铅光探测器核心的表征结构示意图。
图4是本发明实施例一制备的光探测器的电路图。
图5是本发明实施例一制备的基于PbI2晶体的光电探测器的波长-表面光电压关系图。
图6是本发明实施例二制备的基于PbI2晶体的光电探测器的波长-表面光电压关系图。
图7是本发明实施例三制备的基于PbI2晶体的光电探测器的波长-表面光电压关系图。
图8是本发明实施例四制备的基于PbI2晶体的光电探测器的波长-表面光电压关系图。
图9是本发明实施例五制备的基于PbI2晶体的光电探测器的波长-表面光电压关系图。
表1是本发明实施例一制备的PbI2晶体内各元素分配比例表。
具体实施方式
除特别说明的外,以下所用化学试剂均采用分析纯。
实施例一
具有双光波段功能的碘化铅光探测器,其具体作法是:
a、水热法制备2H型PbI2晶体
水浴法进行复分解反应制备PbI2晶体,强酸盐:KI(分析纯,摩尔质量166,实验所需260g)溶于600ml去离子水中,并加热至30℃;弱酸盐:(CH3COO)2Pb·3H2O(分析纯,摩尔质量379,实验所需300g)溶于600ml去离子水中。待两者均完全溶解后,将醋酸铅溶液缓慢加入到搅拌下的碘化铅热溶液中,得到难溶于水的PbI2沉淀,将得到的沉淀用水倾泻法洗涤8-10次,并超声处理5min。
将处理后的沉淀置于耐水纸上摊开,于80-90℃下干燥,结束后自然冷却至室温,再放置于通风阴暗处研成细粉,呈金黄色板状结晶。产量365g,产率接近100%。
b、光探测器的组装
在一块FTO(电阻<14Ω/□,日本NSG公司,面积为2cm×1.5cm)导电玻璃上铺放碘化铅粉末,体积为1cm×1cm×0.1cm,在粉末上方再放置一块相同配置的FTO导电玻璃,形成FTO/PbI2/FTO的三明治结构,所述的第一\第二电极分别设置在两块FTO上,用热熔胶将两块FTO的边缘接触处进行封装。
将封装完成的三明治结构连接在能够选择性导通的电路中,通过不同波段照射得到不同流向的光电压,经过二极管(1N4004型硅整流二极管正向导通电压为0.7V,反向耐压高达400V,反向漏电流低至5-50uA)进行选择性开关导通,辅助完成双光波段工作作用,即得基于碘化铅半导体的光探测器,具体电路如下图3所示。
c、光探测器的表征
光探测器的光伏-光谱性能测试利用表面光电压谱的测试平台,测试平台包括:500w氙灯光源、单色仪、斩波器、锁相放大器,探测器的两个电极接入锁相,在两个电极上还可外接直流电源,以考察外场对探测器光伏响应能力的影响,其中,两块FTO上的电极分别接正、负电极。
图1是本发明实施例一制备的PbI2晶体的扫描照片图。图1可见,PbI2晶体为片层块状结构。
图2是本发明实施例一制备的PbI2晶体的EDX能谱图。可根据图2 X射线强度和能量曲线,定量分析样品的化学成份,制备样品为PbI2晶体。
图3是本发明实施例一制备的碘化铅光探测器核心的表征结构示意图。图3 可见,核心结构为FTO/PbI2片层/FTO的三明治结构,电极引线上还可以加直流外电场,结构简单易于制备。
图4是本发明实施例一制备的光探测器的电路图。图中可见,碘化铅光探测器对不同波段光照迅速产生不同的电荷载流子运动,从而产生不同方向的光电压,通过放大电路后经由二极管的选择导通控制后接电路。
图5是本发明实施例一制备的基于PbI2晶体的光探测器的波长-表面光电压关系图。横坐标表示波长,纵坐标表示波长对应的表面光电压值,可以看出在短波长(300nm-500nm)范围光照下,PbI2材料光电探测器内的光生空穴由表面移向体相,光伏响应为负值;在长波长(500nm-612nm)范围光照下,光电探测器内的光生电子由表面移向体相,光伏响应为正值。因此证明我们的PbI2光探测器能够在不同波长条件下产生不同方向的光伏电压,在二极管的帮助下完成双光波段光探测器的作用。
下表是本发明实施例一制备的PbI2晶体内各元素分配比例表。由表中可见,制备的PbI2晶体纯度很高。
实施例二
本发明的根本要求在于实现具有双光波段功能的碘化铅光探测器。b步改变覆盖PbI2粉末的体积,制备出体积为1.5cm×1.5cm×0.1cm,其余与实施实例一相同,体积增大后,光电压值有所增大,但光电压响应范围和光电压随波长变化 的关系并没有变,见图6.
实施例三
本发明的根本要求在于实现具有双光波段功能的碘化铅光探测器。b步改变覆盖PbI2粉末的体积,制备出体积为1.5cm×1cm×0.05cm,其余与实施实例一相同,体积增大后,光电压值有所增大,但光电压响应范围和光电压随波长变化的关系并没有变,见图7.
实施例四
本发明的根本要求在于实现具有双光波段功能的碘化铅光探测器。b步改变覆盖PbI2粉末的体积,制备出体积为1cm×1cm×0.1cm,其余与实施实例一相同,体积增大后,光电压值有所增大,但光电压响应范围和光电压随波长变化的关系并没有变,见图8.
实施例五
本发明的根本要求在于实现具有双光波段功能的碘化铅光探测器。b步改变覆盖PbI2粉末的体积,制备出体积为1cm×1cm×0.05cm,其余与实施实例一相同,体积增大后,光电压值有所增大,但光电压响应范围和光电压随波长变化的关系并没有变,见图9。

Claims (2)

1.具有双光波段功能的碘化铅光探测器,其特征在于,光探测器结构为:在一块FTO导电玻璃上铺放2H型PbI2晶体粉末上方再放置一块相同配置的FTO导电玻璃,形成FTO/PbI2/FTO的三明治结构,第一电极和第二电极分别设置在两块FTO上,热熔胶将两块FTO的边缘接触处封装;光探测器通过二极管连接外部电路;
所述2H型PbI2晶体采用如下的方法制备:
水浴法进行复分解反应制备PbI2晶体,强酸盐KI 260g溶于600ml去离子水中,并加热至30℃;弱酸盐(CH3COO)2Pb·3H2O 300g溶于600ml去离子水中;待两者均完全溶解后,将醋酸铅溶液缓慢加入到搅拌下的碘化铅热溶液中,得到难溶于水的PbI2沉淀,将得到的沉淀用水倾泻法洗涤8-10次,并超声处理5min;处理后的沉淀经80-90℃下干燥,结束后自然冷却至室温,再放置于通风阴暗处研成细粉,呈金黄色板状结晶。
2.根据权利要求1所述的具有双光波段功能的碘化铅光探测器,其特征在于,所述PbI2晶体在不同波段处拥有相反的光伏电压响应;在短波段300nm-500nm范围内,光生空穴由材料表面向体相移动,光伏电压为负值;在长波段500nm-612nm范围内,光生电子由表面向体相移动,光伏电压为正值。
CN201610467082.XA 2016-06-23 2016-06-23 具有双光波段功能的碘化铅光探测器 Expired - Fee Related CN106057954B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610467082.XA CN106057954B (zh) 2016-06-23 2016-06-23 具有双光波段功能的碘化铅光探测器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610467082.XA CN106057954B (zh) 2016-06-23 2016-06-23 具有双光波段功能的碘化铅光探测器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106057954A CN106057954A (zh) 2016-10-26
CN106057954B true CN106057954B (zh) 2017-07-11

Family

ID=57166380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610467082.XA Expired - Fee Related CN106057954B (zh) 2016-06-23 2016-06-23 具有双光波段功能的碘化铅光探测器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106057954B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108735830B (zh) * 2018-07-18 2024-01-30 成都信息工程大学 基于肖特基电极和碘化铅的自驱动辐射探测器及制备方法
CN111081809B (zh) * 2019-12-23 2021-11-23 中山大学 一种高灵敏度的x射线探测器
CN112420397B (zh) * 2020-11-13 2022-04-19 中国科学技术大学 基于氮化镓的极性翻转型波长可分辨光探测器及制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103820764A (zh) * 2014-03-05 2014-05-28 上海理工大学 一种三明治复合结构红外热光调制器的制备方法
CN103972323A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 同方威视技术股份有限公司 辐射探测器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101486250B1 (ko) * 2013-07-08 2015-02-05 주식회사 레이언스 이미지센서와 그 제조방법
KR20160018271A (ko) * 2014-08-08 2016-02-17 삼성전자주식회사 방사선 검출기
KR20160038387A (ko) * 2014-09-30 2016-04-07 주식회사 레이언스 엑스선 디텍터 및 그 구동방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103972323A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 同方威视技术股份有限公司 辐射探测器
CN103820764A (zh) * 2014-03-05 2014-05-28 上海理工大学 一种三明治复合结构红外热光调制器的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106057954A (zh) 2016-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhang et al. Lead‐free perovskite photodetectors: progress, challenges, and opportunities
Peng et al. Self-powered high-performance flexible GaN/ZnO heterostructure UV photodetectors with piezo-phototronic effect enhanced photoresponse
Wang et al. Arrayed van Der Waals broadband detectors for dual‐band detection
Wang et al. Self-powered, superior high gain silicon-based near-infrared photosensing for low-power light communication
CN107195787B (zh) 基于石墨烯电极和钙钛矿吸光层的自驱动光电探测器及其制备方法
Rana et al. See-through metal oxide frameworks for transparent photovoltaics and broadband photodetectors
CN111244119B (zh) 一种探测基板、其制作方法及平板探测器
CN106057954B (zh) 具有双光波段功能的碘化铅光探测器
Wang et al. Highly sensitive narrowband Si photodetector with peak response at around 1060 nm
WO2009022945A1 (fr) Convertisseur d'émission électromagnétique
Bao et al. Physics of defects in metal halide perovskites
Shi et al. A silicon-based PbSe quantum dot near-infrared photodetector with spectral selectivity
WO2009142529A1 (ru) Преобразователь электромагнитного излучения и батарея
CN102427096B (zh) 一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法
Yang et al. Ferro-pyro-phototronic effect enhanced self-powered, flexible and ultra-stable photodetectors based on highly crystalized 1D/3D ferroelectric perovskite film
CN109256471A (zh) 一种无铅全无机钙钛矿铯铋碘薄膜/n-型硅异质结光电探测器及其制备方法
US20130125950A1 (en) Self-activated front surface bias for a solar cell
Wei et al. High-performance self-driven photodetectors based on self-polarized Bi0. 9Eu0. 1FeO3/Nb-doped SrTiO3 pn heterojunctions
Scagliotti et al. Large-area, high-responsivity, fast and broadband graphene/n-Si photodetector
KR101449891B1 (ko) 태양 전지를 위한 자가-활성된 전면 바이어스
Fu et al. Photodetectors based on graphene–semiconductor hybrid structures: Recent progress and future outlook
Huang et al. Broadband-spectral-responsivity of black silicon photodetector with high gain and sub-bandgap sensitivity by titanium hyperdoping
Wang et al. Design and optimization of the performance of self-powered Sb2S3 photodetector by SCAPS-1D simulation and potential application in imaging
Wang et al. Research on the performance of photodetector based on Cr doped CuGaO2 nanoplates
CN106911304A (zh) 一种双面太阳能电池双光源测试设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170711

Termination date: 20200623

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee