CN103972323A - 辐射探测器 - Google Patents
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Abstract
公开了一种辐射探测器，该辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。该电极结构可以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。
Description
技术领域
本发明涉及辐射探测器。
背景技术
辐射探测器可以测量例如X射线或γ射线的能谱，因而是进行核素识别的主要手段之一。辐射探测器已经广泛应用于核辐射防护、核安检、环境保护及国土安全等领域，用于检测放射性物质。目前，辐射探测器主要可分为两类：一类是以NaI(Tl)为代表的闪烁体探测器，另一类是以高纯锗(HPGe)为代表的半导体辐射探测器。
闪烁体探测器具有价格便宜、制备简单等优点。通常，在现场使用的便携式γ谱仪--闪烁探测器NaI或CsI。然而，闪烁体探测器的能量分辨率较差，很难满足复杂能谱精细结构的测量要求。半导体高纯锗辐射探测器具有很好的能量分辨率。然而，半导体Ge辐射探测器大都要求在液氮(77K)下保存或使用。由于使用了低温容器和真空室，这将增加探测器的总体积。而且，需要频繁地添加液氮，无法满足野外恶劣条件下的使用要求，使用范围受到了限制。
化合物半导体辐射探测器具有能量分辨率高、探测效率高、体积小、便于携带、并可在室温下工作等优点。目前，半导体辐射探测器已广泛应用于环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核武器突防、航空航天、天体物理和高能物理等领域。近年来，人们对Ge、HgI2、GaAs、TiBr、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI2和AlSb等多种半导体材料进行了广泛的研究。研究表明，CdZnTe是性能优异、最有前途的用于在室温下工作的半导体辐射探测器的新材料。
与NaI闪烁体探测器相比，辐射探测器(例如，使用CdZnTe晶体)具有较高的原子序数(48，30，52)和密度(6g/cm3)，使得CdZnTe对高能量的γ和X射线具有高探测效率。CdZnTe的带宽是在1.5eV到2.2eV左右，可以在室温工作。并且，高质量的CdZnTe晶体可用于大范围内温度变化的环境，而CdZnTe晶体的性能不会有明显变化。在CdZnTe中产生一对电荷载体所需的能量约4.6eV左右，与NaI闪烁体的100eV相比，射线在CdZnTe中产生的电荷载体数的统计涨落小，使得能量分辨率优于NaI闪烁体。CdZnTe的电阻率高达1010Ωcm以上，保证了低的漏电流噪声，使得可以提高能量分辨率。
然而，由于例如CdZnTe的半导体晶体的本身特性，例如空穴寿命短、迁移率低(即μhτh很小)，载流子在半导体晶体中的漂移长度Lh很短，在半导体晶体中不同位置处的载流子对脉冲幅度的贡献不同。结果，半导体辐射探测器的能量分辨率变差。
为了改善该类半导体辐射探测器的能量分辨性能，该类半导体辐射探测器往往设计为具有单极性电荷灵敏特性的电极结构。在特殊设计的电极结构施加的电场作用下，射线与晶体发生反应而产生的电荷会受电场作用，向相反的两个电极运动，电子向阳极电极运动，空穴向阴极面电极运动。由于远离电极的地方电场强度弱，迁移速度很慢的空穴很容易被陷落，而不易被陷落的快速移动的电子最终被电极收集，从而获得单极性敏感的探测器。单极性敏感的探测器可以在一定程度上减少因空穴迁移速度慢而对能量分辨率带来的不良影响。然而，电子的运动仍然受到晶体缺陷的影响会陷落，结果于半导体晶体中的不同位置产生的电荷，在收集电极上产生的输出信号幅度也有涨落，从而影响了辐射探测器的分辨率。
此外，同轴结构的辐射探测器包括在晶体的中心形成的孔，以及位于孔中的电极。然而，在晶体中的开孔导致工艺上的困难。并且，对硬度低且容易解理的晶体造成机械损伤，而且这些机械损伤引入的缺陷主要集中在电极附近，使得信号的收集效率降低。
因此，仍然期望进一步改进电极设计以提高辐射探测器的能量分辨率和探测效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种利用特殊设计的电极结构提高能量分辨率的辐射探测器。
根据本发明的一方面，提供一种辐射探测器，包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。
优选地，半导体晶体感测X射线或γ射线。根据应用需求，也可以使用感测其它类型的射线的半导体晶体。
优选地，半导体晶体的形状为长方体，并且所述顶部表面和所述底部表面是长方体的任意两个相对表面，所述至少一个侧面是长方体的其余四个表面。
优选地，半导体晶体的形状为立方体，并且所述顶部表面和所述底部表面是立方体的任意两个相对表面，所述至少一个侧面是立方体的其余四个表面。
优选地，半导体晶体的形状为半圆柱体，并且所述顶部表面和所述底部表面分别是半圆柱体的纵向截面和弧面，所述至少一个侧面是圆柱体的横向截面。
优选地，半导体晶体的形状为扇形体，并且所述顶部表面和所述底部表面分别是扇形体的纵向截面和弧面，所述至少一个侧面是圆柱体的横向截面和径向截面。
优选地，阳极电极以大致对称的方式布置在半导体晶体的顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面的中心。
优选地，阳极电极包括彼此平行延伸的多个子电极。
优选地，阳极电极布置在半导体晶体的顶部表面和底部表面上。
优选地，阳极电极布置在半导体晶体的顶部表面和与顶部表面相邻的侧面上。
优选地，阴极电极完全覆盖其所在的半导体晶体的表面。
优选地，阳极电极布置在半导体晶体的顶部表面上，阴极电极布置在半导体晶体的底部表面和与底部表面相邻的侧面上。
优选地，阴极电极在与底部表面相邻的侧面上从底部表面向顶部表面延伸至未到达顶部表面的高度。
优选地，阴极电极在与底部表面相邻的两个侧面上分别从底部表面向顶部表面延伸不同的高度。
优选地，半导体晶体的底部表面和与底部表面相邻的侧面之间的棱角倒圆。
优选地，阴极电极位于半导体晶体的底部表面和与底部表面相邻的侧面之间的棱角处的部分局部地去除。
优选地，半导体晶体的底部表面和与顶部表面相邻的侧面之间的棱角倒圆。
优选地，该辐射探测器还包括在阳极电极的两侧形成平行于阳极条的半导体晶体表面中的凹槽。
优选地，该辐射探测器还包括在阳极电极的两侧形成平行于阳极条的半导体晶体表面上的保护导体。
优选地，保护导体位于半导体晶体的与阳极电极所处的表面相同的表面上。
优选地，保护导体位于半导体晶体的与阳极电极所处的表面相邻的表面上。
优选地，保护导体位于阳极电极所处的表面以及与该表面相邻的表面之间的棱角上。
优选地，半导体晶体由选自Ge、HgI2、GaAs、TiBr、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI2和AlSb中的一种组成。
本发明的辐射探测器包括在半导体晶体的表面上形成的条带状阳极电极和平面状阴极电极，从而不需要对半导体晶体进行开孔，可以避免机械损伤导致的信号的收集效率降低和能量分辨率恶化。利用条带状阳极电极和平面状阴极电极相结合的结构，与平面状阳极电极和平面状阴极电极相结合的结构相比，可以在相同的电压下在半导体晶体中产生更强的电场，从而可以应用于大体积的半导体晶体以提高探测效率。
在该电极结构施加的电场作用下，射线与晶体发生反应而产生的电荷会受电场作用，向相反的两个电极运动，电子向条带状阳极电极运动，空穴向平面状阴极电极运动。由于远离条带状阳极电极的地方电场强度弱，迁移速度很慢的空穴很容易被陷落，而不易被陷落的快速移动的电子最终被线电极收集。所以，这种结构同样是单极性敏感的辐射探测器，并且可以改善由于晶体缺陷和空穴的大量陷落等引起的信号幅度涨落及能量分辨率的恶化。
根据优选的实施例，阳极电极包括彼此平行延伸的多个子电极。在不同的子电极上可以施加不同的电压，从而在半导体晶体中产生期望的电场分布，可以改善电荷的收集效率，去掉能谱中的高能尾。
根据优选的实施例，在阳极电极的两侧形成于半导体晶体的表面上的保护导体，或者在阳极电极的两侧形成位半导体晶体的表面中的凹槽。利用保护导体可以成形电场，可以减小表面漏电流导致的噪声信号。
根据优选的实施例，半导体晶体的底部表面和与底部表面相邻的侧面之间的棱角倒圆，或者阴极电极位于半导体晶体的底部表面和与底部表面相邻的侧面之间的棱角处的部分局部地去除，使低电场区域内电荷的陷落。
本发明采用简单的电极结构，实现了单极性电荷敏感的探测。在未明显增加处理电路的复杂性的情形下提高了能量分辨率，改善了辐射探测器的性能。
附图说明
通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1是根据本发明的一个优选实施例的辐射探测器的结构示意图；
图2是图1所示的辐射探测器对662keV射线的能谱计算结果；
图3a-3b是根据本发明的另一些优选实施例的辐射探测器的结构示意图；
图4a-4f是根据本发明的另一些优选实施例的辐射探测器的结构示意图；
图5是根据本发明的另一个优选实施例的辐射探测器的结构示意图；
图6a-6d是根据本发明的另一些优选实施例的辐射探测器的结构示意图；
图7是根据本发明的另一个优选实施例的辐射探测器的结构示意图；以及
图8是图7所示的辐射探测器对662keV射线的能谱计算结果。
具体实施方式
下文结合附图对本发明优选实施例进行详细描述，本领域技术人员将会更加明了本发明的上述以及其他目的、优点和特征。在各个附图中，相同的元件采用相同的附图标记来表示，并省略重复的描述。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。
图1是根据本发明的一个优选实施例的辐射探测器100的结构示意图。该辐射探测器100包括半导体晶体101、阴极电极102和阳极电极103。半导体晶体101例如由Ge、HgI2、GaAs、TiBr、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI2和AlSb之类的辐射敏感半导体组成。在该示例中，半导体晶体101是立方体。虽然立方体的六个表面是对称的，然而，在本文中为了方便将半导体晶体101的六个表面分别称为“顶部表面”、“底部表面”和四个“侧面”，其中底部表面和顶部表面相对，四个侧面在上部与顶部表面相邻以及在下部与底部表面相邻。阴极电极102和阳极电极103例如分别由Au、Ag、Cu、Al、ITO之类的导电材料组成。阴极电极102为平面形状，覆盖半导体晶体101的底部表面和两个侧面。阳极电极103为条带形状，位于半导体晶体101的顶部表面上，并且将半导体晶体101的顶部表面分成大致对称的两个部分。阴极电极102与阳极电极103平行地延伸大致等于阳极电极103的长度(例如，大致等于半导体晶体101的边长)的尺寸。应当注意，阴极电极102并未覆盖与阳极电极103的长度方向相垂直的两个侧面。
图2是如图1所示的辐射探测器100对662KeV伽玛射线能谱的计算结果。在该示例中，半导体晶体101是尺寸为5mm*5mm*5mm的立方体。采用662keV的入射光子能量，分别针对宽度w为0.8mm、1mm、1.5mm和2mm的阳极电极103，模拟计算辐射产生的电荷在电场中沿着电力线运动时，在电极上感应产生的信号，并由这些信号组成能谱。该计算结果表明，辐射探测器100的能谱中出现了明显的662keV全能峰。随着线阳极电极宽度的变化，全能峰的位置和分辨率都有变化，有一个最优的线阳极宽度，既保证了整个晶体内部的高电场，又保证了单极性的敏感特性。对不同尺寸的晶体，最优的线阳极宽度不同。相反，针对包括平面状阳极电极和平面状阴极电极相结合的结构的辐射探测器，在类似条件下的计算结果未显示明显的尖峰。因此，如图1所示的辐射探测器100可以提高能量分辨率。
图3a-3b是根据本发明的另一些优选实施例的辐射探测器的结构示意图。
图3a示出的辐射探测器与图1所示的辐射探测器100的不同之处在于半导体晶体101为半圆柱体，并且所述顶部表面和所述底部表面分别是半圆柱体的纵向截面和弧面，所述至少一个侧面是圆柱体的横向截面。阴极电极102覆盖半导体晶体101的弧面。阳极电极103为条带形状，位于半导体晶体101的纵向截面上，并且将半导体晶体101的纵向截面分成大致对称的两个部分。阴极电极102与阳极电极103平行地延伸大致等于阳极电极103的长度(例如，大致等于半圆柱体的高度)的尺寸。应当注意，阴极电极102并未覆盖与阳极电极103的长度方向相垂直的横向截面。
图3b示出的辐射探测器与图1所示的辐射探测器100的不同之处在于半导体晶体101为扇形体，并且所述顶部表面和所述底部表面分别是扇形体的纵向截面和弧面，所述至少一个侧面是扇形体的横向截面和径向截面。阴极电极102覆盖半导体晶体101的弧面。阳极电极103为条带形状，位于半导体晶体101的纵向截面上，并且将半导体晶体101的纵向截面分成大致对称的两个部分。阴极电极102与阳极电极103平行地延伸大致等于阳极电极103的长度(例如，大致等于扇形体的高度)的尺寸。应当注意，阴极电极102并未覆盖与阳极电极103的长度方向相垂直的横向截面。
在辐射探测器100中使用半圆柱体或扇形体形状的半导体晶体101有利于提高半导体晶锭的利用率。例如，扇形体形状的半导体晶体101可以由半导体晶锭的边角料形成。
图4a-4f是根据本发明的另一些优选实施例的辐射探测器的结构示意图。
图4a示出的辐射探测器100与图1所示的辐射探测器100的不同之处在于阴极电极102在半导体晶体101的与底部表面相邻的两个侧面上分别从底部表面向顶部表面延伸相同的高度，但未完全覆盖半导体晶体101的侧面。根据半导体晶体101的形状和尺寸，通过调节阴极电极102在侧面上的延伸高度，可以改善辐射探测器100的性能。
图4b所示的辐射探测器100与图1所示的辐射探测器100的不同之处在于阴极电极102的位于半导体晶体101的底部表面和与底部表面相邻的侧面之间的棱角处的部分金属电极层局部地去除。图4c中示出的辐射探测器100与图1所示的辐射探测器100的不同之处在于半导体晶体101的底部表面和与底部表面相邻的侧面之间的棱角倒圆。图4d中示出的辐射探测器100与图1所示的辐射探测器100的不同之处在于半导体晶体101的顶部表面和与顶部表面相邻的侧面之间的棱角倒圆。半导体晶体101在底部表面和与底部表面相邻的侧面之间的棱角处阴极电极102的局部去除(图4b)和倒圆(图4c)可以改善半导体晶体101中的电场分布，有利于减小棱角处的电荷陷落，部分去除能峰中的低能尾。半导体晶体101在底部表面和与顶部表面相邻的侧面之间的棱角处的倒圆可以部分去除全能峰的高能尾(图4d)。
图4e示出的辐射探测器100与图1所示的辐射探测器100的不同之处在于阴极电极102覆盖半导体晶体101的两个侧面，两个阳极电极103位于半导体晶体101的顶部表面和底部表面上，并且分别将半导体晶体101的顶部表面和底部表面分成大致对称的两个部分。阴极电极102与阳极电极103平行地延伸大致等于阳极电极103的长度(例如，大致等于半导体晶体101的边长)的尺寸。应当注意，阴极电极102并未覆盖与阳极电极103的长度方向相垂直的两个侧面。图4f示出的辐射探测器100与图1所示的辐射探测器100的不同之处在于阴极电极102覆盖半导体晶体101的底部表面，三个阳极电极103位于半导体晶体101的顶部表面和两个侧面上，并且分别将半导体晶体101的顶部表面和两个侧面分成大致对称的两个部分。阴极电极102与阳极电极103平行地延伸大致等于阳极电极103的长度(例如，大致等于半导体晶体101的边长)的尺寸。应当注意，阴极电极102并未覆盖与阳极电极103的长度方向相垂直的两个侧面。
在半导体晶体101的多个表面上形成条带状阳极电极可以从所述多个表面收集信号，从而可以进一步缩短电荷的迁移距离，减少电荷的陷落，提高能量分辨率。
图5是根据本发明的另一个优选实施例的辐射探测器100的结构示意图，与图1所示的辐射探测器100的不同之处在于在阳极电极103的两侧还包括形成于半导体晶体101的顶部表面中的凹槽104-1和104-2。
图6a-6d是根据本发明的另一些优选实施例的辐射探测器的结构示意图。
图6a示出的辐射探测器100与图1所示的辐射探测器100的不同之处在阳极电极103的两侧还包括形成于半导体晶体101的顶部表面上的保护导体105-1和105-2。图6b示出的辐射探测器100与图1所示的辐射探测器100的不同之处在阳极电极103的两侧还包括形成于半导体晶体101的顶部表面上并且邻近棱角的保护导体105-1和105-2。图6c示出的辐射探测器100与图1所示的辐射探测器100的不同之处在阳极电极103的两侧还包括形成于半导体晶体101的与阳极电极103所处的表面相邻的侧面上并且邻近棱角的保护导体105-1和105-2。图6d示出的辐射探测器100与图1所示的辐射探测器100的不同之处在阳极电极103的两侧还包括形成于半导体晶体101的顶部表面以及与该顶部表面相邻的侧面之间的棱角上的保护导体105-1和105-2。在辐射探测器100工作时，在保护导体105-1和105-2上可施加偏置电压或不加偏压。
不论在阳极电极两侧的半导体晶体101中形成凹槽104-1和104-2，还是形成位于半导体晶体101的表面上的保护导体105-1和105-2，均可以成形电场，减小表面漏电流导致的噪声信号。
图7是根据本发明的另一个优选实施例的辐射探测器100的结构示意图。与图1所示的辐射探测器100的不同之处在于阴极电极102在半导体晶体101的与底部表面相邻的侧面上从底部表面向顶部表面延伸至未到达顶部表面的高度，也即未完全覆盖半导体晶体101的侧面，并且阳极电极103包括在半导体晶体101的顶部表面上平行延伸的三个或更多个子电极(在图7中标出5个个子电极103-1、103-2、103-3、103-4和103-5)。这多个子电极彼此间距很小，占据阳极顶面中间很窄的部分，保证各电极收集信号还具有单极性敏感特性。在工作时多个子电极可以偏置于相同的电压，并且可以全部用于收集信号，从而可以进一步提高半导体晶体101内的电场以及电荷的收集效率。或者，阳极电极103包括的三个或更多个子电极，这些子电极必须对称地分布在中心收集信号的条状阳极电极两侧，并且大距离地分布在顶部表面，偏置于不同的电压，并且位于中心的一个子电极用于收集信号，其它条状子电极的加压方式是，从顶面和侧面棱角处，向顶面中心条状阳极电极方向逐步增加各子电极的电压。例如，通过两个或更多个子电极在半导体晶体101中产生期望的电场分布，从而可以改善电荷的收集效率，去除能谱中的高能尾。
图8是如图7所示的辐射探测器100的探测效率的计算结果的曲线图。在该示例中，半导体晶体101是尺寸为20mm*20mm*15mm的立方体。采用662keV的入射光子能量，在3个子电极或5个子电极上施加电压差，在中间的子电极上施加最高电压，在其余的子电极上根据与中间的子电极的距离施加的电压从近至远逐步减小。标示为“3个子电极，200V”的曲线表示阳极电极103包括3个子电极，并且在3个子电极上施加的电压差为200V。标示为“3个子电极，500V”的曲线表示阳极电极103包括3个子电极，并且在3个子电极上施加的电压差为500V。标示为“5个子电极，100V”的曲线表示阳极电极103包括5个子电极，并且在5个子电极上施加的电压差为100V。标示为“5个子电极，200V”的曲线表示阳极电极103包括5个子电极，并且在5个子电极上施加的电压差为200V。正如图中所示，各子电极上加不同的电压，能谱的能量分辨率会发生变化，电荷的收集效率会发生变化。
模拟计算辐射产生的电荷在电场中沿着电力线运动时，在电极上感应产生的信号。该计算结果表明，能谱中出现了很好的全能峰，高能尾被去除，低能尾有改善。随着阳极电极103的子电极的数量的增加，能量分辩率有所提高。相反，针对包括平面状阳极电极和平面状阴极电极相结合的结构的辐射探测器，在类似条件下的计算结果未显示明显的尖峰。因此，如图7所示的辐射探测器100可以提高能量分辨率。
在本发明的进一步优选的实施例中，辐射探测器100包括横向或纵向排列的多个半导体晶体，针对每一个半导体晶体形成条带状阳极电极和平面状阴极电极。这种组合的辐射探测器可以实现更大的探测体积，从而提高探测效率。对高能量的伽玛和X射线探测器效率会有更大的提高，而信号输出个数的增加并不多。当每个半导体晶体作为一个像素时，形成像素阵列，也可用于成像。
在本发明的进一步优选的实施例中，辐射探测器100可以通过增加条带状阳极103的长度以及半导体晶体101在相同方向上的尺寸，可以在不增加电荷移动距离的同时增加半导体晶体101的探测体积，可提高对高能射线的探测效率。相反，在常规的平面阵列CdZnTe探测器中，因为高电压和电荷迁移率和寿命的限制，CdZnTe晶体的厚度最高达约15mm)。
在本发明的进一步优选的实施例中，辐射探测器100包括横向或纵向排列的多个半导体晶体，针对每一个半导体晶体形成条带状阳极电极和平面状阴极电极，并且在半导体晶体之间增加屏蔽层。这种包括屏蔽层的辐射探测器100可提供方向灵敏的射线探测，尤其适用于便携式的伽玛谱仪。
最后，本领域技术人员应认识到，虽然本文已详尽地示出和描述了优选示例性的实施例，但是，在不脱离本发明精神和范围的情况下，仍可根据本申请公开的内容直接确定或推导出符合本发明原理的许多其他变型或修改。因此，本发明的范围应被理解和认定为覆盖了所有这些其他变型或修改。
Claims (23)
1.一种辐射探测器，包括：
用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；
位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面上的阳极电极；以及
位于顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的其余表面中的至少一个表面上的阴极电极，
其中，阳极电极为条带形状，阴极电极平面形状，并且阴极电极与阳极电极平行地延伸大致等于阳极电极的长度尺寸。
2.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中半导体晶体感测X射线或γ射线。
3.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中半导体晶体的形状为长方体，并且所述顶部表面和所述底部表面是长方体的任意两个相对表面，所述至少一个侧面是长方体的其余四个表面。
4.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中半导体晶体的形状为立方体，并且所述顶部表面和所述底部表面是立方体的任意两个相对表面，所述至少一个侧面是立方体的其余四个表面。
5.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中半导体晶体的形状为半圆柱体，并且所述顶部表面和所述底部表面分别是半圆柱体的纵向截面和弧面，所述至少一个侧面是圆柱体的横向截面。
6.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中半导体晶体的形状为扇形体，并且所述顶部表面和所述底部表面分别是扇形体的纵向截面和弧面，所述至少一个侧面是圆柱体的横向截面和径向截面。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的辐射探测器，其中阳极电极以大致对称的方式布置在半导体晶体的顶部表面、底部表面和至少一个侧面中的至少一个表面的中心。
8.根据权利要求7所述的辐射探测器，其中阳极电极包括彼此平行延伸的多个子电极。
9.根据权利要求7所述的辐射探测器，其中阳极电极布置在半导体晶体的顶部表面和底部表面上。
10.根据权利要求7所述的辐射探测器，其中阳极电极布置在半导体晶体的顶部表面和与顶部表面相邻的侧面上。
11.根据权利要求1-6中任一项所述的辐射探测器，其中阴极电极完全覆盖其所在的半导体晶体的表面。
12.根据权利要求1-6中任一项所述的辐射探测器，其中阳极电极布置在半导体晶体的顶部表面上，阴极电极布置在半导体晶体的底部表面和与底部表面相邻的侧面上。
13.根据权利要求12所述的辐射探测器，其中阴极电极在与底部表面相邻的侧面上从底部表面向顶部表面延伸至未到达顶部表面的高度。
14.根据权利要求12所述的辐射探测器，其中阴极电极在与底部表面相邻的两个侧面上分别从底部表面向顶部表面延伸不同的高度。
15.根据权利要求12所述的辐射探测器，其中半导体晶体的底部表面和与底部表面相邻的侧面之间的棱角倒圆。
16.根据权利要求12所述的辐射探测器，其中阴极电极位于半导体晶体的底部表面和与底部表面相邻的侧面之间的棱角处的部分局部地去除。
17.根据权利要求12所述的辐射探测器，其中半导体晶体的底部表面和与顶部表面相邻的侧面之间的棱角倒圆。
18.根据权利要求1-6中任一项所述的辐射探测器，还包括在阳极电极的两侧形成平行于阳极条的半导体晶体表面中的凹槽。
19.根据权利要求1-6中任一项所述的辐射探测器，还包括在阳极电极的两侧形成平行于阳极条的半导体晶体表面上的保护导体。
20.根据权利要求19所述的辐射探测器，其中保护导体位于半导体晶体的与阳极电极所处的表面相同的表面上。
21.根据权利要求19所述的辐射探测器，其中保护导体位于半导体晶体的与阳极电极所处的表面相邻的表面上。
22.根据权利要求19所述的辐射探测器，其中保护导体位于阳极电极所处的表面以及与该表面相邻的表面之间的棱角上。
23.根据权利要求1所述的辐射探测器，其中半导体晶体由选自Ge、HgI2、GaAs、TiBr、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI2和AlSb中的一种组成。
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