CN106057860A - Oled显示装置及其制作方法 - Google Patents

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CN106057860A CN201610643931.2A CN201610643931A CN106057860A CN 106057860 A CN106057860 A CN 106057860A CN 201610643931 A CN201610643931 A CN 201610643931A CN 106057860 A CN106057860 A CN 106057860A
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Abstract

本发明提供一种OLED显示装置及其制作方法，通过将磁性材料层设置于封装盖板中，在发光层中添加具有三线态‑三线态湮灭效应的荧光材料，使磁性材料层产生的磁场作用于OLED器件的发光层，增强发光层中的三线态‑三线态湮灭效应从而提高发光层的发光效率，提高OLED显示装置的显示效果，延长OLED显示装置的使用寿命。

Description

OLED显示装置及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及其制作方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，已成为一种极具发展前景的平板显示技术，并得到了各大显示器厂家的青睐，成为继CRT(Cathode Ray Tube)显示器与液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)之后的第三代显示器。
然而，虽然OLED显示器已经成功商业化生产，其发光效率还有待进一步提高，特别是蓝光OLED的效率。
目前提高OLED效率的方法主要集中在两个方面，一方面是从器件结构着手，优化器件结构，使其达到最优的电学性质，提高效率，同时还可以优化光学效应，使器件内部光子尽可能多的发射到外部；另一方面是从材料入手，开发高发光效率的材料，例如磷光材料，它可以实现100％的内量子效率。然而，蓝色磷光OLED的寿命很短，并不具有实用性。为解决蓝光OLED显示器效率低寿命短的问题，人们开始采用具有三线态-三线态湮灭(triplet-triplet annihilation，TTA)效应的荧光材料用于蓝光OLED，TTA可以使两个三线态湮灭形成一个单线态激子，从而提高器件的效率。理论上，采用具有TTA效应的荧光材料的OLED的内量子效率可以达到40％～62.5％。
另外，研究表明，适当大小的磁场可以增加器件中TTA产生单线态激子的概率，并且它并不会减弱磷光材料的发光。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示装置，能够提高发光层的发光效率，提高OLED显示装置的显示效果，延长OLED显示装置的使用寿命。
本发明的目的还在于提供一种OLED显示装置的制作方法，能够提高发光层的发光效率，提高OLED显示装置的显示效果，延长OLED显示装置的使用寿命。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED显示装置，包括相对设置的衬底基板与封装盖板、设于所述衬底基板朝向所述封装盖板一侧上的OLED器件、以及设于所述OLED器件外围用于密封连接所述衬底基板与封装盖板的封装胶；
所述OLED器件包括至少一发光层，所述OLED器件的至少一发光层包含具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料；
所述封装盖板包括盖板及设于所述盖板朝向OLED器件一侧上的磁性材料层。
所述磁性材料层包含镍、钴、铁、锰、铋、氧化亚铁-氧化铁复合物、一氧化镍-氧化铁复合物、锰铋合金、一氧化锰-氧化铁复合物、及钕铁硼合金中的至少一种；
所述封装盖板还包括覆盖于所述磁性材料层上的聚合物层。
所述磁性材料层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述OLED器件在所述衬底基板上的正投影；
所述磁性材料层产生的磁场在OLED器件处的大小为5～500mT。
所述OLED器件包括在所述衬底基板上从下到上依次层叠设置的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、蓝光发光层、第一电子传输层、电荷生成层、第二空穴传输层、黄光发光层、第二电子传输层、电子注入层、以及阴极；所述蓝光发光层包含具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料。
所述具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料为2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽，所述2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽的结构式为
本发明还提供一种OLED显示装置的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板，在衬底基板上制作OLED器件，所述OLED器件包括至少一发光层，所述OLED器件的至少一发光层包含具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料；
步骤2、提供一盖板，在所述盖板上制作磁性材料层，得到封装盖板；
步骤3、在封装盖板上对应OLED器件的周围涂布封装胶，将所述衬底基板上设有OLED器件的一侧与封装盖板上设有磁性材料层的一侧对应贴合，对封装胶进行固化后，得到一OLED显示装置。
所述磁性材料层包含镍、钴、铁、锰、铋、氧化亚铁-氧化铁复合物、一氧化镍-氧化铁复合物、锰铋合金、一氧化锰-氧化铁复合物、及钕铁硼合金中的至少一种；
所述步骤2还包括：在所述磁性材料层上制作覆盖所述磁性材料层的聚合物层。
所述步骤3得到的OLED显示装置中，所述磁性材料层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述OLED器件在所述衬底基板上的正投影；
所述磁性材料层产生的磁场在OLED器件处的大小为5～500mT。
所述OLED器件包括在所述衬底基板上从下到上依次层叠设置的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、蓝光发光层、第一电子传输层、电荷生成层、第二空穴传输层、黄光发光层、第二电子传输层、电子注入层、以及阴极；所述蓝光发光层包含具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料。
所述具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料为2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽，所述2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽的结构式为
本发明的有益效果：本发明提供的一种OLED显示装置及其制作方法，通过将磁性材料层设置于封装盖板中，在发光层中添加具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料，使磁性材料层产生的磁场作用于OLED器件的发光层，增强发光层中的三线态-三线态湮灭效应从而提高发光层的发光效率，提高OLED显示装置的显示效果，延长OLED显示装置的使用寿命。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的OLED显示装置的结构示意图；
图2为本发明的OLED显示装置的制备方法的流程图；
图3-4为本发明的OLED显示装置的制备方法的步骤2的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明提供一种OLED显示装置，包括衬底基板10、与衬底基板10相对设置的封装盖板20、设于所述衬底基板10朝向所述封装盖板20一侧上的OLED器件30、以及设于所述OLED器件30外围用于密封连接所述衬底基板10与封装盖板20的封装胶40；
所述OLED器件30包括至少一发光层，所述OLED器件30的至少一发光层包含具有三线态-三线态湮灭(triplet-triplet annihilation，TTA)效应的发光材料；
所述封装盖板20包括盖板21及设于所述盖板21朝向OLED器件30一侧上的磁性材料层22。
本发明利用适当大小的磁场可以提高三线态-三线态湮灭效应产生单线态激子的概率的特点，将磁性材料层22添加于封装盖板20中，在发光层中添加具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料，从而提高发光层的发光效率，进而提高OLED显示装置的显示效果及使用寿命。
具体的，所述磁性材料层22包含镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、锰(Mn)、铋(Bi)、氧化亚铁-氧化铁复合物(FeO-Fe2O3)、一氧化镍-氧化铁复合物(NiO-Fe2O3)、锰铋合金(MnBi)、一氧化锰-氧化铁复合物(MnO-Fe2O3)、及钕铁硼合金(NdFeB)中的至少一种。
具体的，所述磁性材料层22可以具有单层结构或者多层复合结构。
优选的，所述磁性材料层22在所述衬底基板10上的正投影覆盖所述OLED器件30在所述衬底基板10上的正投影，从而使所述磁性材料层22的磁场覆盖所述OLED器件30，保证所述OLED器件30的发光层不同区域的发光效率的均一性。
具体的，所述磁性材料层22产生的磁场在OLED器件30处的大小为5～500mT。
具体的，所述盖板21为透明硬质基板或者透明柔性基板，优选为透明硬质基板，所述透明硬质基板优选为透明玻璃基板。可选的，所述盖板21具有弱磁性。
优选的，所述封装盖板20还包括覆盖于所述磁性材料层22上的聚合物层23，所述聚合物层23可对磁性材料层22进行保护，使其不受水氧腐蚀。
优选的，所述聚合物层23的材料为聚酰亚胺。
优选的，如图1所示，所述OLED器件30包括在所述衬底基板10上从下到上依次层叠设置的阳极31、空穴注入层32、第一空穴传输层33、蓝光发光层34、第一电子传输层35、电荷生成层36、第二空穴传输层37、黄光发光层38、第二电子传输层39、电子注入层61、以及阴极62；所述蓝光发光层34包含具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料。
优选的，所述具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料为2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene，MADN)，所述2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽的结构式为
具体的，所述蓝光发光层34还包含TBPe(2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene)，所述TBPe的结构式为
优选的，所述蓝光发光层34包含95wt％的2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽以及5wt％的TBPe。
具体的，所述黄光发光层38包含4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯(4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl，CBP)与PO-01(Bis(4-phenyl-thieno[3,2-c]pyridinato-C2,N)(acetylacetonato)Iridium(III))。
所述4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯的结构式为
所述PO-01的结构式为
优选的，所述黄光发光层38中，所述4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯的含量为95wt％，所述PO-01的含量为5wt％。
具体的，所述阳极31包含透明导电金属氧化物，所述透明导电金属氧化物优选为氧化铟锡(ITO)。
具体的，所述空穴注入层32包含2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(Dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile，HATCN)，所述2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯的结构式为
具体的，所述第一空穴传输层33包含1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(4,4'-yclohexylidenebis[N,N-bis(p-tolyl)aniline]，TAPC)，所述1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷的结构式为
具体的，所述第一电子传输层35包含1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene，TPBi)，所述1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯的结构式为
具体的，所述电荷生成层36包括两结构层，其中一结构层包含96wt％的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene，TPBi)与4wt％的锂(Lithium，Li)，另一结构层包含2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(Dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile，HATCN)。
具体的，所述第二空穴传输层37包含1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(4,4'-yclohexylidenebis[N,N-bis(p-tolyl)aniline]，TAPC)。
具体的，所述第二电子传输层39包含1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene，TPBi)。
具体的，所述电子注入层61包含氟化锂(Lithium Fluoride，LiF)。
具体的，所述阴极62包含银(Ag)。
优选的，所述阳极31的厚度为75nm，所述空穴注入层32的厚度为25nm，所述第一空穴传输层33的厚度为60nm，所述蓝光发光层34的厚度为25nm，所述第一电子传输层35的厚度为20nm，所述电荷生成层36的厚度为20nm，所述第二空穴传输层37的厚度为35nm，所述黄光发光层38的厚度为25nm，所述第二电子传输层39的厚度为50nm，所述电子注入层61的厚度为1nm，所述阴极62的厚度为200nm。
具体的，所述衬底基板10包括衬底11、设于所述衬底11上的薄膜晶体管阵列层12、设于所述薄膜晶体管阵列层12上的彩色滤光片13、以及设于所述彩色滤光片13上的平坦层14。
具体的，所述彩色滤光片13包括红色滤光片、绿色滤光片、及蓝色滤光片。
具体的，所述衬底11为透明硬质基板或者透明柔性基板，优选为透明硬质基板，所述透明硬质基板优选为透明玻璃基板。
所述OLED器件30中，所述蓝光发光层34发出的蓝光与所述黄光发光层38发出的黄光混合在一起形成白光，所述白光透过所述彩色滤光片13形成红、绿、蓝光，从而实现彩色显示。
具体的，所述封装胶40包括UV胶、及熔融玻璃粉中的至少一种。
优选的，所述UV胶含有环氧树脂。
进一步的，所述OLED显示装置还包括填充于所述衬底基板10与封装盖板20之间被封装胶40围成的空间内的干燥剂50，从而进一步提高OLED器件30的封装效果。
上述OLED显示装置，通过将磁性材料层22添加于封装盖板20中，在发光层中添加具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料，使磁性材料层22产生的磁场作用于OLED器件30的发光层，增强发光层中的三线态-三线态湮灭效应从而提高发光层的发光效率，提高OLED显示装置的显示效果，延长OLED显示装置的使用寿命。
请参阅图2，同时参阅图1及图3-4，本发明还提供一种OLED显示装置的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板10，在衬底基板10上制作OLED器件30，所述OLED器件30包括至少一发光层，所述OLED器件30的至少一发光层包含具有三线态-三线态湮灭(triplet-triplet annihilation，TTA)效应的发光材料。
优选的，如图1所示，所述OLED器件30包括在所述衬底基板10上从下到上依次层叠设置的阳极31、空穴注入层32、第一空穴传输层33、蓝光发光层34、第一电子传输层35、电荷生成层36、第二空穴传输层37、黄光发光层38、第二电子传输层39、电子注入层61、以及阴极62；所述蓝光发光层34包含具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料。
优选的，所述具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料为2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene，MADN)，所述2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽的结构式为
具体的，所述蓝光发光层34还包含TBPe(2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene)，所述TBPe的结构式为
优选的，所述蓝光发光层34包含95wt％的2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽以及5wt％的TBPe。
具体的，所述黄光发光层38包含4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯(4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl，CBP)与PO-01(Bis(4-phenyl-thieno[3,2-c]pyridinato-C2,N)(acetylacetonato)Iridium(III))。
所述4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯的结构式为
所述PO-01的结构式为
优选的，所述黄光发光层38中，所述4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯的含量为95wt％，所述PO-01的含量为5wt％。
具体的，所述阳极31包含透明导电金属氧化物，所述透明导电金属氧化物优选为氧化铟锡(ITO)。
具体的，所述空穴注入层32包含2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(Dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile，HATCN)，所述2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯的结构式为
具体的，所述第一空穴传输层33包含1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(4,4'-yclohexylidenebis[N,N-bis(p-tolyl)aniline]，TAPC)，所述1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷的结构式为
具体的，所述第一电子传输层35包含1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene，TPBi)，所述1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯的结构式为
具体的，所述电荷生成层36包括两结构层，其中一结构层包含96wt％的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene，TPBi)与4wt％的锂(Lithium，Li)，另一结构层包含2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(Dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile，HATCN)。
具体的，所述第二空穴传输层37包含1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(4,4'-yclohexylidenebis[N,N-bis(p-tolyl)aniline]，TAPC)。
具体的，所述第二电子传输层39包含1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene，TPBi)。
具体的，所述电子注入层61包含氟化锂(Lithium Fluoride，LiF)。
具体的，所述阴极62包含银(Ag)。
优选的，所述阳极31的厚度为75nm，所述空穴注入层32的厚度为25nm，所述第一空穴传输层33的厚度为60nm，所述蓝光发光层34的厚度为25nm，所述第一电子传输层35的厚度为20nm，所述电荷生成层36的厚度为20nm，所述第二空穴传输层37的厚度为35nm，所述黄光发光层38的厚度为25nm，所述第二电子传输层39的厚度为50nm，所述电子注入层61的厚度为1nm，所述阴极62的厚度为200nm。
具体的，所述OLED器件30中，所述阳极31采用溅射的方法制备，所述空穴注入层32、第一空穴传输层33、蓝光发光层34、第一电子传输层35、电荷生成层36、第二空穴传输层37、黄光发光层38、第二电子传输层39、电子注入层61、及阴极62均采用真空蒸镀的方法制备。
具体的，所述衬底基板10包括衬底11、设于所述衬底11上的薄膜晶体管阵列层12、设于所述薄膜晶体管阵列层12上的彩色滤光片13、以及设于所述彩色滤光片13上的平坦层14。
具体的，所述彩色滤光片13包括红色滤光片、绿色滤光片、及蓝色滤光片。
具体的，所述衬底11为透明硬质基板或者透明柔性基板，优选为透明硬质基板，所述透明硬质基板优选为透明玻璃基板。
所述OLED器件30中，所述蓝光发光层34发出的蓝光与所述黄光发光层38发出的黄光混合在一起形成白光，所述白光透过所述彩色滤光片13形成红、绿、蓝光，从而实现彩色显示。
步骤2、如图3-4所示，提供一盖板21，在所述盖板21上制作磁性材料层22，得到封装盖板20。
具体的，所述磁性材料层22可以采用溅射工艺或者电沉积工艺直接在盖板21上制备，也可以采用贴片的方式将磁性材料薄膜贴附于盖板21上。
具体的，所述磁性材料层22包含镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、锰(Mn)、铋(Bi)、氧化亚铁-氧化铁复合物(FeO-Fe2O3)、一氧化镍-氧化铁复合物(NiO-Fe2O3)、锰铋合金(MnBi)、一氧化锰-氧化铁复合物(MnO-Fe2O3)、及钕铁硼合金(NdFeB)中的至少一种。
具体的，所述磁性材料层22可以具有单层结构或者多层复合结构。
优选的，所述磁性材料层22在所述衬底基板10上的正投影覆盖所述OLED器件30在所述衬底基板10上的正投影，从而使所述磁性材料层22的磁场覆盖所述OLED器件30，保证所述OLED器件30的发光层不同区域的发光效率的均一性。
具体的，所述磁性材料层22产生的磁场在OLED器件30处的大小为5～500mT。
具体的，所述盖板21为透明硬质基板或者透明柔性基板，优选为透明硬质基板，所述透明硬质基板优选为透明玻璃基板。可选的，所述盖板21具有弱磁性。
优选的，所述步骤2还包括：在所述磁性材料层22上制作覆盖所述磁性材料层22的聚合物层23，对磁性材料层22进行保护，使其不受水氧腐蚀。
优选的，所述聚合物层23的材料为聚酰亚胺。
步骤3、在封装盖板20上对应OLED器件30的周围涂布封装胶40，将所述衬底基板10上设有OLED器件30的一侧与封装盖板20上设有磁性材料层22的一侧对应贴合，对封装胶40进行固化后，得到一OLED显示装置。
优选的，所述步骤3还包括：在所述衬底基板10与封装盖板20对位贴合前，在所述封装盖板20上对应所述封装胶40的内侧涂布干燥剂50，从而进一步提高OLED器件30的封装效果。
具体的，所述封装胶40包括UV胶、及熔融玻璃粉中的至少一种。
优选的，所述UV胶含有环氧树脂。
当所述封装胶40为UV胶时，采用紫外照射的方法对封装胶40进行固化。
当所述封装胶40为熔融玻璃粉时，采用激光照射的方法对封装胶40进行固化。
上述OLED显示装置的制作方法，通过将磁性材料层22添加于封装盖板20中，在发光层中添加具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料，使磁性材料层22产生的磁场作用于OLED器件30的发光层，增强发光层中的三线态-三线态湮灭效应从而提高发光层的发光效率，提高OLED显示装置的显示效果，延长OLED显示装置的使用寿命。
综上所述，本发明提供一种OLED显示装置及其制作方法，通过将磁性材料层设置于封装盖板中，在发光层中添加具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料，使磁性材料层产生的磁场作用于OLED器件的发光层，增强发光层中的三线态-三线态湮灭效应从而提高发光层的发光效率，提高OLED显示装置的显示效果，延长OLED显示装置的使用寿命。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED显示装置，其特征在于，包括相对设置的衬底基板(10)与封装盖板(20)、设于所述衬底基板(10)朝向所述封装盖板(20)一侧上的OLED器件(30)、以及设于所述OLED器件(30)外围用于密封连接所述衬底基板(10)与封装盖板(20)的封装胶(40)；
所述OLED器件(30)包括至少一发光层，所述OLED器件(30)的至少一发光层包含具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料；
所述封装盖板(20)包括盖板(21)及设于所述盖板(21)朝向OLED器件(30)一侧上的磁性材料层(22)。
2.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述磁性材料层(22)包含镍、钴、铁、锰、铋、氧化亚铁-氧化铁复合物、一氧化镍-氧化铁复合物、锰铋合金、一氧化锰-氧化铁复合物、及钕铁硼合金中的至少一种；
所述封装盖板(20)还包括覆盖于所述磁性材料层(22)上的聚合物层(23)。
3.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述磁性材料层(22)在所述衬底基板(10)上的正投影覆盖所述OLED器件(30)在所述衬底基板(10)上的正投影；
所述磁性材料层(22)产生的磁场在OLED器件(30)处的大小为5～500mT。
4.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述OLED器件(30)包括在所述衬底基板(10)上从下到上依次层叠设置的阳极(31)、空穴注入层(32)、第一空穴传输层(33)、蓝光发光层(34)、第一电子传输层(35)、电荷生成层(36)、第二空穴传输层(37)、黄光发光层(38)、第二电子传输层(39)、电子注入层(61)、以及阴极(62)；所述蓝光发光层(34)包含具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料。
5.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料为2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽，所述2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽的结构式为
6.一种OLED显示装置的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一衬底基板(10)，在衬底基板(10)上制作OLED器件(30)，所述OLED器件(30)包括至少一发光层，所述OLED器件(30)的至少一发光层包含具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料；
步骤2、提供一盖板(21)，在所述盖板(21)上制作磁性材料层(22)，得到封装盖板(20)；
步骤3、在封装盖板(20)上对应OLED器件(30)的周围涂布封装胶(40)，将所述衬底基板(10)上设有OLED器件(30)的一侧与封装盖板(20)上设有磁性材料层(22)的一侧对应贴合，对封装胶(40)进行固化后，得到一OLED显示装置。
7.如权利要求6所述的OLED显示装置的制作方法，其特征在于，所述磁性材料层(22)包含镍、钴、铁、锰、铋、氧化亚铁-氧化铁复合物、一氧化镍-氧化铁复合物、锰铋合金、一氧化锰-氧化铁复合物、及钕铁硼合金中的至少一种；
所述步骤2还包括：在所述磁性材料层(22)上制作覆盖所述磁性材料层(22)的聚合物层(23)。
8.如权利要求6所述的OLED显示装置的制作方法，其特征在于，所述步骤3得到的OLED显示装置中，所述磁性材料层(22)在所述衬底基板(10)上的正投影覆盖所述OLED器件(30)在所述衬底基板(10)上的正投影；
所述磁性材料层(22)产生的磁场在OLED器件(30)处的大小为5～500mT。
9.如权利要求6所述的OLED显示装置的制作方法，其特征在于，所述OLED器件(30)包括在所述衬底基板(10)上从下到上依次层叠设置的阳极(31)、空穴注入层(32)、第一空穴传输层(33)、蓝光发光层(34)、第一电子传输层(35)、电荷生成层(36)、第二空穴传输层(37)、黄光发光层(38)、第二电子传输层(39)、电子注入层(61)、以及阴极(62)；所述蓝光发光层(34)包含具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料。
10.如权利要求6所述的OLED显示装置的制作方法，其特征在于，所述具有三线态-三线态湮灭效应的荧光材料为2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽，所述2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽的结构式为
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106384787A (zh) * 2016-11-30 2017-02-08 成都京东方光电科技有限公司 有机发光二极管组件和灯具
CN109411616A (zh) * 2018-11-02 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN109705665A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 Tcl集团股份有限公司 一种复合墨水及其制备方法、器件
CN109962135A (zh) * 2019-03-29 2019-07-02 吉林师范大学 电致发光器件
CN110599956A (zh) * 2019-09-19 2019-12-20 昆山国显光电有限公司 一种显示装置以及显示装置的显示亮度的调节方法
WO2020113517A1 (zh) * 2018-12-06 2020-06-11 深圳市柔宇科技有限公司 有机发光二极管器件及其制备方法、显示面板及显示装置
CN111450421A (zh) * 2020-04-10 2020-07-28 北京夏禾科技有限公司 一种可穿戴的光疗装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101661995A (zh) * 2009-09-29 2010-03-03 吉林大学 一种能够形成自旋极化注入的有机电致发光器件
CN101919073A (zh) * 2008-01-11 2010-12-15 财团法人工业技术研究院 磁场内的发光装置
US20110233604A1 (en) * 2010-03-24 2011-09-29 Takeshi Ikeda Organic electroluminescence device
CN104078592A (zh) * 2013-03-27 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101919073A (zh) * 2008-01-11 2010-12-15 财团法人工业技术研究院 磁场内的发光装置
CN101661995A (zh) * 2009-09-29 2010-03-03 吉林大学 一种能够形成自旋极化注入的有机电致发光器件
US20110233604A1 (en) * 2010-03-24 2011-09-29 Takeshi Ikeda Organic electroluminescence device
CN104078592A (zh) * 2013-03-27 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106384787A (zh) * 2016-11-30 2017-02-08 成都京东方光电科技有限公司 有机发光二极管组件和灯具
CN106384787B (zh) * 2016-11-30 2018-09-04 成都京东方光电科技有限公司 有机发光二极管组件和灯具
US10566563B2 (en) 2016-11-30 2020-02-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode component and lamp
CN109705665A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 Tcl集团股份有限公司 一种复合墨水及其制备方法、器件
CN109411616A (zh) * 2018-11-02 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
WO2020113517A1 (zh) * 2018-12-06 2020-06-11 深圳市柔宇科技有限公司 有机发光二极管器件及其制备方法、显示面板及显示装置
CN112640145A (zh) * 2018-12-06 2021-04-09 深圳市柔宇科技股份有限公司 有机发光二极管器件及其制备方法、显示面板及显示装置
CN109962135A (zh) * 2019-03-29 2019-07-02 吉林师范大学 电致发光器件
CN109962135B (zh) * 2019-03-29 2021-08-17 吉林师范大学 电致发光器件
CN110599956A (zh) * 2019-09-19 2019-12-20 昆山国显光电有限公司 一种显示装置以及显示装置的显示亮度的调节方法
CN111450421A (zh) * 2020-04-10 2020-07-28 北京夏禾科技有限公司 一种可穿戴的光疗装置

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