CN106816536A - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括：第一发光部、在第一发光部上的第二发光部、以及在第一发光部与第二发光部之间的第一P型电荷生成层。第一发光部包括第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层。第二发光部包括第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层。第二空穴传输层和第一P型电荷生成层设置为彼此相邻。第二空穴传输层包含第一材料和第二材料。第一材料的HOMO能级的绝对值大于第一P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值。

Description

有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年11月30日提交的韩国专利申请第10-2015-0168749号的优先权权益，其通过引用合并到本文中如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开涉及有机发光显示装置，并且更具体地，涉及其中驱动电压降低并且效率或寿命提高的有机发光显示装置。
背景技术
近来，随着社会向信息导向社会进步，视觉上表现电子信息信号的显示装置的领域正在快速地进步。在薄、轻和低功耗方面具有极好性能的各种显示装置正在相应地发展。
显示装置的实例包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置、有机发光显示装置等。
特别地，有机发光显示装置是自发光装置。与其他显示装置相比，有机发光显示装置具有快速响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角，并且因此受到大量关注。
发明内容
因此，本公开涉及提供一种基本上避免了由于相关技术的限制和缺点所造成的一个或更多个问题的有机发光显示装置。
有机发光装置配置为如下结构：在基板上形成有阳极，并且在阳极上形成有空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。空穴传输层、发光层和电子传输层各自由有机化合物形成。当在阳极与阴极之间施加电压时，从阳极注入的空穴通过空穴传输层移动至发光层，并且从阴极注入的电子通过电子传输层移动至发光层。作为载流子的电子和空穴在发光层中复合以生成激子，并且当所生成的激子从激发态转变至基态时发光。在此，其中电子和空穴复合的区域可以称为复合区域或发光区域(或发光区)。
此外，当有机发光装置配置有两个发光部时，有机发光装置包括用于调节两个发光部之间电荷平衡的N型电荷生成层和P型电荷生成层。P型电荷生成层具有包括基质和P型掺杂剂的基质-掺杂剂结构。在这种情况下，需要通过调节包含在P型电荷生成层中的基质和掺杂剂的浓度来实施共沉积的工艺，但是该工艺导致包括在有机发光装置中的有机层之间的基于时间的偏差，以使有机发光装置的可靠性劣化。此外，当P型电荷生成层由单一材料形成时，与P型电荷生成层相邻的空穴传输层的空穴注入特性改变，并且由于这个原因，驱动电压提高，或者效率或寿命降低。此外，由于对P型电荷生成层掺杂的P型掺杂剂材料是昂贵的，因此有机发光显示装置的制造成本无法降低。
因此，发明人认识到上述限制并且进行了各种试验以通过调整相邻于配置为不包含掺杂剂结构的P型电荷生成层的空穴传输层的特性来提高效率或寿命。通过各种试验，发明人发明了一种具有新型结构的用于提高效率或寿命的有机发光显示装置。
本公开的一个方面涉及提供一种有机发光显示装置，其中通过将具有最低未占分子轨道(LUMO)能级的绝对值大于P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值的材料与具有空穴迁移率高于P型电荷生成层的空穴迁移率的材料组合，来配置与P型电荷生成层相邻的空穴传输层，从而降低驱动电压并且提高效率或寿命。
本公开的另一方面涉及提供一种有机发光显示装置，其中通过两个层(例如具有高空穴迁移率的层和具有电子阻挡特性的层)来配置与P型电荷生成层相邻的空穴传输层，从而降低驱动电压并且提高效率或寿命。
本公开的目的不限于前述，并且根据以下描述，本领域技术人员将清楚地理解本文中未描述的其他目的。
本公开的另外的优点和特征将在随后的描述中部分地阐述，并且在本领域技术人员研究以下内容时将部分地变得明显，或者可以通过本公开的实践而获知这些优点和特征。通过在书面描述及其权利要求书以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本公开的目的和其他优点。
为了获得这些优点和其他优点并且根据本公开的目的，如本文中所呈现和大致描述的，提供了一种有机发光显示装置，包括：第一发光部，该第一发光部包括第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层；在第一发光部上的第二发光部，该第二发光部包括第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层；以及在第一发光部与第二发光部之间的第一P型电荷生成层，其中第二空穴传输层和第一P型电荷生成层设置为彼此相邻，并且第二空穴传输层包含第一材料和第二材料，第一材料的最高已占分子轨道(HOMO)能级的绝对值大于第一P型电荷生成层的最低未占分子轨道(LUMO)能级的绝对值。
在本公开的另一方面，提供了一种有机发光显示装置，包括：第一发光部，该第一发光部包括第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层；在第一发光部上的第二发光部，该第二发光部包括第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层；在第二发光部上的第三发光部，该第三发光部包括第三空穴传输层、第三发光层和第三电子传输层；在第一发光部与第二发光部之间的第一P型电荷生成层；以及在第二发光部与第三发光部之间的第二P型电荷生成层，其中有机发光显示装置包括在第三空穴传输层上的第四空穴传输层，并且第三空穴传输层的HOMO能级的绝对值和第四空穴传输层的HOMO能级的绝对值调整为相同。
在以下详细描述和附图中包括了本公开的实施方案的细节。
应理解的是，本公开的前述总体描述和以下详细描述均是示例性的和说明性的，并且旨在提供所要求保护的本公开的进一步说明。
附图说明
本申请包括附图以提供对本公开的进一步理解并且附图并入本申请中并构成本申请的一部分，附图示出了本公开的实施方案，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。在附图中：
图1是示出根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置的图；
图2是示出根据本公开的第一实施方案的有机发光装置的图；
图3是示出根据本公开的第二实施方案的有机发光装置的图；以及
图4是示出根据本公开的第三实施方案的有机发光装置的图。
具体实施方式
现在将详细参照本公开的示例性实施方案，在附图中示出了本公开的示例性实施方案的实例。贯穿附图将尽可能使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。
将通过参照附图描述的以下实施方案来阐明本公开的优点和特征以及本公开的实现方法。然而，本公开可以以不同的形式来呈现并且不应解释为限于本文中所阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开将是充分和完整的，并且将对本领域技术人员充分传达本公开的范围。此外，本公开仅由权利要求的范围来限定。
在用于描述本公开的实施方案的附图中所公开的形状、尺寸、比例、角度和数字仅为实例，并且因此，本公开不限于所示出的细节。在通篇中相同的附图标记指代相似的元件。在以下描述中，在确定相关已知功能或配置的详细描述不必要地使本公开的重点模糊的情况下，将省略该详细描述。在本说明书中使用描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，除了使用“仅…”之外，可以添加另一部件。除非被指出与此相反，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在解释元件时，虽然未明确描述，但是元件解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，在两个部件之间的位置关系描述为“在…上”、“在…上方”、“在…下”和“靠近…”的情况下，除非使用“仅仅”或“直接”，否则可以在两个部件之间设置一个或更多个其他部件。
在描述时间关系时，例如，在时间顺序描述为“在…之后”、“随后…”、“接下来…”和“在…之前”的情况下，除非使用“紧接着”或“直接”，否则可以包括不连续的情况，。
应理解的是，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应当受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。例如，在不脱离本公开范围的情况下，第一元件可以称为第二元件，并且类似地，第二元件可以称为第一元件。
本公开的各个实施方案的特征可以彼此部分地或整体地耦合或结合，并且如本领域技术人员能够充分理解的，所述特征可以以各种方式彼此交互操作并且在技术上被驱动。本公开的实施方案可以彼此独立地实施，或者可以以相互依赖的关系一起实施。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施方案。
图1是示出根据本公开的一个实施方案的有机发光显示装置1000的图。根据本公开的所有实施方案的有机发光显示装置的所有部件是可操作地耦联和配置的。
参照图1，有机发光显示装置1000可以包括基板101、第一电极102、发光部1180以及第二电极104。有机发光显示装置1000可以包括多个像素P。像素P表示对应于其中实际发射光的最小单元的区域，并且可以称为子像素或像素区。此外，特定多个像素P可以构成用于实现白光的最小组。例如，三个像素可以构成一个组，即，红色像素、绿色像素和蓝色像素可以构成一个组。或者，四个像素可以构成一个组，即，红色像素、绿色像素、蓝色像素和白色像素可以构成一个组。然而，本实施方案不限于此，并且可以进行各种像素设计。在图1中，为了方便描述和为了简洁，仅示出一个像素P。
薄膜晶体管(TFT)可以包括栅电极1115、栅极绝缘层1120、半导体层1131、源电极1133和漏电极1135。TFT可以设置在基板101上，并且可以向包括第一电极102、发光部1180和第二电极104的有机发光装置提供信号。图1中所示的TFT可以为连接至第一电极102的驱动TFT。还可以在基板101上设置用于驱动有机发光装置的开关TFT或电容器。此外，在图1中，TFT示出为具有反向交错结构，但是可以形成为其它结构例如共平面结构。
基板101可以由绝缘材料或具有柔性的材料形成。基板101可以由玻璃、金属、塑料等形成，但是不限于此。如果有机发光显示装置是柔性有机发光显示装置，则基板101可以由柔性材料如塑料等形成。此外，如果将易于实现为柔性的有机发光装置应用于车辆的照明装置，则根据车辆的结构或外观，确保用于车辆的灯装置的各种设计以及设计的自由度。
栅电极1115可以形成在基板101上，并且可以连接至栅极线。栅电极1115可以包括由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)，钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金中的一种材料形成的多层。
栅极绝缘层1120可以形成在栅电极1115上并且可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多层来形成，但是不限于此。
半导体层1131可以形成在栅极绝缘层1120上并且可以由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、氧化物半导体或有机半导体形成。当半导体层1131由氧化物半导体形成时，半导体层1131可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)形成，但是不限于此。此外，蚀刻停止层可以在半导体层1131上形成并且可以保护半导体层1131，但是蚀刻停止层可以根据装置的配置而省略。
源电极1133和漏电极1135可以形成在半导体层1131上。源电极1133和漏电极1135可以由单个层或多层形成，并且可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金中的一种材料形成。
可以在源电极1133和漏电极1135上形成钝化层1140，并且钝化层1140可以由SiOx、SiNx或其多层形成。或者，钝化层1140可以由丙烯酸类树脂或聚酰亚胺树脂形成，但是不限于此。
可以在钝化层1140上形成滤色器层1145，并且虽然在附图中仅示出了一个子像素，但是滤色器层1145可以形成在红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素中的每一个中。滤色器层1145可以包括被图案化并且形成在各自子像素中的红色(R)滤色器、绿色(G)滤色器和蓝色(B)滤色器。滤色器层1145仅透过在由发光部1180发射的白光中的具有特定波长的光。
可以在滤色器层1145上形成外涂层1150，并且外涂层1150可以由丙烯酸类树脂、聚酰亚胺树脂、SiOx、SiNx或其多层形成，但是不限于此。
第一电极102可以形成在外涂层1150上并且可以由作为透明导电材料例如透明导电氧化物(TCO)的铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成，但是不限于此。第一电极102可以通过形成在钝化层1140和外涂层1150的特定区域中的接触孔CH电连接至漏电极1135。在图1中，漏电极1135示出为电连接至第一电极102，但是本实施方案不限于此。作为另一实例，源电极1133可以通过形成在钝化层1140和外涂层1150的特定区域中的接触孔CH电连接至第一电极102。
图1的有机发光显示装置1000可以为底部发光型，从发光部1180发出的光可以沿向下方向传输穿过第一电极102。此外，当有机发光显示装置1000为顶部发光型时，从发光部1180发出的光可以沿向上方向传输穿过第二电极104。
堤层1170可以在第一电极102上形成并且可以限定像素区。堤层1170可以露出第一电极102的顶部的一部分。堤层1170可以由有机材料如苯并环丁烯(BCB)树脂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺树脂等形成。堤层1170可以由具有黑色颜料的感光材料形成。在这种情况下，堤层1170可以用作光阻挡构件。
发光部1180可以形成在堤层1170和第一电极102上。
第二电极104可以形成在发光部1180上并且可以由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)等形成，或者可以由其合金形成。然而，本实施方案不限于此。
此外，还可以在第二电极104上形成封装部。封装部防止水分渗入发光部1180。封装部可以包括其中堆叠不同无机材料的多个层，或者包括其中交替堆叠无机材料和有机材料的多个层。此外，在封装部上还可以形成封装基板。封装基板可以由玻璃、塑料或金属形成。封装基板可以通过粘合剂粘附至封装部。
图2是示出根据本公开的第一实施方案的有机发光装置100的图。
图2中所示的有机发光装置100可以包括基板101、第一电极102、第二电极104、以及在第一电极102与第二电极104之间的发光部1180。发光部1180可以包括第一发光部110、第二发光部120和第三发光部130。
基板101可以由绝缘材料或具有柔性的材料形成。基板101可以由玻璃、金属、塑料等形成，但是不限于此。如果有机发光显示装置是柔性有机发光显示装置，则基板101可以由柔性材料如塑料等形成。此外，如果将易于实现为柔性的有机发光装置应用于车辆的照明装置，则根据车辆的结构或外观，确保用于车辆的灯装置的各种设计以及设计的自由度。
第一电极102为提供空穴的阳极并且可以由作为透明导电材料如透明导电氧化物(TCO)的铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等形成。然而，本实施方案不限于此。
第二电极104为提供电子的阴极并且可以由作为金属材料的金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)等形成，或者可以由其合金形成。然而，本实施方案不限于此。
第一电极102和第二电极104中的每一个可以称为阳极或阴极。或者，第一电极102可以形成为半透射电极，第二电极104可以形成为反射电极。或者，第一电极102可以形成为反射电极，第二电极104可以形成为半透射电极。
第一发光部110可以包括设置在第一电极102上的第一空穴传输层(HTL)112、第一发光层(EML)114、以及第一电子传输层(ETL)116。
在第一电极102上还可以形成空穴注入层(HIL)。HIL可以将由第一电极102提供的空穴平稳地注入第一EML 114中。
第一HTL 112可以将通过HIL提供的空穴提供至第一EML 114。第一ETL 116可以将由第二电极104提供的电子提供至第一EML 114。因此，通过第一HTL 112提供的空穴和通过第一ETL 116提供的电子可以在第一EML 114中复合以生成激子。其中生成激子的区域可以称为复合区域(或复合区)或者发光区域(或发光区)。
第一HTL 112可以配置为具有单个层或两个层。
第一ETL 116可以由两个或更多个层或者两种或更多种材料形成。在第一ETL 116上还可以形成电子注入层(EIL)。
在第一EML 114上还可以形成空穴阻挡层(HBL)。HBL防止注入第一EML 114中的空穴传输至第一ETL 116，并且因此增强电子和空穴在第一EML 114中的复合，从而提高第一EML 114的发光效率。第一ETL 116和HBL可以设置为一个层。此外，第一ETL 116、HBL、以及EIL均可以称为电子传输层。例如，电子传输层可以是用于将电子注入或传输至发光层的层。
在第一EML 114下还可以形成电子阻挡层(EBL)。EBL防止注入第一EML 114中的电子传输至第一HTL 112，并且因此增强电子和空穴在第一EML 114中的复合，从而提高第一EML 114的发光效率。第一HTL 112和EBL可以设置为一个层。此外，第一HTL 112、EBL、以及HIL均可以称为空穴传输层。例如，空穴传输层可以是用于将空穴注入或传输至发光层的层。
第一EML 114可以是发射第一颜色的光的EML。例如，第一EML 114可以包括蓝色EML、深蓝色EML和天蓝色EML中之一。第一EML 114的发光区可以在440nm至480nm的范围内。
第一EML 114可以由包括辅助EML的蓝色EML形成，该辅助EML发射的光的颜色与由蓝色EML发射的光的颜色不同。辅助EML可以配置为具有黄色-绿色EML和红色EML中之一，或者可以通过其组合来配置。当还设置辅助EML时，还可以提高绿色效率或红色效率。当第一EML 114与辅助EML一起设置时，黄色-绿色EML、红色EML或绿色EML可以设置在第一EML 114上或者下。此外，黄色-绿色EML、红色EML或绿色EML可以同样地或者不同地设置为在第一EML 114上和下的辅助EML。可以根据装置的结构和特性来选择性地确定EML的位置或数目，但是本实施方案不限于此。当第一EML 114包括辅助EML时，第一EML 114的发光区可以在440nm至650nm的范围内。
配置第一发光部110的第一HTL 112、第一EML 114、第一ETL 116、EIL、HIL、HBL和EBL均可以称为有机层。
第一EML 114可以包含至少一种基质和掺杂剂。或者，第一EML 114可以包含其中混合至少两种或更多种基质的混合基质以及至少一种掺杂剂。混合基质可以包括具有空穴传输特性的基质和具有电子传输特性的基质。
第二发光部120可以包括第二HTL 122、第二EML 124、以及第二ETL 126。
在第二ETL 126上还可以形成EIL。此外，第二ETL 126可以由两个或更多个层或者两种或更多种材料形成。
在第二EML 124上还可以形成空穴阻挡层(HBL)。HBL防止注入第二EML 124中的空穴传输至第二ETL 126，并且因此增强电子和空穴在第二EML 124中的复合，从而提高第二EML 124的发光效率。第二ETL 126和HBL可以设置为一个层。此外，第二ETL 126、HBL以及EIL均可以称为电子传输层。例如，电子传输层可以是用于将电子注入或传输至发光层的层。
第二HTL 122和HIL均可以称为空穴传输层。例如，空穴传输层可以是用于将空穴注入或传输至发光层的层。
通过第二HTL 122提供的空穴和通过第二ETL 126提供的电子可以在第二EML 124中复合以生成激子。其中生成激子的区域可以称为复合区域(或复合区)或者发光区域(或发光区)。
第二EML 124可以是发射第二颜色的光的EML。例如，第二EML 124可以包括黄色-绿色EML或绿色EML。第二EML 124的发光区可以在510nm至590nm的范围内。
第二EML 124可以包括黄色-绿色EML和红色EML、绿色EML和红色EML、或其组合。其组合可以包括黄色-绿色EML、红色EML、以及黄色-绿色EML，或者可以包括黄色-绿色EML、红色EML、以及绿色EML，但是不限于此。此外，当还形成红色EML时，还提高了红色效率。当还形成红色EML时，可以在黄色-绿色EML或绿色EML上或下形成红色EML。可以根据装置的结构和特性来选择性地确定EML的位置或数目，但是本实施方案不限于此。当在第二EML 124中还设置红色EML时，第二EML 124的发光区可以在510nm至650nm的范围内。
第二EML 124可以包含至少一种基质和掺杂剂。或者，第二EML 124可以包含其中混合至少两种或更多种基质的混合基质以及至少一种掺杂剂。混合基质可以包括具有空穴传输特性的基质和具有电子传输特性的基质。
配置第二发光部120的第二HTL 122、第二EML 124、第二ETL 126、EIL、HIL、HBL和EBL均可以称为有机层。
在第一发光部110与第二发光部120之间还可以设置第一电荷生成层(CGL)。第一CGL可以调整第一发光部110与第二发光部120之间的电荷平衡。第一CGL可以包括第一N型CGL 141和第一P型CGL 142。
第一N型CGL 141可以将电子注入第一发光部110中。第一P型CGL 142可以将空穴注入第二发光部120中。
第一N型CGL 141可以形成为通过如下形成的有机层：对基质掺杂碱金属如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs)或者碱土金属如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)，但是不限于此。
第一P型CGL 142可以形成为不包含掺杂剂的结构。
第三发光部130可以包括设置在第二发光部120上的第三HTL 132、第三EML 134、以及第三ETL 136。
在第三ETL 136上还可以形成EIL。此外，第三ETL 136可以由两个或更多个层或者两种或更多种材料形成。此外，在第三HTL 132下还可以形成HIL。
在第三EML 134上还可以形成HBL。HBL防止注入第三EML 134中的空穴传输至第三ETL 136，并且因此增强电子和空穴在第三EML 134中的复合，从而提高第三EML 134的发光效率。第三ETL 136和HBL可以设置为一个层。此外，第三ETL 136、HBL、以及EIL均可以称为电子传输层。例如，电子传输层可以是用于将电子注入或传输至发光层的层。
在第三EML 134下还可以形成EBL。EBL防止注入第三EML 134中的电子传输至第三HTL 132，并且因此增强电子和空穴在第三EML 134中的复合，从而提高第三EML 134的发光效率。第三HTL 132和EBL可以设置为一个层。此外，第三HTL 132、EBL、以及HIL均可以称为空穴传输层。例如，空穴传输层可以是用于将空穴注入或传输至发光层的层。
通过第三HTL 132提供的空穴和通过第三ETL 136提供的电子可以在第三EML 134中复合以生成激子。其中生成激子的区域可以称为复合区域(或复合区)或者发光区域(或发光区)。
第三EML 134可以是发射具有与第一颜色相同的颜色的光的EML。即，第三EML 134可以包括蓝色EML、深蓝色EML和天蓝色EML中之一。第三EML 134的发光区可以在440nm至480nm的范围内。
第三EML 134可以由包括辅助EML的蓝色EML形成，辅助EML发射的光的颜色与由蓝色EML发射的光的颜色不同。辅助EML可以配置为具有黄色-绿色EML和红色EML中之一，或者可以通过其组合来配置。当还设置辅助EML时，还可以提高绿色效率或红色效率。当第三EML134与辅助EML一起设置时，黄色-绿色EML、红色EML或绿色EML可以设置在第三EML 134上或者下。此外，黄色-绿色EML、红色EML或绿色EML可以同样地或者不同地设置为在第三EML134上和下的辅助EML。可以根据装置的结构和特性来选择性地确定EML的位置或数目，但是本实施方案不限于此。当第三EML 134包括辅助EML时，第三EML 134的发光区可以在440nm至650nm的范围内。
配置第三发光部130的第三HTL 132、第三EML 134、第三ETL 136、EIL、HIL、HBL和EBL均可以称为有机层。
第三EML 134可以包含至少一种基质和掺杂剂。或者，第三EML 134可以包含其中混合至少两种或更多种基质的混合基质以及至少一种掺杂剂。混合基质可以包括具有空穴传输特性的基质和具有电子传输特性的基质。
在第二发光部120与第三发光部130之间还可以设置第二CGL。第二CGL可以调整第二发光部120与第三发光部130之间的电荷平衡。第二CGL可以包括第二N型CGL 151和第二P型CGL 152。
第二N型CGL 151可以将电子注入第二发光部120中。第二P型CGL 152可以将空穴注入第三发光部130中。
第二N型CGL 151可以形成为掺杂有碱金属如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs)或者碱土金属如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)的有机层，但是不限于此。第二P型CGL 152可以形成为包含P型掺杂剂的基质-掺杂剂结构。
因此，发明人对其中第一P型CGL 142形成为不包含掺杂剂的结构并且设置第二HTL 122的情况进行了试验。以下将参照以下表1描述试验的结果。
[表1]
项目 驱动电压(V) 效率(cd/A) EQE
比较例1 100.0％ 100.0％ 100.0％
试验例1 99.2％ 75.0％ 84.3％
表1示出通过将试验例1与其中驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)均设定为100.0％的比较例1进行比较来获得的结果。此外，已经关于10mA/cm2的电流密度测量了驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)。已经通过使用有机发光显示装置包括图2的有机发光装置测量了表1中示出的比较例1和试验例1。
在表1中，在比较例1中，设置包含基质和P型掺杂剂的第一P型CGL 142以及第二HTL 122。在试验例1中，设置不包含掺杂剂的第一P型CGL 142以及第二HTL 122。
为了描述驱动电压(V)，可以看出，关于驱动电压(V)，与比较例1相比，试验例1降低了约0.8％。此外，可以看出，关于效率(cd/A)，与比较例1相比，试验例1降低了约25.0％。外部量子效率(EQE)表示在光输出至有机发光装置外部时的发光效率，并且可以看出，关于发光效率，与比较例1相比，试验例1减少了约15.7％。因此，可以看出，当设置不包含掺杂剂的第一P型CGL时，驱动电压小幅降低，或者效率或外部量子效率大幅降低。通过此，可以看出，当设置不包含掺杂剂的第一P型CGL时，应改善第二HTL的特性。
因此，由于第一P型CGL 142不包含作为掺杂剂的2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基-醌二甲烷(F4-TCNQ)、六氮杂三亚苯基-六甲腈(HAT-CN)等，因此发明人认识到，设置具有与第一P型CGL 142的LUMO能级的绝对值的差小的最高已占分子轨道(HOMO)能级的绝对值的HTL用于提高效率。当设置了具有与第一P型CGL 142的LUMO能级的绝对值的差大的HOMO能级的绝对值的HTL时，难以使第一P型CGL 142的空穴移动至第二EML 124，并且因此，有机发光装置的电压增加，或者有机发光装置的效率降低。此外，发明人认识到，第二HTL122的空穴迁移率应当提高以使空穴容易地从第一P型CGL 142移动至第二HTL 122。
因此，为了降低驱动电压并且提高效率，第二HTL 122由具有两种特性的第一材料和第二材料形成，并且第一材料和第二材料通过共沉积混合。因此，当第二HTL 122配置为具有两个层时，防止了驱动电压由于第二HTL 122的厚度加厚而增大，并且防止了发光效率由于第二EML 124的发光位置的改变而降低。第二HTL 122的厚度可以在5nm至10nm的范围内。当第二HTL 122的厚度调整为小于5nm时，第二HTL 122不能起作用，并且由于这个原因，难以使第一P型CGL 142的空穴移动至第二EML 124，从而提高了驱动电压并且降低了效率。此外，当第二HTL 122的厚度调整为大于5nm时，有机发光装置的厚度加厚，从而导致驱动电压提高。此外，包含在第二HTL 122中的第一材料和第二材料可以以相同比例配置。即，在第二HTL 122中，第一材料与第二材料的比例可以为体积比5:5。在此，体积比表示在特定层中由特定材料所占有部分的体积，并且体积比可以基于所占有的体积的总和。
因此，在第二HTL 122的第一材料中，第二HTL 122的HOMO能级的绝对值可以调整为大于第一P型CGL 142的LUMO能级的绝对值，使得当第一P型CGL 142的空穴移动至第二HTL 122时不形成势垒。即，第二HTL 122的HOMO能级的绝对值可以在5.4eV至5.6eV的范围内，并且第一P型CGL 142的LUMO能级的绝对值可以在5.3eV至5.5eV的范围内。此外，第二HTL 122的HOMO能级的绝对值与第一P型CGL 142的LUMO能级的绝对值之差可以在0.1eV至0.3eV的范围内。在其中第二HTL 122的HOMO能级的绝对值与第一P型CGL 142的LUMO能级的绝对值之差大于0.3eV的情况下，由于难以使第一P型CGL 142的空穴移动至第二HTL 122，因此驱动电压提高，并且第二EML 124的发光效率降低。因此，第二HTL 122的HOMO能级的绝对值和第一P型CGL 142的LUMO能级的绝对值可以具有在0.1eV至0.3eV的范围内的相似的能级。因此，第一P型CGL 142的空穴可以移动至第二HTL 122，并且第二HTL 122的空穴可以移动至第二EML 124。
此外，第二HTL 122的第二材料可以由空穴迁移率高的材料形成，并且因此使得空穴能够容易地移动至第二EML 124。第二材料的空穴迁移率可以为普通HTL的空穴迁移率约10倍。例如，第二材料的空穴迁移率可以在1×10-2cm2/Vs至1×10-4cm2/Vs的范围内。
第一P型CGL 142可以由具有空穴传输特性的如下材料形成：例如N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺(NPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-联苯胺(NPB)、N,N'-二-(3-甲基苯基)-N,N'-二(苯基)-联苯胺(TPD)和4,4',4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(MTDATA)中之一，但是不限于此。
此外，第二HTL 122的第一材料和第二材料可以包括例如星型胺基、芳香胺基等，但是不限于此。
以下将参照下表2描述根据本公开的应用不包含掺杂剂的P型CGL和包含两种材料的组合的HTL的第一实施方案的通过测量驱动电压、效率和外部量子效率获得的结果。
[表2]
项目 驱动电压(V) 效率(cd/A) EQE
比较例1 100.0％ 100.0％ 100.0％
第一实施方案 90.8％ 99.9％ 100.3％
表2示出了通过将第一实施方案与其中驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)均设定为100.0％的比较例1进行比较来获得的结果。此外，已经关于10mA/cm2的电流密度测量了驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)。已经通过使用有机发光显示装置包括图2的有机发光装置测量了表2中示出的第一实施方案和比较例1。
在表2中，在比较例1中，设置包含基质和P型掺杂剂的第一P型CGL 142以及第二HTL 122。在第一实施方案中，设置不包含掺杂剂的第一P型CGL 142以及包含两种材料的组合的第二HTL 122。
为了描述驱动电压(V)，可以看出，关于驱动电压(V)，与比较例1相比，第一实施方案降低了约9.2％。因此，可以看出，即使在设置不包含掺杂剂的第一P型CGL 142时，驱动电压也未提高。当第一P型CGL 142的LUMO能级的绝对值与第二HTL 122的HOMO能级的绝对值之差调整为小的值时，可以看出，空穴从第一P型CGL 142移动至第二HTL 122。此外，第二HTL 122的所述两种材料之一为高空穴迁移率，并且因此，可以看出，空穴从第一P型CGL142移动至第二HTL 122，并且因此，驱动电压未提高。
此外，可以看出，关于效率(cd/A)，本公开的第一实施方案基本上等于比较例1。此外，可以看出，关于外部量子效率(EQE)，与比较例1相比，本公开的第一实施方案提高了约0.3％。
因此，本公开的第一实施方案可以提供如下有机发光显示装置：与其中设置了具有基质-掺杂剂结构的P型CGL和由单个层形成的HTL的情况相比，驱动电压降低，并且效率或外部量子效率未降低。即，设置了不包含掺杂剂的P型CGL和包含两种材料的组合的HTL，P型CGL的LUMO能级的绝对值与相邻于P型CGL的HTL的HOMO能级的绝对值之差调整为小的值，并且HTL的所述两种材料之一为高空穴迁移率，从而提供了其中驱动电压降低并且效率或外部量子效率未降低的有机发光显示装置。
以下将参照以下表3描述根据本公开的试验例1和第一实施方案的通过测量驱动电压、效率和外部量子效率获得的结果数据。
[表3]
项目 驱动电压(V) 效率(cd/A) EQE
试验例1 100.0％ 100.0％ 100.0％
第一实施方案 94.8％ 133.2％ 119.0％
表3示出了通过将第一实施方案与其中驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)均设定为100.0％的试验例1进行比较来获得的结果。此外，已经关于10mA/cm2的电流密度测量了驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)。已经通过使用有机发光显示装置包括图2的有机发光装置测量了表3中示出的第一实施方案和试验例1。
在表3中，在试验例1中，设置了不包含掺杂剂的第一P型CGL 142以及第二HTL122。在本公开的第一实施方案中，设置了不包含掺杂剂的第一P型CGL 142以及包含两种材料的组合的第二HTL 122。
为了描述驱动电压(V)，可以看出，关于驱动电压(V)，与试验例1相比，本公开的第一实施方案降低了约5.2％。因此，可以看出，在设置了不包含掺杂剂的第一P型CGL 142时，空穴未移动至第二HTL 122，并且因此，驱动电压未提高。即，第一P型CGL 142的LUMO能级的绝对值与第二HTL 122的两种材料之一的HOMO能级的绝对值之差调整为小的值，并且因此，可以看出，空穴从第一P型CGL 142移动至第二HTL 122。此外，第二HTL 122的所述两种材料之一为高空穴迁移率，并且因此，可以看出，空穴从第一P型CGL 142移动至第二HTL 122，并且因此，驱动电压未提高。
此外，可以看出，关于效率(cd/A)，与试验例1相比，本公开的第一实施方案提高了约33.2％。此外，可以看出，关于外部量子效率(EQE)，与试验例1相比，本公开的第一实施方案提高了约19.0％。
因此，本公开的第一实施方案可以提供如下有机发光显示装置：与其中设置了不包含掺杂剂的P型CGL和由单个层形成的HTL的情况相比，驱动电压降低，并且效率或外部量子效率未降低。即，设置了不包含掺杂剂的P型CGL和包含两种材料的组合的HTL，P型CGL的LUMO能级的绝对值与相邻于P型CGL的HTL的HOMO能级的绝对值之差调整为小的值，并且HTL的所述两种材料之一为高空穴迁移率，从而提供了其中驱动电压降低并且效率或外部量子效率未降低的有机发光显示装置。
图3是示出根据本公开的第二实施方案的有机发光装置200的图。
图3中所示的有机发光装置200可以包括基板201、第一电极202、第二电极204、以及在第一电极202与第二电极204之间的发光部1180。发光部1180可以包括第一发光部210、第二发光部220和第三发光部230。图3中所示的基板201、第一电极202、第二电极204以及第一发光部210可以与以上参照图1所述的基板101、第一电极102、第二电极104以及第一发光部110基本上相同，并且因此，其详细描述在本文中未提供或将简洁。
第一发光部210可以包括设置在第一电极202上的第一HTL 212、第一EML 214以及第一ETL 216。
第一HTL 212可以配置为具有单个层或两个层。
在第一电极202上还可以形成HIL。
在第一EML 214上还可以形成HBL，并且在第一EML 214下还可以形成EBL。
通过第一HTL 212提供的空穴和通过第一ETL 216提供的电子可以在第一EML 214中复合以生成激子。其中生成激子的区域可以称为复合区域(或复合区)或者发光区域(或发光区)。
配置第一发光部210的第一HTL 212、第一EML 214、第一ETL 216、EIL、HIL、HBL和EBL均可以称为有机层。
第二发光部220可以包括第二HTL 222、第二EML 224以及第二ETL 226。
在第二ETL 226上还可以形成EIL，并且在第二HTL 222下还可以形成HIL。
在第二EML 224上还可以形成HBL，并且第二ETL 226和HBL可以设置为一个层。
在第二EML 224上还可以形成EBL，并且第二ETL 222和EBL可以设置为一个层。
第二HTL 222可以由单个层形成。
通过第二HTL 222提供的空穴和通过第二ETL 226提供的电子可以在第二EML 224中复合以生成激子。其中生成激子的区域可以称为复合区域(或复合区)或者发光区域(或发光区)。
第二EML 224可以是发射第二颜色的光的EML。即，第二EML 224可以包括黄色-绿色EML或绿色EML。第二EML 224的发光区可以在510nm至590nm的范围内。
第二EML 224可以包括黄色-绿色EML和红色EML、绿色EML和红色EML、或其组合。其组合可以包括黄色-绿色EML、红色EML、以及黄色-绿色EML，或者可以包括黄色-绿色EML、红色EML、以及绿色EML，但是不限于此。此外，当还形成红色EML时，还提高了红色效率。当还形成红色EML时，可以在黄色-绿色EML或绿色EML上或下形成红色EML。可以根据装置的结构和特性来选择性地确定EML的位置或数目，但是本实施方案不限于此。当还在第二EML 224中设置红色EML时，第二EML 224的发光区可以在510nm至650nm的范围内。
第二EML 224可以包含至少一种基质和掺杂剂。或者，第二EML 224可以包含其中混合两种或更多种基质的混合基质以及至少一种掺杂剂。混合基质可以包括具有空穴传输特性的基质和具有电子传输特性的基质。
配置第二发光部220的第二HTL 222、第二EML 224、第二ETL 226、EIL、HIL、HBL和EBL均可以称为有机层。
还可以在第一发光部210与第二发光部220之间设置第一CGL。第一CGL可以调整第一发光部210与第二发光部220之间的电荷平衡。第一CGL可以包括第一N型CGL 241和第一P型CGL 242。第一N型CGL 241可以具有其中对基质掺杂有碱金属或碱土金属的结构。此外，第一P型CGL 242可以具有包含掺杂剂的基质-掺杂剂结构。
第三发光部230可以包括设置在第二发光部220上的第三HTL 232、第四HTL 233、第三EML 234和第三ETL 236。
还可以在第三ETL 236上形成EIL。此外，第三ETL 236可以由两个或更多个层或者两种或更多种材料形成。
在第三EML 234上还可以形成HBL。第三ETL 236和HBL可以设置为一个层。
第三ETL 236、HBL和EIL均可以称为电子传输层。即，电子传输层可以是用于注入或传输电子的层。此外，第三HTL 232、EBL和HIL均可以称为空穴传输层。即，空穴传输层可以是用于注入或传输空穴的层。
通过第三HTL 232提供的空穴和通过第四ETL 233提供的电子可以在第三EML 234中复合以生成激子。其中生成激子的区域可以称为复合区域(或复合区)或者发光区域(或发光区)。
第三EML 234可以是发射具有与第一颜色相同颜色的光的EML。即，第三EML 234可以包括蓝色EML、深蓝色EML和天蓝色EML中之一。第三EML 234的发光区可以在440nm至480nm的范围内。
第三EML 234可以由包括辅助EML的蓝色EML形成，辅助EML发射的光的颜色与由蓝色EML发射的光的颜色不同。辅助EML可以配置为具有黄色-绿色EML和红色EML中之一，或者可以通过其组合来配置。当还设置辅助EML时，还可以提高绿色效率或红色效率。当第三EML234与辅助EML一起设置时，黄色-绿色EML、红色EML或绿色EML可以设置在第三EML 234上或者下。此外，黄色-绿色EML、红色EML或绿色EML可以同样地或者不同地设置为在第三EML234上和下的辅助EML。可以根据装置的结构和特性来选择性地确定EML的位置或数目，但是本实施方案不限于此。
当第三EML 234包括辅助EML时，第三EML 234的发光区可以在440nm至650nm的范围内。
配置第三发光部230的第三HTL 232、第四HTL 233、第三EML 234、第三ETL 236、EIL、HIL、HBL和EBL均可以称为有机层。
第三EML 234可以包含至少一种基质和掺杂剂。或者，第三EML 234可以包含其中混合两种或更多种基质的混合基质以及至少一种掺杂剂。混合基质可以包括具有空穴传输特性的基质和具有电子传输特性的基质。
还可以在第二发光部220与第三发光部230之间设置第二CGL。第二CGL可以调整第二发光部220与第三发光部230之间的电荷平衡。第二CGL可以包括第二N型CGL 251和第二P型CGL 252。第二N型CGL 251可以具有其中对基质掺杂有碱金属或碱土金属的结构。
此外，第二P型CGL 252可以具有不包含掺杂剂的结构。因此，包括在第三发光部230中的HTL的特性应当改善用于提高第三EML 234的效率。HTL可以配置为具有两个层，例如，第三HTL 232和第四HTL 233。详细地，第三HTL 232可以由高空穴迁移率的材料形成，并且第四HTL 233可以由具有电子阻挡特性的材料形成。
因此，可以将第三HTL 232的空穴迁移率调整为大于第四HTL 233的空穴迁移率，从而调整空穴移动速度以使第二P型CGL 252的空穴传输至第三EML 234。此外，高空穴迁移率的第三HTL 232可以设置成比第四HTL 233更靠近第二P型CGL 252，并且因此，第二P型CGL 252的空穴容易传输至第三EML 234。由于高空穴迁移率的第三HTL 232设置为更靠近第二P型CGL 252，因此空穴容易传输至第三EML 234，即使其中HTL配置为具有两个层的有机发光装置的厚度增加也是如此，并且因此，驱动电压未提高。即，第三HTL 232的空穴迁移率和第四HTL 233的空穴迁移率可以基于为普通空穴迁移率的约10倍或更多倍的材料。因此，第三HTL 232的空穴迁移率和第四HTL 233的空穴迁移率均可以在1×10-2cm2/Vs至1×10-4cm2/Vs的范围内。详细地，第三HTL 232的空穴迁移率可以在1×10-2cm2/Vs至1×10- 3cm2/Vs的范围内，并且第四HTL 233的空穴迁移率可以在1×10-3cm2/Vs至1×10-4cm2/Vs的范围内。因此，第三HTL 232的空穴迁移率可以调整为比第四HTL 233的空穴迁移率高1×101cm2/Vs至1×102cm2/Vs。
此外，第四HTL 233可以配置为具有电子阻挡特性。即，第四HTL 233的三重态能级(T1)的绝对值可以调整为在2.5eV至3.0eV的范围内，以防止第三EML 234的电子移动至第三HTL 232，并且因此，电子与空穴在第三EML 234中的复合增强，从而提高了第三EML 234的发光效率。此外，当第四HTL 233的三重态能级(T1)的绝对值小于2.5eV时，有机发光装置的寿命减小。
此外，具有电子阻挡特性的第四HTL 233可以设置为比第三HTL 232更靠近第三EML 234，并且因此，三重态激子可以限制在第三EML 234中以提高第三EML 234的发光效率，从而提高有机发光装置的效率。因此，由于具有电子阻挡特性的第四HTL 233设置为单独层而没有与第三HTL 232结合，因此防止了电子从第三EML 234传输，并且因此，三重态激子可以限制在第三EML 234中，从而进一步提高了发光效率。
此外，第三HTL 232的HOMO能级的绝对值和第四HTL 233的HOMO能级的绝对值可以调整成相等，并且因此，第二P型CGL 252的空穴容易移动至第三EML 234和第四HTL 233。因此，第三HTL 232和第四HTL 233中每一个的HOMO能级的绝对值可以调整为大于第二P型CGL252的LUMO能级的绝对值。即，第三HTL 232和第四HTL 233中每一个的HOMO能级的绝对值可以在5.4eV至5.6eV的范围内，并且第二P型CGL 252的LUMO能级的绝对值可以在5.3eV至5.5eV的范围内。即，第三HTL 232的HOMO能级的绝对值与第二P型CGL 252的LUMO能级的绝对值之差可以在0.1eV至0.3eV的范围内，并且第四HTL 233的HOMO能级的绝对值与第二P型CGL 252的LUMO能级的绝对值之差可以在0.1eV至0.3eV的范围内。当第三HTL 232的HOMO能级的绝对值与第二P型CGL 252的LUMO能级的绝对值之差大于0.3eV并且第四HTL 233的HOMO能级的绝对值与第二P型CGL 252的LUMO能级的绝对值之差大于0.3eV时，难以使第二P型CGL 252的空穴移动至第三HTL 232和第四HTL 233，并且因此，驱动电压提高，并且发光效率降低。因此，第三HTL 232的HOMO能级的绝对值和第二P型CGL 252的LUMO能级的绝对值可以具有在0.1eV至0.3eV的范围内的相似能级，并且第四HTL 233的HOMO能级的绝对值和第二P型CGL 252的LUMO能级的绝对值可以具有在0.1eV至0.3eV的范围内的相似能级。因此，第二P型CGL 252的空穴可以移动至第三EML 234和第四HTL 233，并且第三EML 234的空穴和第四HTL 233的空穴可以移动至第三EML 234。
此外，第三HTL 232的厚度与第四HTL 233的厚度的总和可以在80nm至120nm的范围内。为了使第二P型CGL 252的空穴容易移动至第三EML 234并且以提高第三EML 234的效率，第三HTL 232的厚度可以调整为比第四HTL 233的厚度厚。或者，由于第四HTL 233的空穴迁移率低于第三HTL 232的空穴迁移率，因此第四HTL 233的厚度可以调整为比第三HTL232的厚度薄，以使空穴更好地移动至第三EML 234。即，第三HTL 232的厚度与第四HTL 233的厚度的比可以在7:3至8:2的范围内。例如，当第三HTL 232的厚度与第四HTL 233的厚度的和为100nm时，第三HTL 232的厚度可以在70nm至80nm的范围内，并且第四HTL 233的厚度可以在20nm至30nm的范围内。
第二P型CGL 252可以由具有空穴传输特性的如下材料形成：例如，N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺(NPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-联苯胺(NPB)、N,N'-二-(3-甲基苯基)-N,N'-二(苯基)-联苯胺(TPD)和4,4',4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(MTDATA)中之一，但是不限于此。
此外，第三HTL 232和第四HTL 233可以各自由例如星型胺基、芳香胺基等形成，但是不限于此。
根据本公开的第二实施方案，在具有基质-掺杂剂结构的第二P型CGL 252包括两个HTL的情况下，发明人测量了驱动电压、效率和外部量子效率。以下将参照表4描述测量的结果。
[表4]
项目 驱动电压(V) 效率(cd/A) EQE
比较例2 100.0％ 100.0％ 100.0％
试验例2 100.0％ 100.7％ 101.0％
表4示出了通过将试验例2与其中驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)均设定为100.0％的比较例2进行比较来获得的结果。此外，已经关于10mA/cm2的电流密度测量了驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)。已经通过使用有机发光显示装置包括图3的有机发光装置测量了表4中所示的试验例2和比较例2。
在表4中，在比较例2中，设置了包含基质和P型掺杂剂的第二P型CGL 252以及第二HTL 232。在试验例2中，设置了包含基质和P型掺杂剂的第二P型CGL 252、包括两个层的第三HTL 232、以及包括两个层的第四HTL 233。
为了描述驱动电压(V)，可以看出，关于驱动电压(V)，比较例2等于试验例2。
此外，可以看出，关于效率(cd/A)，与比较例2相比，试验例2提高了约0.7％。外部量子效率(EQE)表示在光输出至有机发光装置的外部时的发光效率，并且可以看出，关于发光效率，与比较例2相比，试验例2提高了约1.0％。
因此，当设置了包含基质和掺杂剂的P型CGL以及包括两个层的HTL时，可以看出，驱动电压未提高，并且效率或外部量子效率提高。
以下将参照以下表5描述根据本公开的第二实施方案的通过测量驱动电压、效率和外部量子效率获得的结果。
[表5]
项目 驱动电压(V) 效率(cd/A) EQE
比较例2 100.0％ 100.0％ 100.0％
第二实施方案 91.7％ 101.0％ 100.0％
表5示出了通过将本公开的第二实施方案与其中驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)均设定为100.0％的比较例2进行比较来获得的结果。此外，已经关于10mA/cm2的电流密度测量了驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)。已经通过使用包括图3的有机发光装置的有机发光显示装置测量了表5中示出的本公开的第二实施方案和比较例2。
在表5中，在比较例2中，设置了包含基质和P型掺杂剂的第二P型CGL 252以及为单个层的第二HTL 232。在本公开的第二实施方案中，设置了不包含掺杂剂的第二P型CGL252、包括两个层的第三HTL 232、以及包括两个层的第四HTL 233。
为了描述驱动电压(V)，可以看出，关于驱动电压(V)，与比较例2相比，本公开的第二实施方案降低了约8.3％。因此，可以看出，当设置了不包含掺杂剂的第二P型CGL 252时，驱动电压未提高，即使空穴未移动至第三HTL 232和第四HTL 233也是如此。此外，可以看出，即使当有机发光装置的厚度由于有机发光装置配置有第三HTL 232和第四HTL 233而增大时，驱动电压未提高。此外，第二P型CGL 252的LUMO能级的绝对值与第三HTL 232和第四HTL 233中的每一个的HOMO能级的绝对值之差调整为小的值，并且因此，可以看出，空穴从第二P型CGL 252移动至第三HTL 232和第四HTL 233。此外，当第三HTL 232由高空穴迁移率材料形成并且第四HTL 233由具有电子阻挡特性的材料形成时，第二P型CGL 252的空穴移动至第三EML 234，并且因此，可以看出，使得电子与空穴在第三EML 234中平衡，并且因此，驱动电压未提高。
此外，可以看出，关于效率(cd/A)，与比较例2相比，本公开的第二实施方案提高了约1.0％。外部量子效率(EQE)表示在光输出至有机发光装置的外部时的发光效率，并且可以看出，关于发光效率，本公开的第二实施方案等于比较例2。
因此，本公开的第二实施方案提供了如下有机发光显示装置：与其中设置了不包含掺杂剂的P型CGL和为单个层的HTL的情况相比，驱动电压降低并且效率或外部量子效率提高。即，在本公开的第二实施方案中，设置了不包含掺杂剂的P型CGL以及各自包括两个层的多个HTL，并且所述两个层配置为使得P型CGL的LUMO能级的绝对值与相邻于P型CGL的HTL的HOMO能级的绝对值之差调整为小的值。此外，包括在每个HTL中的所述两个层之一由高空穴迁移率材料形成，并且所述两个层中另一个由具有电子阻挡特性的材料形成，从而可以看出，提供了其中驱动电压降低并且效率或外部量子效率未降低的有机发光显示装置。
以下将参照以下表6描述根据本公开的试验例2和第二实施方案的通过测量驱动电压、效率和外部量子效率获得的结果数据。
表6
项目 驱动电压(V) 效率(cd/A) EQE
试验例2 100.0％ 100.0％ 100.0％
第二实施方案 100.0％ 100.5％ 101.5％
表6示出了通过将第二实施方案与其中驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)均设定为100.0％的试验例2进行比较来获得的结果。此外，已经关于10mA/cm2的电流密度测量了驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)。已经通过使用包括图2的有机发光装置的有机发光显示装置测量了表6中示出的第二实施方案和试验例2。
在表6中，在试验例2中，设置了包含基质和P型掺杂剂的第二P型CGL 252、包括两个层的第三HTL 232、以及包括两个层的第四HTL233。在第二实施方案中，设置了不包含掺杂剂的第二P型CGL 252、包括两个层的第三HTL 232、以及包括两个层的第四HTL 233。
为了描述驱动电压(V)，可以看出，关于驱动电压(V)，第二实施方案等于试验例2。
此外，可以看出，关于效率(cd/A)，与试验例2相比，第二实施方案提高了约0.5％。外部量子效率(EQE)表示在光输出至有机发光装置的外部时的发光效率，并且可以看出，关于发光效率，与试验例2相比，第二实施方案提高了约1.5％。
因此，可以看出，与其中设置了不包含掺杂剂的P型CGL以及包括两个层的HTL的情况对应，本公开的第二实施方案提供了如下有机发光显示装置：与其中设置了包含基质和掺杂剂的P型CGL以及包括两个层的HTL的情况相比，驱动电压未提高，并且效率或外部量子效率提高。
图4是示出根据本公开的第三实施方案的有机发光装置300的图。
图4中所示的有机发光装置300可以包括基板301、第一电极302、第二电极304、以及在第一电极302与第二电极304之间的发光部1180。发光部1180可以包括第一发光部310、第二发光部320和第三发光部330。图4中所示的基板301、第一电极302、第二电极304以及第一发光部310可以与以上参照图1所述的基板101、第一电极102、第二电极104以及第一发光部110基本上相同，并且因此，其详细描述在本文中未提供或将简洁。
第一发光部310可以包括设置在第一电极302上的第一HTL 312、第一EML 314以及第一ETL 316。
在第一电极302上还可以形成HIL。
在第一EML 314上还可以形成HBL，并且在第一EML 314下还可以形成EBL。
第一HTL 312可以配置为具有单个层或两个层。
通过第一HTL 312提供的空穴和通过第一ETL 316提供的电子可以在第一EML 314中复合以生成激子。其中生成激子的区域可以称为复合区域(或复合区)或者发光区域(或发光区)。
配置第一发光部310的第一HTL 312、第一EML 314、第一ETL 316、EIL、HIL、HBL和EBL均可以称为有机层。
第二发光部320可以包括第二HTL 322、第二EML 324以及第二ETL326。
在第二ETL 326上还可以形成EIL。
在第二EML 324上还可以形成HBL，并且第二ETL 326和HBL可以设置为一个层。
第二HTL 322可以由单个层形成。
通过第二HTL 322提供的空穴和通过第二ETL 326提供的电子可以在第二EML 324中复合以生成激子。其中生成激子的区域可以称为复合区域(或复合区)或者发光区域(或发光区)。
第二EML 324可以是发射第二颜色的光的EML。即，第二EML 324可以包括黄色-绿色EML或绿色EML。第二EML 324的发光区可以在510nm至590nm的范围内。
第二EML 324可以包括黄色-绿色EML和红色EML、绿色EML和红色EML、或其组合。其组合可以包括黄色-绿色EML、红色EML、以及黄色-绿色EML，或者可以包括黄色-绿色EML、红色EML、以及绿色EML，但是不限于此。此外，当还形成红色EML时，还提高了红色效率。当还形成红色EML时，可以在黄色-绿色EML或绿色EML上或下形成红色EML。可以根据装置的结构和特性来选择性地确定EML的位置或数目，但是本实施方案不限于此。当还在第二EML 324中设置红色EML时，第二EML 324的发光区可以在510nm至650nm的范围内。
第二EML 324可以包含至少一种基质和掺杂剂。或者，第二EML 324可以包含其中混合两种或更多种基质的混合基质以及至少一种掺杂剂。混合基质可以包括具有空穴传输特性的基质和具有电子传输特性的基质。
配置第二发光部320的第二HTL 322、第二EML 324、第二ETL 326、EIL、HIL、HBL和EBL均可以称为有机层。
在第一发光部310与第二发光部320之间还可以设置第一CGL。第一CGL可以调整第一发光部310与第二发光部320之间的电荷平衡。第一CGL可以包括第一N型CGL 341和第一P型CGL 342。第一N型CGL 341可以具有其中对基质掺杂有碱金属或碱土金属的结构。此外，第一P型CGL 342可以具有包含掺杂剂的基质-掺杂剂结构。
第一P型CGL 342可以具有不包含掺杂剂的结构。因此，由于第一P型CGL 342不包含掺杂剂，发明人认识到，设置了具有与第一P型CGL 342的LUMO能级的绝对值的差小的最高已占分子轨道(HOMO)能级的绝对值的HTL用于提高效率。当设置了具有与第一P型CGL342的LUMO能级的绝对值的差大的HOMO能级的绝对值的HTL时，难以使第一P型CGL 342的空穴移动至第二EML 324，并且因此，有机发光装置的电压提高，或者有机发光装置的效率降低。此外，发明人认知到，第二HTL 322的空穴迁移率应当提高以使空穴容易地从第一P型CGL 342移动至第二HTL 322。
因此，为了降低驱动电压并且提高效率，第二HTL 322由具有两种特性的第一材料和第二材料形成，并且第一材料和第二材料通过共沉积混合。因此，当第二HTL 322配置为具有两个层时，防止了驱动电压由于第二HTL 322的厚度加厚而提高，并且防止了发光效率由于第二EML 324的发光位置的改变而降低。第二HTL 322的厚度可以在5nm至10nm的范围内。当第二HTL 322的厚度调整为小于5nm时，第二HTL 322不能起作用，并且由于这个原因，难以使第一P型CGL 342的空穴移动至第二EML 324，从而驱动电压提高并且效率降低。此外，当第二HTL 322的厚度调整为大于5nm时，有机发光装置的厚度加厚，从而导致驱动电压提高。此外，包括在第二HTL 322中的第一材料和第二材料可以以相等的比例配置。即，在第二HTL 322中，第一材料与第二材料的比可以为体积比5:5。在此，体积比表示在特定层中特定材料所占有部分的体积，并且体积比可以基于所占有的体积的总和。
因此，在第二HTL 322的第一材料中，第二HTL 322的HOMO能级的绝对值可以调整为大于第一P型CGL 342的LUMO能级的绝对值，使得当第一P型CGL 342的空穴移动至第二HTL 322时不形成势垒。即，第二HTL 322的HOMO能级的绝对值可以在5.4eV至5.6eV的范围内，并且第一P型CGL 342的LUMO能级的绝对值可以在5.3eV至5.5eV的范围内。此外，第二HTL 322的HOMO能级的绝对值与第一P型CGL 342的LUMO能级的绝对值之差可以在0.1eV至0.3eV的范围内。在其中第二HTL 322的HOMO能级的绝对值与第一P型CGL 342的LUMO能级的绝对值之差大于0.3eV的情况下，由于难以使第一P型CGL 342的空穴移动至第二HTL 322，因此驱动电压提高，并且第二EML 324的发光效率降低。因此，第二HTL 322的HOMO能级的绝对值和第一P型CGL 342的LUMO能级的绝对值可以具有在0.1eV至0.3eV的范围内的相似能级。因此，第一P型CGL 342的空穴可以移动至第二HTL 322，并且第二HTL 322的空穴可以移动至第二EML 324。
此外，第二HTL 322的第二材料可以由高空穴迁移率的材料形成，并且因此使得空穴能够容易地移动至第二EML 324。第二材料的空穴迁移率可以为普通HTL的空穴迁移率约10倍。例如，第二材料的空穴迁移率可以在1×10-2cm2/Vs至1×10-4cm2/Vs的范围内。
第一P型CGL 342可以由具有空穴传输特性的如下材料形成：例如N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺(NPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-联苯胺(NPB)、N,N'-二-(3-甲基苯基)-N,N'-二(苯基)-联苯胺(TPD)和4,4',4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(MTDATA)中之一，但是不限于此。
此外，第二HTL 322的第一材料和第二材料可以包括例如星型胺基、芳香胺基等，但是不限于此。
第三发光部330可以包括设置在第二发光部320上的第三HTL 332、第四HTL 333、第三EML 334和第三ETL 336。
在第三ETL 336上还可以形成EIL。此外，第三ETL 336可以由两个或更多个层或者两种或更多种材料形成。
在第三EML 334上还可以形成HBL。第三ETL 336和HBL可以设置为一个层。
第三ETL 336、HBL和EIL均可以称为电子传输层。即，电子传输层可以是用于注入或传输电子的层。此外，第三HTL 332、EBL、以及HIL均可以称为空穴传输层。即，空穴传输层可以是用于注入或传输空穴的层。
通过第三HTL 332提供的空穴和通过第四ETL 333提供的电子可以在第三EML 334中复合以生成激子。其中生成激子的区域可以称为复合区域或者发光区域(或发光区)。
第三EML 334可以是发射具有与第一颜色相同的颜色的光的EML。即，第三EML 334可以包括蓝色EML、深蓝色EML和天蓝色EML中之一。第三EML 334的发光区可以在440nm至480nm的范围内。
第三EML 334可以由包括辅助EML的蓝色EML形成，辅助EML发射的光的颜色与由蓝色EML发射的光的颜色不同。辅助EML可以配置为具有黄色-绿色EML和红色EML中之一，或者可以通过其组合来配置。当还设置辅助EML时，还可以提高绿色效率或红色效率。当第三EML334与辅助EML一起设置时，黄色-绿色EML、红色EML或绿色EML可以设置在第三EML 334上或者下。此外，黄色-绿色EML、红色EML或绿色EML可以同样地或者不同地设置为在第三EML334上和下的辅助EML。可以根据装置的结构和特性来选择性地确定EML的位置或数目，但是本实施方案不限于此。当第三EML 334包括辅助EML时，第三EML 334的发光区可以在440nm至650nm的范围内。
第三EML 334可以包含至少一种基质和掺杂剂。或者，第三EML 334可以包含其中混合两种或更多种基质的混合基质以及至少一种掺杂剂。混合基质可以包括具有空穴传输特性的基质和具有电子传输特性的基质。
配置第三发光部330的第三HTL 332、第四HTL 333、第三EML 334、第三ETL 336、EIL、HIL、HBL和EBL均可以称为有机层。
在第二发光部320与第三发光部330之间还可以设置第二CGL。第二CGL可以调整第二发光部320与第三发光部330之间的电荷平衡。第二CGL可以包括第二N型CGL 351和第二P型CGL 352。第二N型CGL 351可以具有其中对基质掺杂有碱金属或碱土金属的结构。
此外，第二P型CGL 352可以具有不包含掺杂剂的结构。因此，包括在第三发光部330中的HTL的特性应当改善用于提高第三EML 334的效率。HTL可以配置为具有两个层，例如，第三HTL 332和第四HTL 333。详细地，第三HTL 332可以由高空穴迁移率的材料形成，并且第四HTL 333可以由具有电子阻挡特性的材料形成。
因此，可以将第三HTL 332的空穴迁移率调整为大于第四HTL 333的空穴迁移率，从而调整空穴移动速度以使第二P型CGL 352的空穴传输至第三EML 334。此外，高空穴迁移率的第三HTL 332可以设置成比第四HTL 333更靠近第二P型CGL 352，并且因此，第二P型CGL 352的空穴容易传输至第三EML 334。由于高空穴迁移率的第三HTL 332设置为更靠近第二P型CGL 352，因此空穴容易传输至第三EML 334，即使其中HTL配置为具有两个层的有机发光装置的厚度增加也是如此，并且因此，驱动电压未提高。即，第三HTL 332的空穴迁移率和HTL 333的空穴迁移率可以基于为普通空穴迁移率约10倍或更多倍的材料。因此，第三HTL 332的空穴迁移率和第四HTL 333的空穴迁移率均可以在1×10-2cm2/Vs至1×10-4cm2/Vs的范围内。详细地，第三HTL 332的空穴迁移率可以在1×10-2cm2/Vs至1×10-3cm2/Vs的范围内，并且第四HTL 333的空穴迁移率可以在1×10-3cm2/Vs至1×10-4cm2/Vs的范围内。因此，第三HTL 332的空穴迁移率可以调整为比第四HTL 333的空穴迁移率高1×101cm2/Vs至1×102cm2/Vs。
此外，第四HTL 333可以配置为具有电子阻挡特性。即，第四HTL 333的三重态能级(T1)的绝对值可以调整为在2.5eV至3.0eV的范围内，以防止第三EML 334的电子移动至第三HTL 332，并且因此，增强了电子与空穴在第三EML 334中的复合，从而提高了第三EML334的发光效率。此外，当第四HTL 333的三重态能级(T1)的绝对值小于2.5eV时，有机发光装置的寿命减小。
此外，具有电子阻挡特性的第四HTL 333可以设置为比第三HTL 332更靠近第三EML 334，并且因此，三重态激子可以限制在第三EML 334中以提高第三EML 334的发光效率，从而提高有机发光装置的效率。因此，由于具有电子阻挡特性的第四HTL 333设置为单独层而没有与第三HTL 332结合，因此防止电子从第三EML 334传输，并且因此，三重态激子可以限制在第三EML 334中，从而进一步提高发光效率。
此外，第三HTL 332的HOMO能级的绝对值和第四HTL 333的HOMO能级的绝对值可以调整成相等，并且因此，第二P型CGL 352的空穴容易地移动至第三EML 334和第四HTL 333。因此，第三HTL 332和第四HTL 333中每一个的HOMO能级的绝对值可以调整为大于第二P型CGL 352的LUMO能级的绝对值。即，第三HTL 332和第四HTL 333中每一个的HOMO能级的绝对值可以在5.4eV至5.6eV的范围内，并且第二P型CGL 352的LUMO能级的绝对值可以在5.3eV至5.5eV的范围内。即，第三HTL 332的HOMO能级的绝对值与第二P型CGL 352的LUMO能级的绝对值之差可以在0.1eV至0.3eV的范围内，并且第四HTL 333的HOMO能级的绝对值与第二P型CGL 352的LUMO能级的绝对值之差可以在0.1eV至0.3eV的范围内。当第三HTL 332的HOMO能级的绝对值与第二P型CGL 352的LUMO能级的绝对值之差大于0.3eV并且第四HTL 333的HOMO能级的绝对值与第二P型CGL 352的LUMO能级的绝对值之差大于0.3eV时，难以使第二P型CGL 352的空穴移动至第三HTL 332和第四HTL 333，并且因此，驱动电压提高，并且发光效率降低。因此，第三HTL 332的HOMO能级的绝对值和第二P型CGL 352的LUMO能级的绝对值可以具有在0.1eV至0.3eV的范围内的相似能级，并且第四HTL 333的HOMO能级的绝对值和第二P型CGL 352的LUMO能级的绝对值可以具有在0.1eV至0.3eV的范围内的相似能级。因此，第二P型CGL 352的空穴可以移动至第三EML 334和第四HTL 333，并且第三EML 334的空穴和第四HTL 333的空穴可以移动至第三EML 334。
此外，第三HTL 332的厚度和第四HTL 333的厚度的总和可以在80nm至120nm的范围内。为了使第二P型CGL 352的空穴容易移动至第三EML 334并且以便提高第三EML 334的效率，第三HTL 332的厚度可以调整为比第四HTL 333的厚度厚。或者，由于第四HTL 333的空穴迁移率低于第三HTL 332的空穴迁移率，因此第四HTL 333的厚度可以调整为比第三HTL 332的厚度薄，以使空穴更好地移动至第三EML 334。即，第三HTL 332的厚度与第四HTL333的厚度的比可以在7:3至8:2的范围内。例如，当第三HTL 332的厚度与第四HTL 333的厚度的和为100nm时，第三HTL 332的厚度可以在70nm至80nm的范围内，并且第四HTL 333的厚度可以在20nm至30nm的范围内。
第二P型CGL 352可以由具有空穴传输特性的如下材料形成：例如，N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺(NPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-联苯胺(NPB)、N,N'-二-(3-甲基苯基)-N,N'-二(苯基)-联苯胺(TPD)和4,4',4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺(MTDATA)中之一，但是不限于此。
此外，第三HTL 332和第四HTL 333均可以由例如星型胺基、芳香胺基等形成，但是不限于此。
以下将参照以下表7描述根据本公开的第三实施方案的通过测量驱动电压、效率和外部量子效率获得的结果。
表7
表7示出了通过将本公开的第三实施方案与其中驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)均设定为100.0％的比较例3进行比较来获得的结果。此外，已经关于10mA/cm2的电流密度测量了驱动电压(V)、效率(cd/A)和外部量子效率(EQE)。已经通过使用包括图4的有机发光装置的有机发光显示装置测量了表7中示出的本公开的第三实施方案和比较例3。
在表7中，在比较例3中，设置了包含基质和P型掺杂剂的第一P型CGL 342、第二HTL322、包含基质和P型掺杂剂的第二P型CGL 352、以及第三HTL 332。在本公开的第三实施方案中，设置了不包含掺杂剂的第一P型CGL 342、包含两种材料的组合的第二HTL 322、不包含掺杂剂的第二P型CGL 352、包括两个层的第三HTL 332、以及包括两个层的第四HTL 333。
为了描述驱动电压(V)，可以看出，关于驱动电压(V)，与比较例3相比，本公开的第三实施方案降低了约8.3％。因此，可以看出，当设置了不包含掺杂剂的第一P型CGL 342和不包含掺杂剂的第二P型CGL 352时，驱动电压未提高，即使空穴不移动至第二HTL 322、第三HTL 332和第四HTL 333也是如此。此外，可以看出，即使当有机发光装置的厚度由于有机发光装置配置有第三HTL 332和第四HTL 333而增大时，驱动电压未提高。此外，第一P型CGL342的LUMO能级的绝对值与第二HTL 322的HOMO能级的绝对值之差调整为小的值，并且因此，可以看出，空穴从第一P型CGL 342移动至第二P型CGL 352。此外，第二P型CGL 352的LUMO能级的绝对值与第三HTL 332和第四HTL 333中每一个的HOMO能级的绝对值之差调整为小的值，并且因此，可以看出，空穴从第二P型CGL 352移动至第三HTL 332和第四HTL333。此外，可以看出，由于第四HTL 333由高空穴迁移率的材料形成，因此第二P型CGL 352的空穴移动至第三EML 334，并且因此，驱动电压未提高。
此外，可以看出，关于效率(cd/A)，与比较例3相比，本公开的第三实施方案提高了约7.7％。外部量子效率(EQE)表示在光输出至有机发光装置的外部时的发光效率，并且可以看出，关于发光效率，与比较例3的相比，本公开的第三实施方案提高了约7.0％。
因此，本公开的第三实施方案提供了如下有机发光显示装置：与比较例3相比，驱动电压降低并且效率或外部量子效率提高。即，与其中设置了不包含掺杂剂的第一P型CGL、包含两种材料的组合的HTL、包括两个层的HTL以及不包含掺杂剂的P型CGL的情况对应，在本公开的第三实施方案中，提供了其中驱动电压降低并且效率或外部量子效率未降低的有机发光显示装置。
根据本公开的实施方案的上述的有机发光装置可以应用于照明装置，可以用作液晶显示(LCD)装置的光源，并且可以应用于显示装置。包括根据本公开的实施方案的有机发光装置的有机发光显示装置可以是通过使用包括第一EML的第一发光部、包括第二EML的第二发光部以及包括第三EML的第三发光部发射白光的白色有机发光显示装置。因此，当根据本公开的实施方案的有机发光装置应用于有机发光显示装置时，有机发光显示装置可以实现为包括四个像素(例如白色像素、红色像素、绿色像素和蓝色像素)的白色有机发光显示装置。或者，当根据本公开的实施方案的有机发光装置应用于有机发光显示装置时，有机发光显示装置可以实现为包括三个像素(例如红色像素、绿色像素和蓝色像素)的白色有机发光显示装置。此外，包括根据本公开的实施方案的有机发光装置的有机发光显示装置可以应用于底部发光显示装置、顶部发光显示装置、双发光显示装置、用于车辆的照明装置等。用于车辆的照明装置可以是前灯、远光灯、尾灯、刹车灯、倒车灯、雾灯、转向信号灯以及辅助灯中的至少之一，但是不限于此。或者，包括根据本公开的实施方案的有机发光装置的有机发光显示装置可以应用于用于确保驾驶员的视野并且传输或接收车辆信号的所有指示灯。此外，包括根据本公开的实施方案的有机发光装置的有机发光显示装置可以应用于移动设备、监视器、电视(TV)等。
如上所述，根据本公开的实施方案，不包含掺杂剂的P型CGL以及相邻于P型CGL的空穴传输层均可以通过混合两种材料形成，所述两种材料之一可以具有与P型CGL的LUMO能级的绝对值相似的LUMO能级的绝对值，并且所述两种材料的另一个可以具有相对高的空穴迁移率，从而提供其中驱动电压降低并且效率或外部量子效率未降低的有机发光显示装置。
此外，根据本公开的实施方案，由于设置了不包含掺杂剂的P型CGL，因此有机发光显示装置的制造成本降低。
此外，根据本公开的实施方案，不包含掺杂剂的P型CGL以及相邻于P型CGL的空穴传输层均可以配置为具有两个层，并且所述两个层的HOMO能级的绝对值可以相等，从而提供其中EML的发光效率提高并且驱动电压降低的有机发光显示装置。
此外，根据本公开的实施方案，不包含掺杂剂的P型CGL以及相邻于P型CGL的空穴传输层均可以配置为具有两个层(例如第一层和第二层)，第一层和第二层的LUMO能级的绝对值可以相似于P型CGL的LUMO能级的绝对值，第一层可以由空穴迁移率比第二层高的材料形成，并且第二层可以由具有电子阻挡特性的材料形成，从而提供其中驱动电压降低并且效率或外部量子效率未降低的有机发光显示装置。
如上所述，根据本公开的实施方案，不包含掺杂剂的P型CGL以及相邻于P型CGL的空穴传输层均可以通过混合两种材料形成，所述两种材料之一可以具有与P型CGL的LUMO能级的绝对值相似的LUMO能级的绝对值，并且所述两种材料的另一个可以具有相对高的空穴迁移率，从而提供其中驱动电压降低并且效率或外部量子效率未降低的有机发光显示装置。
此外，根据本公开的实施方案，由于设置了不包含掺杂剂的P型CGL，因此有机发光显示装置的制造成本降低。
此外，根据本公开的实施方案，不包含掺杂剂的P型CGL以及相邻于P型CGL的空穴传输层均可以配置为具有两个层，并且所述两个层的HOMO能级的绝对值可以相等，从而提供其中EML的发光效率提高并且驱动电压降低的有机发光显示装置。
此外，根据本公开的实施方案，不包含掺杂剂的P型CGL以及相邻于P型CGL的空穴传输层均可以配置为具有两个层(例如第一层和第二层)，第一层和第二层的LUMO能级的绝对值可以相似于P型CGL的LUMO能级的绝对值，第一层可以由空穴迁移率比第二层高的材料形成，并且第二层可以由具有电子阻挡特性的材料形成，从而提供其中驱动电压降低并且效率或外部量子效率未降低的有机发光显示装置。
根据本公开的有机发光显示装置包括：第一发光部，第一发光部包括第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层；在第一发光部上的第二发光部，第二发光部包括第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层；以及在第一发光部与第二发光部之间的第一P型电荷生成层，其中第二空穴传输层和第一P型电荷生成层设置为彼此相邻，并且第二空穴传输层包含第一材料和第二材料，第一材料的最高已占分子轨道(HOMO)能级的绝对值大于第一P型电荷生成层的最低未占分子轨道(LUMO)能级的绝对值。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第一材料的HOMO能级的绝对值与第一P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值之差可以在约0.1eV至0.3eV的范围内。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第二材料的空穴迁移率可以在约1×10- 2cm2/Vs至1×10-4cm2/Vs的范围内。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第一材料与第二材料的体积比可以为约5:5。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第一P型电荷生成层可以不包含掺杂剂。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第一材料和第二材料可以通过共沉积来混合。
根据本公开的一个或更多个实施方案的有机发光显示装置还可以包括：在第二发光部上的第三发光部，第三发光部包括第三空穴传输层、第四空穴传输层、第三发光层和第三电子传输层；以及在第二发光部与第三发光部之间的第二P型电荷生成层。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第二P型电荷生成层可以不包含掺杂剂。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第三空穴传输层的HOMO能级的绝对值和第四空穴传输层的HOMO能级的绝对值均可以大于第二P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第三空穴传输层的HOMO能级的绝对值与第二P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值之差可以在约0.1eV至0.3eV的范围内，并且第四空穴传输层的HOMO能级的绝对值与第二P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值之差可以在约0.1eV至0.3eV的范围内。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第四空穴传输层的三重态能级的绝对值可以在约2.5eV至3.0eV的范围内。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第三空穴传输层的的空穴迁移率可以高于第四空穴传输层的空穴迁移率。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第三空穴传输层可以设置成比第四空穴传输层更靠近第二P型电荷生成层。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第三空穴传输层的厚度与第四空穴传输层的厚度之比可以在约7:3至8:2的范围内。
根据本公开的有机发光显示装置包括：第一发光部，第一发光部包括第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层；在第一发光部上的第二发光部，第二发光部包括第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层；在第二发光部上的第三发光部，第三发光部包括第三空穴传输层、第三发光层和第三电子传输层；在第一发光部与第二发光部之间的第一P型电荷生成层；以及在第二发光部与第三发光部之间的第二P型电荷生成层，其中有机发光显示装置包括在第三空穴传输层上的第四空穴传输层，并且第三空穴传输层的最高已占分子轨道(HOMO)能级的绝对值和第四空穴传输层的HOMO能级的绝对值调整成相等。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第三空穴传输层的HOMO能级的绝对值和第四空穴传输层的HOMO能级的绝对值均可以大于第二P型电荷生成层的最低未占分子轨道(LUMO)能级的绝对值。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第三空穴传输层的HOMO能级的绝对值与第二P型电荷生成层的最低未占分子轨道(LUMO)能级的绝对值之差可以在约0.1eV至0.3eV的范围内，并且第四空穴传输层的HOMO能级的绝对值与第二P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值之差可以在约0.1eV至0.3eV的范围内。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第三空穴传输层的空穴迁移率可以高于第四空穴传输层的空穴迁移率。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第四空穴传输层的三重态能级的绝对值可以在约2.5eV至3.0eV的范围内。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第三空穴传输层可以设置成比第四空穴传输层更靠近第二P型电荷生成层。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第三空穴传输层的厚度与第四空穴传输层的厚度之比可以在约7:3至8:2的范围内。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第二P型电荷生成层可以不包含掺杂剂。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第二空穴传输层可以包含第一材料和第二材料，第一材料的HOMO能级的绝对值大于第一P型电荷生成层的最低未占分子轨道(LUMO)能级的绝对值。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第一材料的HOMO能级的绝对值与第一P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值之差可以在约0.1eV至0.3eV的范围内。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第二材料的空穴迁移率可以在约1×10- 2cm2/Vs至1×10-4cm2/Vs的范围内。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第一材料与第二材料的体积比可以为约5:5。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第一材料和第二材料可以通过共沉积来混合。
根据本公开的一个或更多个实施方案，第一P型电荷生成层可以不包含掺杂剂。
本公开的目的不限于前述，并且根据以上描述，本领域技术人员将清楚地理解本文中未描述的其他目的。
对本领域技术人员将明显的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中做出各种修改和变化。因此，本公开旨在覆盖本公开的修改和变化，只要这些修改和变化落入所附权利要求书及其等同内容的范围内即可。

Claims (28)

1.一种有机发光显示装置，包括：
第一发光部，其包括第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层；
在所述第一发光部上的第二发光部，所述第二发光部包括第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层；以及
在所述第一发光部与所述第二发光部之间的第一P型电荷生成层，
其中
所述第二空穴传输层和所述第一P型电荷生成层设置为彼此相邻，以及
所述第二空穴传输层包含第一材料和第二材料，所述第一材料的最高已占分子轨道(HOMO)能级的绝对值大于所述第一P型电荷生成层的最低未占分子轨道(LUMO)能级的绝对值。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一材料的HOMO能级的绝对值与所述第一P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值之差在0.1eV至0.3eV的范围内。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二材料的空穴迁移率在1×10-2cm2/Vs至1×10-4cm2/Vs的范围内。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一材料与所述第二材料的体积比为约5:5。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一P型电荷生成层不包含掺杂剂。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第一材料和所述第二材料通过共沉积来混合。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：
在所述第二发光部上的第三发光部，所述第三发光部包括第三空穴传输层、第四空穴传输层、第三发光层和第三电子传输层；以及
在所述第二发光部与所述第三发光部之间的第二P型电荷生成层。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中所述第二P型电荷生成层不包含掺杂剂。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中所述第三空穴传输层的HOMO能级的绝对值和所述第四空穴传输层的HOMO能级的绝对值各自大于所述第二P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值。
10.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中
所述第三空穴传输层的HOMO能级的绝对值与所述第二P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值之差在0.1eV至0.3eV的范围内，以及
所述第四空穴传输层的HOMO能级的绝对值与所述第二P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值之差在0.1eV至0.3eV的范围内。
11.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中所述第四空穴传输层的三重态能级的绝对值在2.5eV至3.0eV的范围内。
12.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中所述第三空穴传输层的空穴迁移率高于所述第四空穴传输层的空穴迁移率。
13.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中所述第三空穴传输层设置为比所述第四空穴传输层更靠近所述第二P型电荷生成层。
14.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中所述第三空穴传输层的厚度与所述第四空穴传输层的厚度之比在7:3至8:2的范围内。
15.一种有机发光显示装置，包括：
第一发光部，其包括第一空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层；
在所述第一发光部上的第二发光部，所述第二发光部包括第二空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层；
在所述第二发光部上的第三发光部，所述第三发光部包括第三空穴传输层、第三发光层和第三电子传输层；
在所述第一发光部与所述第二发光部之间的第一P型电荷生成层；以及
在所述第二发光部与所述第三发光部之间的第二P型电荷生成层，
其中
所述有机发光显示装置包括在所述第三空穴传输层上的第四空穴传输层，以及
所述第三空穴传输层的最高已占分子轨道(HOMO)能级的绝对值和所述第四空穴传输层的HOMO能级的绝对值调整为相同。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述第三空穴传输层的HOMO能级的绝对值和所述第四空穴传输层的HOMO能级的绝对值各自大于所述第二P型电荷生成层的最低未占分子轨道(LUMO)能级的绝对值。
17.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中
所述第三空穴传输层的HOMO能级的绝对值与所述第二P型电荷生成层的最低未占分子轨道(LUMO)能级的绝对值之差在0.1eV至0.3eV的范围内，以及
所述第四空穴传输层的HOMO能级的绝对值与所述第二P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值之差在0.1eV至0.3eV的范围内。
18.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述第三空穴传输层的空穴迁移率高于所述第四空穴传输层的空穴迁移率。
19.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述第四空穴传输层的三重态能级的绝对值在2.5eV至3.0eV的范围内。
20.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述第三空穴传输层设置为比所述第四空穴传输层更靠近所述第二P型电荷生成层。
21.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述第三空穴传输层的厚度与所述第四空穴传输层的厚度之比在7:3至8:2的范围内。
22.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述第二P型电荷生成层不包含掺杂剂。
23.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述第二空穴传输层包含第一材料和第二材料，以及所述第一材料的HOMO能级的绝对值大于所述第一P型电荷生成层的最低未占分子轨道(LUMO)能级的绝对值。
24.根据权利要求23所述的有机发光显示装置，其中所述第一材料的HOMO能级的绝对值与所述第一P型电荷生成层的LUMO能级的绝对值之差在0.1eV至0.3eV的范围内。
25.根据权利要求23所述的有机发光显示装置，其中所述第二材料的空穴迁移率在1×10-2cm2/Vs至1×10-4cm2/Vs的范围内。
26.根据权利要求23所述的有机发光显示装置，其中所述第一材料与所述第二材料的体积比为约5:5。
27.根据权利要求23所述的有机发光显示装置，其中所述第一材料和所述第二材料通过共沉积来混合。
28.根据权利要求23所述的有机发光显示装置，其中所述第一P型电荷生成层不包含掺杂剂。
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