CN106024843B - 一种oled基板的制备方法及oled基板 - Google Patents
一种oled基板的制备方法及oled基板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106024843B CN106024843B CN201610599957.1A CN201610599957A CN106024843B CN 106024843 B CN106024843 B CN 106024843B CN 201610599957 A CN201610599957 A CN 201610599957A CN 106024843 B CN106024843 B CN 106024843B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pattern
- pspi
- register guide
- ito
- preparation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种OLED基板的制备方法及OLED基板。该制备方法中的金属图案、PSPI图案以ITO图案为对位基准,而RIB图案以PSPI图案为对位基准,相比ITO、PSPI、RIB均以金属图案为对位基准的现有技术,即使PSPI的宽度做小也能保证PSPI与ITO搭接,且RIB不超过PSPI,从而可以设计加大像素发光面积,进而达到更好的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及OLED领域,尤其涉及一种OLED基板的制备方法及OLED基板。
背景技术
典型的OLED像素结构如图1和2所示,PSPI隔离出ITO发光区域,因此,不发光区域的面积决定于横向及纵向的PSPI宽度。如图1所示,横向PSPI设计宽度a=c+2d,如图2所示,纵向PSPI设计宽度b=e+2f;实际生产中,其中c(RIB宽度)、e(ITO线间距)取决于制程能力,d、f取决于曝光时的对位精度。
现有的OLED基板的制备方法中,一般在制备金属图案时即制作出全部对位标,ITO图案、PSPI图案和RIB图案制程再依次按各自的对位标制作图案,生产时极可能出现对位偏移的情况,即ITO和PSPI图案相对于金属图案产生偏移。假设对位精度为△x,则ITO相对于PSPI的理论最大偏离值为2△x,为保证PSPI与ITO搭接,f的设计值必须满足f>2△x,同理,为保证RIB不超过PSPI,d的设计值必须满足d>2△x,于是,OLED基板必须满足a>c+4△x及b>e+4△x的条件,按这样设计,不发光区域面积过大,OLED的显示效果较差。
发明内容
为了解决上述现有技术的不足,本发明提供一种OLED基板的制备方法,该制备方法简单,可操作性强,能够有效减小PSPI的宽度,加大ITO发光区域的面积,达到更好的显示效果。
本发明还提供了一种使用上述制备方法制得的OLED基板。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种OLED基板的制备方法,包括如下步骤:
S1:提供一ITO基板;
S2:在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标;
S3:对所述金属图案对位标进行对位,制作金属图案;
S4:对所述PSPI图案对位标进行对位,制作PSPI图案、RIB图案对位标;
S5:对所述RIB图案对位标进行对位,制作RIB图案;
S6:蒸镀有机功能层和金属阴极。
进一步地,所述步骤S1包括:
S1.1:提供一透明基板,清洁所述透明基板,去除透明基板上的污物;
S1.2:在所述透明基板上溅镀一层ITO膜,形成ITO基板;
S1.3:对所述ITO膜作平坦化处理,使其表面粗糙度Rs<1nm。
进一步地,所述步骤S2包括:
S2.1:在所述ITO基板上涂覆一层光刻胶;
S2.2:利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影,形成光刻胶图案;
S2.3:通过刻蚀工艺,制作出ITO图案、金属图案对位标和PSPI对位标;
S2.4:剥离剩余的光刻胶。
进一步地,所述步骤S3包括:
S3.1:溅镀金属膜;
S3.2:在所述金属膜上涂覆一层光刻胶;
S3.:3:利用掩膜板对所述金属图案对位标进行对位,并对所述光刻胶进行曝光显影,形成光刻胶图案;
S3.4:通过刻蚀工艺,制作出金属图案;
S3.5:剥离剩余的光刻胶。
进一步地,所述步骤S4包括:
S4.1:涂覆一层PSPI;
S4.2:利用掩膜板对所述PSPI图案对位标进行对位,并对所述PSPI进行曝光显影,形成PSPI图案和RIB图案对位标。
进一步地,所述步骤S5包括:
S5.1:涂覆一层RIB;
S5.2:利用掩膜板对所述RIB图案对位标进行对位,并对所述RIB进行曝光显影,形成RIB图案。
进一步地,所述步骤S2中,还制作有位于RIB图案对位标区域的ITO块。
进一步地,所述步骤S3中,还制作有PSPI图案对位标区域的金属块。
进一步地,所述步骤S4和S5之间,还包括在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆。
一种OLED基板,由上述制备方法制得。
本发明具有如下有益效果:
(1)该制备方法简单,可操作性强,金属图案、PSPI图案以ITO图案为对位基准,而RIB图案以PSPI图案为对位基准,相比ITO、PSPI、RIB均以金属图案为对位基准的现有技术,即使PSPI的宽度做小也能保证PSPI与ITO搭接,且RIB不超过PSPI,从而可以加大像素发光面积,进而达到更好的显示效果;
(2)所述RIB图案对位标区域上的ITO块,可以增强PSPI材质的RIB图案对位标的粘附力;
(3)所述PSPI图案对位标区域上的金属块可以增强PSPI图案对位标的识别度;
(4)在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆可以增强半透明PSPI材质的RIB图案对位标的识别度。
附图说明
图1为现有技术中OLED像素结构单元的示意图;
图2为现有技术中OLED像素结构的ITO与PSPI搭接的示意图;
图3为本发明提供的OLED基板的制备方法的流程框图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
实施例一
如图3所示,一种OLED基板的制备方法,包括如下步骤:
S1:提供一ITO基板;
其中,所述步骤S1包括:
S1.1:提供一透明基板,清洁所述透明基板,去除透明基板上的污物;
S1.2:在所述透明基板上溅镀一层ITO膜,形成ITO基板;
S1.3:对所述ITO膜作平坦化处理,使其表面粗糙度Rs<1nm。
S2:在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标;
其中,所述步骤S2包括:
S2.1:在所述ITO基板上涂覆一层光刻胶;
S2.2:利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影,形成光刻胶图案;
S2.3:通过刻蚀工艺,制作出ITO图案、金属图案对位标和PSPI对位标;
S2.4:剥离剩余的光刻胶。
S3:对所述金属图案对位标进行对位,制作金属图案;
其中,所述步骤S3包括:
S3.1:溅镀金属膜;
S3.2:在所述金属膜上涂覆一层光刻胶;
S3.3:利用掩膜板对所述金属图案对位标进行对位,并对所述光刻胶进行曝光显影,形成光刻胶图案;
S3.4:通过刻蚀工艺,制作出金属图案;
S3.5:剥离剩余的光刻胶。
S4:对所述PSPI图案对位标进行对位,制作PSPI图案、RIB图案对位标;
其中,所述步骤S4包括:
S4.1:涂覆一层PSPI;
S4.2:利用掩膜板对所述PSPI图案对位标进行对位,并对所述PSPI进行曝光显影,形成PSPI图案和RIB图案对位标。
S5:对所述RIB图案对位标进行对位,制作RIB图案;
其中,所述步骤S5包括:
S5.1:涂覆一层RIB;
S5.2:利用掩膜板对所述RIB图案对位标进行对位,并对所述RIB进行曝光显影,形成RIB图案。
S6:蒸镀有机功能层和金属阴极。
本技术方案中的金属图案、PSPI图案以ITO图案为对位基准,而RIB图案以PSPI图案为对位基准,相比ITO、PSPI、RIB均以金属图案为对位基准的现有技术,即使PSPI的宽度做小也能保证PSPI与ITO搭接,且RIB不超过PSPI,从而可以加大像素发光面积,进而达到更好的显示效果。
优选地,所述金属图案为MAM,即Mo/Al/Mo。
特别说明,上述所有对位标均位于OLED基板的显示区域外。
按照本技术方案的制备方法,PSPI图案以ITO图案为基准对位,对位精度为△x,此时为保证PSPI与ITO搭接,只须满足f>△x;同理,RIB图案以PSPI图案为基准对位,只须满足d>△x。
因此,按本技术方案中的制备方法,只须满足a>c+2△x及b>e+2△x,即采用本技术方案,横向与纵向PSPI的宽度均可减小2△x。
具体的:
1.若取△x=3μm、L=50μm、c=10μm、e=10μm(L为发光区ITO的宽度),若采用本技术方案的制备方法,按极限情况a=c+2△x及b=e+2△x计算,像素面积增大22.56%。
2.若取△x=3μm、L=80μm、c=10μm、e=10μm(L为发光区ITO的宽度),若采用本技术方案的制备方法,按极限情况a=c+2△x及b=e+2△x计算,像素面积增大14.44%。
3.若取△x=3μm、L=150μm、c=10μm、e=10μm(L为发光区ITO的宽度),若采用本技术方案的制备方法,按极限情况a=c+2△x及b=e+2△x计算,像素面积增大7.84%。
可见,像素面积越小,采用本技术方案的效果越明显,在高PPI显示器中,本技术方案尤其具有价值。
作为本技术方案的进一步优化,所述步骤S2中,还制作有位于RIB图案对位标区域的ITO块。
所述RIB图案对位标区域的ITO块,可以增强PSPI材质的RIB图案对位标的粘附力。
作为本技术方案的进一步优化,所述步骤S3中,还制作有PSPI图案对位标区域的金属块。
在制作金属图案时,在ITO材质的PSPI图案对位标区域覆盖金属块,可以增强PSPI图案对位标的识别能力。
作为本技术方案的进一步优化,所述步骤S4和S5之间,还包括在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆,或其它可以增加半透明PSPI材质的RIB图案对位标的识别度的处理。
实施例二
一种OLED基板,由实施例一中所述的制备方法制得。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制,但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案,均应落在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种OLED基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1:提供一ITO基板;
S2:在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标;
S3:对所述金属图案对位标进行对位,制作金属图案;
S4:对所述PSPI图案对位标进行对位,制作PSPI图案、RIB图案对位标;
S5:对所述RIB图案对位标进行对位,制作RIB图案;
S6:蒸镀有机功能层和金属阴极。
2.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法,其特征在于,所述步骤S1包括:
S1.1:提供一透明基板,清洁所述透明基板,去除透明基板上的污物;
S1.2:在所述透明基板上溅镀一层ITO膜,形成ITO基板;
S1.3:对所述ITO膜作平坦化处理,使其表面粗糙度Rs<1nm。
3.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法,其特征在于,所述步骤S2包括:
S2.1:在所述ITO基板上涂覆一层光刻胶;
S2.2:利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影,形成光刻胶图案;
S2.3:通过刻蚀工艺,制作出ITO图案、金属图案对位标和PSPI对位标;
S2.4:剥离剩余的光刻胶。
4.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法,其特征在于,所述步骤S3包括:
S3.1:溅镀金属膜;
S3.2:在所述金属膜上涂覆一层光刻胶;
S3.3:利用掩膜板对所述金属图案对位标进行对位,并对所述光刻胶进行曝光显影,形成光刻胶图案;
S3.4:通过刻蚀工艺,制作出金属图案;
S3.5:剥离剩余的光刻胶。
5.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法,其特征在于,所述步骤S4包括:
S4.1:涂覆一层PSPI;
S4.2:利用掩膜板对所述PSPI图案对位标进行对位,并对所述PSPI进行曝光显影,形成PSPI图案和RIB图案对位标。
6.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法,其特征在于,所述步骤S5包括:
S5.1:涂覆一层RIB;
S5.2:利用掩膜板对所述RIB图案对位标进行对位,并对所述RIB进行曝光显影,形成RIB图案。
7.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,还制作有位于RIB图案对位标区域的ITO块。
8.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,还制作有PSPI图案对位标区域的金属块。
9.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法,其特征在于,所述步骤S4和S5之间,还包括在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆。
10.一种OLED基板,其特征在于,由权利要求1-9中任一所述的制备方法制得。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610599957.1A CN106024843B (zh) | 2016-07-28 | 2016-07-28 | 一种oled基板的制备方法及oled基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610599957.1A CN106024843B (zh) | 2016-07-28 | 2016-07-28 | 一种oled基板的制备方法及oled基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106024843A CN106024843A (zh) | 2016-10-12 |
CN106024843B true CN106024843B (zh) | 2019-04-23 |
Family
ID=57113835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610599957.1A Active CN106024843B (zh) | 2016-07-28 | 2016-07-28 | 一种oled基板的制备方法及oled基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106024843B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108598271B (zh) * | 2018-04-19 | 2020-04-14 | 信利半导体有限公司 | 彩色oled基板的制作方法及彩色oled基板 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6500725B1 (en) * | 2001-09-06 | 2002-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Microelectronic fabrication method providing alignment mark and isolation trench of identical depth |
CN102760846A (zh) * | 2012-07-30 | 2012-10-31 | 信利半导体有限公司 | 一种柔性oled及其制备方法 |
CN103199084A (zh) * | 2013-03-08 | 2013-07-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板对位标记及其制作方法、基板 |
-
2016
- 2016-07-28 CN CN201610599957.1A patent/CN106024843B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6500725B1 (en) * | 2001-09-06 | 2002-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Microelectronic fabrication method providing alignment mark and isolation trench of identical depth |
CN102760846A (zh) * | 2012-07-30 | 2012-10-31 | 信利半导体有限公司 | 一种柔性oled及其制备方法 |
CN103199084A (zh) * | 2013-03-08 | 2013-07-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板对位标记及其制作方法、基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106024843A (zh) | 2016-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10787730B2 (en) | Mask assembly with support bar configured to support back plate, installation thereof and evaporation apparatus | |
CN102569673B (zh) | 掩膜框架组件、其制造方法及制造有机发光显示器的方法 | |
CN105655346B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板 | |
CN104733505A (zh) | 发光显示器的像素界定层及其制作方法 | |
KR20070002553A (ko) | 유기전계 발광소자 제조 용 쉐도우 마스크 제조 방법 | |
US8646405B2 (en) | Deposition mask and method of fabricating the same | |
CN102929459B (zh) | 一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法 | |
CN104409317A (zh) | 一种平面型场致发射背光源及其制造方法 | |
WO2020019583A1 (zh) | Oled面板及其制作方法 | |
CN107093680A (zh) | 金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法 | |
CN105789479A (zh) | Oled及其制备方法、以及oled显示装置 | |
CN104576523A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 | |
CN106024843B (zh) | 一种oled基板的制备方法及oled基板 | |
WO2020206718A1 (zh) | 一种有机发光二极管显示器及其制作方法 | |
JP2015036436A (ja) | 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク | |
WO2021077294A1 (zh) | 掩模板及其制作方法、有机发光装置 | |
CN108766992A (zh) | 一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法 | |
WO2018196091A1 (zh) | 有源矩阵有机发光二极管面板及制作其的方法 | |
CN106206426A (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
CN102354730B (zh) | Oled照明器件及其制作方法 | |
US20190062894A1 (en) | Evaporation mask plate and evaporation method | |
WO2019062547A1 (zh) | 刮刀、包括刮刀的装置以及印刷玻璃胶的方法 | |
JP2007200735A (ja) | 有機化合物の蒸着方法および装置 | |
CN111029476A (zh) | 显示器及其制备方法 | |
CN109055893A (zh) | 掩膜板及蒸镀设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |