CN106024843A - 一种oled基板的制备方法及oled基板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种OLED基板的制备方法及OLED基板。该制备方法中的金属图案、PSPI图案以ITO图案为对位基准，而RIB图案以PSPI图案为对位基准，相比ITO、PSPI、RIB均以金属图案为对位基准的现有技术，即使PSPI的宽度做小也能保证PSPI与ITO搭接，且RIB不超过PSPI，从而可以设计加大像素发光面积，进而达到更好的显示效果。

Description

一种 OLED 基板的制备方法及 OLED 基板
技术领域
本发明涉及OLED领域，尤其涉及一种OLED基板的制备方法及OLED基板。
背景技术
典型的OLED像素结构如图1和2所示，PSPI隔离出ITO发光区域，因此，不发光区域的面积决定于横向及纵向的PSPI宽度。如图1所示，横向PSPI设计宽度a=c+2d，如图2所示，纵向PSPI设计宽度b=e+2f；实际生产中，其中c（RIB宽度）、e（ITO线间距）取决于制程能力，d、f取决于曝光时的对位精度。
现有的OLED基板的制备方法中，一般在制备金属图案时即制作出全部对位标，ITO图案、PSPI图案和RIB图案制程再依次按各自的对位标制作图案，生产时极可能出现对位偏移的情况，即ITO和PSPI图案相对于金属图案产生偏移。假设对位精度为△x，则ITO相对于PSPI的理论最大偏离值为2△x，为保证PSPI与ITO搭接，f的设计值必须满足f＞2△x，同理，为保证RIB不超过PSPI，d的设计值必须满足d＞2△x，于是，OLED基板必须满足a＞c+4△x及b＞e+4△x的条件，按这样设计，不发光区域面积过大，OLED的显示效果较差。
发明内容
为了解决上述现有技术的不足，本发明提供一种OLED基板的制备方法，该制备方法简单，可操作性强，能够有效减小PSPI的宽度，加大ITO发光区域的面积，达到更好的显示效果。
本发明还提供了一种使用上述制备方法制得的OLED基板。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种OLED基板的制备方法，包括如下步骤：
S1：提供一ITO基板；
S2：在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；
S3：对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；
S4：对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案、RIB图案对位标；
S5：对所述RIB图案对位标进行对位，制作RIB图案；
S6：蒸镀有机功能层和金属阴极。
进一步地，所述步骤S1包括：
S1.1：提供一透明基板，清洁所述透明基板，去除透明基板上的污物；
S1.2：在所述透明基板上溅镀一层ITO膜，形成ITO基板；
S1.3：对所述ITO膜作平坦化处理，使其表面粗糙度Rs＜1nm。
进一步地，所述步骤S2包括：
S2.1：在所述ITO基板上涂覆一层光刻胶；
S2.2：利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；
S2.3：通过刻蚀工艺，制作出ITO图案、金属图案对位标和PSPI对位标；
S2.4：剥离剩余的光刻胶。
进一步地，所述步骤S3包括：
S3.1：溅镀金属膜；
S3.2：在所述金属膜上涂覆一层光刻胶；
S3.:3：利用掩膜板对所述金属图案对位标进行对位，并对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；
S3.4：通过刻蚀工艺，制作出金属图案；
S3.5：剥离剩余的光刻胶。
进一步地，所述步骤S4包括：
S4.1：涂覆一层PSPI；
S4.2：利用掩膜板对所述PSPI图案对位标进行对位，并对所述PSPI进行曝光显影，形成PSPI图案和RIB图案对位标。
进一步地，所述步骤S5包括：
S5.1：涂覆一层RIB；
S5.2：利用掩膜板对所述RIB图案对位标进行对位，并对所述RIB进行曝光显影，形成RIB图案。
进一步地，所述步骤S2中，还制作有位于RIB图案对位标区域的ITO块。
进一步地，所述步骤S3中，还制作有PSPI图案对位标区域的金属块。
进一步地，所述步骤S4和S5之间，还包括在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆。
一种OLED基板，由上述制备方法制得。
本发明具有如下有益效果：
（1）该制备方法简单，可操作性强，金属图案、PSPI图案以ITO图案为对位基准，而RIB图案以PSPI图案为对位基准，相比ITO、PSPI、RIB均以金属图案为对位基准的现有技术，即使PSPI的宽度做小也能保证PSPI与ITO搭接，且RIB不超过PSPI，从而可以加大像素发光面积，进而达到更好的显示效果；
（2）所述RIB图案对位标区域上的ITO块，可以增强PSPI材质的RIB图案对位标的粘附力；
（3）所述PSPI图案对位标区域上的金属块可以增强PSPI图案对位标的识别度；
（4）在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆可以增强半透明PSPI材质的RIB图案对位标的识别度。
附图说明
图1为现有技术中OLED像素结构单元的示意图；
图2为现有技术中OLED像素结构的ITO与PSPI搭接的示意图；
图3为本发明提供的OLED基板的制备方法的流程框图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
实施例一
如图3所示，一种OLED基板的制备方法，包括如下步骤：
S1：提供一ITO基板；
其中，所述步骤S1包括：
S1.1：提供一透明基板，清洁所述透明基板，去除透明基板上的污物；
S1.2：在所述透明基板上溅镀一层ITO膜，形成ITO基板；
S1.3：对所述ITO膜作平坦化处理，使其表面粗糙度Rs＜1nm。
S2：在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；
其中，所述步骤S2包括：
S2.1：在所述ITO基板上涂覆一层光刻胶；
S2.2：利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；
S2.3：通过刻蚀工艺，制作出ITO图案、金属图案对位标和PSPI对位标；
S2.4：剥离剩余的光刻胶。
S3：对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；
其中，所述步骤S3包括：
S3.1：溅镀金属膜；
S3.2：在所述金属膜上涂覆一层光刻胶；
S3.3：利用掩膜板对所述金属图案对位标进行对位，并对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；
S3.4：通过刻蚀工艺，制作出金属图案；
S3.5：剥离剩余的光刻胶。
S4：对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案、RIB图案对位标；
其中，所述步骤S4包括：
S4.1：涂覆一层PSPI；
S4.2：利用掩膜板对所述PSPI图案对位标进行对位，并对所述PSPI进行曝光显影，形成PSPI图案和RIB图案对位标。
S5：对所述RIB图案对位标进行对位，制作RIB图案；
其中，所述步骤S5包括：
S5.1：涂覆一层RIB；
S5.2：利用掩膜板对所述RIB图案对位标进行对位，并对所述RIB进行曝光显影，形成RIB图案。
S6：蒸镀有机功能层和金属阴极。
本技术方案中的金属图案、PSPI图案以ITO图案为对位基准，而RIB图案以PSPI图案为对位基准，相比ITO、PSPI、RIB均以金属图案为对位基准的现有技术，即使PSPI的宽度做小也能保证PSPI与ITO搭接，且RIB不超过PSPI，从而可以加大像素发光面积，进而达到更好的显示效果。
优选地，所述金属图案为MAM，即Mo/Al/Mo。
特别说明，上述所有对位标均位于OLED基板的显示区域外。
按照本技术方案的制备方法，PSPI图案以ITO图案为基准对位，对位精度为△x，此时为保证PSPI与ITO搭接，只须满足f＞△x；同理，RIB图案以PSPI图案为基准对位，只须满足d＞△x。
因此，按本技术方案中的制备方法，只须满足a＞c+2△x及b＞e+2△x，即采用本技术方案，横向与纵向PSPI的宽度均可减小2△x。
具体的：
1.若取△x=3μm、L=50μm、c=10μm、e=10μm（L为发光区ITO的宽度），若采用本技术方案的制备方法，按极限情况a=c+2△x及b=e+2△x计算，像素面积增大22.56%。
2.若取△x=3μm、L=80μm、c=10μm、e=10μm（L为发光区ITO的宽度），若采用本技术方案的制备方法，按极限情况a=c+2△x及b=e+2△x计算，像素面积增大14.44%。
3.若取△x=3μm、L=150μm、c=10μm、e=10μm（L为发光区ITO的宽度），若采用本技术方案的制备方法，按极限情况a=c+2△x及b=e+2△x计算，像素面积增大7.84%。
可见，像素面积越小，采用本技术方案的效果越明显，在高PPI显示器中，本技术方案尤其具有价值。
作为本技术方案的进一步优化，所述步骤S2中，还制作有位于RIB图案对位标区域的ITO块。
所述RIB图案对位标区域的ITO块，可以增强PSPI材质的RIB图案对位标的粘附力。
作为本技术方案的进一步优化，所述步骤S3中，还制作有PSPI图案对位标区域的金属块。
在制作金属图案时，在ITO材质的PSPI图案对位标区域覆盖金属块，可以增强PSPI图案对位标的识别能力。
作为本技术方案的进一步优化，所述步骤S4和S5之间，还包括在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆，或其它可以增加半透明PSPI材质的RIB图案对位标的识别度的处理。
实施例二
一种OLED基板，由实施例一中所述的制备方法制得。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种OLED基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：提供一ITO基板；
S2：在所述ITO基板上制作ITO图案、金属图案对位标和PSPI图案对位标；
S3：对所述金属图案对位标进行对位，制作金属图案；
S4：对所述PSPI图案对位标进行对位，制作PSPI图案、RIB图案对位标；
S5：对所述RIB图案对位标进行对位，制作RIB图案；
S6：蒸镀有机功能层和金属阴极。
2.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
S1.1：提供一透明基板，清洁所述透明基板，去除透明基板上的污物；
S1.2：在所述透明基板上溅镀一层ITO膜，形成ITO基板；
S1.3：对所述ITO膜作平坦化处理，使其表面粗糙度Rs＜1nm。
3.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
S2.1：在所述ITO基板上涂覆一层光刻胶；
S2.2：利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；
S2.3：通过刻蚀工艺，制作出ITO图案、金属图案对位标和PSPI对位标；
S2.4：剥离剩余的光刻胶。
4.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括：
S3.1：溅镀金属膜；
S3.2：在所述金属膜上涂覆一层光刻胶；
S3.3：利用掩膜板对所述金属图案对位标进行对位，并对所述光刻胶进行曝光显影，形成光刻胶图案；
S3.4：通过刻蚀工艺，制作出金属图案；
S3.5：剥离剩余的光刻胶。
5.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S4包括：
S4.1：涂覆一层PSPI；
S4.2：利用掩膜板对所述PSPI图案对位标进行对位，并对所述PSPI进行曝光显影，形成PSPI图案和RIB图案对位标。
6.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S5包括：
S5.1：涂覆一层RIB；
S5.2：利用掩膜板对所述RIB图案对位标进行对位，并对所述RIB进行曝光显影，形成RIB图案。
7.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，还制作有位于RIB图案对位标区域的ITO块。
8.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，还制作有PSPI图案对位标区域的金属块。
9.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S4和S5之间，还包括在所述RIB图案对位标处涂覆油墨或者银浆。
10.一种OLED基板，其特征在于，由权利要求1-9中任一所述的制备方法制得。
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