CN106023412B - 薄膜厚度异常的检测方法与检测系统 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种薄膜厚度异常的检测方法与检测系统。该检测方法包括:步骤S1,获取薄膜的M行N列的检测点的检测电压,或者获取薄膜的M行N列的检测点的检测电压对应的M行N列的数字信号,其中,M≥1,N≥2;步骤S2,对至少一行中的至少两个检测点对应的检测电压或者数字信号作差,和/或对不同行不同列的至少两个检测点对应的检测电压或者数字信号作差,得到至少一个差值;步骤S3,将各差值的绝对值与标准值进行比较,当至少一个差值的绝对值大于标准值时,薄膜的厚度存在异常。该方法不仅可以将与检测点列方向平行的厚度异常检测出来,并且,还可以将其他方向的厚度异常检测出来。
Description
技术领域
本申请涉及膜厚的检测领域,具体而言,涉及一种薄膜厚度异常的检测方法与检测系统。
背景技术
在纸币鉴伪领域,点钞机、验钞机、清分机可通过多种手段对纸币真伪进行鉴别,当纸币上贴有异物时,会引起薄膜纸币厚度发生变化。
现有技术中,薄膜厚度异常的检测过程主要是:采用检测电极对薄膜上多行多列的检测点的电压信号进行检测,将检测到的电压信号转化为数字信号;然后对对不同行的相同列的数据作差,得到多组差值;最后,根据差值判断薄膜的厚度是否异常,进而判断薄膜表面是否存在异物。
上述的薄膜厚度异常的检测方式不能判断出与检测点列方向平行的厚度异常问题。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种薄膜厚度异常的检测方法与检测系统,以解决现有技术中薄膜厚度异常的判断方法不能准确地判断出与检测点列方向平行的厚度异常问题。
为了实现上述目的,根据本申请的一个方面,提供了一种薄膜厚度异常的检测方法,该检测方法包括:步骤S1,获取薄膜的M行N列的检测点的检测电压,或者获取薄膜的M行N列的检测点的检测电压对应的M行N列的数字信号,其中,M≥1,N≥2;步骤S2,对至少一行中的至少两个检测点对应的检测电压或者数字信号作差,和/或对不同行不同列的至少两个检测点对应的检测电压或者数字信号作差,得到至少一个差值;以及步骤S3,将各上述差值的绝对值与标准值进行比较,当至少一个上述差值的绝对值大于上述标准值时,上述薄膜的厚度存在异常。
进一步地,上述步骤S1中的获取M行N列的数字信号的过程包括:步骤S01,获取上述薄膜的待检测的M行N列的检测点对应的M行N列的检测电压;步骤S02,将各上述检测电压转化为数字信号,得到对应的数字信号。
进一步地,上述对至少一行中的至少两个检测点对应的数字信号作差的过程包括:对至少一行的至少两个检测点对应的数字信号作差,作差的两个数字信号对应的两个检测点对应的列序号的差值为A,1≤A≤10,且N>10。
进一步地,各行检测点中第Y个检测点对应的数字信号为PY,采用公式PY-P(Y+1)计算相同行的相邻的两个检测点对应的数字信号的差值,其中,Y依次取1、2…N-1。
进一步地,上述对不同行不同列的至少两个检测点对应的数字信号作差的过程包括:对相邻两行不同列的至少两个检测点对应的数字信号作差,作差的两个数字信号对应的两个检测点对应的列序号的差值为B,且1≤B≤10,且M≥2,N>10。
进一步地,采用公式PXZ-P(X+1)(Z+1)计算相邻两行相邻两列的两个检测点对应的数字信号的差值,其中,PXZ表示第X行第Z个检测点对应的数字信号,X依次取1、…M-1,且X取每个值时,Z依次取1、…N-1。
进一步地,采用公式PX(Z+1)-P(X+1)Z计算相邻两行相邻列的两个检测点对应的数字信号的差值,其中,PXZ表示第X行第Z个检测点对应的数字信号,X依次取1、…M-1,且X取每个值时,Z依次取1、…N-1。
进一步地,对上述步骤S1中的各上述数字信号进行存储,对上述步骤S2中的各上述差值进行存储。
为了实现上述目的,根据本申请的一个方面,提供了一种薄膜厚度异常的检测系统,该检测系统包括:检测单元,包括至少两个检测电极,采用上述检测电极获取薄膜的M行N列的检测点的检测电压对应的M行N列数字信号,其中,M≥1,N≥2;计算单元,与上述检测单元电连接,上述计算单元用于对至少一行中至少两个检测点对应的数字信号作差,和/或对不同行不同列的至少两个检测点对应的数字信号作差,得到至少一个差值;判断单元,与上述计算单元电连接,上述判断单元用于判断各上述差值的绝对值是否大于标准值,当一个上述差值的绝对值大于上述标准值,则上述薄膜的厚度存在异常
进一步地,上述检测单元还包括:检测模块,用于获取上述薄膜的M行N列的检测点的对应的M行N列的检测电压;模数转换模块,一端与上述检测模块电连接,另一端与上述计算单元电连接,上述模数转换模块用于将各上述检测电压转化为数字信号。
进一步地,上述检测系统还包括:存储单元,与上述检测单元电连接,和/或与上述计算单元电连接,和/或与上述判断单元电连接,上述存储单元用于将上述数字信号进行存储和/或对上述差值进行存储。
进一步地,上述计算单元为ARM处理器、DSP处理器或FPGA处理器,上述存储单元为EEPROM存储器或DRAM存储器。
应用本申请的技术方案,该检测方法对不同列的检测得到的数字信号或者检测电压作差,不仅可以将与检测点列方向平行的厚度异常检测出来,并且,还可以将其他方向的厚度异常检测出来,因而能够更加精确地检测出薄膜厚度的异常情况。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1示出了根据本申请的一种典型实施方式提供的薄膜厚度异常的检测方法的流程示意图;以及
图2示出了一种实施例提供的具有异物的纸币的示意图;
图3示出了另一种实施例提供的具有异物的纸币的示意图;
图4示出了又一种实施例提供的具有异物的纸币的示意图;
图5示出了再一种实施例提供的具有异物的纸币的示意图;
图6示出了一种实施例提供的薄膜厚度异常的检测系统的结构框图;以及
图7示出了一种实施例提供的薄膜厚度异常的检测方法采用的检测系统的结构框图。
其中,上述附图包括以下附图标记:
01、纸币;02、异物;1、检测单元;2、计算单元;3、判断单元;4、存储单元;5、控制单元;11、检测模块;12、模数转换模块;10、电压检测单元;20、差分放大单元;30、电压判断单元;40、信号控制单元;100、检测点。
具体实施方式
应该指出,以下详细说明都是例示性的,旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明,本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
正如背景技术所介绍的,现有技术中薄膜厚度异常的判断方法不能检测出与检测点列方向平行的厚度异常问题,为了解决如上的技术问题,本申请提出了一种薄膜厚度异常的检测方法与检测系统。
本申请一种典型的实施方式中,提出了一种薄膜厚度异常的检测方法,如图1所示,该检测方法包括:步骤S1,获取薄膜的M行N列的检测点的检测电压,或者获取薄膜的M行N列的检测点的检测电压对应的M行N列的数字信号,其中,M≥1,N≥2;步骤S2,对至少一行中的至少两个检测点对应的检测电压或者数字信号作差,和/或对不同行不同列的至少两个检测点对应的检测电压或者数字信号作差,得到至少一个差值;步骤S3,将各上述差值的绝对值与标准值进行比较,当至少一个上述差值的绝对值大于上述标准值时,上述薄膜的厚度存在异常。
该方法对不同列的检测得到的数字信号或者检测电压作差,不仅可以将与检测点列方向平行的厚度异常检测出来,并且,还可以将其他方向的厚度异常检测出来,例如,对同行不同列的数字信号或者检测电压进行作差,可以将如图2所示的与行的方向平行的厚度异常检测出来,进而可以判断该方向上存在异物02。当采用不同行不同列的数字信号或者检测电压进行作差时,可以将与行方向成一定角度的厚度异常检查出来,进而判断出该方向上存在异物,如可以判断出图3、图4与图5所示的在薄膜的表面上存在的异物02。该检测方法中可以将获得的数字信号或者检测电压进行多种计算,既可以对至少一行中的至少两个检测点对应的数字信号或者检测电压作差,还可以对不同行不同列的至少两个检测点对应的数字信号或者检测电压作差,将得到的差值的绝对值与标准值比较,即使一种方法检测不出厚度异常,那么其他的方法也可以检测出厚度的异常,这样能够更加准确地检测出薄膜厚度异常的位置。该方法简单、准确,可以较好地应用在检测纸币的过程中。
当作差的对象是检测电压时,标准值对应的就是一个电压值,该标准值的大小可以根据实际的对检测精度的需求来定,当作差的对象是数字信号时,标准值对应的就是一个数字信号,作差的信号范围是0~255之间的任何一个数字,至于标准值的大小可以根据实际的对检测精度的需求来定,若对厚度的检测要求比较严格,则可以将标准值定为20,若需要的检测精度较低,则可以将标准值定为40等等。
本申请的一种实施例中,上述步骤S1中的获取M行N列的数字信号的过程包括:步骤S01,获取上述薄膜的待检测的M行N列的检测点对应的M行N列的检测电压;步骤S02,将各上述检测电压转化为数字信号,得到对应的数字信号。
为了更加准确地判断出厚度异常在与行方向平行方向上的位置,本申请优选上述对至少一行中的至少两个检测点对应的数字信号作差的过程包括:对至少一行的至少两个检测点对应的数字信号作差,作差的两个数字信号对应的两个检测点对应的列序号的差值为A,1≤A≤10,且N>10。
本申请的再一种实施例中,各行检测点中第Y个检测点对应的数字信号为PY,采用公式PY-P(Y+1)计算相同行的相邻的两个检测点对应的数字信号的差值,其中,Y依次取1、2…N-1。这样将任何在行方向上相邻的数字信号作差,并且,得到多组数据,能够更加准确地判断出厚度异常的位置。
为了更进一步可以判断出与行方向成一定角度的方向上的厚度异常的位置,本申请优选上述对不同行不同列的至少两个检测点对应的数字信号作差的过程包括:对相邻两行不同列的至少两个检测点对应的数字信号作差,作差的两个数字信号对应的两个检测点对应的列序号的差值为B,且1≤B≤10,且M≥2,N>10。
本申请的再一种实施例中,采用公式PXZ-P(X+1)(Z+1)计算相邻两行相邻两列的两个检测点对应的数字信号的差值,其中,PXZ表示第X行第Z个检测点对应的数字信号,X依次取1、…M-1,当X取每个值时,Z依次取1、…N-1。即当X=1时,Z依次取1、…N-1。得到的差值为P11-P22、P12-P23、…P1(N-1)-P2N,即当X=2时,Z依次取1、…N-1,得到的差值为P21-P32、P22-P33、…P2(N-1)-P3N,当X=M-1时,Z依次取1、…N-1,得到的差值为P(M-1)1-PM2、P(M-1)2-PM3、…P(M-1)(N-1)-PMN。这样能够更加精确地获得与行方向成一定角度方向上的厚度异常,例如可以准确地检测出图2至图4的厚度异常现象。
为了准确地检测出如图5所示的薄膜厚度异常,优选采用公式PX(Z+1)-P(X+1)Z计算相邻两行相邻列的两个检测点对应的数字信号的差值,其中,PXZ表示第X行第Z个检测点对应的数字信号,X依次取1、…M-1,且X取每个值时,Z依次取1、…N-1。
本申请的另一种实施例中,上述检测方法还包括:对上述步骤S1中的各上述数字信号进行存储,对上述步骤S2中的各上述差值进行存储。这样将数据存储起来,在需要使用的时候再获取。
本申请又一种典型的实施方式中,提供了一种薄膜厚度异常的检测系统,如图6所示,上述检测系统包括:检测单元1、计算单元2与判断单元3,其中,检测单元包括至少两个检测电极,采用上述检测电极获取薄膜的M行N列的检测点的检测电压对应的M行N列数字信号,其中,M≥1,N≥2;计算单元与上述检测单元电连接,上述计算单元用于对至少一行中至少两个检测点对应的数字信号作差,和/或对不同行不同列的至少两个检测点对应的数字信号作差,得到至少一个差值;判断单元与上述计算单元电连接,上述判断单元用于判断各上述差值的绝对值是否大于标准值,当一个上述差值的绝对值大于上述标准值,则上述薄膜的厚度存在异常。
这样的检测系统不仅能够将与检测点列方向平行的厚度异常检测出来,并且,还可以将其他方向的厚度异常检测出来,例如,对同行不同列的数字信号进行作差,可以将如图2所示的与行的方向平行的厚度异常检测出来,进而可以判断出该方向上存在异物。当采用不同行不同列的数字信号进行作差时,可以将与行方向成一定角度的厚度异常检查出来,进而判断出该方向上存在异物,如可以判断出图3、图4与图5所示的在薄膜的表面上存在的异物。该检测系统中可以将获得的数字信号进行多种计算,既可以对至少一行中的至少两个检测点对应的数字信号作差,还可以对不同行不同列的至少两个检测点对应的数字信号作差,这样能够更加准确地检测出薄膜厚度异常的位置。该方法简单、准确,可以较好地应用在检测纸币的过程中。
本申请的一种实施例中,如图6所示,上述检测单元还包括检测模块11与模数转换模块12,其中,检测模块11用于获取上述薄膜的M行N列的检测点的对应的M行N列的检测电压;模数转换模块12一端与上述检测模块电连接,另一端与上述计算单元电连接,上述模数转换模块用于将各上述检测电压转化为数字信号。
当检测单元和/或计算单元的容量较小时,如图6所示,本申请优选上述检测系统还包括存储单元4,存储单元4与上述检测单元1电连接,和/或与上述计算单元2电连接,和/或与上述判断单元3电连接,上述存储单元4用于将上述数字信号进行存储和/或对上述差值进行存储和/或对上述的判断单元的判断结果进行存储。这样能够进一步避免检测单元1和/或计算单元2容量较小时,造成检测数据较少,检测不准确的问题。
本申请的又一种实施例中,上述检测系统还包括控制单元5,该控制单元5与上述检测单元1电连接、该控制单元5与上述计算单元2电连接,该控制单元5与上述存储单元4电连接,上述控制单元用于控制上述检测电极的启动、上述数字信号的输出、上述计算单元的计算顺序、上述差值的输出顺序、上述数字信号的存储和上述差值的存储。当检测单元包括两行检测电极时,该控制单元可以控制每行检测电极的启动先后顺序,该控制单元可以控制检测系统中的各个单元的协同工作,使得各个单元能够有序地进行检测工作。
本申请的上述计算单元中包括寄存器,用于计算的数据储存在寄存器中,因为要实时计算的数据最多是两行数据,计算完成后将寄存器中用于计算的数据用新的读取数据覆盖掉即可,而计算的结果由于是多行,数据量很大,可以存储在存储单元中,也可以直接向下一级传输。
本申请的计算单元与存储单元可以采用现有技术中的任何可以实现的器件,本申请的一种实施例中,上述计算单元为ARM处理器、DSP处理器或FPGA处理器,上述存储单元为EEPROM存储器或DRAM存储器。
为了使得本领域技术人员可以更加清楚地理解本申请的技术方案,以下将结合具体的实施例对本申请的技术方案进行说明。
实施例1
采用图6的检测系统对薄膜的厚度进行检测,其中检测单元为由一列厚度芯片构成的厚度传感器,用于检测物体厚度,并输出对应电压值,计算单元为DSP处理器,存储单元为DRAM存储器。厚度传感器共有五个检测电极,对纸币扫描三行,也就是对纸币上的三行五列的检测点(图2示出了两行的检测点100)进行检测,得到三行五列的检测电压。采用模数转换单元将这些检测电压转化为数字信号PY,采用公式PY-P(Y+1)计算每行的相邻的两个检测点对应的数字信号的差值,例如,第一行数字信号依次是P1、P2、P3、P4、P5,对相邻的两个检测点的对应的数字信号作差,得到P1-P2、P2-P3、P3-P4与P4-P5,同样地,可以对第二行与第三行的数据作相同的处理。
在检测纸币时,纸币的运动方向垂直于厚度传感器的检测电极的排列方向,在此将检测电极的排列方向定义为横向,纸币运动方向定义为纵向。
将上述的差值的绝对值与标准值20作比较,这样每行会有两处作差结果均比标准值大,这样对于图2中纸币纵向上从头到尾贴有等宽的窄胶带的情况,这种检测方法能够比较清晰的检测出胶带的纵向边界。
实施例2
采用与实施例1相同的检测系统对薄膜的厚度进行检测,同样假设厚度传感器共有五个检测电极,扫描三行。得到的第一行的检测点的数字信号依次为P11、P12、P13、P14、P15;第二行的检测点对应的数字信号为P21、P22、P23、P24、P25;第三行的检测点对应的数字信号为P31、P32、P33、P34、P35,其中图2,图3,图4中示出了两行的检测点100。
采用公式PXZ-P(X+1)(Z+1)计算相邻两行相邻两列的两个检测点对应的数字信号的差值,得到的第一行与第二行作差的计算结果是P11-P22、P12-P23、P13-P24、P14-P25;第二行与第三行的作差结果是P21-P32、P22-P33、P23-P34、P24-P35。
将上述的差值的绝对值与标准值20作比较,发现有的作差结果均比标准值大,则可以判断出异物的形状如图2,图3,图4。
实施例3
与实施例2的区别在于:采用公式PX(Z+1)-P(X+1)Z计算相邻两行相邻列的两个检测点对应的数字信号的差值,得到的第一行与第二行作差的计算结果是P12-P21、P13-P22、P14-P23、P15-P24;第二行与第三行的作差结果是P22-P31、P23-P32、P24-P33、P25-P34,图2,图3或图5示出了两行的检测点100。
将上述的作差结果与标准值作比较,发现有的作差结果均比标准值大,则可以判断出异物的形状如图2,图3或图5。
实施例4
采用图7所示的检测系统对薄膜的厚度异常进行检测,该检测系统包括依次连接的电压检测单元10、差分放大单元20与电压判断单元30。并且,该检测系统还包括与电压检测单元10和差分放大单元20同时连接的信号控制单元40,该单元的作用与图6中的控制单元的作用是控制各单元协调工作,控制两列检测电极的启动时序。其中,电压检测单元10为包括两列检测电极的厚度传感器,每列包括五个检测电极,
控制单元控制第二列的检测电极先于第一列一个时钟信号启动,即第一列第一个检测点的检测电压和第二列第二个检测点的检测电压同时输出到差分放大单元,实现VXZ-V(X+1)(Z+1),其中,VXZ表示第X行第Z列的检测点对应的检测电压。第一列第二个检测点的检测电压和第二列第三个检测点的检测电压同时输出到差分放大单元,依次类推直到后续所有检测电压依次输出后,得到第一行与第二行作差的计算结果是V11-V22、V12-V23、V13-V24、V14-V25;第二行与第三行的作差结果是V21-V32、V22-V33、V23-V34、V24-V35。
将所有的差值的绝对值均与标准值进行比较,这里的标准值定为0.25V,发现有些差值的绝对值均比标准值大,则可以判断该纸币上的异物形状如图2、图3或4。
实施例5
采用与实施例4相同的检测系统对薄膜的厚度进行检测,控制单元控制第一列的检测电极先于第二列检测电极一个时钟信号启动,即第二列第一个的检测点的检测电压和第一列第二个检测点的检测电压同时输出到差分放大单元得到差值,第二列第二个检测点的检测电压和第一列第三个检测点的检测电压同时输出到差分放大单元,依次类推直到后续所有检测电极电压依次输出后,得到第一行检测电压与第二行检测电压作差的计算结果是V12-V21、V13-V22、V14-V23、V15-V24;第二行与第三行的作差结果是V22-V31、V23-V32、V24-V33、V25-V34。
将所有的差值的绝对值均与标准值进行比较,这里的标准值定为0.25V,发现有的差值的绝对值均比标准值大,因此,则可以判断出异物的形状如图2、图3或图5。
从以上的描述中,可以看出,本申请上述的实施例实现了如下技术效果:
1)、本申请的薄膜厚度的检测方法不仅可以将与检测点列方向平行的厚度异常检测出来,并且,还可以将其他方向的厚度异常检测出来,因而能够更加精确地检测出薄膜厚度的异常情况。
2)、本申请的薄膜厚度的检测系统能够更加精确地检测出薄膜厚度的异常情况。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种薄膜厚度异常的检测方法,其特征在于,所述检测方法包括:
步骤S1,获取薄膜的M行N列的检测点的检测电压,或者获取薄膜的M行N列的检测点的检测电压对应的M行N列的数字信号,其中,M≥1,N≥2;
步骤S2,对同行中的至少两个检测点对应的检测电压或者数字信号作差且对不同行不同列的至少两个检测点对应的检测电压或者数字信号作差,或对不同行不同列的至少两个检测点对应的检测电压或者数字信号作差,得到至少一个差值;以及
步骤S3,将各所述差值的绝对值与标准值进行比较,当至少一个所述差值的绝对值大于所述标准值时,所述薄膜的厚度存在异常。
2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述步骤S1中的获取M行N列的数字信号的过程包括:
步骤S01,获取所述薄膜的待检测的M行N列的检测点对应的M行N列的检测电压;以及
步骤S02,将各所述检测电压转化为数字信号,得到对应的数字信号。
3.根据权利要求2所述的检测方法,其特征在于,所述对至少一行中的至少两个检测点对应的数字信号作差的过程包括:
对至少一行的至少两个检测点对应的数字信号作差,作差的两个数字信号对应的两个检测点对应的列序号的差值为A,1≤A≤10,且N>10。
4.根据权利要求3所述的检测方法,其特征在于,各行检测点中第Y个检测点对应的数字信号为PY,采用公式PY-P(Y+1)计算相同行的相邻的两个检测点对应的数字信号的差值,其中,Y依次取1、2…N-1。
5.根据权利要求2所述的检测方法,其特征在于,所述对不同行不同列的至少两个检测点对应的数字信号作差的过程包括:
对相邻两行不同列的至少两个检测点对应的数字信号作差,作差的两个数字信号对应的两个检测点对应的列序号的差值为B,且1≤B≤10,且M≥2,N>10。
6.根据权利要求5所述的检测方法,其特征在于,采用公式PXZ-P(X+1)(Z+1)计算相邻两行相邻两列的两个检测点对应的数字信号的差值,其中,PXZ表示第X行第Z个检测点对应的数字信号,X依次取1、…M-1,且X取每个值时,Z依次取1、…N-1。
7.根据权利要求5所述的检测方法,其特征在于,采用公式PX(Z+1)-P(X+1)Z计算相邻两行相邻列的两个检测点对应的数字信号的差值,其中,PXZ表示第X行第Z个检测点对应的数字信号,X依次取1、…M-1,且X取每个值时,Z依次取1、…N-1。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的检测方法,其特征在于,所述检测方法还包括:
对所述步骤S1中的各所述数字信号进行存储,对所述步骤S2中的各所述差值进行存储。
9.一种薄膜厚度异常的检测系统,其特征在于,所述检测系统包括:
检测单元,包括至少两个检测电极,采用所述检测电极获取薄膜的M行N列的检测点的检测电压对应的M行N列数字信号,其中,M≥1,N≥2;
计算单元,与所述检测单元电连接,所述计算单元用于对同行中至少两个检测点对应的数字信号作差且对不同行不同列的至少两个检测点对应的数字信号作差,或对不同行不同列的至少两个检测点对应的数字信号作差,得到至少一个差值;以及
判断单元,与所述计算单元电连接,所述判断单元用于判断各所述差值的绝对值是否大于标准值,当一个所述差值的绝对值大于所述标准值,则所述薄膜的厚度存在异常。
10.根据权利要求9所述的检测系统,其特征在于,所述检测单元还包括:
检测模块,用于获取所述薄膜的M行N列的检测点的对应的M行N列的检测电压;以及
模数转换模块,一端与所述检测模块电连接,另一端与所述计算单元电连接,所述模数转换模块用于将各所述检测电压转化为数字信号。
11.根据权利要求9所述的检测系统,其特征在于,所述检测系统还包括:
存储单元,与所述检测单元电连接,和/或与所述计算单元电连接,和/或与所述判断单元电连接,所述存储单元用于将所述数字信号进行存储和/或对所述差值进行存储。
12.根据权利要求11所述的检测系统,其特征在于,所述检测系统还包括:
控制单元,分别与所述检测单元、所述计算单元和所述存储单元电连接,所述控制单元用于控制所述检测电极的启动、所述数字信号的输出、所述计算单元的计算顺序、所述差值的输出顺序、所述数字信号的存储和所述差值的存储。
13.根据权利要求11或12所述的检测系统,其特征在于,所述计算单元为ARM处理器、DSP处理器或FPGA处理器,所述存储单元为EEPROM存储器或DRAM存储器。
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