CN105988300B - 用于光学邻近修正的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种用于光学邻近修正的方法。所述方法包括：将所有目标图形的轮廓线向外扩展预定距离；选择扩展后的轮廓线与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触的目标图形；以及将所选择的目标图形进行旋转，以使所选择的目标图形的扩展后的轮廓线不与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触，并将旋转后的目标图形作为用于光学邻近修正的目标输入。本发明所提供的用于光学邻近修正的方法可以增加光学邻近修正的自由度，并且操作简单，易于实现。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种用于光学邻近修正(OpticalProximity Correction,OPC)的方法。
背景技术
随着集成电路的复杂度越来越高，特征尺寸也变的越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，提出了分辨率增强技术。其中，光学邻近修正(即OPC)已成为最重要的技术。
OPC主要是通过改变原芯片掩膜版图形的形状来减小光刻图形的偏差，例如在实际修正过程中直接对目标图形进行优化处理，获得修正方案。该优化处理例如进行OPC边缘移动。现有的OPC边缘移动的自由度较小，例如对于接触孔(contact)的目标图形，OPC边缘移动仅能在垂直或水平方向上进行。此外，由于受到光罩规则检查(Mask Rule Check,MRC)规则的限制，OPC边缘移动后可能导致正交边缘布局(placement)误差。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供一种用于光学邻近修正的方法，所述方法包括：将所有目标图形的轮廓线向外扩展预定距离；选择扩展后的轮廓线与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触的目标图形；以及将所选择的目标图形进行旋转，以使所选择的目标图形的扩展后的轮廓线不与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触，并将旋转后的目标图形作为用于光学邻近修正的目标输入。
在本发明的一个实施例中，所述将所选择的目标图形进行旋转包括将所选择的目标图形向某一方向旋转某一角度，其中旋转方向和旋转角度取决于整个版图设计。
在本发明的一个实施例中，所述旋转角度为45度。
在本发明的一个实施例中，所述旋转方向为逆时针方向。
在本发明的一个实施例中，所述预定距离为设计规则尺寸的一半。
在本发明的一个实施例中，所述方法是针对接触孔层的光学邻近修正。
在本发明的一个实施例中，所述所选择的目标图形包括四条扩展后的轮廓线均与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触的目标图形。
本发明所提供的用于光学邻近修正的方法可以增加光学邻近修正的自由度，并且操作简单，易于实现。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
附图中：
图1示出了现有的OPC边缘移动的示例；
图2示出了现有的目标图形的移动以用于OPC边缘移动的示例；
图3示出了现有的目标图形的切割以用于OPC边缘移动的示例；
图4示出了根据本发明一个实施例的用于光学邻近修正的方法的流程图；
图5示出了采用图4的方法对接触孔的光学邻近修正的示例；以及
图6示出了根据本发明另一个实施例的对接触孔的光学邻近修正的示例。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
OPC已经成为集成电路制造工艺中关键尺寸控制和良率提升不可缺少的途径。通过修改设计图形来预补偿制程偏差以提高图像的还原能力和解析度。
图1示出了现有的OPC边缘移动的示例，在图1中以接触孔为示例。如图1所示，对于接触孔的目标图形，OPC边缘移动仅能在垂直或水平方向上进行。此外，由于受到MRC规则的限制，OPC边缘移动后可能导致正交边缘布局误差。为了克服上述误差，现有的方法通常包括目标图形的移动和目标图形的切割，下面的描述仍以接触孔为例。
图2示出了现有的目标图形的移动以用于OPC边缘移动的示例。如图2所示，目标图形经过OPC边缘移动后与其他目标图形的OPC边缘相交，违反了MRC规则的规定。因此，为了制造更多的空间用于OPC边缘移动，目标图形进行了移动(图1中示出为将上方的目标图形向右上方移动)。然而，该方法是有限制的：在几何方面，如果在最小的节距(pitch)范围内，可能存在图案，因此没有空间可以移动；在设计方面，目标图形的移动可能带来改变器件的风险。
图3示出了现有的目标图形的切割以用于OPC边缘移动的示例。如图3所示，目标图形的切割可以为OPC边缘移动增加两个方向的自由度。然而，目标图形的切割不仅算法复杂难以实现，还可能造成OPC收敛性问题。
本发明的实施例提供一种用于光学邻近修正的方法，该方法不需要进行复杂的目标图形移动或切割，而是将目标图形进行旋转，将旋转因子添加为OPC迭代移动的参数，不仅操作简单，而且不会出现OPC收敛性问题。图4示出了根据本发明一个实施例的用于光学邻近修正的方法400的流程图。如图4所示，方法400包括以下步骤：
步骤401：将所有目标图形的轮廓线向外扩展预定距离；
步骤402：选择扩展后的轮廓线与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触的目标图形；
步骤403：将所选择的目标图形进行旋转，以使所选择的目标图形的扩展后的轮廓线不与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触，并将旋转后的目标图形作为用于光学邻近修正的目标输入。
其中，在步骤401中，预定距离例如可以为DR/2，其中DR为设计规则尺寸。在步骤402中，如果目标图形扩展后的轮廓线与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触，则选择该目标图形。在步骤403中，将在步骤402中所选择的目标图形沿着某一方向旋转某一角度，例如沿着逆时针方向旋转45度，以使所选择的目标图形的扩展后的轮廓线不与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触。旋转方向和旋转角度可以取决于整个版图设计，这样，将目标图形沿着版图允许的方向旋转可以使得所选择的目标图形的扩展后的轮廓线不与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触的角度，可以获得OPC边缘移动的非正交方向的自由度。
图5示出了采用图4的方法对接触孔的光学邻近修正的示例。如图5所示，这些目标图形扩展后的边缘与其他目标图形的扩展后的边缘相交，可以将这些目标图形进行旋转。从图5中可以看出，旋转后它们各自扩展后的边缘便不再相交，不会违反MRC规则。
图6示出了根据本发明另一个实施例的对接触孔的光学邻近修正的示例。在该实施例中，选择了四条扩展后的轮廓线均与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触的目标图形进行旋转，如图6所示，目标图形旋转后，该目标图形的四条扩展后的轮廓线均不再与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触，不会违反MRC规则。
本领域普通技术人员可以理解，上文中以接触孔为例描述了根据本发明的实施例的用于光学邻近修正的方法，但对接触孔的光学邻近修正仅是一个示例，根据本发明实施例的用于光学邻近修正的方法还可以适用于任何其他需要OPC的应用。
本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
Claims (7)
1.一种用于光学邻近修正的方法，其特征在于，所述方法包括：
将所有目标图形的轮廓线向外扩展预定距离；
从轮廓线经扩展的所有目标图形中选择扩展后的轮廓线与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触的目标图形；以及
将所选择的目标图形进行旋转，以使所选择的目标图形的扩展后的轮廓线不与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触，并将旋转后的目标图形作为用于光学邻近修正的目标输入。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所选择的目标图形进行旋转包括将所选择的目标图形向某一方向旋转某一角度，其中旋转方向和旋转角度取决于整个版图设计。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述旋转角度为45度。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述旋转方向为逆时针方向。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定距离为设计规则尺寸的一半。
6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法是针对接触孔层的光学邻近修正。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述所选择的目标图形包括四条扩展后的轮廓线均与其他目标图形的扩展后的轮廓线相接触的目标图形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510058385.1A CN105988300B (zh) | 2015-02-04 | 2015-02-04 | 用于光学邻近修正的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510058385.1A CN105988300B (zh) | 2015-02-04 | 2015-02-04 | 用于光学邻近修正的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105988300A CN105988300A (zh) | 2016-10-05 |
| CN105988300B true CN105988300B (zh) | 2018-03-30 |
Family
ID=57037709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510058385.1A Active CN105988300B (zh) | 2015-02-04 | 2015-02-04 | 用于光学邻近修正的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105988300B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107133944B (zh) | 2017-04-27 | 2020-02-07 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 用于opc验证的图形分类方法 |
| CN106919009B (zh) * | 2017-05-08 | 2019-05-03 | 上海华力微电子有限公司 | 光学邻近校正前的图形预处理方法 |
| CN108132580B (zh) * | 2017-12-21 | 2020-12-25 | 上海华力微电子有限公司 | 去除斜边凸起的方法 |
| CN111324003B (zh) * | 2018-12-14 | 2023-10-13 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 光掩模图案修正的方法 |
| CN111766759A (zh) * | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 | 一种掩膜图案的形成方法 |
| CN110058485B (zh) * | 2019-05-09 | 2022-04-22 | 上海华力微电子有限公司 | Opc修正方法及opc修正系统 |
| CN110716387B (zh) * | 2019-11-26 | 2022-10-21 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 散射条添加方法 |
| CN117826524B (zh) * | 2024-03-05 | 2024-05-28 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种opc修正方法、装置及掩膜版结构 |
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| JP5380703B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2014-01-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | マスクの製造方法および半導体装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-02-04 CN CN201510058385.1A patent/CN105988300B/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105988300A (zh) | 2016-10-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |