CN105981477A - 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种电流效率高的发光元件。提供一种耗电量低的发光装置。而且，提供一种耗电量低的电子设备及照明装置。发光元件在一对电极之间包括EL层。EL层包括发光层。发光层包括第一发光层及第二发光层。第二发光层的发射峰值的波长比第一发光层的发射峰值的波长短。第一发光层包含主体材料及客体材料。客体材料的LUMO能级在主体材料的LUMO能级的±0.1eV以内。

Description

发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置
技术领域
本发明的一个方式涉及一种其中通过施加电场来能够发射光的有机化合物设置在一对电极之间的发光元件，并涉及一种具有这种发光元件的发光装置、电子设备以及照明装置。
注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序（process）、机器（machine）、产品（manufacture）或组合物（composition of matter）。具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、它们的驱动方法或它们的制造方法。
背景技术
具有薄型、轻量、高速响应性及直流低电压驱动等特征的使用有机化合物作为发光体的发光元件被期待用于下一代平板显示器。尤其是，将发光元件配置为矩阵状的显示装置与现有的液晶显示装置相比具有视角广且可见度优异的优点。
发光机理被认为如下：当在一对电极之间夹着包含发光体的EL层并对该一对电极之间施加电压时，从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在EL层的发光中心复合而形成分子激子，在该分子激子返回到基态时释放出能量而发光。已知激发态有单重激发态和三重激发态，并且无论经过上述任一种激发态都可以实现发光。
为了提高这种发光元件的元件特性，元件结构的改进、材料的开发等被积极地进行（例如，参照专利文献1）。
[参考文献]
[专利文献]
[专利文献1] 日本专利申请公开2010-182699号公报。
发明内容
在发光元件的开发中，发光元件的电流效率是评价的重要要素之一。较高的电流效率可以降低耗电量，因此可以期待批量生产的实现。因此，需要开发出电流效率高的发光元件。
本发明的一个方式是提供一种电流效率高的发光元件。本发明的另一个方式是提供一种包括上述发光元件的耗电量低的发光装置。本发明的另一个方式是提供一种耗电量低的电子设备及照明装置。本发明的另一个方式是提供一种新颖的发光元件、新颖的发光装置或新颖的照明装置等。注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，上述以外的目的从说明书、附图及权利要求书等的记载看来显而易见，且可以从说明书、附图及权利要求书等的记载中抽取上述以外的目的。
本发明的一个方式是一种在一对电极（阳极和阴极）之间包括EL层的发光元件。EL层包括发光层。发光层包括第一发光层及第二发光层。第一发光层设置在阴极和第二发光层之间。第二发光层设置在第一发光层和阳极之间。第一发光层具有与第二发光层接触的区域。第二发光层的发射峰值的波长比第一发光层的发射峰值的波长短。第一发光层包含主体材料及客体材料。客体材料的LUMO（Lowest Unoccupied Molecular Orbital：最低未占据分子轨道）能级在主体材料的LUMO能级的±0.1eV以内。
本发明的另一个方式是一种包括第一EL层、第二EL层及电荷产生层的发光元件。第一EL层、第二EL层及电荷产生层设置在阴极和阳极之间。电荷产生层设置在第一EL层和第二EL层之间。第一EL层包括第三发光层，第二EL层包括第四发光层。第三发光层和第四发光层中的至少一个包括第一发光层和第二发光层。第一发光层设置在阴极和第二发光层之间。第二发光层设置在第一发光层和阳极之间。第二发光层的发射峰值的波长比第一发光层的发射峰值的波长短。第一发光层包含主体材料及客体材料。客体材料的LUMO能级在主体材料的LUMO能级的±0.1eV以内。
本发明的另一个方式是一种在一对电极（阳极和阴极）之间包括EL层的发光元件。EL层包括发光层。发光层包括第一发光层及第二发光层。第一发光层设置在阴极和第二发光层之间。第二发光层设置在第一发光层和阳极之间。第一发光层具有与第二发光层接触的区域。第二发光层的发射峰值的波长比第一发光层的发射峰值的波长短。第一发光层及第二发光层包含相同主体材料。包含在第一发光层中的客体材料的LUMO能级在主体材料的LUMO能级的±0.1eV以内。
本发明的另一个方式是一种包括第一EL层、第二EL层及电荷产生层的发光元件。第一EL层、第二EL层及电荷产生层设置在阴极和阳极之间。电荷产生层设置在第一EL层和第二EL层之间。第一EL层包括第三发光层，第二EL层包括第四发光层。第三发光层和第四发光层中的至少一个包括第一发光层和第二发光层。第一发光层设置在阴极和第二发光层之间。第二发光层设置在第一发光层和阳极之间。第二发光层的发射峰值的波长比第一发光层的发射峰值的波长短。第一发光层及第二发光层包含相同主体材料。包含在第一发光层中的客体材料的LUMO能级在主体材料的LUMO能级的±0.1eV以内。
在上述各结构中，发光元件还包括第五发光层。第五发光层设置在第一发光层和阴极之间。第五发光层具有与第一发光层接触的区域。第五发光层和第二发光层包含相同的材料。
在上述各结构中，第一发光层中的发光在560nm以上且700nm以下的范围具有峰值波长，第二发光层中的发光在500nm以上且560nm以下的范围具有峰值波长。
在上述各结构中，第一发光层所包含的客体材料是磷光有机金属铱配合物。
本发明的另一个方式是一种包括具有上述中的任一个结构的发光元件的发光装置。
本发明的一个方式在其范畴内不仅包括具有发光元件的发光装置，而且包括具有发光装置的电子设备及照明装置。由此，本说明书中的发光装置是指图像显示装置或光源（例如，照明装置）。另外，发光装置有时在其范畴内还包括如下模块中的任何：在发光装置中安装有连接器诸如FPC（Flexible printed circuit：柔性印刷电路）或TCP（Tape Carrier Package：载带封装）的模块；在TCP端部设置有印刷线路板的模块；以及IC（集成电路）通过COG（Chip On Glass：玻璃上芯片）方式直接安装在发光元件上的模块。
本发明的一个方式能够提供一种电流效率高的发光元件。本发明的另一个方式能够提供一种包括上述发光元件的耗电量低的发光装置。本发明的另一个方式能够提供一种耗电量低的电子设备及照明装置。本发明的另一个方式能够提供一种新颖的发光元件、新颖的发光装置和新颖的照明装置等。注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。本发明的一个方式并不需要实现所有上述效果。另外，上述以外的效果从说明书、附图及权利要求书等的记载看来显而易见，且可以从说明书、附图及权利要求书等的记载中抽取上述以外的效果。
附图说明
图1示出本发明的一个方式的发光元件的结构；
图2A及图2B示出发光元件的结构；
图3示出发光元件的结构；
图4A及图4B示出发光装置的结构；
图5A至图5D示出电子设备；
图6示出照明装置；
图7示出发光元件1、发光元件2、比较发光元件3及比较发光元件4的结构；
图8是示出发光元件1、发光元件2、比较发光元件3及比较发光元件4的亮度-电流效率特性的图；
图9是示出发光元件1、发光元件2、比较发光元件3及比较发光元件4的发射光谱的图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。注意，本发明不限于下文的描述并且可以用多种方式修改本发明的模式和细节而不偏离本发明的目的和范围。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
实施方式1
在本实施方式中，将对本发明的一个方式的发光元件进行说明。
在本发明的一个方式的发光元件中，在一对电极之间设置有包含发光层的EL层。该发光层具有层叠至少包含客体材料（发光性材料）及主体材料（电子传输性材料或空穴传输性材料）的第一发光层以及至少包含客体材料（发光性材料）及主体材料（电子传输性材料或空穴传输性材料）的第二发光层的叠层结构。
下面，将参照图1说明本发明的一个方式的发光元件的结构。
在图1所示的发光元件中，在一对电极（阳极101、阴极102）之间设置有包含发光层106的EL层103。该EL层103具有在阳极101上依次层叠有空穴注入层104、空穴传输层105、发光层106、电子传输层107、电子注入层108等的结构。
注意，发光层106包括层叠了的多个发光层，在图1中，层叠有两个发光层（第一发光层106a、第二发光层106b）。第一发光层106a至少包含客体材料（第一发光性材料）109a及主体材料110。第二发光层106b至少包含客体材料（第二发光性材料）109b及主体材料110。
至于发光层106（第一发光层106a、第二发光层106b）所包含的客体材料（第一发光性材料109a、第二发光性材料109b），第二发光性材料109b的发射峰值的波长比第一发光性材料109a短。并且，第一发光层106a所包含的第一发光性材料109a的LUMO能级在第一发光层106a所包含的主体材料110的LUMO能级的±0.1eV以内。
作为发光层106所包含的主体材料110，主要使用其电子迁移率为10-6cm2/Vs以上的电子传输性材料或其空穴迁移率为10-6cm2/Vs以上的空穴传输性材料。
当发光层106具有其中客体材料分散于主体材料110的结构时，可以抑制发光层106的晶化。另外，通过抑制因发光性材料的浓度高而导致的浓度猝灭，可以提高发光元件的发光效率。
注意，层叠了的发光层（106a、106b）优选包含相同的主体材料110，但是只要是不会失去作为发光层的功能，就可以使用不同的材料。
此外，主体材料110的三重激发态能级（T1能级）优选高于客体材料（109a、109b）的T1能级。这是因为在主体材料110的T1能级低于客体材料（109a、109b）的T1能级时，主体材料110使有助于发光的发光性材料（109a、109b）的三重激发态能级猝灭，而导致发光效率的降低。
注意，在图1所示的本发明的一个方式的发光元件中，EL层中的发光层具有从阴极一侧层叠有第一发光层106a和第二发光层106b这两层的结构。并且，第一发光层106a包含主体材料110及其LUMO能级在主体材料110的LUMO能级的±0.1eV以内的客体材料（第一发光性材料109a）。因此可以降低第一发光层106a中的载流子（电子）俘获性，防止发光区域过度扩大，并提高电流效率。另外，因上述特性而从第一发光层106a移动的载流子（电子）高效地移动到接触于第一发光层106a的第二发光层106b，所以还可以提高第二发光层106b的电流效率。
在图1所示的本发明的一个方式的发光元件中，优选在第一发光层106a和阴极之间设置与第一发光层106a接触并包含与第二发光层106b相同的材料的第三发光层。通过采用这种结构，可以得到不容易受到随时间的载流子平衡变化的影响的发光元件，即使用寿命长的发光元件。
下面，将对上述发光元件的制造的具体例子进行说明。
作为第一电极（阳极）101及第二电极（阴极）102，可以使用金属、合金、导电化合物及它们的混合物等。具体而言，可以使用氧化铟-氧化锡（indium tin oxide）、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、氧化铟-氧化锌（indium zinc oxide）、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟、金（Au）、铂（Pt）、镍（Ni）、钨（W）、铬（Cr）、钼（Mo）、铁（Fe）、钴（Co）、铜（Cu）、钯（Pd）、钛（Ti）。此外，可以使用属于元素周期表中第1族或第2族的元素，即碱金属诸如锂（Li）或铯（Cs）、碱土金属诸如钙（Ca）或锶（Sr）、镁（Mg）、包含这些元素的合金（例如，MgAg或AlLi）、稀土金属诸如铕（Eu）或镱（Yb）、包含这些元素的合金以及石墨烯等。第一电极（阳极）101及第二电极（阴极）102例如可以通过溅射法或蒸镀法（包括真空蒸镀法）来形成。
空穴注入层104通过空穴传输性高的空穴传输层105对发光层106注入空穴。该空穴注入层104包含空穴传输性材料及受体物质，由此受体物质从空穴传输性材料抽出电子来发生空穴，并且该空穴通过空穴传输层105注入到发光层106。注意，空穴传输层105使用空穴传输性材料来形成。
用于空穴注入层104及空穴传输层105的空穴传输性材料的具体例子包括4，4’-双[N-（1-萘基）-N-苯氨基]联苯（简称：NPB或α-NPD）、N，N’-双（3-甲基苯基）-N，N’-二苯基-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺（简称：TPD）、4，4’，4’’-三（咔唑-9-基）三苯胺（简称：TCTA）、4,4',4''-三（N,N-二苯氨基）三苯胺（简称：TDATA）、4,4',4''-三[N-（3-甲基苯基）-N-苯氨基]三苯胺（简称：MTDATA）、4,4'-双[N-（螺-9,9'-二芴-2-基）-N-苯氨基]联苯（简称：BSPB）等芳香胺化合物；3-[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCA1）；3，6-双[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCA2）；3-[N-（1-萘基）-N-（9-苯基咔唑-3-基）氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCN1）。其他的例子包括4，4'-二（N-咔唑基）联苯（简称：CBP）、1，3，5-三[4-（N-咔唑基）苯基]苯（简称：TCPB）、9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（简称：CzPA）等咔唑衍生物。在此所述的物质主要是空穴迁移率为10-6cm2/Vs以上的物质。注意，只要是空穴传输性比电子传输性高的物质，就也可以使用上述以外的任何物质。
其他的例子包括聚（N-乙烯基咔唑）（简称：PVK）、聚（4-乙烯基三苯胺）（简称：PVTPA）、聚[N-（4-｛N'-[4-（4-二苯氨基）苯基]苯基-N'-苯氨基｝苯基）甲基丙烯酰胺]（简称：PTPDMA）、聚[N,N'-双（4-丁基苯基）-N,N'-双（苯基）联苯胺]（简称：Poly-TPD）等高分子化合物。
用于空穴注入层104的受体物质的例子包括属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物。具体地说，氧化钼是特别优选的。
发光层106（第一发光层106a、第二发光层106b）包含客体材料109（109a、109b）及主体材料110，这些的每一个具有如上述那样的结构。
在发光层106（第一发光层106a、第二发光层106b）中，对可以被用作客体材料（发光性材料或者发光中心物质）（109a、109b）的材料没有特别的限制。可以使用将单重激发态能转换成发光的发光性材料或将三重激发态能转换成发光的发光性材料。注意，发光性材料109a的发光颜色的波长比发光性材料109b的发光颜色的波长短。上述发光性材料及发光中心物质的例子为如下。
将单重激发态能转换成发光的发光性材料的例子包括发射荧光的物质，例如：N,N'-双[4-（9H-咔唑-9-基）苯基]-N,N'-二苯基茋-4,4'-二胺（简称：YGA2S）、4-（9H-咔唑-9-基）-4'-（10-苯基-9-蒽基）三苯胺（简称：YGAPA）、4-（9H-咔唑-9-基）-4'-（9,10-二苯基-2-蒽基）三苯胺（简称：2YGAPPA）、N,9-二苯基-N-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑-3-胺（简称：PCAPA）、二萘嵌苯、2,5,8,11-四（叔丁基）二萘嵌苯（简称：TBP）、4-（10-苯基-9-蒽基）-4'-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）三苯胺（简称：PCBAPA）、N,N''-（2-叔丁基蒽-9,10-二基二-4,1-亚苯基）双[N,N',N'-三苯基-1,4-苯二胺]（简称：DPABPA）、N,9-二苯基-N-[4-（9,10-二苯基-2-蒽基）苯基]-9H-咔唑-3-胺（简称：2PCAPPA）、N-[4-（9,10-二苯基-2-蒽基）苯基]-N,N',N'-三苯基-1,4-苯二胺（简称：2DPAPPA）、N,N,N',N',N'',N'',N''',N'''-八苯基二苯并[g,p]䓛（chrysene）-2,7,10,15-四胺（简称：DBC1）、香豆素30、N-（9,10-二苯基-2-蒽基）-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺（简称：2PCAPA）、N-[9,10-双（1,1'-联苯-2-基）-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺（简称：2PCABPhA）、N-（9,10-二苯基-2-蒽基）-N,N',N'-三苯基-1,4-苯二胺（简称：2DPAPA）、N-[9,10-双（1,1'-联苯-2-基）-2-蒽基]-N,N',N'-三苯基-1,4-苯二胺（简称：2DPABPhA）、9,10-双（1,1'-联苯-2-基）-N-[4-（9H-咔唑-9-基）苯基]-N-苯基蒽-2-胺（简称：2YGABPhA）、N,N,9-三苯基蒽-9-胺（简称：DPhAPhA）、香豆素545T、N，N'-二苯基喹吖啶酮（简称：DPQd）、红荧烯、5,12-双（1,1'-联苯-4-基）-6,11-二苯基并四苯（简称：BPT）、2-（2-｛2-[4-（二甲基氨基）苯基]乙烯基｝-6-甲基-4H-吡喃-4-亚基（ylidene））丙二腈（简称：DCM1）、2-｛2-甲基-6-[2-（2,3,6,7-四氢-1H,5H-苯并[ij]喹嗪（quinolizin）-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基｝丙二腈（简称：DCM2）、N,N,N',N'-四（4-甲基苯基）并四苯-5,11-二胺（简称：p-mPhTD）、7,14-二苯基-N,N,N',N'-四（4-甲基苯基）苊并（acenaphtho） [1,2-a]荧蒽-3,10-二胺（简称：p-mPhAFD）、｛2-异丙基-6-[2-（1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基｝丙二腈（简称：DCJTI）、｛2-叔丁基-6-[2-（1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基｝丙二腈（简称：DCJTB）、2-（2,6-双｛2-[4-（二甲基氨基）苯基]乙烯基｝-4H-吡喃-4-亚基）丙二腈（简称：BisDCM）、2-｛2,6-双[2-（8-甲氧基-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H,5H-苯并[ij]喹嗪-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亚基｝丙二腈（简称：BisDCJTM）。
另外，将三重激发态能转换成发光的发光性材料的例子包括发射磷光的物质及呈现热活化延迟荧光的热活化延迟荧光（thermally activated delayed fluorescence）（TADF）材料。注意，TADF材料所呈现的“延迟荧光”是指具有与通常的荧光相同的光谱并且使用寿命非常长的发光，即使用寿命为10-6秒以上，优选为10-3秒以上。
该发射磷光的物质的例子包括双[2-（3',5'-双三氟甲基苯基）吡啶-N,C2']铱（III）吡啶甲酸酯（简称：Ir（CF3ppy）2（pic））、双[2-（4',6'-二氟苯基）吡啶-N,C2']铱（III）乙酰丙酮（简称：FIracac）、三（2-苯基吡啶）铱（III）（简称：Ir（ppy）3）、双（2-苯基吡啶）铱（III）乙酰丙酮（简称：Ir（ppy）2（acac））、三（乙酰丙酮）（一菲咯啉）铽（III）（简称：Tb（acac）3（Phen））、双（苯并[h]喹啉）铱（III）乙酰丙酮（简称：Ir（bzq）2（acac））、双（2,4-二苯基-1,3-噁唑-N,C2'）铱（III）乙酰丙酮（简称：Ir（dpo）2（acac））、双｛2-[4'-（全氟苯基）苯基]吡啶-N,C2'｝铱（III）乙酰丙酮（简称：Ir（p-PF-ph）2（acac））、双（2-苯基苯并噻唑-N,C2'）铱（III）乙酰丙酮（简称：Ir（bt）2（acac））、双[2-（2'-苯并[4,5-α]噻吩基）吡啶-N,C3']铱（III）乙酰丙酮（简称：Ir（btp）2（acac））、双（1-苯基异喹啉-N,C2'）铱（III）乙酰丙酮（简称：Ir（piq）2（acac））、（乙酰丙酮）双[2，3-双（4-氟苯基）喹喔啉合（quinoxalinato）]铱（III）（简称：Ir（Fdpq）2（acac））、（乙酰丙酮）双（3，5-二甲基-2-苯基吡嗪）铱（III）（简称：[Ir（mppr-Me）2（acac）]）、（乙酰丙酮）双（5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪）铱（III）（简称：[Ir（mppr-iPr）2（acac）]）、（乙酰丙酮）双（2，3，5-三苯基吡嗪）铱（III）（简称：Ir（tppr）2（acac））、双（2,3,5-三苯基吡嗪）（二新戊酰甲烷）铱（III）（简称:[Ir（tppr）2（dpm）]）、（乙酰丙酮）双（6-叔丁基-4-苯基嘧啶）铱（III）（简称：[Ir（tBuppm）2（acac）]）、（乙酰丙酮）双（4,6-二苯基嘧啶）铱（III）（简称：[Ir（dppm）2（acac）]）、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H，23H-卟啉铂（II）（简称：PtOEP）、三（1，3-二苯基-1，3-丙二酮）（一菲咯啉）铕（III）（简称：Eu（DBM）3（Phen））、三[1-（2-噻吩甲酰基）-3,3,3-三氟丙酮]（一菲咯啉）铕（III）（简称：Eu（TTA）3（Phen））。
TADF材料的具体例子包括富勒烯及其衍生物、原黄素等吖啶衍生物、曙红（eosin）。其他的例子包括包含镁（Mg）、锌（Zn）、镉（Cd）、锡（Sn）、铂（Pt）、铟（In）或钯（Pd）等的含金属卟啉。该含金属卟啉的例子包括原卟啉-氟化锡配合物（SnF2（Proto IX））、中卟啉-氟化锡配合物（SnF2（Meso IX））、血卟啉-氟化锡配合物（SnF2（Hemato IX））、粪卟啉四甲酯-氟化锡配合物（SnF2（Copro III -4Me））、八乙基卟啉-氟化锡配合物（SnF2（OEP））、初卟啉-氟化锡配合物（SnF2（Etio I））以及八乙基卟啉-氯化铂配合物（PtCl2OEP）。再者，可以使用例如2-（联苯-4-基）-4，6-双（12-苯基吲哚[2，3-a]咔唑-11-基）-1,3,5-三嗪（PIC-TRZ）的具有富π电子芳杂环及缺π电子芳杂环的杂环化合物。注意，特别优选使用富π电子芳杂环与缺π电子芳杂环直接键合的物质，因为富π电子芳杂环的供体性质和缺π电子芳杂环的受体性质都提高并且S1能级与T1能级之间的能量差减小。
作为用于发光层106（106a、106b）中的主体材料110的电子传输性材料，缺π电子型杂芳族化合物诸如含氮杂芳族化合物是优选的，其例子包括喹喔啉衍生物及二苯并喹喔啉衍生物诸如2-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]二苯并[f，h]喹喔啉（简称：2mDBTPDBq-II）、2-[3’-（二苯并噻吩-4-基）联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉（简称：2mDBTBPDBq-II）、2-[4-（3，6-二苯基-9H-咔唑-9-基）苯基]二苯并[f，h]喹喔啉（简称：2CzPDBq-III）、7-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]二苯并[f，h]喹喔啉（简称：7mDBTPDBq-II）、6-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]二苯并[f，h]喹喔啉（简称：6mDBTPDBq-II）。注意，在将喹喔啉衍生物用作电子传输性的主体材料的情况下，客体材料优选为以具有烷基的苯基吡嗪衍生物为配体的有机金属配合物（具体而言，铱配合物）。这是因为可以降低电子俘获性的缘故。
作为用于发光层106（106a、106b）的主体材料110的空穴传输性材料，富π电子型杂芳族化合物（例如，咔唑衍生物或吲哚衍生物）或芳香胺化合物是优选的，其例子包括：4-苯基-4'-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）三苯胺（简称：PCBA1BP）、4,4'-二（1-萘基）-4''-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）三苯胺（简称：PCBNBB）、3-[N-（1-萘基）-N-（9-苯基咔唑-3-基）氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCN1）、4,4',4''-三[N-（1-萘基）-N-苯氨基]三苯胺（简称：1'-TNATA）、2,7-双[N-（4-二苯氨基苯基）-N-苯氨基]-螺-9,9'-二芴（简称：DPA2SF）、N,N'-双（9-苯基咔唑-3-基）-N,N'-二苯基苯-1,3-二胺（简称：PCA2B）、N-（9，9-二甲基-2-二苯氨基-9H-芴-7-基）二苯基胺（简称：DPNF）、N，N'，N''-三苯基-N,N',N''-三（9-苯基咔唑-3-基）苯-1,3,5-三胺（简称：PCA3B）、2-[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯氨基]螺-9,9'-二芴（简称：PCASF）、2-[N-（4-二苯氨基苯基）-N-苯氨基]螺-9,9'-二芴（简称：DPASF）、N,N'-双[4-（咔唑-9-基）苯基]-N,N'-二苯基-9，9-二甲基芴-2,7-二胺（简称：YGA2F）、4,4'-双[N- （3-甲基苯基）-N-苯氨基]联苯（简称：TPD）、4,4'-双[N-（4-二苯氨基苯基）-N-苯氨基]联苯（简称：DPAB）、N-（9,9-二甲基-9H-芴-2-基）-N-｛9，9-二甲基-2-[N'-苯基-N'-（9,9-二甲基-9H-芴-2-基）氨基]-9H-芴-7-基｝苯基胺（简称：DFLADFL）、3-[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCA1）、3-[N-（4-二苯氨基苯基）-N-苯氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzDPA1）、3,6-双[N-（4-二苯氨基苯基）-N-苯氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzDPA2）、4,4'-双（N-｛4-[N'-（3-甲基苯基）-N'-苯氨基]苯基｝-N-苯氨基）联苯（简称：DNTPD）、3,6-双[N-（4-二苯氨基苯基）-N-（1-萘基）氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzTPN2）、3,6-双[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCA2）。
注意，发光层106（106a、106b）可以还包含除主体材料及客体材料以外的材料。例如，发光层106（106a、106b）优选包含上述电子传输性材料作为主体材料，并还包含上述空穴传输性材料。
电子传输层107是包含电子传输性高的物质的层。对电子传输层107可以使用金属配合物诸如Alq3、三（4-甲基-8-羟基喹啉）铝（简称：Almq3）、双（10-羟基苯并[h]喹啉合）铍（简称：BeBq2）、BAlq、Zn（BOX）2或双[2-（2-羟基苯基）苯并噻唑]锌（简称：Zn（BTZ）2）。也可以使用杂芳族化合物诸如2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁苯基）-1,3,4-噁二唑（简称：PBD）、1,3-双[5-（对叔丁苯基）-1,3,4-噁二唑-2-基]苯（简称：OXD-7）、3-（4-叔丁苯基）-4-苯基-5-（4-联苯基）-1,2,4-三唑（简称：TAZ）、3-（4-叔丁苯基）-4-（4-乙苯基）-5-（4-联苯基）-1,2,4-三唑（简称：p-EtTAZ）、红菲咯啉（简称：Bphen）、浴铜灵（简称：BCP）、4,4'-双（5-甲基苯并噁唑-2-基）茋（简称：BzOs）。也可以使用高分子化合物诸如聚（2,5-吡啶二基）（简称：PPy）、聚[（9,9-二己基芴-2,7-二基）-co-（吡啶-3,5-二基）]（简称：PF-Py）、聚[（9,9-二辛基芴-2,7-二基）-co-（2,2'-联吡啶-6,6'-二基）]（简称：PF-BPy）。这里所述的物质主要是具有1×10-6cm2/Vs以上的电子迁移率的物质。注意，只要是电子传输性比空穴传输性高的物质，就可以将上述物质之外的任何物质用于电子传输层107。
电子传输层107不局限于单层，也可以为两个以上层的叠层，其中各层包含上述中的任何物质。
电子注入层108是包含具有高电子注入性的物质的层。作为电子注入层108，可以使用碱金属、碱土金属、或者它们的化合物诸如氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、氟化钙（CaF2）或氧化锂（LiOx）。也可以使用如氟化铒（ErF3）等的稀土金属化合物。可以将电子盐用于电子注入层108。电子盐的例子包括对氧化钙-氧化铝以高浓度添加电子的物质。可以使用用来形成电子传输层107的上述中的任何物质。
也可以将有机化合物与电子给体（供体）混合而成的复合材料用于电子注入层108。因为该电子给体使得电子产生在有机化合物中，所以该复合材料的电子注入性及电子传输性优异。在此情况下，有机化合物优选是在传输所产生的电子方面优异的材料。具体而言，例如可以使用上述用来形成电子传输层107的物质（例如，金属配合物或杂芳族化合物）。作为电子给体，可以使用对有机化合物呈现电子给体性的物质。具体地说，优选使用碱金属、碱土金属和稀土金属，并且可以举出锂、铯、镁、钙、铒、镱。另外，优选碱金属氧化物或碱土金属氧化物，并且可以使用氧化锂、氧化钙、氧化钡。还可以使用例如氧化镁的路易斯碱。另外，也可以使用例如四硫富瓦烯（简称：TTF）的有机化合物。
空穴注入层104、空穴传输层105、发光层106（106a、106b）、电子传输层107及电子注入层108可以通过蒸镀法（例如，真空蒸镀法）、喷墨法或涂敷法等的方法形成。
在上述发光元件中，由于在第一电极101和第二电极102之间产生的电位差而注入载流子，并且在EL层103中空穴和电子复合，由此发光。然后，所发射的光经过第一电极101和第二电极102中的一个或两个被提取到外部。因此，第一电极101和第二电极102中的一个或两个为具有透光性的电极。
具有本实施方式所说明的结构的发光元件可以发射多种颜色的光，尤其可以发射一种电流效率高的颜色的光，这可以提高其他发光颜色的电流效率，并可以提高整体的发光元件的发光效率。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式2
在本实施方式中，作为本发明的一个方式，使用图2A和图2B对包括在其间夹住电荷产生层的多个EL层的发光元件（以下，称为串联型发光元件）进行说明。
本实施方式所示的发光元件是如图2A所示的串联型发光元件，该串联型发光元件包括一对电极（第一电极201和第二电极204）之间的多个EL层（第一EL层202（1）和第二EL层202（2））。
在本实施方式中，第一电极201被用作阳极，第二电极204被用作阴极。注意，第一电极201及第二电极204可以具有与实施方式1所示的结构相同的结构。此外，多个EL层（第一EL层202（1）和第二EL层202（2））的全部或任一个也可以具有与实施方式1所示的结构相同的结构。换言之，第一EL层202（1）和第二EL层202（2）的结构也可以彼此相同或不同，并且可以与实施方式1所示的EL层相同。
另外，电荷产生层205设置在多个EL层（第一EL层202（1）和第二EL层202（2））之间。电荷产生层205具有在对第一电极201和第二电极204施加电压时将电子注入EL层的一个且将空穴注入EL层的另一个的功能。在本实施方式中，当以第一电极201的电位高于第二电极204的电位的方式施加电压时，电荷产生层205将电子注入第一EL层202（1）中且将空穴注入第二EL层202（2）中。
注意，从光提取效率的观点来看，电荷产生层205优选具有可见光透射性（具体而言，电荷产生层205具有40%以上的可见光透射率）。即使电荷产生层205的导电率低于第一电极201或第二电极204的导电率，电荷产生层205也适当地发挥其作用。
电荷产生层205可以具有电子受体（受体）添加在空穴传输性材料的结构或者电子给体（供体）添加在电子传输性材料的结构。或者，也可以层叠有这两种结构。
在是电子受体添加在空穴传输性材料的结构的情况下，作为空穴传输性材料，例如，可以使用芳族胺化合物诸如NPB、TPD、TDATA、MTDATA或4，4’-双[N-（螺环-9，9’-联芴-2-基）-N-苯氨基]联苯（简称：BSPB）等。在此所述的物质主要是具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。但是，只要是具有比电子传输性高的空穴传输性的有机化合物，就可以使用上述以外的任何物质。
电子受体的例子包括7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷（简称：F4-TCNQ）、氯醌等。可以使用过渡金属氧化物。还可以使用属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物。具体而言，优选使用氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼，因为它们的电子接收性很高。尤其，氧化钼是优选的，因为氧化钼在大气中稳定，具有低吸湿性，且容易进行处理。
另一方面，在是电子给体添加在电子传输性材料的结构的情况下，作为电子传输性材料，例如，可以使用具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物诸如Alq、Almq3、BeBq2或BAlq。或者，可以使用具有噁唑基配体或噻唑基配体的金属配合物诸如Zn（BOX）2或Zn（BTZ）2。再者，除了上述金属配合物之外，可以使用PBD、OXD-7、TAZ、BPhen、BCP等。在此所述的物质主要是具有10-6cm2/Vs以上的电子迁移率的物质。另外，只要是具有比空穴传输性高的电子传输性的有机化合物，就可以使用上述以外的任何物质。
作为电子给体，可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属、属于元素周期表中第2或第13族的金属、或者它们的氧化物或碳酸盐。具体而言，优选使用锂（Li）、铯（Cs）、镁（Mg）、钙（Ca）、镱（Yb）、铟（In）、氧化锂、碳酸铯等。或者，可以将有机化合物如四硫萘并萘（tetrathianaphthacene）用作电子给体。
注意，通过使用上述中的任何材料形成电荷产生层205，可以抑制因层叠EL层而导致的驱动电压增大。
虽然本实施方式示出具有两个EL层的发光元件，但是如图2B所示，本发明可以同样地应用于层叠有n个EL层（202（1）至202（n））（n是3以上）。如根据本实施方式的发光元件的那样，在多个EL层包含在一对电极之间的情况下，通过将电荷产生层（205（1）至205（n－1））配置在EL层之间，可以在保持低电流密度的同时得到高亮度区域中的发光。因为可以保持低电流密度，所以元件可以具有长使用寿命。当上述发光元件应用于照明时，可以减少由于电极材料的电阻导致的电压下降，所以可以实现大面积的均匀发光。此外，可以实现能够以低电压驱动的耗电量低的发光装置。
当使各EL层发射互不相同颜色的光时，发光元件的整体可以发射所希望颜色的光。例如，在具有两个EL层的发光元件中，在第一EL层的发光颜色和第二EL层的发光颜色为补色时，发光元件整体可以提供白色发光。注意，词语“补色”意味着在混合颜色时得到非彩色的颜色关系。也就是说，当混合从发射补色颜色的光的物质得到的光时，可以得到白色发光。
同样地，在具有三个EL层的发光元件中，例如，当第一EL层的发光颜色是红色（例如，在580nm和680nm之间具有发射光谱的峰值），第二EL层的发光颜色是绿色（例如，在500nm和560nm之间具有发射光谱的峰值），第三EL层的发光颜色是蓝色（例如，在400nm和480nm之间具有发射光谱的峰值）时，发光元件整体可以得到白色发光。
作为包括上述发光元件的发光装置，可以制造无源矩阵型发光装置和有源矩阵型发光装置。还可以制造具有微腔结构的发光装置。上述发光装置的每一个都是本发明的一个方式。
注意，在制造有源矩阵型发光装置的情况下，对晶体管（FET）的结构没有特别的限制。例如，可以适当地使用交错型FET或反交错型FET。形成在FET衬底上的驱动电路可以使用N型FET和P型FET中的一个或两个形成。并且，对用于FET的半导体膜的结晶性也没有特别的限制。例如，可以使用非晶半导体膜或结晶半导体膜。半导体材料的例子包括第13族半导体（例如，镓）、第14族半导体（例如，硅）、化合物半导体（包括氧化物半导体）以及有机半导体。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合。
实施方式3
在本实施方式中，将说明本发明的一个方式的发光装置。
本实施方式所示的发光装置具有利用一对电极之间的光共振效应的光学微共振器（micro optical resonator）（微腔）结构。如图3所示，该发光装置具有多个发光元件，各发光元件在一对电极（反射电极301与半透射·半反射电极302）之间至少具有EL层305。EL层305至少具有被用作发光区域的发光层304，并还包括空穴注入层、电子传输层、电子注入层、电荷产生层等。
如图3所示，本实施方式所示的发光装置具有两种发光元件（第一发光元件310P及第二发光元件310Q）。
第一发光元件310P具有在反射电极301上依次层叠有第一透明导电层303a、其一部分包括发光层304的EL层305以及半透射·半反射电极302的结构。第二发光元件310Q具有在反射电极301上依次层叠有第二透明导电层303b、其一部分包括发光层304的EL层305以及半透射·半反射电极302的结构。
本实施方式所示的两种发光元件共同使用反射电极301、EL层305、以及半透射·半反射电极302。发光层304具有发射在第一波长区域中具有峰值的光（λP）的层及发射在第二波长区域中具有峰值的光（λQ）的层的结构。在此情况下，上述波长满足λQ＜λP的关系。
各发光元件具有在反射电极301与半透射·半反射电极302之间设置有EL层305的结构。从包括在EL层305中的各发光层向全方向射出的光由起光学微共振器（微腔）作用的反射电极301和半透射·半反射电极302共振。
注意，反射电极301使用具有反射性的导电材料形成，且形成为可见光反射率为40%至100%，优选为70%至100%，电阻率为1×10-2Ωcm以下的膜。另外，半透射·半反射电极302使用具有反射性的导电材料和具有透光性的导电材料形成，且形成为可见光反射率为20%至80%，优选为40%至70%，电阻率为1×10-2Ωcm以下的膜。
将第一透明导电层303a及第二透明导电层303b形成为其厚度彼此不同，因此两种发光元件的反射电极301与半透射·半反射电极302之间的光学距离互不相同。由此，在反射电极301与半透射·半反射电极302之间，可以使共振的波长的光变强并可以使不共振的波长的光衰减，所以可以提取其波长根据发光元件而不同的光。
另外，在第一发光元件310P中，将从反射电极301到半透射·半反射电极302的总厚度（光学厚度的总和）设定为mλP/2（m是自然数），在第二发光元件310Q中，将从反射电极301到半透射·半反射电极302的总厚度设定为mλQ/2（m是自然数）。
以此方式，从第一发光元件310P主要提取从包括于EL层305中的第一发光层304P发射的光（λP），从第二发光元件310Q主要提取从包括于EL层305的第二发光层304Q中发射的光（λQ）。注意，从各发光元件取出的光从半透射·半反射电极302一侧而射出。
另外，严格而言，从反射电极301到半透射·半反射电极302的总厚度可以为从反射电极301中的反射区域到半透射·半反射电极302中的反射区域的总厚度。但是，难以准确地确定反射电极301和半透射·半反射电极302中的反射区域的位置；因此假定将反射电极301和半透射·半反射电极302中的任何位置设定为反射区域可以充分地获得上述效果。
另外，在第一发光元件310P中，将从反射电极301到第一发光层304P的光学距离调节为所希望的厚度（（2m’＋1）λP/4，m’是自然数）。由此可以放大来自第一发光层304P的光。
注意，严格而言，从反射电极301到第一发光层304P的光学距离可以为从反射电极301中的反射区域到第一发光层304P中的发光区域的光学距离。但是，难以准确地确定反射电极301中的反射区域和第一发光层304P中的发光区域的位置；因此假定将第一发光层304P中的任何位置设定为发光区域可以充分地获得上述效果。
另外，在第二发光元件310Q中，将从反射电极301到第二发光层304Q的光学距离调节为所希望的厚度（（2m’’＋1）λQ/4，m’’是自然数）。因此可以放大来自第二发光层304Q的光。
注意，严格而言，从反射电极301到第二发光层304Q的光学距离可以为从反射电极301中的反射区域到第二发光层304Q中的发光区域的光学距离。但是，难以准确地确定反射电极301中的反射区域和第二发光层304Q中的发光区域的位置；因此假定将第二发光层304Q中的任何位置设定为发光区域可以充分地获得上述效果。
注意，上述结构中的发光元件在EL层中包括多个发光层，但是本发明不局限于此。例如，可以组合实施方式2所说明的串联型发光元件的结构，此时，一个发光元件隔着电荷产生层包括多个EL层，且在各EL层中形成一个或多个发光层。
本实施方式所示的发光装置具有微腔结构。其中即使具有相同结构的EL层，也能够提取根据发光元件不同的波长的光，因此不需要形成用于多个颜色的发光元件。因此，由于容易实现更高的分辨率显示等，上述结构有利于全彩色显示器。再者，能够与着色层（滤色片）组合。另外，因为能够加强预定波长的正面方向的发射强度，所以可以减小耗电量。上述结构在被应用于包括三种以上的颜色的像素的彩色显示器（图像显示装置）的情况下特别有效，但是也可以被应用于照明等。
实施方式4
在本实施方式中，将说明具有本发明的一个方式的发光元件的发光装置。
该发光装置可以是无源矩阵型发光装置或有源矩阵型发光装置。注意，其他实施方式所示的任何发光元件可以用于本实施方式所示的发光装置。
在本实施方式中，参照图4A和图4B说明有源矩阵型发光装置。
注意，图4A是示出发光装置的俯视图，图4B是沿图4A中的点划线A-A’取的截面图。在本实施方式的有源矩阵型发光装置中，在元件衬底401上设置有像素部402、驱动电路部（源极线驱动电路）403以及驱动电路部（栅极线驱动电路）404（404a及404b）。像素部402、驱动电路部404及驱动电路部404由密封剂405密封在元件衬底401与密封衬底406之间。
此外，在元件衬底401上，设置有用来连接外部输入端子的引导布线407。通过该外部输入端子，对驱动电路部403及驱动电路部404传输来自外部的信号（例如，视频信号、时钟信号、起始信号或复位信号等）或电位。在此，示出作为外部输入端子设置柔性印刷电路板（FPC）408作为例子。虽然在此只示出FPC，但是FPC也可以安装有印刷线路板（PWB）。本说明书中的发光装置在其范围内不仅包括发光装置本身，而且还包括设置有FPC或PWB的发光装置。
接着，参照图4B说明截面结构。驱动电路部及像素部形成在元件衬底401上；在此示出为源极线驱动电路的驱动电路部403及像素部402。
作为驱动电路部403的例子，组合有FET409和FET410。注意，驱动电路部403既可以使用包括单极性（N沟道晶体管和P沟道晶体管中的仅任一个）的晶体管的电路形成，又可以使用包括N沟道晶体管及P沟道晶体管的CMOS电路形成。虽然在本实施方式中示出在衬底上形成驱动电路的驱动器一体型，但是驱动电路不一定需要形成在衬底上，而可以形成在衬底的外部。
像素部402包括多个像素，该多个像素的每一个包括开关FET411、电流控制FET412和与电流控制FET412的布线（源电极或漏电极）电连接的第一电极（阳极）413。在本实施方式中像素部402包括开关FET411及电流控制FET412这两个FET，但是本发明不局限于此。例如，像素部402也可以包括电容器及三个以上的FET。
作为FET409、410、411及412，例如可以使用交错型晶体管或反交错型晶体管。可以用于FET409、410、411及412的半导体材料的例子包括第13族半导体（例如，镓）、第14族半导体（例如，硅）、化合物半导体、氧化物半导体、有机半导体。此外，对半导体材料的结晶性没有特别的限制，可以使用非晶半导体或结晶半导体。尤其是，优选将氧化物半导体用于FET409、410、411及412。该氧化物半导体的例子包括In-Ga氧化物以及In-M-Zn氧化物（M为Al、Ga、Y、Zr、La、Ce或Nd）。例如，将其能隙为2eV以上，优选为2.5eV以上，更优选为3eV以上的氧化物半导体用于FET409、410、411及412，由此可以降低晶体管的关态电流（off-state current）。
以覆盖第一电极413的端部的方式形成有绝缘物414。在本实施方式中，使用正型光敏丙烯酸树脂形成绝缘物414。在本实施方式中，将第一电极413用作阳极。
上述绝缘物414优选在其上端部或下端部包括具有曲率的曲面。这使得形成在绝缘物414上的膜的覆盖性有利。例如，绝缘物414可以使用负型光敏树脂或正型光敏树脂形成。绝缘物414的材料不局限于有机化合物，而还可以使用无机化合物诸如氧化硅、氧氮化硅、氮化硅。
在第一电极（阳极）413上形成有EL层415及第二电极（阴极）416。EL层415至少包括发光层。该发光层具有实施方式1中所说明的叠层结构。在EL层415中，除了发光层之外，可以适当地设置空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电荷产生层等。
发光元件417由第一电极（阳极）413、EL层415及第二电极（阴极）416的叠层形成。对于第一电极（阳极）413、EL层415及第二电极（阴极）416，可以使用实施方式1所示的材料。虽然在此未图示，但是第二电极（阴极）416与外部输入端子的FPC408电连接。
虽然图4B所示的截面图仅示出一个发光元件417，但是在像素部402中以矩阵形状配置有包括多个发光元件。在像素部402中选择性地形成有发射三种颜色（R、G、B）的光的发光元件，以得到能够进行全彩色显示的发光装置。除了发射三种颜色（R、G、B）的光的发光元件以外，例如也可以形成有发射白色（W）、黄色（Y）、品红色（M）、青色（C）的光的发光元件。例如，当组合发射三种颜色（R、G、B）的光的发光元件与发射上述多种颜色的光的发光元件时，可以获得例如色纯度提高、耗电量降低的效果。此外，也可以通过与滤色片组合来制造能够进行全彩色显示的发光装置。
再者，使用密封剂405将密封衬底406与元件衬底401贴合，来在由元件衬底401、密封衬底406和密封剂405围绕的空间418中设置发光元件417。该空间418可以由惰性气体（如氮气或氩气）或密封剂405填充。
优选将环氧类树脂或玻璃粉用于密封剂405。这些材料优选尽量不使水分及氧透过。作为密封衬底406，可以使用玻璃衬底、石英衬底或者由FRP（fiber-reinforced plastics：纤维增强的塑料）、PVF（polyvinyl fluoride：聚氟乙烯）、聚酯、丙烯酸类树脂等形成的塑料衬底。在作为密封剂使用玻璃粉的情况下，为了高粘合性，元件衬底401及密封衬底406优选为玻璃衬底。
通过上述步骤，可以得到有源矩阵型发光装置。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合。
实施方式5
在本实施方式中，参照图5A至图5D对使用发光装置来制造的各种各样的电子设备的例子进行说明。该电子设备使用本发明的一个方式的发光元件制造。
具有上述发光装置的电子设备的例子包括电视装置（也称为电视机或电视接收机）、用于计算机等的显示器、例如数码相机及数码摄像机的相机、数码相框、移动电话机（也称为移动电话、移动电话装置）、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置、例如弹珠机的大型游戏机。图5A至图5D示出这些电子设备的具体例子。
图5A示出电视装置的例子。在电视装置7100中，框体7101中组装有显示部7103。图像显示在显示部7103上，并可以将发光装置用于显示部7103。此外，在此利用支架7105以支撑框体7101。
可以利用框体7101的操作开关或遥控操作机7110进行电视装置7100的操作。通过利用遥控操作机7110的操作键7109，可以控制频道及音量，并可以控制在显示部7103上显示的图像。此外，遥控操作机7110可以设置有用来显示从该遥控操作机7110输出的数据的显示部7107。
注意，电视装置7100具备接收机及调制解调器等。通过利用接收机，可以接收一般的电视广播。再者，当该电视装置通过调制解调器以有线或无线方式连接到通信网络时，可以进行单向（从发送者到接收者）或双向（发送者和接收者之间或接收者之间）的信息通信。
图5B示出一种计算机，该计算机包括主体7201、框体7202、显示部7203、键盘7204、外接端口7205、指向装置7206等。注意，该计算机可以通过将发光装置用于显示部7203来制造。
图5C示出一种智能手表，该智能手表包括框体7302、显示面板7304、操作按钮7311及7312、连接端子7313、腕带7321、表带扣7322等。
安装在用作框架（bezel）的框体7302中的显示面板7304具有非矩形状的显示区域。显示面板7304可以显示表示时间的图标7305以及其他图标7306等。
图5C所示的智能手表可以具有各种功能，例如，在显示部上显示多种信息（例如，静态图像、动态图像、文本图像）的功能；触摸屏功能；显示日历、日期、时间等的功能；以多种软件（程序）控制处理的功能；无线通信功能；以无线通信功能与多种计算机网络连接的功能；以无线通信功能发送及接收多种数据的功能；以及读取存储于存储介质内的程序或数据并且将该程序或数据显示于显示部上的功能。
框体7302可以包括扬声器、传感器（具有测量如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、转动数、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、斜率、振动、气味或红外线）、麦克风等。注意，智能手表可以通过将发光装置用于显示面板7304来制造。
图5D示出移动电话机（例如，智能手机）的例子。移动电话机7400包括框体7401，该框体7401中设置有显示部7402、麦克风7406、扬声器7405、摄像头7407、外部连接部7404、操作按钮7403等。在将本发明的一个方式的发光元件形成在柔性衬底上的情况下，可以将该发光元件用于具有如图5D所示的曲面的显示部7402。
当用手指等触摸图5D所示的移动电话机7400的显示部7402时，可以对移动电话机7400输入数据。另外，可以用手指等触摸显示部7402来进行例如打电话及制作电子邮件的操作。
显示部7402主要有三种屏幕模式。第一模式是以图像显示为主的显示模式。第二模式是以文本等信息的输入为主的输入模式。第三模式是组合显示模式和输入模式的这两个模式的显示-输入模式。
例如，在打电话或编写电子邮件的情况下，在显示部7402中选择以文字输入为主的文字输入模式，由此可以输入显示在屏幕上的文字。在此情况下，优选在显示部7402的几乎整个屏幕上显示键盘或号码按钮。
当在移动电话机7400内部设置有例如陀螺仪或加速度传感器的检测装置时，通过判断移动电话机7400的方向（判断该移动电话机是纵向还是横向的），而可以对显示部7402的屏幕上的显示进行自动切换。
通过触摸显示部7402或利用框体7401的操作按钮7403进行操作，切换屏幕模式。可以根据显示在显示部7402上的图像的种类而切换屏幕模式。例如，当显示在显示部上的图像信号为运动图像数据的信号时，将屏幕模式切换为显示模式。当图像信号为文字数据时，将屏幕模式切换为输入模式。
另外，在输入模式的情况下，当检测到显示部7402的光传感器所检测的信号而在一定期间内没有显示部7402的触摸输入时，也可以控制屏幕模式以将输入模式切换为显示模式。
显示部7402可以被用作图像传感器。例如，通过用手掌或手指触摸显示部7402拍摄掌纹或指纹等的图像，来可以进行个人识别。另外，当发出近红外光的背光或发出近红外光的传感用光源设置在显示部时，可以拍摄手指静脉、手掌静脉等的图像。
再者，上述发光装置可以用于具有图5D＇-1或图5D＇-2所示的结构的移动电话机，这是移动电话机的另一结构（例如，智能手机）。
另外，在是图5D＇-1或图5D＇-2所示的结构的情况下，不仅在框体7500（1）、框体7500（2）的第一面7501（1）、7501（2）上，而且还在第二面7502（1）、7502（2）上能够显示文字数据或图像数据等。借助于这种结构，使用者能够在将移动电话机收纳在上衣口袋中的状态下容易确认在第二面7502（1）、7502（2）上显示的文字数据或图像数据等。
如上所述，可以利用包括本发明的一个方式的发光元件的发光装置而得到电子设备。注意，不局限于本实施方式所示的电子设备，上述发光装置可以用于各种领域的电子设备中。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合。
实施方式6
在本实施方式中，参照图6将说明照明装置的例子。各照明装置使用包括本发明的一个方式的发光元件的发光装置。
图6示出将发光装置用作室内照明装置8001的例子。因为发光装置可以具有大面积，所以可以用于大面积的照明装置。此外，通过使用具有曲面的框体，也可以得到其发光区域具有曲面的照明装置8002。包括在本实施方式所示的发光装置中的发光元件为薄膜状，所以框体的设计自由度更高。因此，可以得到精心设计的照明装置。再者，室内的墙面也可以设置有大型照明装置8003。
当将发光装置用于桌子的表面时，可以得到具有桌子的功能的照明装置8004。当将发光装置用作其他家具的一部分时，可以得到具有家具的功能的照明装置。
如上所述，可以得到包括发光装置的各种照明装置。这种照明装置也是本发明的实施方式。
本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合。
实施例
在本实施例中，制造本发明的一个方式的发光元件1及发光元件2、以及用来比较的比较发光元件3及比较发光元件4。使用图7将说明详细的元件结构。本实施例所示的发光元件具有组合在实施方式2中说明的串联型结构和在实施方式3中说明的微腔结构的结构。以下，示出在本实施例中使用的材料的化学式。
《发光元件1、发光元件2、比较发光元件3以及比较发光元件4的制造》
在本实施例中，图7的左侧示出发射红色光的发光元件1及比较发光元件3，图7的右侧示出发射绿色光的发光元件2及比较发光元件4。注意，这些发光元件都具有从第二电极4003一侧发射光的结构。
在发光元件1和发光元件2中，将相同的材料用于第二EL层4002b中的发光层（4013（b2））。比较发光元件3和比较发光元件4中的用于第二EL层4002b中的发光层（4013（b2））的材料相同，但是与发光元件1和比较发光元件2的材料不同。图7的左侧所示的发光元件1及比较发光元件3受到光学调整以得到红色发光。图7的右侧所示的发光元件2及比较发光元件4受到光学调整以得到绿色发光。因此，图7的左侧所示的第一电极4001的结构与图7的右侧所示的第一电极4101不同。注意，使用图7所示的相同符号对其他共同结构进行说明。
首先，在发光元件1及发光元件2中，在玻璃衬底4000上通过溅射法形成厚度为200nm的铝（Al）、镍（Ni）及镧（La）的合金膜（Al-Ni-La合金膜），通过溅射法形成厚度为6nm的Ti膜，然后通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物（ITSO）膜。在比较发光元件3及比较发光元件4中，在玻璃衬底4000上通过溅射法形成厚度为200nm的铝（Al）及钛（Ti）的合金膜（Al-Ti合金膜），通过溅射法形成厚度为6nm的Ti膜，然后通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物（ITSO）膜。此时，发光元件1、发光元件2、比较发光元件3以及比较发光元件4的ITSO膜的厚度分别为75nm、40nm、80nm以及40nm。由此形成被用作发光元件1、发光元件2、比较发光元件3以及比较发光元件4的阳极的第一电极4001、4101。此时，Ti膜的一部分或整体被氧化且包含氧化钛。注意，电极面积为2mm×2mm。
接着，作为用来在衬底4000上形成发光元件1、发光元件2、比较发光元件3以及比较发光元件4的预处理，使用水对衬底表面进行洗涤，并以200℃进行1小时的焙烧，然后进行370秒的UV臭氧处理。
然后，将衬底放入到其内部被减压到10-4Pa左右的真空蒸镀装置中，并在真空蒸镀装置内的加热室中，以170℃进行60分钟的真空焙烧，然后对衬底4000进行30分钟左右的冷却。
接着，以将衬底4000的形成有第一电极（4001、4101）的面朝下方的方式将衬底4000固定于设置在真空蒸镀装置内的支架上。在本实施例中，通过真空蒸镀法依次形成包括在第一EL层4002a中的第一空穴注入层4011a、第一空穴传输层4012a、发光层（A）（4013a）、第一电子传输层4014a及第一电子注入层4015a，然后，形成电荷产生层4004。接着，形成包括在第二EL层4002b中的第二空穴注入层4011b、第二空穴传输层4012b、发光层（B）（4013（b1）、4013（b2））、第二电子传输层4014b及第二电子注入层4015b。
在将真空蒸镀装置内减压到10-4Pa后，在是发光元件1及发光元件2的情况下，将9-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]菲（简称：PcPPn）和氧化钼以PcPPn（简称）:氧化钼＝1:0.5（质量比）的比例共蒸镀，由此在第一电极（4001、4101）上形成第一空穴注入层4011a。注意，发光元件1及发光元件2的第一空穴注入层4011a的厚度都为10nm。在是比较发光元件3及比较发光元件4的情况下，9-苯基-3-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（简称：PCzPA）和氧化钼以PCzPA（简称）：氧化钼＝1:0.5（质量比）的比例共蒸镀，由此形成第一空穴注入层4011a。注意，比较发光元件3及比较发光元件4的第一空穴注入层4011a的厚度分别为10nm、13nm。
接着，蒸镀PcPPn（简称），形成第一空穴传输层4012a。关于第一空穴传输层4012a的厚度，发光元件1及发光元件2的是15nm，比较发光元件3及比较发光元件4的是20nm。
接着，在第一空穴传输层4012a上形成发光层（A）4013a。将9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（简称：CzPA）、N，N’-双（3-甲基苯基）-N，N’-双[3-（9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-芘-1，6-二胺（简称：1，6mMemFLPAPrn），以CzPA（简称）：1，6mMemFLPAPrn（简称）＝1：0.05（质量比）的比例共蒸镀，由此形成发光层（A）4013a。关于发光层（A）4013a的厚度，发光元件1及发光元件2的是25nm，比较发光元件3及比较发光元件4的是30nm。
然后，在发光层（A）4013a上蒸镀厚度为5nm的CzPA（简称）膜之后蒸镀厚度为15nm的红菲绕啉（简称：BPhen）膜，来形成第一电子传输层4014a。此外，在第一电子传输层4014a上蒸镀厚度为0.1nm的氧化锂（Li2O）膜，来形成第一电子注入层4015a。
接着，在第一电子注入层4015a上蒸镀厚度为2nm的铜酞菁（简称：CuPc）膜，来形成电荷产生层4004。
接着，在是发光元件1及发光元件2的情况下，在电荷产生层4004上将1，3，5-三（二苯并噻吩-4-基）苯（简称：DBT3P-II）和氧化钼以DBT3P-II（简称）:氧化钼＝1:0.5（质量比）的比例共蒸镀，由此形成厚度为12.5nm的第二空穴注入层4011b。在是比较发光元件3及比较发光元件4的情况下，将9-苯基-3-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（简称：PCzPA）和氧化钼以PCzPA（简称）:氧化钼＝1:0.5（质量比）的比例共蒸镀，由此形成厚度为13nm的第二空穴注入层4011b。
接着，蒸镀厚度为20nm的4-苯基-4'-（9-苯基芴-9-基）三苯基胺（简称：BPAFLP）膜，来形成第二空穴传输层4012b。
然后，在第二空穴传输层4012b上形成发光层（B）（第一发光层4013（b1）、第二发光层4013（b2））。
在是发光元件1及发光元件2的情况下，通过将2-[3’-（二苯并噻吩-4-基）联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉（简称：2mDBTBPDBq-II）、N-（1,1'-联苯-4-基）-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺（简称：PCBBiF）及（乙酰丙酮）双（6-叔丁基-4-苯基嘧啶根）铱（III）（简称:[Ir（tBuppm）2（acac）]）以2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir（tBuppm）2（acac）]＝0.8:0.2:0.06（质量比）的比例共蒸镀，形成厚度为20nm的第一发光层4013（b1）。在是比较发光元件3及比较发光元件4的情况下，通过将2-[3’-（二苯并噻吩-4-基）联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉（简称：2mDBTBPDBq-II）、4,4'-二（1-萘基）-4''-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）三苯胺（简称：PCBNBB）、（乙酰丙酮）双（6-叔丁基-4-苯基嘧啶根）铱（III）（简称：[Ir（tBuppm）2（acac）]）以2mDBTBPDBq-II:PCBNBB:[Ir（tBuppm）2（acac）]＝0.8:0.2:0.06（质量比）的比例共蒸镀，形成厚度为20nm的第一发光层4013（b1）。
在是发光元件1及发光元件2的情况下，通过将2mDBTBPDBq-II（简称）、双｛4,6-二甲基-2-[5-（2,6-二甲基苯基）-3-（3，5-二甲基苯基）-2-吡嗪基-κN]苯基-κC｝（2,4-戊二酮根-κ2O,O’）铱（III）（简称:[Ir（dmdppr-dmp）2（acac）]）以2mDBTBPDBq-II:[Ir（dmdppr-dmp）2（acac）]＝1:0.06（质量比）的比例共蒸镀，形成厚度为20nm的第二发光层4013（b2）。在是比较发光元件3及比较发光元件4的情况下，通过将2mDBTBPDBq-II、双（2,3,5-三苯基吡嗪）（二新戊酰甲烷）铱（III）（简称:[Ir（tppr）2（dpm）]）以2mDBTBPDBq-II:[Ir（tppr）2（dpm）]＝1:0.06（质量比）的比例共蒸镀,形成厚度为20nm的第二发光层4013（b2）。
接着，在发光层（B）4013b上形成第二电子传输层4014b。
在是发光元件1及发光元件2的情况下，在蒸镀35nm厚的2mDBTBPDBq-II（简称）膜之后蒸镀15nm厚的BPhen（简称）膜，来形成第二电子传输层4014b。在是比较发光元件3及比较发光元件4的情况下，蒸镀15nm厚的2mDBTBPDBq-II（简称）膜之后蒸镀15nm厚的BPhen（简称）膜，来形成第二电子传输层4014b。
而且，在第二电子传输层4014b上蒸镀1nm厚的氟化锂（LiF）膜，由此形成第二电子注入层4015b。
最后，在第二电子注入层4015b上形成被用作阴极的第二电极4003。以1：0.1（质量比）共蒸镀银（Ag）和镁（Mg）形成厚度为15nm的由银和镁而成的膜，然后利用溅射法形成厚度为70nm的铟锡氧化物（ITO）膜，由此得到第二电极4003。注意，在上述蒸镀工序中，利用电阻加热法进行蒸镀。
表1示出通过上述步骤得到的发光元件1、发光元件2、比较发光元件3以及比较发光元件4的结构。
[表1]
如表1所示，在发光元件1及比较发光元件3的各对置衬底上形成有红色的着色层（R），在发光元件2及比较发光元件4的各对置衬底上形成有绿色的着色层（G）。在氮气氛的手套箱中以与这些对置衬底贴合的方式密封所制造的发光元件1、发光元件2、比较发光元件3以及比较发光元件4，以使其不暴露于大气（具体而言，将密封材料涂敷在元件的周围，并且在密封时以6J/cm2照射波长为365nm的紫外光，并且以80℃进行1小时的热处理）。
《发光元件1、发光元件2、比较发光元件3以及比较发光元件4的工作特性》
对所制造的发光元件1、发光元件2、比较发光元件3以及比较发光元件4的工作特性进行测定。注意，在室温（其温度保持为25℃的气氛）下进行测定。
图8示出发光元件1、发光元件2、比较发光元件3以及比较发光元件4的亮度-电流效率特性。在图8中纵轴表示电流效率（cd/A），横轴表示亮度（cd/m2）。
表2示出1000cd/m2的亮度附近的发光元件1、发光元件2、比较发光元件3以及比较发光元件4的主要初期特性值。
[表2]
从上述结果可知：虽然在本实施例制造的发光元件1和比较发光元件3的用于发光层（B）（4013b）中的第二发光层4013（b2）的材料互不相同，但是发光元件1和比较发光元件3都发射红色（R）发光。具体而言，在发光元件1中，主体材料是2mDBTBPDBq-II，客体材料是[Ir（dmdppr-dmp）2（acac）]。另一方面，在比较发光元件3中，主体材料是与发光元件1相同的，但是客体材料是[Ir（tppr）2（dpm）]。如循环伏安（CV）测量的结果所示，主体材料（2mDBTBPDBq-II）的LUMO为-2.94eV，发光元件1的客体材料（[Ir（dmdppr-dmp）2（acac）]）的LUMO为-2.91eV，比较发光元件3的客体材料（[Ir（tppr）2（dpm）]）的LUMO为-3.05eV。因此，在发光元件1中客体材料的LUMO能级是主体材料的LUMO能级的±0.1eV以内，另一方面，在比较发光元件3中该能级不是±0.1eV以内。这些LUMO能级之间的差异有可能引起发光元件1的电流效率特性和比较发光元件3的电流效率特性之间的差异。
在比较发射绿色（G）发光的发光元件2和比较发光元件4的情况下，如表2所示，发光元件2呈现较高的电流效率。注意，发光元件1和发光元件2在发光层（B）（4013b）中的第二发光层4013（b2）中包含呈现红色发光的相同客体材料，并在第一发光层4013（b1）中包含呈现绿色发光的相同客体材料。发光元件2的电流效率比比较发光元件4高是因为如下缘故：用于第二发光层4013（b2）的主体材料和客体材料的LUMO能级之间的关系为如上，因此红色发光元件的电流效率得到提高。这提高层叠在第二发光层4013（b2）上的第一发光层4013（b1）中的载流子复合效率，而绿色发光元件的电流效率也得到提高。
如上所述，在组合白色元件与着色层（滤色片）得到红色元件及绿色元件时，通过只改变不助于绿色发光的红色发光性材料，除了红色发光元件的电流效率以外，绿色发光元件的电流效率也得到提高。通常，预测不到这样的现象。就是说，该现象是本发明的结构的明显效果之一。
由此可知，通过适当地组合这些发光元件，将可以实现电流效率高的全彩色或白色发光装置。
图9示出以2.5mA/cm2的电流密度使电流流过发光元件1、发光元件2、比较发光元件3以及比较发光元件4时的发射光谱。如图9所示，
发光元件1（R）及比较发光元件3（R）的发射光谱在611nm附近具有峰值，发光元件2（G）及比较发光元件4（G）的发射光谱在534nm附近具有峰值。各发光元件的发射光谱来源于各发光层所包含的磷光有机金属铱配合物的发光。
注意，在比较呈现红色发光的发光元件1和比较发光元件3时，发光元件1的发射光谱比比较发光元件3窄，在比较呈现绿色发光的发光元件2和比较发光元件4时，发光元件2的发射光谱比比较发光元件4窄。根据这样的光谱的狭窄化可以确认到发光元件1及发光元件2的电流效率与比较发光元件3及比较发光元件4相比得到提高。
符号说明
101：阳极；102：阴极；103：EL层；104：空穴注入层；105：空穴传输层；106：发光层；106a：第一发光层；106b：第二发光层；107：电子传输层；108：电子注入层；109：客体材料；109a：第一发光性材料；109b：第二发光性材料；110：主体材料；201：第一电极；202（1）：第一EL层；202（2）：第二EL层；202（n-1）：第（n-1）EL层；202（n）：第（n）EL层；204：第二电极；205：电荷产生层；205（1）：第一电荷产生层；205（2）：第二电荷产生层；205（n-2）：第（n-2）的电荷产生层；205（n-1）：第（n-1）电荷产生层；301：反射电极；302：半透射·半反射电极；303a：第一透明导电层；303b：第二透明导电层；304P：第一发光层；304Q：第二发光层；305：EL层；310P：第一发光元件；310Q：第二发光元件；401：元件衬底；402：像素部；403：驱动电路部（源极线驱动电路）；404a、404b：驱动电路部（栅极线驱动电路）；405：密封剂；406：密封衬底；407：布线；408：FPC（柔性印刷电路）；409：FET；410：FET；411：开关FET；412：电流控制FET；413：第一电极（阳极）；414：绝缘物；415：EL层；416：第二电极（阴极）；417：发光元件；418：空间；4000：衬底；4001：电极；4101：电极；4002a：EL层；4002b：EL层；4003：电极；4004：电荷产生层；4011a：空穴注入层；4011b：空穴注入层；4012a：空穴传输层；4012b：空穴传输层；4013a：发光层（A）；4013b：发光层（B）；4013（b1）：发光层（B）的第一发光层；4013（b2）：发光层（B）的第二发光层；4014a：电子传输层；4014b：电子传输层；4015a：电子注入层；4015b：电子注入层；7100：电视装置；7101：框体；7103：显示部；7105：支架；7107：显示部；7109：操作键；7110：遥控操作机；7201：主体；7202：框体；7203：显示部；7204：键盘；7205：外接端口；7206：指向装置；7302：框体；7304：显示面板；7305：表示时间的图标；7306：其他图标；7311：操作按钮；7312：操作按钮；7313：连接端子；7321：腕带；7322：表带扣；7400：移动电话机；7401：框体；7402：显示部；7403：操作按钮；7404：外部连接部；7405：扬声器；7406：麦克风；7407：摄像头；7500（1）、7500（2）：框体；7501（1）、7501（2）：第一面；7502（1）、7502（2）：第二面；8001：照明装置；8002：照明装置；8003：照明装置；8004：照明装置。
本申请基于2014年2月21日提交到日本专利局的日本专利申请No. 2014-031792，通过引用将其完整内容并入在此。

Claims (20)

1. 一种发光元件，包括：
阳极和阴极之间的第一EL层，
其中，所述第一EL层包括第一发光层及第二发光层，
所述第一发光层位于所述阴极和所述第二发光层之间，
所述第一发光层与所述第二发光层接触，
所述第二发光层的发射峰值的波长比所述第一发光层短，
所述第一发光层包含主体材料及客体材料，
并且，所述客体材料的最低未占据分子轨道能级在所述主体材料的最低未占据分子轨道能级的±0.1eV以内。
2. 根据权利要求1所述的发光元件，还包括：
所述阳极和所述阴极之间的第二EL层；以及
所述第一EL层和所述第二EL层之间的电荷产生层。
3. 根据权利要求2所述的发光元件，其中所述第一EL层位于所述电荷产生层和所述阴极之间。
4. 根据权利要求2所述的发光元件，其中所述第一EL层位于所述电荷产生层和所述阳极之间。
5. 根据权利要求1所述的发光元件，还包括第三发光层，
其中所述第三发光层位于所述第一发光层和所述阴极之间，
所述第三发光层与所述第一发光层接触，
并且所述第二发光层和所述第三发光层包含相同材料。
6. 根据权利要求1所述的发光元件，
其中所述第一发光层中的发光在560nm至700nm的范围具有峰值波长，
并且所述第二发光层中的发光在500nm至560nm的范围具有峰值波长。
7. 根据权利要求1所述的发光元件，其中所述客体材料是磷光有机金属铱配合物。
8. 一种发光装置，包括：
权利要求1所述的发光元件；以及
柔性印刷电路。
9. 一种电子设备，包括：
权利要求8所述的发光装置；以及
操作键、扬声器、麦克风或外部连接部。
10. 一种照明装置，包括：
权利要求8所述的发光装置；以及
框体。
11. 一种发光元件；包括：
阳极和阴极之间的第一EL层，
其中，所述第一EL层包括第一发光层及第二发光层，
所述第一发光层位于所述阴极和所述第二发光层之间，
所述第一发光层与所述第二发光层接触，
所述第二发光层的发射峰值的波长比所述第一发光层短，
所述第一发光层和所述第二发光层包含相同主体材料，
所述第一发光层包含客体材料，
并且，所述客体材料的最低未占据分子轨道能级在所述主体材料的最低未占据分子轨道能级的±0.1eV以内。
12. 根据权利要求11所述的发光元件，还包括：
所述阳极和所述阴极之间的第二EL层；以及
所述第一EL层和所述第二EL层之间的电荷产生层。
13. 根据权利要求12所述的发光元件，其中所述第一EL层位于所述电荷产生层和所述阴极之间。
14. 根据权利要求12所述的发光元件，其中所述第一EL层位于所述电荷产生层和所述阳极之间。
15. 根据权利要求11所述的发光元件，还包括第三发光层，
其中所述第三发光层位于所述第一发光层和所述阴极之间，
所述第三发光层与所述第一发光层接触，
并且所述第二发光层和所述第三发光层包含相同材料。
16. 根据权利要求11所述的发光元件，
其中所述第一发光层中的发光在560nm至700nm的范围具有峰值波长，
并且所述第二发光层中的发光在500nm至560nm的范围具有峰值波长。
17. 根据权利要求11所述的发光元件，其中所述客体材料是磷光有机金属铱配合物。
18. 一种发光装置，包括：
权利要求11所述的发光元件；以及
柔性印刷电路。
19. 一种电子设备，包括：
权利要求18所述的发光装置；以及
操作键、扬声器、麦克风或外部连接部。
20. 一种照明装置，包括：
权利要求18所述的发光装置；以及
框体。
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