CN105977583B - 一种移相器及馈电网络 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及到通信技术领域，公开了一种移相器及馈电网络。该移相器包括：至少一个移相部件；移相部件包括：基板，设置在基板上的第一平面上的微带耦合结构，与微带耦合结构连接并共面的微带传输线，以及微带线/共面波导耦合结构，微带线/共面波导耦合结构包括与微带传输线连接并共面的微带线，以及设置在基板上与微带线相对的一面、并与微带线耦合的共面波导。采用微带线/共面波导耦合结构设计的移相器的体积小且成本低，方便了馈电网络的设计。

Description

一种移相器及馈电网络
技术领域
本发明涉及到通信技术领域，尤其涉及到一种移相器及馈电网络。
背景技术
随着现代通信技术的发展，通信系统对通信效率要求越来越高。为了实现更快更准的数据传输，通信系统多采用MIMO(Multiple-Input Multiple-Output，多入多出)技术和Phase Array(相控阵)技术。具有高精准度相位控制的移相器是MIMO和Phase Array技术的关键部分。在现有的移相器当中，多数设计采用微带线(Microstrip)耦合方式。微带线是一种常见的信号传输线。此外，共面波导(Coplanar Waveguide)也是一种信号传输线。
所谓移相器至少包含两个结构，即参考结构与移相结构。参考结构在某频点实现Φ°的相移，移相结构在该频点实现(Φ+Ψ)°相移，两者相位之差Ψ°即为所需的相对相移。当参考结构与移相结构在通频带相位之差Ψ°为一定值时，就可实现通频带内恒定的相对相移。
但现有技术中的移相器面积或体积较大，成本较高，不利于包括移相器在内的多相位馈电网络设计。
发明内容
本发明实施例提供了一种移相器及馈电网络，用以降低移相器的体积，方便馈电网络的设计加工。
本发明实施例提供了一种移相器，该移相器包括：至少一个移相部件；
所述移相部件包括：基板，设置在所述基板上的第一平面上的微带耦合结构，与所述微带耦合结构连接并设置在所述第一平面上的微带传输线，以及微带线/共面波导耦合结构，所述微带线/共面波导耦合结构包括与所述微带传输线连接并设置在所述第一平面上的微带线，以及设置在所述基板上与所述第一平面相对的第二平面上、并与所述微带线耦合的共面波导；
所述移相器还包括与所述微带耦合结构连接的微带线输入/输出端口；与所述共面波导连接的共面波导输入/输出端口，在所述微带线输入/输出端口和共面波导输入/输出端口之间经过的信号所产生相移是所述移相部件的相移。
在上述技术方案中，可以通过改变微带耦合结构的耦合宽度和耦合间隙、微带传输线的长度或微带线/共面波导耦合结构的耦合宽度使得参考结构和移相结构具有不同的相位，方便了相移角度的调整。此外，采用微带线/共面波导耦合结构设计的移相器的体积小且成本低，方便了馈电网络的设计。
在一个具体的实施例中，所述微带耦合结构为U形的微带线的形式，且所述U形的微带线的两个侧壁之间的耦合宽度不大于所采用基板的8倍厚度。通过采用U形的微带线，使得U形的微带线的两个侧壁之间形成耦合，且为了保证两个侧壁之间的能够产生耦合，两个侧壁之间的宽度不大于基板厚度的8倍，如1倍、2倍、4倍、6倍、8倍等任意倍数。
此外，作为一个优选的实施例，还包括：耦合在所述U形的微带线的两个侧壁之间的电容。该电容可为固定电容或可变电容，通过设置的电容可以实现对各输出支路的移相微调，进而改变移相器的相位输出。
在一个具体的实施例中，所述参考结构的微带线耦合结构的侧壁长度为0.25λc；其中，所述λc为在移相器的工作中心频率为fc时，该频率fc的信号在基板介质中传输的波长。
此外，所述共面波导包括第一金属层以及位于所述第一金属层两侧的第一接地层，且所述第一金属层与所述第一接地层之间具有第一间隙，所述共面波导输入/输出端口包括：第二金属层以及位于所述第二金属层两侧的第二接地层，且所述第二金属层与所述第二接地层之间具有第二间隙；其中，所述第一金属层与所述第二金属层之间连接，所述第一接地层与所述第二接地层连接，所述第一间隙与所述第二间隙连接。
在一个具体的实施例方案中，所述微带线/共面波导耦合结构中位于第一平面的微带线与共面波导的第一金属层在该第一平面上的垂直投影完全重叠、部分重叠或者位置错开。
作为一个优选的方案，还包括设置在所述微带线/共面波导的微带线与所述共面波导之间的电容。该电容可为固定电容或可变电容，通过设置的电容可以实现对各输出支路的移相微调，进而改变移相器的相位输出。
此外，在本实施例中，所述至少一个移相部件包括参考结构和移相结构；所述参考结构作为第一移相部件用于产生第一相移，所述移相结构作为第二移相部件用于产生第二相移，所述第一相移和第二相移用于产生相对相移，所述相对相移是所述移相器的相移。通过移相结构及参考结构实现移相器的相移。
在本实施例中，所述微带线输入/输出端口的阻抗为50欧姆；所述共面波导输入/输出端口的阻抗为50欧姆。所述微带传输线的阻抗为50欧姆。
本发明实施例还提供了一种馈电网络，该馈电网络包括功分器以及与所述功分器的每个支路连接的上述移相器。
附图说明
图1为本发明实施例提供的馈电网络的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的移相器的参考结构的顶层示意图；
图3为本发明实施例提供的移相器的参考结构的底层示意图；
图4为本发明实施例提供的移相器的相位响应示意图；
图5为本发明实施例提供的6-Bit数字控制移相器示意图；
图6为本发明实施例提供馈电网络的频率检测方式示意图；
图7为本发明实施例提供的馈电网络的相位反馈方式示意图；
图8为本发明实施例提供的馈电网路中的移相器的仿真频率响应示意图；
图9为本发明实施例提供的馈电网路中的移相器的仿真相对相移示意图；
图10为本发明实施例提供的移相器的微带耦合结构中的耦合宽度W1增加0.01mm引起的相位差示意图；
图11为本发明实施例提供的馈电网路中的移相器的仿真频率响应示意图；
图12为本发明实施例提供的馈电网路中的移相器的仿真相对相移示意图；
图13为本发明实施例提供的八路移相馈电网络的频率响应测试结果；
图14为本发明实施例提供的八路移相馈电网络的相对相移测试结果。
附图标记：
10-移相器 11-参考结构 111-基板
112-微带线输入/输出端口 113-微带耦合结构
114-微带传输线 115-微带线/共面波导耦合结构
1151-微带线 1152-共面波导 1153-第一金属层
1154-第一接地层 116-共面波导输入/输出端口
1161-第二金属层 1162-第二接地层
12-移相结构 20-功分器 30-馈电网络
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
为了方便理解本实施例提供的移相器，下面结合具体的实施例以及附图对其进行详细的说明。一并参考图1、图2及图3，图2及图3示出了本发明实施例提供的移相器10的参考结构11的结构示意图，其中，图2为顶层金属示意图，图3为底层金属示意图。
首先需要说明的是，本实施例提供的移相器10可以应用到馈电网络30中，如图1所示，该馈电网络30通过功分器20将多个移相器10连接以组成网络。且在具体的移相器10结构中，该移相器10包括至少一个移相部件；移相部件包括：基板111，设置在基板111上的第一平面上的微带耦合结构113，与微带耦合结构113连接并设置在第一平面上的微带传输线114，以及微带线/共面波导耦合结构115，微带线/共面波导耦合结构115包括与微带传输线114连接并设置在第一平面上的微带线，以及设置在基板111上与第一平面相对的第二平面上、并与微带线耦合的共面波导1152。在具体设置时，移相器10中的参考结构11和移相结构12的组成部件相同，两者的组成的区别在于设计参数的不同。
在本实施例中，该移相器10可包括参考结构11和移相结构12。参考结构11和移相结构12都是移相部件并且可以是结构上相同的，两者之间的区别在于设计的参数值不同。以参考结构11为例，该参考结构11包括基板111，设置在基板111上的微带耦合结构113以及微带传输线114，其中，微带传输线114与微带耦合结构113连接。所述基板111可以是(Printed Circuit Board，印刷电路板)。
在具体设置时，如图2所示，微带耦合结构113为微带线折弯形成的，该微带耦合结构113为U形的微带线。为保证U形的微带线两个侧壁之间耦合，U形微带线的两个侧壁之间的间隙G1不大于8倍的基板111的厚度，从而保证两个微带线之间能够耦合。U形的微带线如图2所示包括U形的连接部，以及与该连接部分别相连的两个侧壁，任一个侧壁可以被视为是一条微带线。且微带耦合结构113相较于微带传输线114具有更强的耦合，会在通带中频处产生谐振点，从而改善通带性能。以图2所示为例，在本实施例中，微带耦合结构113的长度为L1，微带线的宽度为W1，两个微带线之间的间隙为G1。在具体设置时，其一个示例性的特征阻抗为50欧姆，且由耦合线宽W1和耦合间隙G1决定。设移相器10的工作中心频率为fc，对应fc频率的信号在基板111的介质中的波长为λc，则微带线耦合结构的长度L1为0.25λc。此外，为了保证两个侧壁之间的能够产生耦合，两个侧壁之间的宽度(即G1)不大于基板111的厚度的8倍，如该宽度可以是所述厚度的1倍、2倍、4倍、6倍、8倍等任意倍数，具体的倍数可以根据实际的设计需要决定。
继续参考图2，本实施例提供的微带传输线114与微带耦合结构113连接，且在具体设置时可以是任意的形状，微带传输线114的各个部分之间不会产生耦合。如图2所示，本实施例提供的微带传输线114的形状可以为U形、波浪形、弧形、异形等不同形状设置。无论在何种设置时，微带传输线114的总长度保持一致，如图2所示的两倍长度的L2，以及阻抗为50欧姆。由于微带传输线114是U形，其中L2表示微带传输线114中的一条传输线的长度，这样U形的微带传输线114总长度就是2L2。微带传输线114的耦合宽度是W2。
一并参考图2及图3，在本实施例中，参考结构11还包括微带线/共面波导耦合结构115，其中，该微带线/共面波导耦合结构115包括微带线1151以及共面波导1152，其中，微带线1151与微带传输线114共面且连接，共面波导1152设置在基板111上与微带线1151相对的一面。具体的如图2所示，在本实施例中，微带线1151为宽度为W3、长度为L3的微带线，一并参考图3，共面波导1152包括第一金属层1153以及位于第一金属层1153两侧的第一接地层1154，且第一金属层1153与第一接地层1154之间具有第一间隙。参考图3，其中，第一间隙的宽度为G2。在微带线1151与第一金属层1153耦合时，耦合长度L3为中心频率下0.25λc，中心频率的信号在基板111的介质中的波长为λc。此外，微带线1151与第一金属层1153之间的耦合可以采用不同形式，具体的，微带线/共面波导耦合结构115中的微带线1151与共面波导1152的第一金属层1153在同一平面上的垂直投影完全重叠、部分重叠或者位置错开。即在耦合时，微带线1151与第一金属层1153之间完全重叠、部分重叠或者位置错开。上述三种方式均可实现微带线1151与第一金属层1153之间形成耦合。
在本实施例提供的参考结构11中，还包括与微带耦合结构113连接的微带线输入/输出端口112；与共面波导1152连接的共面波导输入/输出端口116。其中，在与微带耦合结构113连接的端口112作为输入端口时，与共面波导1152连接的共面波导端口116作为输出端口，也可以在与微带耦合结构113连接的端口112作为输出端口时，与共面波导1152连接的共面波导端口116作为输入端口，具体设置根据实际的连接情况而定。因此，在本发明的实施例中，“输入/输出”代表、输入或输出中的至少一项。
其中共面波导输入/输出端口116在与共面波导1152具体连接时，共面波导输入/输出端口116包括：第二金属层1161以及位于第二金属层1161两侧的第二接地层1162，且第二接地层1162与第二接地层1162之间具有第二间隙，如图3所示，该第二间隙的宽度为G3。其中，第一金属层1153与第二金属层1161之间连接，第一接地层1154与第二接地层1162连接，第一间隙与第二间隙连接；从而实现共面波导输入/输出端口116与共面波导1152的连接。
此外，电容可以改变耦合结构的耦合强度，因此，可以在每个移相器10内设置电容对输出相位进行微调。在具体的设置时，可以在微带耦合结构113中或者在微带线/共面波导耦合结构115上设置电容或者两个耦合结构上均设置电容。在微带耦合结构113中设置电容时，即在U形的微带线的两个侧壁之间连接有电容；在微带线/共面波导耦合结构115上设置电容时，在微带线1151和共面波导1152之间(即微带线1151与第一金属层1153之间)设置电容。该电容可为固定电容、可变电容或阵列电容。具体可以通过设置的电容可以改变微带耦合结构113或微带线/共面波导耦合结构115的耦合性能，即通过设置的电容可以实现对各输出支路的移相微调，进而改变移相器10的相位输出。
在本实施例中，在进行输入和输出设置时，输入和输出中的一个与微带耦合结构113连接，另一个与共面波导连接，且在具体设置时，微带线输入/输出端口112的阻抗为50欧姆；共面波导输入/输出端口116的阻抗为50欧姆。
在本实施例中，参考结构11与移相结构12包含的部件相同，不同的是各自部件的尺寸不同。因此，移相结构12可参考上述参考结构11的结构，在此不再详细赘述移相结构12的组成部件。
在对参考结构11和移相结构12具体设置时，参考以下原理：在保证微带线耦合结构113的特征阻抗为50欧姆的条件下，减小微带耦合结构113的耦合间隙G1和耦合宽度W1，同时减小微带线/共面波导耦合结构115的耦合宽度W3，可使移相器10的相位响应斜率m增大。(注：减小微带线耦合结构113的耦合间隙G1和耦合宽度W1与减小微带线/共面波导耦合结构115耦合宽度W3两种方式均可增大相位响应斜率m。同时采用两种结构的目的在于实现更大的相对相移(Differential Phase Shift)以及更好的通带性能)，其中，
其中，fa及fb为工作频段中的两个频点，Φa及Φb为fa和fb频点下移相器10的相位响应。
再通过减小微带线传输线长度，使移相结构12与参考结构11的相位响应斜率m在工作频段内相等，具体的如图4所示，图4为移相结构12的相位响应示意图。通过以上变化后，参考结构11与移相结构12的相位响应在工作频段内呈平行关系，且参考结构11和移相结构12具有不同的相位响应。两者的相位响应之差即为相对相移，该相对相移是一个相对固定的值。
利用上述原理可设计出相对于参考结构11移相5.625°、11.25°、22.5°、45°、90°、180°的移相器10。此外，由于参考结构11、移相结构12在通频带内拥有平行的相位响应。故可将移相结构12也视做参考结构11，实现其他度数的相对相移；例如，当移相5.625°作为参考结构11，移相180°作为移相结构12时，可产生180°-5.625°＝174.375°的相对相移。
如上图5所示，可将本实施方案所设计的移相器10通过控制电路级联成一个具有6-Bit(比特)数字控制、移相范围达360°的移相器10。图示中0°代表参考结构11，5.625°等代表移相结构12，通过控制输入信号选择不同的支路，可实现以5.625°作为分辨率的可调移相器10。
通过上述描述可以看出，在本实施例中提供的移相器10，参考结构11和移相结构12均采用微带耦合结构113、微带传输线114及微带线/共面波导耦合结构115组成，且通过改变微带耦合结构113的耦合宽度和耦合间隙、微带传输线114的长度或微带线/共面波导耦合结构115的耦合宽度使得参考结构11和移相结构12具有不同的相位，方便了相移角度(即相移大小)的调整。此外，采用微带线/共面波导耦合结构115设计的移相器10，各移相器10体积和成本较低，而且有利于做到各移相器10尺寸一致，方便了馈电网络(FeedNetwork)30的设计。
继续参考图1，本发明实施例提供的馈电网络30包括功分器20以及与功分器20的每个支路连接的上述任一项的移相器10。
在一个具体的实施例中，利用八路功分器20按一定方式将所设计的移相器10连接成一个具有移相特性的馈电网络30，以此来实现多路多移相输出功能。馈电网络30不仅仅限于上图所示的八端口输出，也可以是其他位数的输出；功分器20与移相器10的连接方式不仅仅限于上图1所示，可根据需求灵活选择。由上图1可以看出，采用微带线/共面波导耦合结构115设计的移相器10，无论相位差多少，各移相器10尺寸一致，方便了馈电网络30的设置。
此外，为了方便调整馈电网络30中的移相器10的相位响应，在本实施例提供的移相器10中设置了电容。具体的，在本发明实施例提供的馈电网络30上连接电容或阵列电容(电容及电容阵列：可为固定电容、或可变电容、或固定电容与可变电容组合)，实现对各输出支路的移相微调。由于电容可以改变耦合结构的耦合强度，所以可实现对每条支路输出相位的微调。并可分别通过频率检测、相位反馈两种方式实现频带内精确相移，频率检测方式与相位反馈方式示意图见图6及图7。
如图6所示，频率检测方式：通过检测输入信号频率，确定每条支路要达到该频率精确相移所需的电容容值，再通过电压控制模块将电压调节成该电容值所对应的电压，实现该频点处精确相移。所述电压被施加给所述馈电网络30，具体被施加在所述电容上，该电容可以为固定的或可变的电容组成的电容阵列，通过该电压控制该阵列可以改变整个阵列的电容值，电容的容值改变进而影响耦合强度，从而改变相位响应，实现相位调节。通过对一定频带范围进行频率检测，可实现一定频带精确相移。
如图7所示，相位反馈方式：通过检测输出信号的相移与所需理想相移的差，并依此差确定每条支路所需的电容容值，并通过电压控制模块调节支路电容电压使得所述电压与电容容值匹配，以实现该频点精确相移。所述电压被施加给所述馈电网络30，具体被施加在所述电容上，该电容可以为固定的或可变的电容组成的电容阵列，通过该电压控制该阵列可以改变整个阵列的电容值，电容的容值改变进而影响耦合强度，从而改变相位响应，实现相位调节。通过对一定频带范围进行相位反馈监控，可实现频带内精确相移。
在一个实例中，采用微带线/共面波导耦合结构115设计的移相器10，各移相器10尺寸一致，均为32mm×38mm(0.28λg×0.35λg，λg为中频下信号在基板111的介质中对应的波长)。其仿真结果如图8及图9所示，其中图8为移相器10的仿真频率响应，图9为移相器10的仿真相对相移，在确保较高的移相精度的前提下，该移相器10通带的中心频率为2GHz，频率范围为1.5GHz～2.5GHz，相对带宽达50％，最大相位误差见表1所示。
表1移相器10最大相位误差
相对相移 5.625° 11.25° 22.5° 45° 90° 180°
最大相差 0.225° 0.4° 0.47° 1° 1.92° 1.6°
此外，对移相器10中微带线/共面波导耦合结构115的宽度W1(如图2所示)进行增加0.01mm来模拟工程误差，相位差结果如下图10所示。其中除移相180°结构由于W1宽度较小(如图1中移相结构12所示)，0.01mm的工程误差引起的相位差较大外，其余相移结构相位差在0.4°范围内，工程误差对移相器10的相对相位影响不大。各相位相移差具体范围见表2。
表2 W1增加0.01mm引起的相位差范围
采用设计的移相器10与八路功分器20构成具有移相特性的移相馈电网络30，其仿真结果如下图11及图12所示，其中，图11为移相馈电网络30的仿真频率响应，图12为移相馈电网络30的仿真相对相移。该馈电网络30的中心频率为2GHz，频率范围为1.7GHz～2.3GHz，相对带宽为30％。通带内回波损耗在-15dB以下，各端口间隔离度在20dB以上。该馈电网络30的最大相位误差见表3所示。
表3馈电网络最大相位误差
相对相移 5.625° 11.25° 22.5° 45° 90° 180°
最大相差 0.711° 1.51° 0.767° 1.6° 2.51° 3.6°
为了验证仿真结果，以八路移相馈电网络为例，对其进行试验检测，该八路移相馈电网络如图1所示，其中，设计中采用了Rogers 5880介质板，其相对介电常数小，介质的介质损耗角小，能够实现较好的通带性能。由于馈电网络的面积很大而介质板的厚度很薄，直接用整个移相馈电网络实物板进行测试，无法避免其弯曲的情况发生。为了减小由于介质板弯曲导致的测试误差，测量时采用厚为5mm的金属铝板作为固定板，并在共面波导输出口进行挖槽处理，以避免其对测试性能的影响。此外，由于移相馈电网络属于多端口电路，在测试时需要对没有用到的端口接入50欧姆匹配负载，以实现端口阻抗匹配。
图13、图14分别是八路移相馈电网络的频率响应测试结果和相对相移结果。由频率响应测试结果可见，八路移相馈电网络的中心频率为2GHz，工作频带为1.7GHz～2.3GHz，相对带宽为30％。各端口插入损耗在-9.6dB～-10dB之间，整个移相馈电网络的回波损耗在-14.4dB以下，隔离度在30dB以上。该移相馈电网络各相对相移角度的最大相位误差见表4所示。
表4移相馈电网络测试最大相位误差
相对相移 5.625° 11.25° 22.5° 45° 90° 180°
最大相差 2.98° 2.71° 1.52° 2.12° 3.54° 1.76°
由测试结果可见，其与仿真结果基本一致。通过上述描述可以看出，在本实施例提供的馈电网络30中，采用微带线/共面波导耦合结构115实现移相器10，在移相器10结构中添加微带耦合结构改善通带性能。并且在微带耦合结构113和微带线/共面波导耦合结构115上连接电容或阵列电容(电容及电容阵列：可为固定电容、或可变电容、或固定电容与可变电容组合)，实现相位调节。
应当理解的是，本实施例提供的移相器不仅仅可以应用到馈电网络中，还可以应用到其他的领域，具体的，该移相器可通过尺寸变换到其他频段，应用与不同频率的领域。比如有源电路、系统应用等等。该移相器能够用于MIMO和Phase Array等各类通信系统，能与功率放大器、振荡器、低噪声放大器等结合用于通信收发系统、频率源系统中，与天线相结合应用于相控阵天线、相控阵雷达中。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种移相器，其特征在于，包括：至少一个移相部件；
所述移相部件包括：基板，设置在所述基板上的第一平面上的微带耦合结构，与所述微带耦合结构连接并设置在所述第一平面上的微带传输线，以及微带线/共面波导耦合结构，所述微带线/共面波导耦合结构包括与所述微带传输线连接并设置在所述第一平面上的微带线，以及设置在所述基板上与所述第一平面相对的第二平面上、并与所述微带线耦合的共面波导；
所述移相器还包括与所述微带耦合结构连接的微带线输入/输出端口；与所述共面波导连接的共面波导输入/输出端口，在所述微带线输入/输出端口和共面波导输入/输出端口之间经过的信号所产生相移是所述移相部件的相移。
2.如权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述微带耦合结构为U形的微带线。
3.如权利要求2所述的移相器，其特征在于，所述U形的微带线的两个侧壁之间的耦合宽度不大于所述基板的厚度的8倍。
4.如权利要求2所述的移相器，其特征在于，还包括：耦合在所述U形的微带线的两个侧壁之间的电容。
5.如权利要求2所述的移相器，其特征在于，所述微带线耦合结构的侧壁长度为0.25λc；其中，所述λc为在移相器的工作中心频率为fc时，该频率fc的信号在基板介质中传输的波长。
6.如权利要求1～5任一项所述的移相器，其特征在于，所述共面波导包括第一金属层以及位于所述第一金属层两侧的第一接地层，且所述第一金属层与所述第一接地层之间具有第一间隙，所述共面波导输入/输出端口包括：第二金属层以及位于所述第二金属层两侧的第二接地层，且所述第二金属层与所述第二接地层之间具有第二间隙；其中，所述第一金属层与所述第二金属层之间连接，所述第一接地层与所述第二接地层连接，所述第一间隙与所述第二间隙连接。
7.如权利要求6所述的移相器，其特征在于，所述微带线/共面波导耦合结构中位于第一平面的微带线与共面波导的第一金属层在该第一平面上的垂直投影完全重叠、部分重叠或者位置错开。
8.如权利要求6所述的移相器，其特征在于，还包括：耦合在所述微带线/共面波导的微带线与所述共面波导之间的电容。
9.如权利要求6所述的移相器，其特征在于，所述至少一个移相部件包括参考结构和移相结构；所述参考结构作为第一移相部件用于产生第一相移，所述移相结构作为第二移相部件用于产生第二相移，所述第一相移和第二相移用于产生相对相移，所述相对相移是所述移相器的相移。
10.一种馈电网络，其特征在于，包括功分器以及与所述功分器的每个支路连接的如权利要求1～9任一项所述的移相器。
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