CN105977395A - 一种有机电致发光二极管及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种有机电致发光二极管及其制备方法，其中，包括步骤：在衬底上依次沉积阳极、HTL以及EML；其中，所述EML为掺杂型EML，所述EML包括发光材料和主体材料；对EML进行HHIC处理，使得EML中的发光材料和主体材料相互交联；在交联的EML上依次沉积ETL以及阴极，形成OLED。本发明通过对OLED中的掺杂发光层进行HHIC处理，使得发光材料和主体材料相互交联，阻止器件工作时掺杂发光层发生相分离，从而有效提高掺杂型OLED的稳定性。

Description

一种有机电致发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种有机电致发光二极管及其制备方法。
背景技术
有机电致发光二极管（OLED）由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄可柔性等优点，其潜在的市场前景被业界看好，成为下一代显示技术的主要发展方向。
OLED相比于现有的LCD显示技术，其在稳定性（使用寿命）上存在一定的不足。影响OLED稳定性主要有两个方面：一方面是外界的水氧渗入，导致材料失效；另一方面是器件内部材料本身在OLED工作阶段老化或者发生相分离，导致器件性能下降。对于外界水氧渗入，导致材料失效的问题目前存在多种封装方法，阻挡水氧渗入从而提高器件稳定性；而对于器件内部材料本身在工作阶段的老化，则是通过改善材料设计，合成更加稳定的材料结构来提高其稳定性。但是，对于掺杂型的OLED器件结构中，相分离导致的器件性能下降目前还没有存在较好的改善办法。
防止相分离，可以通过不同分子之间形成交联，有效阻止分子间的聚集。目前的交联方法一般为热交联和光交联，热交联所需温度往往要高于150℃，很多有机发光材料无法承受这么高的温度；而光交联则是通过UV照射使交联基团发生交联，但UV光同时会损伤有机发光材料。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种有机电致发光二极管及其制备方法，旨在解决由相分离导致的器件性能下降目前还没有较好的改善办法的问题。
本发明的技术方案如下：
一种有机电致发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：
A、在衬底上依次沉积阳极、HTL以及EML；其中，所述EML为掺杂型EML，所述EML包括发光材料和主体材料；
B、对EML进行HHIC处理，使得EML中的发光材料和主体材料相互交联；
C、在交联的EML上依次沉积ETL以及阴极，形成OLED。
所述的有机电致发光二极管的制备方法，其中，所述发光材料为小分子发光材料。
所述的有机电致发光二极管的制备方法，其中，所述主体材料为小分子主体材料或聚合物主体材料。
所述的有机电致发光二极管的制备方法，其中，所述衬底为玻璃或柔性衬底。
所述的有机电致发光二极管的制备方法，其中，所述阳极为铟稀氧化物。
所述的有机电致发光二极管的制备方法，其中，所述HTL为TPD层或NPD层。
所述的有机电致发光二极管的制备方法，其中，所述ETL为Alq3层。
所述的有机电致发光二极管的制备方法，其中，所述阴极为Al或Ag。
一种有机电致发光二极管，其中，所述有机电致发光二极管采用如上任一所述的有机电致发光二极管的制备方法制备而成。
有益效果：本发明通过对OLED中的掺杂发光层进行HHIC处理，使得发光层中的发光材料和主体材料相互交联，阻止器件工作时掺杂发光层发生相分离，从而有效提高掺杂型OLED的稳定性。
附图说明
图1为本发明一种有机电致发光二极管的制备方法较佳实施例的流程图。
图2为本发明正装结构OLED器件的结构示意图。
图3为本发明倒置结构OLED器件的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种有机电致发光二极管及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供一种有机电致发光二极管的制备方法较佳实施例的流程图，如图1所示，其中，包括步骤：
S100、在衬底上依次沉积阳极、空穴传输层（HTL）以及发光层（EML）；其中，所述EML为掺杂型EML，所述EML包括发光材料和主体材料；
S200、对EML进行HHIC处理，使得EML中的发光材料和主体材料相互交联；
S300、在交联的EML上依次沉积电子传输层（ETL）以及阴极，形成OLED。
本发明所述EML为掺杂型EML，所述EML包括发光材料和主体材料，具体地，所述发光材料优选为小分子发光材料，所述主体材料优选为小分子主体材料或聚合物主体材料。即所述EML可以包括小分子发光材料和小分子主体材料，所述EML还可以包括小分子发光材料和聚合物主体材料。本发明的核心改进之处在于：对EML进行HHIC（Hyperthemal Hydrogen Induced Cross-lingking）处理，使得EML层中的小分子发光材料和小分子主体材料相互交联，或是使EML层中的小分子发光材料和聚合物主体材料相互交联，阻止器件工作时掺杂发光层发生相分离，从而有效提高掺杂型OLED的稳定性。具体为，步骤S200中，掺杂型EML沉积完成后，小分子发光材料在小分子主体材料或聚合物主体材料中形成均匀的分布，小分子发光材料和小分子主体材料或聚合物主体材料中存在较多较弱的C-H键，当HHIC处理EML后，由于HHIC处理能使得小分子发光材料和小分子主体材料或聚合物主体材料中较弱C-H键发生断裂，形成悬挂键C-，相邻分子间的悬挂键相互结合形成稳定的、较强的C-C或C=C，从而使得EML分子相互交联，形成稳定形貌；此外，HHIC无法作用于较强的C-C、C=C以及C-O键，因此不会损伤EML中的小分子发光材料和小分子主体材料或聚合物主体材料，从而使得EML交联的同时，保证其光电特性不发生变化。
进一步地，本发明所述衬底可以为玻璃或柔性衬底。本发明在所述衬底上可制得高质量的薄膜。另外，在所述玻璃或柔性衬底上制备OLED器件之前，本发明采取对所述玻璃或柔性衬底进行清洗。玻璃的具体清洗过程包括：将玻璃用酒精和丙酮擦拭，然后用洗液进行超声清洗，待超声完成后，将玻璃放置于洁净烘箱内烘干备用。通过上述超声清洗过程，可有效去除玻璃表面的尘埃和化学污物。柔性衬底的具体清洗过程包括：将柔性衬底依次置于丙酮、洗液、去离子水中进行超声清洗，每次超声均持续10分钟左右，待超声完成后，将柔性衬底放置于洁净烘箱内烘干备用。通过上述超声清洗过程，可有效去除柔性衬底表面的尘埃和化学污物。
作为优选实施例，所述阳极可以为但不限于铟稀氧化物，其通过溅射方式形成于衬底上。所述HTL可以为但不限于N,N , -双（3-甲基苯基）-N,N , -二苯基-1,1 , -二苯基-4,4 , -二胺（TPD）层或N,N , -双（1-奈基）-N,N , -二苯基-1,1 , -二苯基-4,4 , -二胺（NPD）层。所述ETL可以为但不限于掺杂8-羟基喹啉铝（Alq3）层。所述阴极可以为但不限于Al或Ag。
本发明还提供一种有机电致发光二极管，其中，所述有机电致发光二极管引用如上任一所述的有机电致发光二极管的制备方法制备而成。本发明通过在制作具有掺杂型发光层的OLED器件发光层时，对发光层进行HHIC处理，使得掺杂型发光层中的发光材料和主体材料相互交联，形成稳定的发光层形貌，有效防止器件在工作时由于焦耳热导致发光材料和主体材料移动而形成相分离，从而有效提高了本发明器件的稳定性。
本发明OLED器件可以是正装结构，也可以是倒置结构。其中，图2为本发明正装结构OLED器件的结构示意图，如图2所示，正装结构的OLED器件从下而上依次包括衬底1、阳极2、HTL3、EML4、ETL5及阴极6。与现有的使用一般掺杂型发光层不同，本发明掺杂型EML4为经HHIC处理后的交联EML，这样有效阻止器件在工作时发生相分离，从而有效提高OLED器件的稳定性。当然本发明不限于上述各功能层，本发明还可在器件结构中引入电子注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、激子限定层等功能层平衡器件内部载流子，以提高器件性能。
图3为本发明倒置结构OLED器件的结构示意图，如图3所示，倒置结构的OLED器件从下而上依次包括衬底7、阴极8、ETL9、EML10、HTL11及阳极12。本发明掺杂型EML10为经HHIC处理后的交联EML，这样有效阻止器件在工作时发生相分离，从而有效提高OLED器件的稳定性。
综上所述，本发明提供的一种的有机电致发光二极管及其制备方法。本发明通过对OLED中的掺杂发光层进行HHIC处理，使得发光材料和主体材料相互交联，阻止器件工作时掺杂发光层发生相分离，从而有效提高掺杂型OLED的稳定性。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、在衬底上依次沉积阳极、HTL以及EML；其中，所述EML为掺杂型EML，所述EML包括发光材料和主体材料；
B、对EML进行HHIC处理，使得EML中的发光材料和主体材料相互交联；
C、在交联的EML上依次沉积ETL以及阴极，形成OLED。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述发光材料为小分子发光材料。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述主体材料为小分子主体材料或聚合物主体材料。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述衬底为玻璃或柔性衬底。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述阳极为铟稀氧化物。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述HTL为TPD层或NPD层。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述ETL为Alq3层。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述阴极为Al或Ag。
9.一种有机电致发光二极管，其特征在于，所述有机电致发光二极管采用如权利要求1-8任一所述的有机电致发光二极管的制备方法制备而成。
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