CN105977391A - 图案化的刚性载体基板及用于有机发光装置的组合基板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种图案化的刚性载体基板，包括载体玻璃，以及，沉积在所述载体玻璃上表面的镂空形状的薄膜。本发明还公开了一种用于有机发光装置的组合基板，包括：所述的图案化的刚性载体基板，覆盖在所述刚性载体基板之上的柔性基板，以及，作为所述柔性基板与所述刚性载体基板的粘接层的氮氧化硅薄膜。实施本发明提供的技术方案，可以防止处于刚性载体基板与超薄玻璃之间的粘接层在剥离过程中残留在超薄玻璃上，有效降低在剥离过程中对超薄玻璃的损害。
Description
技术领域
本发明涉及发光显示技术领域，尤其涉及一种图案化的刚性载体基板及用于有机发光装置的组合基板。
背景技术
目前柔性AMOLED(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)基板材料主要有：聚合物基板，如PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜)基板、PI(聚酰亚胺薄膜)基板等；金属箔、超薄玻璃等。其中，聚合物基板化学性质不稳定且耐高温性差；金属箔易于制备，但其中研究较多的Cu(铜)箔的环境稳定性差，而其他金属箔由于成本、稳定性等因素也未能得到广泛应用。超薄玻璃不仅具有传统玻璃透光性好、耐热性与耐高温、尺寸稳定、阻水阻氧特性、表面平坦等优点，还具有良好的柔性，其能满足现代电子显示柔性化、轻便化的发展需求。
但是，现有的超薄玻璃需要搭载在刚性载体基板上才能得到应用，目前将柔性基板固定在刚性载体基板的方法主要为：使用粘合剂来制备牺牲层。使用粘合剂时，其流动性将会污染玻璃，剥离牺牲层后将会有粘合剂残留在玻璃上。此外，目前的牺牲层在经过LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)高温退火或者热处理工艺后很难剥离，更加限制了超薄玻璃在柔性LTPS的应用。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种图案化的刚性载体基板及用于有机发光装置的组合基板，防止处于刚性载体基板与超薄玻璃之间的粘接层在剥离过程中残留在超薄玻璃上，有效降低在剥离过程中对超薄玻璃的损害。
为解决以上技术问题，一方面，本发明实施例提供一种图案化的刚性载体基板，包括：载体玻璃，以及，沉积在所述载体玻璃上表面的镂空形状的薄膜。
进一步地，所述薄膜通过干法或湿法刻蚀获得一种或多种形状的镂空图案。
进一步地，所述薄膜通过CVD(化学气相沉积)方式或PVD(物理气相沉积)方式沉积在所述载体玻璃的上表面。
优选地，所述刚性载体基板用作为有机发光装置的柔性衬底。
另一方面，本发明实施例还提供了一种用于有机发光装置的组合基板，包括：以上所述任一项的图案化的刚性载体基板，覆盖在所述刚性载体基板之上的柔性基板，以及，作为所述柔性基板与所述刚性载体基板的粘接层的氮氧化硅(SiON)薄膜。
优选地，所述柔性基板为厚度小于200微米的超薄玻璃；所述氮氧化硅薄膜的厚度小于或等于500微米；所述刚性载体基板上的载体玻璃的厚度大于0.3毫米。
在一种可实现的方式中，所述氮氧化硅薄膜采用化学气相沉积生成。
在又一种可实现的方式中，所述氮氧化硅薄膜采用离子沉积生成。
实施本发明提供的技术方案，将各类薄膜沉积在载体玻璃上并通过干法或湿法刻蚀将其图案化，当结合超薄玻璃形成用于有机发光装置的组合基板时，一方面，作为粘接层的氮氧化硅(SiON)薄膜与超薄玻璃之间的接触力(范德华力)小于SiON与刚性载体基板上的薄膜之间的接触力(范德华力)，因而保证了在超薄玻璃与刚性载体基板的剥离过程中，超薄玻璃经过LTPS高温工艺后仍能较易剥离且不会残留有SiON；另一方面，刚性载体基板上的各种薄膜经过LTPS高温工艺后较难与载体玻璃剥离，图形化的镂空形状减少了接触面积减小粘附力，从而有利于剥离过程的实施，有效降低在剥离过程中对超薄玻璃的损害。本发明提供的技术方案可以在柔性LTPS、TFT-LCD(其中，TFT为Thin FilmTransistor的简称，中文译为薄膜场效应晶体管；LCD为液晶平板显示器)、AMOLED中得到应用，也有利于制备超薄器件，同时使得超薄玻璃和刚性载体基板可以重复利用。
附图说明
图1是本发明提供的图案化的刚性载体基板的一个实施例的结构示意图。
图2是本发明提供的刚性载体基板的一个制造过程的示意图。
图3是本发明提供的用于有机发光装置的组合基板的一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
参见图1，是本发明提供的图案化的刚性载体基板的一个实施例的结构示意图。
在本实施例中，所述的图案化的刚性载体基板10包括载体玻璃101，以及，沉积在所述载体玻璃101上表面的镂空形状的薄膜102。
具体实施，所述薄膜102通过干法或湿法刻蚀获得一种或多种形状的镂空图案1021。例如，镂空图案1021可以选择方形、圆形、菱形等各种有利于减少接触面积从而减少粘附力的镂空形状。在本实施例中，所述薄膜102通过CVD(化学气相沉积)方式或PVD(物理气相沉积)方式沉积在所述载体玻璃101的上表面。图案化的薄膜101经过LTPS高温工艺后较难与载体玻璃101剥离，有利于剥离过程的实施。
在本实施例中，图案化的刚性载体基板10上的薄膜102可以为ITO(氧化铟锡)、TiO2(二氧化钛)、SiNx(氮化矽)、Al2O3(氧化铝)中的任意一项。本领域技术人员可以根据不同的基板制造方法选择不同的薄膜102。具体实施时，所述沉积有薄膜102的刚性载体基板10优选用作为有机发光装置的柔性衬底。
参看图2，是本发明提供的刚性载体基板的一个制造过程的示意图。
具体地，在载体玻璃101(厚度大于0.3mm)上沉积一层ITO、TiO2、SiNx、Al2O3等类型的薄膜102，并对其进行刻蚀(干法、湿法)得到方形、圆形、菱形等各种有利于减少接触面积从而减少粘附力的镂空形状；图案化的薄膜102经过LTPS高温工艺后较难与载体玻璃101剥离，因而更有利于剥离过程的实施。
参看图3，是本发明提供的用于有机发光装置的组合基板的一个实施例的结构示意图。
在本实施例中，所述的用于有机发光装置的组合基板包括图1实施例提供的图案化的刚性载体基板10，覆盖在所述刚性载体基板10之上的柔性基板20，以及，作为所述柔性基板20与所述刚性载体基板10的粘接层的氮氧化硅(SiON)薄膜30。
其中，优选地，所述柔性基板20为厚度小于200微米的超薄玻璃；所述氮氧化硅SiON薄膜的厚度小于或等于500微米；所述刚性载体基板10上的载体玻璃101的厚度大于0.3毫米。
在一种可实现的方式中，所述氮氧化硅薄膜SiON采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)生成。具体实施过程中，本实施例提供的CVD法使用笑气(N2O)、氨气(NH3)、硅烷(SiH4)，其流量范围分别为100～1000sccm(标准毫升/分钟，气体流量单位)、50～500sccm、50～300sccm，在温度为200～350℃，功率为1600～3500W环境下制备SiON薄膜；然后使用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和XPS(X射线光电子能谱分析)表征SiON薄膜组分、应力、厚度等参数，以生成所需的SiON薄膜。
进一步地，本发明提供的所述氮氧化硅薄膜30还可以采用离子沉积生成。具体地，采用六甲基二硅氮烷(HMDSN)或六甲基环三硅胺烷(HMCTSN)和氨，在基片温度小于60℃时即可沉积生成氮化硅薄膜RF power(10-300W)，其制备环境参数还包括：压强(10-400mTorr),NH3的气流量为0.5～30sccm，HMDSN或HMCTSN的气流量为0.5～30sccm；然后使用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和XPS(X射线光电子能谱分析)表征SiON薄膜组分、应力、厚度等参数，以生成所需的SiON薄膜。由于等离子体化学活性很强，允许在低温的环境下沉积出所期望的薄膜。
此外，本领域技术人员还可以采用低压化学气相沉积(Low-pressure CVD,简称LPCVD)等方式，在低压环境制备出所需薄膜。降低压力可以减少不必要的气相反应，以增加晶圆上薄膜的一致性。
实施本发明提供的技术方案，通过将图案化的各类薄膜较为牢固地粘贴在载体玻璃上，当结合超薄玻璃形成用于有机发光装置的组合基板时，一方面，作为粘接层的氮氧化硅(SiON)薄膜与超薄玻璃之间的接触力(范德华力)小于SiON与刚性载体基板上的薄膜之间的接触力(范德华力)，因而保证了在超薄玻璃与刚性载体基板的剥离过程中，超薄玻璃经过LTPS高温工艺后仍能较易剥离且不会残留有SiON；另一方面，刚性载体基板上的各种薄膜经过LTPS高温工艺后较难与载体玻璃剥离，图形化的镂空形状减少了接触面积减小粘附力，从而有利于剥离过程的实施，有效降低在剥离过程中对超薄玻璃的损害。本发明提供的技术方案可以在柔性LTPS、TFT-LCD(其中，TFT为Thin Film Transistor的简称，中文译为薄膜场效应晶体管；LCD为液晶平板显示器)、AMOLED中得到应用，也有利于制备超薄器件，同时使得超薄玻璃和刚性载体基板可以重复利用。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种图案化的刚性载体基板，其特征在于，包括：载体玻璃，以及，沉积在所述载体玻璃上表面的镂空形状的薄膜。
2.如权利要求1所述的图案化的刚性载体基板，其特征在于，所述薄膜通过干法或湿法刻蚀获得一种或多种形状的镂空图案。
3.如权利要求1所述的图案化的刚性载体基板，其特征在于，所述薄膜通过CVD方式或PVD方式沉积在所述载体玻璃的上表面。
4.如权利要求1所述的图案化的刚性载体基板，其特征在于，所述刚性载体基板用作为有机发光装置的柔性衬底。
5.一种用于有机发光装置的组合基板，其特征在于，包括：所述权利要求1～4任一项的图案化的刚性载体基板，覆盖在所述刚性载体基板之上的柔性基板，以及，作为所述柔性基板与所述刚性载体基板的粘接层的氮氧化硅薄膜。
6.如权利要求5所述的用于有机发光装置的组合基板，其特征在于，所述柔性基板为厚度小于200微米的超薄玻璃；所述氮氧化硅薄膜的厚度小于或等于500微米；所述刚性载体基板上的载体玻璃的厚度大于0.3毫米。
7.如权利要求5所述的用于有机发光装置的组合基板，其特征在于，所述氮氧化硅薄膜采用化学气相沉积生成。
8.如权利要求5所述的用于有机发光装置的组合基板，其特征在于，所述氮氧化硅薄膜采用离子沉积生成。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106527796A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种面板制作方法、触控面板及显示设备 |
| CN110581058A (zh) * | 2018-06-08 | 2019-12-17 | 上海和辉光电有限公司 | 一种多晶硅薄膜制作方法 |
| CN113054131A (zh) * | 2021-03-10 | 2021-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102522323A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-06-27 | 华南理工大学 | 一种ito图案化方法 |
| CN102769109A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-11-07 | 青岛海信电器股份有限公司 | 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板 |
| US20130188324A1 (en) * | 2010-09-29 | 2013-07-25 | Posco | Method for Manufacturing a Flexible Electronic Device Using a Roll-Shaped Motherboard, Flexible Electronic Device, and Flexible Substrate |
| CN104124207A (zh) * | 2014-08-11 | 2014-10-29 | 友达光电股份有限公司 | 一种超薄显示装置的制造方法 |
| CN104319263A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-01-28 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示装置的制备方法及用于制作柔性显示装置的基板 |
| CN104465475A (zh) * | 2013-09-22 | 2015-03-25 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示器件的制备方法及柔性显示器件 |
-
2016
- 2016-05-16 CN CN201610321340.3A patent/CN105977391A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130188324A1 (en) * | 2010-09-29 | 2013-07-25 | Posco | Method for Manufacturing a Flexible Electronic Device Using a Roll-Shaped Motherboard, Flexible Electronic Device, and Flexible Substrate |
| CN102522323A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-06-27 | 华南理工大学 | 一种ito图案化方法 |
| CN102769109A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-11-07 | 青岛海信电器股份有限公司 | 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板 |
| CN104465475A (zh) * | 2013-09-22 | 2015-03-25 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示器件的制备方法及柔性显示器件 |
| CN104124207A (zh) * | 2014-08-11 | 2014-10-29 | 友达光电股份有限公司 | 一种超薄显示装置的制造方法 |
| CN104319263A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-01-28 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示装置的制备方法及用于制作柔性显示装置的基板 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106527796A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种面板制作方法、触控面板及显示设备 |
| CN106527796B (zh) * | 2016-10-31 | 2019-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种面板制作方法、触控面板及显示设备 |
| CN110581058A (zh) * | 2018-06-08 | 2019-12-17 | 上海和辉光电有限公司 | 一种多晶硅薄膜制作方法 |
| CN113054131A (zh) * | 2021-03-10 | 2021-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
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