CN105957888A - 一种压接式igbt子模组和igbt模块封装结构 - Google Patents

一种压接式igbt子模组和igbt模块封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN105957888A
CN105957888A CN201610494974.9A CN201610494974A CN105957888A CN 105957888 A CN105957888 A CN 105957888A CN 201610494974 A CN201610494974 A CN 201610494974A CN 105957888 A CN105957888 A CN 105957888A
Authority
CN
China
Prior art keywords
igbt
molybdenum sheet
emitter stage
hole
encapsulating structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610494974.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105957888B (zh
Inventor
陈俊
黎小林
许树楷
李继鲁
窦泽春
刘国友
彭勇殿
肖红秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China South Power Grid International Co ltd
Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd
Original Assignee
Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd
Power Grid Technology Research Center of China Southern Power Grid Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd, Power Grid Technology Research Center of China Southern Power Grid Co Ltd filed Critical Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd
Priority to CN201610494974.9A priority Critical patent/CN105957888B/zh
Publication of CN105957888A publication Critical patent/CN105957888A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105957888B publication Critical patent/CN105957888B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)

Abstract

本发明的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，涉及电力技术领域，能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组，包括：IGBT芯片；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。

Description

一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构
技术领域
本发明的实施例涉及电力技术领域，尤其涉及一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构。
背景技术
现有的压接型IGBT(英文全称，Insulated Gate Bipolar Transisitor，中文：绝缘栅双极型晶体管)封装结构通常根据芯片来划分成多个单元称为子单元或子模组。典型的IGBT模块封装结构如图1和图2所示，包括多个子模组1，一个PCB电路板2(英文全称，Printed Circuit Board，中文：印制电路板)以及外壳3等部分，外壳3包括顶壳31、中环32和底壳33，其中顶壳31连接各子模组的集电极，底壳32连接各个子模组的发射极，栅极通过弹簧针4和PCB电路板连接，再通过PCB电路板上的电路汇集到栅极引出线5。
IGBT子模组典型结构如图3所示，一般包括IGBT芯片11，塑料定位件12，发射极钼片13和集电极钼片14，弹簧针4可以和子模组集成，也可以从外部安装。图4展示了现有的压接IGBT模块内部栅极连接方式。
现有压接型IGBT模块的典型封装结构采用了独立的子模组，各IGBT子模组的栅极通过弹簧针连接到PCB板上，通过PCB板汇集后连接到模块外面。采用这种方法使得弹簧针两头分别和IGBT芯片的栅极以及PCB板连接，也就是说每个IGBT芯片栅极通过弹簧针连接到PCB板要经过两个触点，当IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率增加很多。
发明内容
本发明的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。
第一方面，提供一种压接式IGBT子模组，封装于IGBT模块封装结构中，包括：
IGBT芯片，所述IGBT芯片包括两面，其中所述IGBT的发射极与栅极位于同一面，所述IGBT芯片的集电极位于另一面；
发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；
集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；
栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；
定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；
所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
可选的，所述定位件上设置有第一孔洞、第二孔洞和第三孔洞，所述第一孔洞的底端与所述第二孔洞的顶端连通，所述第一孔洞的底端与所述第三孔洞的顶端连通；
所述第一孔洞用于容纳所述集电极钼片以及所述IGBT芯片、所述第二孔洞用于容纳所述发射极钼片，所述第三孔洞用于容纳所述栅极连接件。
可选的，所述栅极连接件为弹簧针，其中所述弹簧针的一端包含可伸缩针头，所述可伸缩针头与所述IGBT芯片的栅极接触，所述弹簧针的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
第二方面，提供一种IGBT模块封装结构，上述第一方面提供的压接式IGBT子模组；
壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳与所述集电极钼片的另一面接触；
多个发射极凸台，所述发射极凸台设置于所述壳体的底壳上，所述发射极凸台与所述发射极钼片的另一面接触；
PCB电路板，所述PCB电路板设置于多个所述发射极凸台之间的间隙内，所述PCB电路板上设置有互联电路，其中栅极连接件的另一端与所述互联电路电连接。
可选的，所述中环的上开口设置有第一法兰结构，所述第一法兰结构用于固定所述顶壳；
所述中环的下开口设置有第二法兰结构，所述第二法兰结构用于固定所述底壳。
可选的，所述第一法兰结构和所述第二法兰结构为导电材料，并且所述第一法兰结构上设置有集电极引脚；所述第二法兰结构上设置有发射极引脚。
可选的，所述中环的侧壁上设置有通孔，所述通孔中镶嵌有栅极引脚，其中所述栅极引脚与所述互联电路电连接。
可选的，所述中环的材料为绝缘材料。
可选的，所述顶壳和底壳为铜。
本发明的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，IGBT子模组包括IGBT芯片、发射极钼片、集电极钼片、栅极连接件和定位件，其中IGBT芯片包括两面，IGBT的发射极与栅极位于同一面，所述IGBT芯片的集电极位于另一面；发射极钼片的一面与IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片的一面与IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件的一端为自由端，并与IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定IGBT芯片、发射极钼片、集电极钼片和栅极连接件；栅极连接件的另一端固定连接于IGBT模块封装结构的PCB电路板上，当IGBT子模组个数较多时，由于栅极连接件的另一端固定连接于IGBT模块封装结构的PCB电路板上，仅另一端做为自由端与IGBT芯片的栅极接触，使得每个IGBT芯片栅极通过栅极连接件连接到PCB板只经过一个触点，可靠性得到大幅提高。
此外，栅极连接件通常作为IGBT子模组的一个零件，这样会使得子模组的设计制作更为复杂，如果栅极连接件不和IGBT子模组结合，则IGBT模块封装结构装配时需将栅极连接件一个个分别安装，操作变得复杂。本发明将栅极连接件和PCB电路板预先固定连接，使得栅极连接件和PCB电路板作为一个整体部件。这不但使得IGBT芯片的栅极连接结构得到简化，同时安装操作也变得方便。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种IGBT模块封装结构的截面结构示意图；
图2为现有技术提供的一种IGBT模块封装结构的爆炸图；
图3为现有技术提供的一种压接式IGBT子模组的结构示意图；
图4为现有技术提供的一种压接式IGBT子模组的爆炸图；
图5为现有技术提供的一种压接式IGBT子模组的内部连接方式示意图；
图6为本发明的实施例提供一种IGBT模块封装结构的爆炸图；
图7为本发明的实施例提供的一种压接式IGBT子模组的栅极连接件与PCB电路板的装配结构示意图；
图8为本发明的实施例提供的一种压接式IGBT子模组的结构示意图图；
图9为本发明的实施例提供的一种压接式IGBT子模组的内部连接方式示意图。
附图标记：
IGBT子模组-11；
IGBT芯片-111；
发射极钼片-112；
集电极钼片-113；
栅极连接件-114；
定位件-115；
壳体-12；
顶壳-121；
中环-122；
底壳-123；
多个发射极凸台-13；
PCB电路板-14；
第一法兰结构-f1；
第二法兰结构-f2；
集电极引脚-P1；
发射极引脚-P2；
栅极引脚-P3；
第一孔洞-h1；
第二孔洞-h2；
第三孔洞-h3；
通孔-h4。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在现有技术中，压接型IGBT模块的典型封装结构采用了独立的子模组，各IGBT子模组的栅极通过弹簧针连接到PCB板上，通过PCB板汇集后连接到模块外面。采用这种方法使得弹簧针两头分别和IGBT芯片的栅极以及PCB板连接，也就是说每个IGBT芯片栅极通过弹簧针连接到PCB板要经过两个触点，当IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率增加很多。为避免上述问题发生，本发明的实施例提供的压接式IGBT子模组中栅极连接件的一端为自由端，并与IGBT芯片的栅极接触；栅极连接件的另一端固定连接于IGBT模块封装结构的PCB电路板上，当IGBT子模组个数较多时，由于栅极连接件的另一端固定连接于IGBT模块封装结构的PCB电路板上，仅另一端做为自由端与IGBT芯片的栅极接触，使得每个IGBT芯片栅极通过栅极连接件连接到PCB板只经过一个触点，可靠性得到大幅提高。
具体的，参照图6所示，本发明的实施例提供了一种IGBT模块封装结构的爆炸图，包括IGBT子模组11、壳体12、多个发射极凸台13、PCB电路板14；
参照图8、9所示，IGBT子模组11，封装于IGBT模块封装结构中，包括：
IGBT芯片111，所述IGBT芯片111包括两面，其中IGBT的发射极与栅极位于同一面，述IGBT芯片111的集电极位于另一面；
发射极钼片112，所述发射极钼片112的一面与所述IGBT芯片111的发射极的部分相接触；
集电极钼片113，所述集电极钼片113的一面与所述IGBT芯片111的集电极接触；
栅极连接件114，所述栅极连接件114的一端为自由端，并与所述IGBT芯片111的栅极接触；
定位件115，用于固定所述IGBT芯片111、所述发射极钼片112、所述集电极钼片113和所述栅极连接件114；
如图7所示，栅极连接件114的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板14上。示例性的，栅极连接件114的另一端采用焊接方式固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板14上。
壳体12，所述壳体12包括顶壳121、中环122和底壳123，所述顶壳121和底壳123的边缘分别与所述中环122的上下开口接合，所述顶壳121与所述集电极钼片113的另一面接触；
多个发射极凸台13，所述发射极凸台13设置于所述壳体12的底壳123上，所述发射极凸台13与所述发射极钼片112的另一面接触；
PCB电路板14，所述PCB电路板14设置于多个所述发射极凸台13之间的间隙内，所述PCB电路板14上设置有互联电路，其中栅极连接件114的另一端与所述互联电路电连接。
本发明的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，IGBT子模组包括IGBT芯片、发射极钼片、集电极钼片、栅极连接件和定位件，其中IGBT芯片包括两面，IGBT的发射极与栅极位于同一面，所述IGBT芯片的集电极位于另一面；发射极钼片的一面与IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片的一面与IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件的一端为自由端，并与IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定IGBT芯片、发射极钼片、集电极钼片和栅极连接件；栅极连接件的另一端固定连接于IGBT模块封装结构的PCB电路板上，当IGBT子模组个数较多时，由于栅极连接件的另一端固定连接于IGBT模块封装结构的PCB电路板上，仅另一端做为自由端与IGBT芯片的栅极接触，使得每个IGBT芯片栅极通过栅极连接件连接到PCB板只经过一个触点，可靠性得到大幅提高。
此外，栅极连接件通常作为IGBT子模组的一个零件，这样会使得子模组的设计制作更为复杂，如果栅极连接件不和IGBT子模组结合，则IGBT模块封装结构装配时需将栅极连接件一个个分别安装，操作变得复杂。本发明将栅极连接件和PCB电路板预先固定连接，使得栅极连接件和PCB电路板作为一个整体部件。这不但使得IGBT芯片的栅极连接结构得到简化，同时安装操作也变得方便。
此外参照8所示，所述定位件115上设置有第一孔洞h1、第二孔洞h2和第三孔洞h3，所述第一孔洞h1的底端与所述第二孔洞h2的顶端连通，所述第一孔洞h1的底端与所述第三孔洞h3的顶端连通；
所述第一孔洞h1用于容纳所述集电极钼片113以及所述IGBT芯片111、所述第二孔洞h2用于容纳所述发射极钼片112，所述第三孔洞h3用于容纳所述栅极连接件114。
示例性的，所述栅极连接件114为弹簧针，其中所述弹簧针的一端包含可伸缩针头，所述可伸缩针头与所述IGBT芯片的栅极接触，所述弹簧针的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板14上。
其中，如图6所示，所述中环122的上开口设置有第一法兰结构f1，所述第一法兰结构f1用于固定所述顶壳121；所述中环122的下开口设置有第二法兰结构f2，所述第二法兰结构f2用于固定所述底壳123。所述第一法兰结构f1和所述第二法兰结构f2为导电材料，并且所述第一法兰结构f1上设置有集电极引脚P1；所述第二法兰结构f2上设置有发射极引脚P2。所述顶壳121和底壳123为铜。
所述中环122的侧壁上设置有通孔h4(图中未示出)，所述通孔h4中镶嵌有栅极引脚P3，其中所述栅极引脚P3与所述互联电路电连接。所述中环122的材料为绝缘材料。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种压接式IGBT子模组，封装于IGBT模块封装结构中，其特征在于，包括：
IGBT芯片，所述IGBT芯片包括两面，其中所述IGBT的发射极与栅极位于同一面，所述IGBT芯片的集电极位于另一面；
发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；
集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；
栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；
定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；
所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
2.根据权利要求1所述的压接式IGBT子模组，其特征在于，
所述定位件上设置有第一孔洞、第二孔洞和第三孔洞，所述第一孔洞的底端与所述第二孔洞的顶端连通，所述第一孔洞的底端与所述第三孔洞的顶端连通；
所述第一孔洞用于容纳所述集电极钼片以及所述IGBT芯片、所述第二孔洞用于容纳所述发射极钼片，所述第三孔洞用于容纳所述栅极连接件。
3.根据权利要求1所述的压接式IGBT子模组，其特征在于，所述栅极连接件为弹簧针，其中所述弹簧针的一端包含可伸缩针头，所述可伸缩针头与所述IGBT芯片的栅极接触，所述弹簧针的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
4.根据权利要求1所述的压接式IGBT子模组，其特征在于，所述栅极连接件的另一端采用焊接方式固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
5.一种IGBT模块封装结构，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的压接式IGBT子模组；
壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳与所述集电极钼片的另一面接触；
多个发射极凸台，所述发射极凸台设置于所述壳体的底壳上，所述发射极凸台与所述发射极钼片的另一面接触；
PCB电路板，所述PCB电路板设置于多个所述发射极凸台之间的间隙内，所述PCB电路板上设置有互联电路，其中栅极连接件的另一端与所述互联电路电连接。
6.根据权利要求5所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述中环的上开口设置有第一法兰结构，所述第一法兰结构用于固定所述顶壳；
所述中环的下开口设置有第二法兰结构，所述第二法兰结构用于固定所述底壳。
7.根据权利要求6所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述第一法兰结构和所述第二法兰结构为导电材料，并且所述第一法兰结构上设置有集电极引脚；所述第二法兰结构上设置有发射极引脚。
8.根据权利要求5所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述中环的侧壁上设置有通孔，所述通孔中镶嵌有栅极引脚，其中所述栅极引脚与所述互联电路电连接。
9.根据权利要求5所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述中环的材料为绝缘材料。
10.根据权利要求5所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述顶壳和底壳为铜。
CN201610494974.9A 2016-06-27 2016-06-27 一种压接式igbt子模组和igbt模块封装结构 Active CN105957888B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610494974.9A CN105957888B (zh) 2016-06-27 2016-06-27 一种压接式igbt子模组和igbt模块封装结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610494974.9A CN105957888B (zh) 2016-06-27 2016-06-27 一种压接式igbt子模组和igbt模块封装结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105957888A true CN105957888A (zh) 2016-09-21
CN105957888B CN105957888B (zh) 2023-09-08

Family

ID=56902703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610494974.9A Active CN105957888B (zh) 2016-06-27 2016-06-27 一种压接式igbt子模组和igbt模块封装结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105957888B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107425702A (zh) * 2017-07-28 2017-12-01 北京新能源汽车股份有限公司 一种绝缘栅双极型晶体管驱动结构及逆变器
CN108281406A (zh) * 2017-12-11 2018-07-13 全球能源互联网研究院有限公司 一种功率器件封装结构及其制造方法
CN110556349A (zh) * 2019-09-29 2019-12-10 全球能源互联网研究院有限公司 功率型半导体器件封装结构
WO2021056604A1 (zh) * 2019-09-29 2021-04-01 全球能源互联网研究院有限公司 功率型半导体器件封装结构的制备工艺
WO2021088187A1 (zh) * 2019-11-05 2021-05-14 深圳第三代半导体研究院 一种压接式功率模块检测系统及检测方法
CN112992795A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 株洲中车时代半导体有限公司 压接式igbt子模组结构和压接式igbt器件
CN113838810A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 深圳第三代半导体研究院 一种压接式功率模块及其封装方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104465549A (zh) * 2014-12-15 2015-03-25 株洲南车时代电气股份有限公司 一种功率半导体模块
CN105047653A (zh) * 2015-07-10 2015-11-11 株洲南车时代电气股份有限公司 Igbt子模组单元及其封装模块
US20160056135A1 (en) * 2013-10-15 2016-02-25 Ixys Corporation Power device cassette with auxiliary emitter contact
CN105679750A (zh) * 2014-11-19 2016-06-15 株洲南车时代电气股份有限公司 压接式半导体模块及其制作方法
CN105957861A (zh) * 2016-06-24 2016-09-21 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 一种芯片模块封装结构
CN205723548U (zh) * 2016-06-27 2016-11-23 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 一种压接式igbt子模组和igbt模块封装结构

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160056135A1 (en) * 2013-10-15 2016-02-25 Ixys Corporation Power device cassette with auxiliary emitter contact
CN105679750A (zh) * 2014-11-19 2016-06-15 株洲南车时代电气股份有限公司 压接式半导体模块及其制作方法
CN104465549A (zh) * 2014-12-15 2015-03-25 株洲南车时代电气股份有限公司 一种功率半导体模块
CN105047653A (zh) * 2015-07-10 2015-11-11 株洲南车时代电气股份有限公司 Igbt子模组单元及其封装模块
CN105957861A (zh) * 2016-06-24 2016-09-21 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 一种芯片模块封装结构
CN205723548U (zh) * 2016-06-27 2016-11-23 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 一种压接式igbt子模组和igbt模块封装结构

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107425702A (zh) * 2017-07-28 2017-12-01 北京新能源汽车股份有限公司 一种绝缘栅双极型晶体管驱动结构及逆变器
CN108281406A (zh) * 2017-12-11 2018-07-13 全球能源互联网研究院有限公司 一种功率器件封装结构及其制造方法
CN110556349A (zh) * 2019-09-29 2019-12-10 全球能源互联网研究院有限公司 功率型半导体器件封装结构
WO2021056604A1 (zh) * 2019-09-29 2021-04-01 全球能源互联网研究院有限公司 功率型半导体器件封装结构的制备工艺
WO2021088187A1 (zh) * 2019-11-05 2021-05-14 深圳第三代半导体研究院 一种压接式功率模块检测系统及检测方法
CN112992795A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 株洲中车时代半导体有限公司 压接式igbt子模组结构和压接式igbt器件
CN112992795B (zh) * 2019-12-17 2024-04-19 株洲中车时代半导体有限公司 压接式igbt子模组结构和压接式igbt器件
CN113838810A (zh) * 2020-06-24 2021-12-24 深圳第三代半导体研究院 一种压接式功率模块及其封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105957888B (zh) 2023-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105957888A (zh) 一种压接式igbt子模组和igbt模块封装结构
CN103400831B (zh) 一种全压接igbt模块及其装配方法
CN105957861A (zh) 一种芯片模块封装结构
CN103515365B (zh) 一种大功率压接式igbt器件
EP1986234A3 (en) Power semiconductor module for inverter circuit system
WO2016095701A1 (zh) 一种功率半导体模块
CN105047653A (zh) Igbt子模组单元及其封装模块
WO2018096735A1 (ja) 半導体モジュール
CN103824853A (zh) 应用于开关型调节器的集成电路组件
CN102299498A (zh) 可布置给光伏模块的连接设备
CN102130098B (zh) 双管芯半导体封装
CN205723548U (zh) 一种压接式igbt子模组和igbt模块封装结构
CN105633729A (zh) 插头连接器
CN103858228A (zh) 半导体装置及其制造方法
JP5004835B2 (ja) 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
CN205752165U (zh) 一种芯片模块封装结构
US9455208B2 (en) Semiconductor device
CN103843204B (zh) 连接器及用于制造连接器的方法
CN103681669B (zh) 用于电池组保护mosfet的公共漏极电源夹件
CN103762214B (zh) 应用于开关型调节器的集成电路组件
CN104106136B (zh) 在功率半导体中用于电流传感器的半导体布置
CN206931600U (zh) 一种压接式igbt模块
CN207705185U (zh) 一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片
CN100527409C (zh) 半导体器件
CN212322980U (zh) 一种防尘易组装的贴片二极管

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20210729

Address after: 510663 3 building, 3, 4, 5 and J1 building, 11 building, No. 11, Ke Xiang Road, Luogang District Science City, Guangzhou, Guangdong.

Applicant after: China South Power Grid International Co.,Ltd.

Applicant after: ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC Co.,Ltd.

Address before: Room 505-508, 4th and 5th floor, No.6 Huasui Road, Zhujiang New Town, Tianhe District, Guangzhou, Guangdong 510623

Applicant before: POWER GRID TECHNOLOGY RESEARCH CENTER. CHINA SOUTHERN POWER GRID

Applicant before: ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant