CN105954666A - 动态数据的快速写入方法 - Google Patents

动态数据的快速写入方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105954666A
CN105954666A CN201610242880.2A CN201610242880A CN105954666A CN 105954666 A CN105954666 A CN 105954666A CN 201610242880 A CN201610242880 A CN 201610242880A CN 105954666 A CN105954666 A CN 105954666A
Authority
CN
China
Prior art keywords
data
dynamic data
sqpg
test vector
dynamic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610242880.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105954666B (zh
Inventor
辛吉升
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp filed Critical Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority to CN201610242880.2A priority Critical patent/CN105954666B/zh
Publication of CN105954666A publication Critical patent/CN105954666A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105954666B publication Critical patent/CN105954666B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种动态数据的快速写入方法，包含的步骤为：第一步，在编写测试向量时，预先设置一个虚拟的测试向量数据，并将该测试向量数据预先载入到逻辑测试仪的SQPG中；第二步，在对待测芯片进行测试时，产生动态数据，将该动态数据存入数据寄存器中；第三步，比较数据寄存器中的动态数据与SQPG中预先存入的虚拟测试向量数据，筛选出不一致的数据，确定SQPG中需要替换的数据的地址；第四步，选中上一步中确定的地址，将寄存器中的对应地址的动态数据写入SQPG中的相应地址中，替换掉该地址中的原虚拟的测试向量数据，形成新的测试向量数据；第五步，运行替换后的新的测试向量数据。本发明提高了动态数据的写入速度，提高集成电路的测试效率。

Description

动态数据的快速写入方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路测试领域，特别是指一种针对大规模集成电路测试，一种动态数据的快速写入方法。
背景技术
大规模集成电路的测试，通常是对待测芯片预先设置好一些测试数据写入芯片，然后检测芯片处理之后的数据。在对芯片进行测试之前，测试向量已经生成并且编译完毕。但是，对于一些特殊应用，需要在测试过程中获得一个动态的数据，并且把该数据写入到芯片内部。针对逻辑测试仪来讲，只能通过根据该动态数据，重新生成测试向量，重新编译，之后再写入芯片的方式。如图1所示，其测试流程为：获取动态数据1，生成新的测试向量1，进行编码编译，载入SQPG(Sequential Pattern Generator,时序变量生成器),再写入芯片；获得动态数据2，生成新的测试向量2，进行编码编译，载入SQPG,再将动态数据2写入芯片。这样极大降低了产线上针对大批量芯片同测的效率，动态数据越多，效率越低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种动态数据的快速写入方法，针对大批量的芯片，能提高动态数据的写入速度，减少测试时间。
为解决上述问题，本发明提供一种动态数据的快速写入方法，包含如下的步骤：
第一步，在编写测试向量时，预先设置一个初始的虚拟的测试向量数据(DummyPattern)，并将该测试向量数据预先载入到逻辑测试仪的SQPG中；
第二步，在对待测芯片进行测试时，产生动态数据，将该动态数据存入数据寄存器(DR)中；
第三步，比较数据寄存器中的动态数据与SQPG中预先存入的虚拟测试向量数据，筛选出不一致的数据，确定SQPG中需要替换的数据的地址；
第四步，选中上一步中确定的地址，将寄存器中的对应地址的动态数据写入SQPG中的相应地址中，替换掉该地址中的原虚拟的测试向量数据，形成新的测试向量数据；
第五步，运行替换后的新的测试向量数据。
所述第四步，替换掉相应地址的数据之后的SQPG中的数据，形成的新的测试向量数据与数据寄存器中的动态数据保持一致。
在测试过程中，产生其他的新的动态数据，则将所述步骤循环进行；每产生一次新的动态数据，则再循环一次，以使SQPG中的测试向量数据与动态数据保持一致。
本发明所述的动态数据的快速写入方法，通过预先在SQPG中设置虚拟测试向量数据，在测试过程中动态数据产生之后，比较动态数据与虚拟测试数据，仅需替换掉不一致的数据，而不需要对全部地址的数据重新整体写入一遍，大大提高了动态数据的写入速度，节省时间。
附图说明
图1是现有的动态数据写入流程图；
图2是本发明提出的动态数据写入流程图。
具体实施方式
本发明提供一种动态数据的快速写入方法，如图2所示，包含如下的步骤：
第一步，在编写测试向量时，预先设置一个虚拟的测试向量数据，并将该测试向量数据预先载入到逻辑测试仪的SQPG中；
第二步，在对待测芯片进行测试时，产生动态数据1，将该动态数据1存入数据寄存器(DR)中；
第三步，比较数据寄存器中的动态数据1与SQPG中预先存入的虚拟测试向量数据，筛选出不一致的数据，以确定SQPG中需要替换的数据的地址；
第四步，选中上一步中确定的地址，将寄存器中的对应地址的动态数据1写入SQPG中的相应地址中，替换掉该地址中的原虚拟的测试向量数据，形成新的测试向量数据。形成的新的测试向量数据与数据寄存器中的动态数据1保持一致。
第五步，动态数据写入SQPG成功，运行替换后的新的测试向量数据，即可对芯片进行测试。
在测试过程中，可能会产生其他的新的动态数据，如产生新的动态数据2，则将所述步骤循环进行。即将动态数据2写入数据寄存器DR中(由于是在测试过程的循环，SQPG中已经存在上一次的测试向量数据，如动态数据1，可作为初始的虚拟测试向量数据，因此循环过程中第一步可省略)，然后比较动态数据2与SQPG中的数据，替换不一致的数据形成新的测试向量数据，继续运行测试程序。每产生一次新的动态数据，则再循环一次，以使SQPG中的测试向量数据与动态数据保持一致。
通过上述方法，在每次动态数据刷新时，仅需替换SQPG中不一致的数据，较少了数据写入量，节省数据写入时间，提高了测试效率。
以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种动态数据的快速写入方法，其特征在于：包含如下的步骤：
第一步，在编写测试向量时，预先设置一个虚拟的测试向量数据，并将该测试向量数据预先载入到逻辑测试仪的SQPG中；
第二步，在对待测芯片进行测试时，产生动态数据，将该动态数据存入数据寄存器中；
第三步，比较数据寄存器中的动态数据与SQPG中预先存入的虚拟测试向量数据，筛选出不一致的数据，确定SQPG中需要替换的数据的地址；
第四步，选中上一步中确定的地址，将寄存器中的对应地址的动态数据写入SQPG中的相应地址中，替换掉该地址中的原虚拟的测试向量数据，形成新的测试向量数据；
第五步，运行替换后的新的测试向量数据。
2.如权利要求1所述的动态数据的快速写入方法，其特征在于：所述第四步，替换掉相应地址的数据之后的SQPG中的数据，形成的新的测试向量数据与数据寄存器中的动态数据保持一致。
3.如权利要求1所述的动态数据的快速写入方法，其特征在于：在测试过程中，产生其他的新的动态数据，则将所述步骤循环进行；每产生一次新的动态数据，则再循环一次，以使SQPG中的测试向量数据与动态数据保持一致。
CN201610242880.2A 2016-04-19 2016-04-19 动态数据的快速写入方法 Active CN105954666B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610242880.2A CN105954666B (zh) 2016-04-19 2016-04-19 动态数据的快速写入方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610242880.2A CN105954666B (zh) 2016-04-19 2016-04-19 动态数据的快速写入方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105954666A true CN105954666A (zh) 2016-09-21
CN105954666B CN105954666B (zh) 2019-01-04

Family

ID=56918005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610242880.2A Active CN105954666B (zh) 2016-04-19 2016-04-19 动态数据的快速写入方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105954666B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109613420A (zh) * 2019-01-30 2019-04-12 上海华虹宏力半导体制造有限公司 芯片的测试方法
CN109917277A (zh) * 2019-05-16 2019-06-21 上海燧原智能科技有限公司 虚拟测试方法、装置、设备及存储介质

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020010885A1 (en) * 1997-09-17 2002-01-24 Kazunori Ohuchi Configurable integrated circuit and method of testing the same
US20040027898A1 (en) * 2000-08-31 2004-02-12 Hiroyuki Takahashi Semiconductor memory device and its test method as well as test circuit
CN1725378A (zh) * 2004-07-14 2006-01-25 恩益禧电子股份有限公司 非易失半导体存储器及设置该存储器中的替换信息的方法
CN101000367A (zh) * 2006-12-31 2007-07-18 合肥工业大学 一种块标记的系统芯片测试数据压缩方法
CN101075482A (zh) * 2006-05-19 2007-11-21 富士通株式会社 半导体存储器及其测试方法
CN101364219A (zh) * 2007-08-06 2009-02-11 北京华大泰思特半导体检测技术有限公司 面向集成电路测试的测试数据转换方法
CN101464921A (zh) * 2008-12-31 2009-06-24 北京天碁科技有限公司 一种生成芯片工艺调整的测试向量的方法及系统
CN102521782A (zh) * 2011-12-26 2012-06-27 安徽省电力公司 一种基于实时数据库的动态数据智能发布方法及系统
CN102879731A (zh) * 2012-09-26 2013-01-16 清华大学 一种数字集成电路的测试方法
CN103019873A (zh) * 2012-12-03 2013-04-03 华为技术有限公司 一种存储器故障单元的替换方法及装置、数据存储系统
CN104122497A (zh) * 2014-08-11 2014-10-29 中国科学院自动化研究所 集成电路内建自测试所需测试向量的生成电路及方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020010885A1 (en) * 1997-09-17 2002-01-24 Kazunori Ohuchi Configurable integrated circuit and method of testing the same
US20040027898A1 (en) * 2000-08-31 2004-02-12 Hiroyuki Takahashi Semiconductor memory device and its test method as well as test circuit
CN1725378A (zh) * 2004-07-14 2006-01-25 恩益禧电子股份有限公司 非易失半导体存储器及设置该存储器中的替换信息的方法
CN101075482A (zh) * 2006-05-19 2007-11-21 富士通株式会社 半导体存储器及其测试方法
CN101000367A (zh) * 2006-12-31 2007-07-18 合肥工业大学 一种块标记的系统芯片测试数据压缩方法
CN101364219A (zh) * 2007-08-06 2009-02-11 北京华大泰思特半导体检测技术有限公司 面向集成电路测试的测试数据转换方法
CN101464921A (zh) * 2008-12-31 2009-06-24 北京天碁科技有限公司 一种生成芯片工艺调整的测试向量的方法及系统
CN102521782A (zh) * 2011-12-26 2012-06-27 安徽省电力公司 一种基于实时数据库的动态数据智能发布方法及系统
CN102879731A (zh) * 2012-09-26 2013-01-16 清华大学 一种数字集成电路的测试方法
CN103019873A (zh) * 2012-12-03 2013-04-03 华为技术有限公司 一种存储器故障单元的替换方法及装置、数据存储系统
CN104122497A (zh) * 2014-08-11 2014-10-29 中国科学院自动化研究所 集成电路内建自测试所需测试向量的生成电路及方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109613420A (zh) * 2019-01-30 2019-04-12 上海华虹宏力半导体制造有限公司 芯片的测试方法
CN109613420B (zh) * 2019-01-30 2021-04-06 上海华虹宏力半导体制造有限公司 芯片的测试方法
CN109917277A (zh) * 2019-05-16 2019-06-21 上海燧原智能科技有限公司 虚拟测试方法、装置、设备及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN105954666B (zh) 2019-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7472325B2 (en) Method for segmenting BIST functionality in an embedded memory array into remote lower-speed executable instructions and local higher-speed executable instructions
US7159145B2 (en) Built-in self test system and method
CN104408264B (zh) 一种基于断言的嵌入式存储控制器验证系统及方法
CN105139893B (zh) 一种存储器测试装置及一种存储器芯片测试方法
US7865795B2 (en) Methods and apparatuses for generating a random sequence of commands for a semiconductor device
CN105954666A (zh) 动态数据的快速写入方法
CN108122596A (zh) 一种存储器的测试方法和装置
JP5562394B2 (ja) Ｈｄｌ環境のためのグローバルクロックハンドラーオブジェクト
CN106971757A (zh) 一种检验Nand Flash质量的方法及系统
CN101339811A (zh) 存储器内建自测试方法
Huang et al. Raisin: Redundancy analysis algorithm simulation
US9805825B1 (en) Memory error capture logic
Ramirez et al. On UVM reliability in mixed-signal verification
JP2013149308A (ja) 半導体集積回路装置及び設計自動化プログラム
JP2014071770A (ja) メモリ故障診断装置、メモリ故障診断方法
TWI408392B (zh) 增加晶片測試效率的裝置及其方法
JP6715198B2 (ja) メモリ検査装置
US20010003209A1 (en) Efficient generation of optimum test data
CN106571165B (zh) 一种ddr器件读写信号的测试方法及装置
CN105224249B (zh) 一种写操作方法和装置
US8589109B2 (en) Semiconductor circuit, semiconductor circuit test method, and semiconductor circuit test system
Krištofík et al. Enhancement of fault collection for embedded RAM redundancy analysis considering intersection and orphan faults
US8103464B2 (en) Test circuit, pattern generating apparatus, and pattern generating method
JP5279817B2 (ja) 試験装置および試験方法
JP2014049165A (ja) 半導体装置及びメモリ試験方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant