CN105939005A - 电源装置和印刷装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电源装置和印刷装置。并且提供了防止输入了AC过电压时的平滑部的破损的手段。本发明的电源装置具有：整流部，其对AC输入进行整流；平滑部，其使从所述整流部输出的电压平滑；切换部，其切换所述整流部与所述平滑部的连接或切断；过电压检测部，其检测施加到所述平滑部的电压的过电压；以及切换控制部，其在所述过电压检测部检测出过电压的情况下，通过所述切换部切断所述整流部和所述平滑部。

Description

电源装置和印刷装置

技术领域

本发明涉及防止平滑部的破损的电源装置和印刷装置。

背景技术

在以往的电源装置中，为了防止投入了超过AC输入电压范围的AC过电压时，作为电源装置的内部的平滑部的1次侧电解电容器开阀而喷出电解液，对全波整流后的电解电容器两端的电压进行监视，在检测出AC过电压的情况下，持续导通开关FET的漏极和源极之间，强制地使1次侧熔断器熔断(例如参考专利文献1)。

在先技术文献：

专利文献1：日本特开2006-288155号公报

发明内容

但是，在以往的技术中存在如下问题：由于在检测出AC过电压的情况下持续导通开关FET的漏极与源极之间，所以开关FET的漏极与源极之间成为过电流或过电压，在熔断器熔断之前开关FET的漏极与源极之间断开的状态下破损的情况下，存在持续向作为平滑部的电解电容器施加异常的高电压，电解电容器开阀。

本发明的课题是解决这样的问题，其目的在于防止输入AC过电压时的平滑部的破损。

因此，本发明的特征在于，具有：整流部，其对AC输入进行整流；平滑部，其使从所述整流部输出的电压平滑；切换部，其切换所述整流部与所述平滑部的连接或切断；过电压检测部，其检测施加到所述平滑部的电压的过电压；以及切换控制部，其在所述过电压检测部检测出过电压的情况下，通过所述切换部切断所述整流部和所述平滑部。

这样的本发明得到能够防止输入AC过电压时的平滑部的破损的效果。

附图说明

图1是第1实施例的印刷装置的外观立体图。

图2是示出第1实施例的印刷装置的结构的说明图。

图3是示出第1实施例的电源装置的结构的电路图。

图4是示出第1实施例的电源装置的结构的框图。

图5是示出第1实施例的电源装置的动作的流程图。

图6是示出第1实施例的正常时的电压波形的说明图。

图7是示出第1实施例的输入过电压时的电压波形的说明图。

图8是示出第1实施例的输入过电压时的电压波形的说明图。

图9是示出第1实施例的电压波形的测定部位的说明图。

图10是示出第2实施例的电源装置的结构的电路图。

图11是示出第2实施例的电源装置的结构的框图。

图12是示出第2实施例的电源装置的动作的流程图。

标号说明

001：AC输入部；002：1次滤波器部；003：整流部；004：平滑部；005：变压器；006：再生部；007：FET；008：电流检测部；009：控制IC；010：反馈部B；011：警报部B；012：整流/平滑部；013：整流部；014、016：平滑部；015：旁漏电阻；017：2次侧输出部；018：反馈用基准电压部；019：反馈部A；020：警报部A；021：2次侧输入部；022：运算/处理部；023：SP驱动器；025：头部驱动器；027：驱动器警报检测部；100：保护熔断器部；201：继电器电路工作部B；202：B接点继电器电路部；300：过电压检测部；310：过电压传达部A；320：过电压传达部B；330：非易失性存储器；340：LCD；1000：印刷装置；1100：电源装置；C6、C13、C17、C18、C19：电解电容器；D6、D7、D8：整流二极管；D9、D200、D201、D202：齐纳二极管；DS1：全波整流二极管；IC1：1次侧控制元件；IC2：分路调节器；PC1、PC2、PC5：光电耦合器；PC4：光电双向可控硅耦合器；Q1：场效应晶体管(FET)；RL200：B接点继电器电路；T1：变压器。

具体实施方式

下面参照附图说明本发明的电源装置和印刷装置的实施例。

【实施例1】

图1是第1实施例的印刷装置的外观立体图，图2是示出第1实施例的印刷装置的结构的说明图。

在图1和图2中，印刷装置1000是具有电源装置的点阵击打式打印机等。该印刷装置1000具有：带轮1001、带1002、字车1003、字车轴1004、空格电机1005、送纸电机1006、送纸辊1007、架台(stage)1009、以及打印头1010，该印刷装置1000是对印刷介质1008进行印刷的装置。

架台1009是用于输送介质1008的台，大致水平地配置有用于输送介质1008的送纸辊1007。通过送纸电机1006旋转，送纸电机1006的齿轮部与送纸辊1007的齿轮部啮合，送纸辊1007进行旋转而输送介质1008。

字车1003的上下方向被字车轴1004限制，在该字车1003上搭载有用于对介质1008进行打印的打印头1010。另外，在字车1003上固定有带1002。

在带1002的内侧形成有与空格电机1005的齿轮部啮合的凹凸，且该带1002大致水平地绷紧于带轮1001。带轮1001成为空格电机1005和字车1003的支点，随着带1002移动而旋转。

在空格电机1005的齿轮部上形成有与形成于带1002的凹凸相啮合的凹凸，通过旋转，字车1003借助于带1002而在图2中箭头A所示的左右水平方向上移动。

这样构成的印刷装置1000具有与商用电源连接的电源装置，且对空格电机1005、送纸电机1006、以及打印头1010进行驱动而对介质1008进行印刷。

图3是示出第1实施例的电源装置的结构的电路图。

首先，对电源装置1100的1次侧电路的结构进行说明。

在图3中，CN1是输入商用电源的AC输入的连接器部，F1安装有用于进行1次侧的过电流保护的熔断器。C1是X电容器、L1是扼流线圈、C2是Y电容器、C3是Y电容器、C5是电容器，从而形成除去噪声用的滤波器电路。另外，R1和R2是X电容器C1的放电用电阻。

DS1是用于对AC输入进行整流的全波整流二极管。AC输入被全波整流二极管DS1整流后，通过电解电容器C6变得平滑。在电解电容器C6上，与电解电容器C6并联地安装电阻R4、电阻R5来作为电解电容器C6用的放电电阻。

TH1是AC输入接通(通电)时的冲击电流防止用的功率型热敏电阻。T1是使1次侧与2次侧绝缘、且向2次侧提供能量的回扫型变压器，在T1上连接有FET(FieldEffect Transistor：场效应晶体管)Q1的D(漏极)侧，该FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)Q1对流向变压器T1的电流进行切换。当切断(OFF)FET(Q1)时，使在变压器T1产生的逆向电压在电阻R11、电阻R12、电容器C7、二极管D3的电路中再生。

变压器T1的1Pin、3Pin之间是主输出的绕组，5Pin、6Pin之间是向1次侧控制元件IC1提供电源用的辅助绕组。

变压器T1的5Pin、6Pin之间的电压被辅助绕组用的整流二极管D6整流后，通过平滑用的电解电容器C13变得平滑，向1次侧控制元件IC1提供电源。

1次侧控制元件IC1是对FET(Q1)的切换周期进行控制的元件，1次侧控制元件IC1的输出(5Pin)经由电阻R6与FET(Q1)的栅极连接。

在此，对1次侧控制元件IC1进行说明。

1次侧控制元件IC1是对FET(Q1)的切换周期进行调整的控制用IC，例如是富士电机公司制造的切换电源控制用IC等。该1次侧控制元件IC1具有如下的功能：通过使光电耦合器PC2受光侧晶体管接通，使1次侧控制元件IC1的ZCD端子(1Pin)的电位上升，使ZCD端子(1Pin)端子的电位比在1次侧控制元件IC1的ZCD端子(1Pin)端子内预先设定的FET切换断开基准电压高，从而使FET(Q1)的开关强制地停止、进行锁存。

1次侧控制元件IC1的VH端子(8Pin)经由电阻R101与电解电容器C6的+侧连接。此外，对连接有光电耦合器PC1的受光侧晶体管的1次侧控制元件IC1的FB端子(2Pin)的电位与将向FET(Q1)流动的电流转换成电压而得的电阻R10的电位进行比较，调整FET(Q1)的接通时间。

下面，对电源装置1100的2次侧电路的结构进行说明。

变压器T1的9Pin、11Pin之间是2次侧输出用绕组，变压器T1的9Pin、11Pin之间的电压被整流用二极管D7、D8整流，且通过电解电容器C17、C18变得平滑。分压器电阻R23～R26作为用于抑制2次侧轻负载时的输出降低的负载而预先连接。通过线圈L3和电解电容器C19、电容器C22进行2次侧的输出电压的平滑化(稳定化)，向2次侧输出连接器CN2进行输出，向印刷装置的控制基板提供电源。

在此，说明2次侧输出电压的反馈部的电路结构。

2次侧的输出电压被电阻R32、可变电阻RV1、以及电阻R33分压，电阻R33的电位作为分路调节器IC2的基准而被输入。在分路调节器IC2的阴极侧连接有光电耦合器PC1，光电耦合器PC1的阳极侧经由电阻R29与2次侧输出电压连接。

在2次侧的输出电压上升、且电阻R33的电位比分路调节器IC2内部的基准电压高的情况下，分路调节器IC2的阳极和阴极导通，在光电耦合器PC1中流动电流，光电耦合器PC1发光。

相反，在2次侧的输出电压降低、且电阻R33的电位变得比分路调节器IC2内部的基准电压低的情况下，不使分路调节器IC2的阳极和阴极导通，光电耦合器PC1不发光。

下面，对2次侧电路的警报电路进行说明。

输入ALM-P信号(警报信号)，该ALM-P信号表示2次侧的输出电压超过齐纳二极管D9的齐纳电位的过电压状态或者控制基板的异常状态，经由电阻R100、二极管D100、以及电阻R27向光电耦合器PC2流动电流，光电耦合器PC2发光。

下面，对本实施例的1次侧电路的过电压检测和从异常的高电压部，断开电解电容器C6以后的电路的电路结构进行说明。

在电解电容器C6的+侧连接有齐纳二极管D201的阴极侧，在齐纳二极管D201的阳极侧连接有齐纳二极管D202的阴极侧。

齐纳二极管D201、D202的合计齐纳电压比正常工作时的电解电容器C6的两端电压大，且设定为电解电容器C6的耐压以下的范围内。

在齐纳二极管D202的阳极侧连接有光电双向可控硅耦合器PC4的发光侧(发光部)，在光电双向可控硅耦合器PC4的阴极侧连接有电阻R201。

虽然在AC电压是正常电压的情况下光电双向可控硅耦合器PC4的发光侧不接通，但是在电解电容器C6的两端电位是齐纳二极管D201、D202的合计齐纳电压+光电双向可控硅耦合器PC4的Vf(正向电压)以上的情况下，光电双向可控硅耦合器PC4的发光侧接通。

作为光电双向可控硅耦合器的特性，具有如下的特性：即使没有发光侧的电压，只要持续向受光侧流动电流(只要到断开电流为止受光侧的电流不减少)，就持续接通。

在全波整流二极管DS1的整流后的输出上连接有光电双向可控硅耦合器PC4的受光侧(受光部)，还连接有电容器C200、和B接点继电器电路RL200。

电容器C200是高耐压特性的小容量的电容器，是如下的电容器：当B接点继电器电路RL200的开关开启时，对全波整流后的电压进行平滑使得不为0V，且用于使光电双向可控硅耦合器PC4的受光侧持续成为接通状态。

光电双向可控硅耦合器PC4的受光侧的另一方经由电阻R200与线圈L200连接。该线圈L200是使B接点继电器电路RL200工作的线圈。通过与线圈L200并联连接的齐纳二极管D200，施加于线圈L200的电压被钳位。

在此，对B接点继电器电路RL200进行说明。

在线圈L200中不流动电流、线圈L200未被励磁的情况下，B接点继电器电路RL200成为开关闭合(开关端子间连接)的状态。

相反，在线圈L200中流动电流、线圈L200被励磁的情况下，B接点继电器电路RL200成为开关打开(开关的端子间断开)的状态。

图4是示出第1实施例的电源装置的结构的框图，是与图3所示的电源装置的电路图对应的图。

在图4中，电源装置1100具有：整流部003，其对AC输入进行整流；平滑部004，其使从整流部003输出的电压平滑；B接点继电器电路部202，其切换整流部003与平滑部004的连接或切断；过电压检测部300，其检测施加于平滑部004的电压的过电压；以及继电器电路工作部B201，其在过电压检测部300检测出过电压的情况下，通过B接点继电器电路部202切断整流部003与平滑部004以后的电路。

电源装置1100的AC开关部001a是通过开关的接通/断开操作来用于切换商用AC电源输入的通电/切断的开关，该电源装置1100的AC开关部001a与AC输入部001的连接器连接。AC输入部001是输入商用AC的连接器，相当于图3所示的CN1。保护熔断器部100是1次侧的过电流保护用熔断器，相当于图3所示的F1。

1次滤波器部002相当于图3所示的电阻R1、R2、X电容器C1、Y电容器C2、C3、以及电容器C5。

整流部003是对AC输入进行全波整流的部位，相当于图3所示的全波整流二极管DS1。

平滑部004是使从整流部003输出且被全波整流的电压波形平滑的部位，相当于图3所示的电解电容器C6、电阻R4、电阻R5。

变压器(主)005a是使1次侧与2次侧绝缘、且向2次侧提供能量的回扫型的变压器，相当于图3所示的变压器T1(1Pin、3Pin之间)。

再生部006是断开FET007时由变压器(主)005a产生的逆向电压的再生路径，相当于图3所示的电阻R11、电阻R12、电容器C7以及二极管D3。

FET007是用于切换流向变压器(主)005a的电流的部位，相当于图3所示的FET(Q1)、电阻R7。

电流检测部008是将在FET007中流动的电流的值转换成电压值的部位，相当于图3所示的电阻R10。

变压器(辅助)005b是控制IC009的电源供给用绕组，相当于图3所示的变压器T1(5Pin、6Pin之间)。

整流/平滑部012是对变压器(辅助)005b的输出进行整流/平滑的部位，相当于图3所示的电容器C14、整流二极管D6、电解电容器C13。

警报部B011是通过警报部A020工作而联动工作的部位，相当于图3所示的光电耦合器PC2的受光侧晶体管。

反馈部B010是通过反馈部A019工作而联动工作的部位，相当于图3所示的光电耦合器PC1的受光侧晶体管。

控制IC009是如下的元件：对反馈部B010的电压与电流检测部008的电压进行比较而对FET007的接通/断开时间进行控制，且对警报部B011的电压进行监视，当警报部B011的电压为预先规定的电压值以上的情况下，强制地使FET007的切换停止，且具有锁存功能，相当于图3所示的1次侧控制元件IC1。

变压器(2次侧)005c是向2次侧输出变压器(主)005a的能量的部位，相当于图3所示的变压器T1(9Pin、11Pin之间)。

整流部013是对变压器(2次侧)005c的输出进行整流的部位，相当于图3所示的整流用二极管D7、D8、电容器C16、C24。

平滑部014是使在整流部013整流后的输出平滑的部位，相当于图3所示的电解电容器C17、C18。

旁漏电阻015是2次侧输出轻负载时的变压器(主)005a的绕组电压降低防止用的电阻，相当于图3所示的分压器电阻R23～R26。

平滑部016是实现再次使电流平滑、使2次侧输出稳定化的部位，相当于图3所示的线圈L3和电解电容器C19、电容器C22。

反馈用基准电压部018是生成对2次侧输出电压进行了分压而得的电压的部位，相当于图3所示的电阻R32、可变电阻RV1、以及电阻R33。

反馈部A019是对反馈用基准电压部018的电压进行监视，在反馈用基准电压部018的电压比反馈部A019的基准电压高的情况下工作的部位，相当于图3所示的分路调节器IC2、电阻R29、R30、R31、电容器C21、光电耦合器PC1的受光侧。通过该反馈部A019工作，反馈部B010的光电耦合器的受光侧晶体管工作。

警报部A020是对整流部013的电压进行监视、在检测出成为规定的电压以上的过电压的情况下，或者根据从控制基板内的驱动警报检测部输出的ALM-P信号而使图3所示的光电耦合器PC2的发光侧发光的部位，相当于图3所示的齐纳二极管D9、电阻R27、R28、R100、二极管D100、光电耦合器PC2的发光侧。通过该警报部A020工作，警报部B011的光电耦合器的受光侧晶体管工作。

2次侧输出部017是输出电源的2次侧输出电压的连接器，相当于图3所示的CN2。

在此，对作为控制部的控制基板的结构进行说明。

2次侧输入部021是用于向控制基板提供2次侧输出部017的输出的连接器，2次侧输入部021向控制基板的各元件提供电力。

运算/处理部022是由CPU(Central Processing Unit：中央处理器)/LSI(集成电路)等构成、并构成控制基板的元件。SP驱动器023根据来自运算/处理部022的信号，向空格电机1005输出使空格电机1005旋转的信号，空格电机1005根据该信号进行旋转动作。头部驱动器025根据来自运算/处理部022的信号，向打印头1010输出使打印头1010驱动的信号，打印头1010根据该信号进行印刷工作。

在控制基板内的驱动打印头1010的驱动器电路破损的情况下，驱动器警报检测部027输出电源装置1100的警报部A020的ALM-P信号。

返回到电源装置1100的说明。

电源装置1100的过电压检测部300是对施加到平滑部004的电压进行监视，在施加到平滑部004的电压是预先设定的阈值(图3所示的齐纳二极管D201、D202的合计齐纳电压+光电双向可控硅耦合器PC4的Vf(正向电压))以上的情况下，检测出施加到平滑部004(图3所示的电解电容器C6的两端)的电压是异常的高电压状态(过电压)，使图3所示的光电双向可控硅耦合器PC4的发光侧进行发光动作的部位，相当于图3所示的齐纳二极管D201、D202、电阻R201、光电双向可控硅耦合器PC4。

作为切换控制部的继电器电路工作部B201是使B接点继电器电路部202工作的部位，相当于图3所示的电容器C200、电阻R200、齐纳二极管D200、线圈L200、光电双向可控硅耦合器PC4的发光侧。继电器电路工作部B201在通过过电压检测部300检测出过电压的情况下，通过B接点继电器电路部202切断整流部003与平滑部004以后的电路。

作为切换部(继电器电路部)的B接点继电器电路部202是切换整流部003与平滑部004之间的连接或者断开(切断)的部位，在B接点电路部202的开关端子间闭合(短路)的情况下，整流部003与平滑部004连接，在B接点继电器电路部202的开关端子间打开(开放)的情况下，切断整流部003和平滑部004以后的电路，使之断开。此外，B接点继电器电路部202维持断开整流部003与平滑部004以后的电路的状态。

对上述的结构的作用进行说明。

参照图3和图4，按照图5的示出第1实施例的电源装置的动作的流程图的图中S所表示的步骤说明电源装置的动作。

首先，通过将图1和图2所示的印刷装置1000的电源装置1100的AC开关操作至接通而投入(接通)AC电源。

S1：电源装置1100的过电压检测部300对电解电容器C6的两端的电压进行监视，在电解电容器C6的两端的电压不足作为阈值的过电压检测值的情况下，向S2转移处理，另一方面在电解电容器C6的两端的电压是过电压检测值以上的情况下，向S3转移处理。

S2：在电解电容器C6的两端的电压不足过电压检测值的情况下，过电压检测部300作为电源向2次侧正常地提供电压，印刷装置1000正常工作。此时，过电压检测部300向S1转移处理而继续监视。

S3：在电解电容器C6的两端的电压是过电压检测值以上(图4所示的E1)的情况下，过电压检测部300使光电双向可控硅耦合器PC4的发光侧进行发光动作，使发光部发光(图4所示的E2)。

S4：当光电双向可控硅耦合器PC4的发光部发光时，光电双向可控硅耦合器PC4的受光侧接通(图4所示的E3)。

S5：当光电双向可控硅耦合器PC4的受光侧接通时，在线圈L200中流动电流，线圈L200被励磁(图4所示的E4)，B接点继电器电路RL200的开关端子间被断开，电解电容器C6以后的电路从高电压部断开(图4所示的E5)。

S6：当电解电容器C6以后的电路从高电压部断开时，不向电解电容器C6以后的电路提供电荷，电源装置1100的2次侧输出降低，印刷装置的工作停止。

S7：电源装置1100在AC开关未被断开的情况下，向S8转移处理，且在被断开的情况下向S9转移处理。

S8：在AC开关未被断开的情况下，因为在光电双向可控硅耦合器PC4中持续地流动电流，线圈L200持续被励磁，所以B接点继电器电路部RL202的开关端子间持续断开的状态，维持从高电压部，断开了电解电容器C6以后的电路的状态(图4所示的E6)。这样，在从高电压部断开了电解电容器C6以后的电路的状态下向S7转移处理。

S9：在S7中AC开关被断开的情况下，不向光电双向可控硅耦合器PC4的受光侧流动电流，光电双向可控硅耦合器PC4断开，线圈L200未被励磁，所以B接点继电器电路RL200的开关端子间闭合，能够重新投入电源，结束本处理。

下面，使用图6的示出第1实施例的正常时的电压波形的说明图、以及图7、图8的示出第1实施例的过电压输入时的电压波形的说明图来说明电源装置的动作例。此外，图6和图7的(a)中所示的电压波形是在图9中的A点测定的，图6和图7的(b)中所示的电压波形是在图9中的B点测定的，图6和图7的(c)中所示的电压波形是在图9中的C点测定的，另外，图8所示的电压波形是在图9中的C点测定的。另外，在本实施例中，电压装置的AC输入为100V，电解电容器C6的耐压规格是200V。

首先，使用图6对AC输入电压正常的情况进行说明。

在向图9所示的CN1输入AC100V的情况下，如图6(a)所示，图9中的A点的AC电压的峰值为±100V×(2的平方根)≒±141.4V的正弦波的电压。

如图6的(b)所示，在图9中的B点，输出通过全波整流二极管DS1进行了全波整流之后的+141.4V的电压。此外，通过电容器C200对电压进行平滑使得不下降至0V的程度。

如图6的(c)所示，在图9中的C点，通过电解电容器C6进行了整流，+141.4V的电压施加在电解电容器C6的两端。

下面使用图7对从电源投入时起输入AC过电压的情况进行说明。

在向图9所示的CN1输入了例如AC134.37V的情况下，如图7的(a)所示，图9中的A点的AC电压的峰值被输出±134.37V×(2的平方根)≒±190V的正弦波的电压。

如图7的(b)所示，在图9中的B点输出通过全波整流二极管DS1进行全波整流之后的+190V的电压。此外，通过电容器C200对电压进行平滑使得不下降至0V的程度。

如图7的(c)所示，在图9中的C点，在初期，开始向电解电容器C6进行电荷的充电，电解电容器C6的两端的电位开始上升。在电解电容器C6的两端的电位达到预先设定的作为过电压检测部300(参照图4)的阈值的过电压检测值(例如180V)以上的情况下，光电双向可控硅耦合器PC4的发光部发光，当光电双向可控硅耦合器PC4的受光侧接通时，在线圈L200中流动电流，线圈L200被励磁，B接点继电器电路部RL202的开关端子之间断开，电解电容器C6以后的电路从高电压部断开。

此外，直到不向CN1提供AC电源为止，维持电解电容器C6以后的电路从高电压部断开的状态。

下面，使用图8对从输入正常的AC电压的状态变动到输入过电压的状态的情况进行说明。此外，在此说明从输入AC100V的状态变动到输入AC134.37V的状态的情况。

如图8所示，在图9中的C点，在输入正常的AC电压的状态下，通过电解电容器C6进行整流，+141.4V的电压施加在电解电容器C6的两端。

在变动到输入了过电压的状态，电解电容器C6的两端的电位达到预先设定的作为过电压检测部300(参照图4)的阈值的过电压检测值(例如180V)以上的情况下，光电双向可控硅耦合器PC4的发光部发光，当光电双向可控硅耦合器PC4的受光侧接通时，在线圈L200中流动电流，线圈L200被励磁，B接点继电器电路部RL202的开关端子之间断开，电解电容器C6以后的电路从高电压部断开。

此外，直到不向CN1提供AC电源为止，维持电解电容器C6以后的电路从高电压部断开的状态。

这样，对输入AC过电压的情况进行检测。通过使全波整流电路从高电压电路部断开，当输入了AC过电压时，能够可靠地防止1次侧电解电容器的开阀。另外，能够避免向全波整流电路以后的电路施加高电位的危险性。而且，直到断开AC开关或者AC线缆从电源插头被拔下来为止，能够持续从高电压电路部断开全波整流电路的状态。

此外，作为避免1次侧电解电容器的开阀的方法，还有一种方法：在1次侧电解电容器的两端安装变阻器，当达到规定的电压以上时，变阻器在短路状态下破损，使1次侧的输入熔断器熔断。

但是，在通过变阻器的破损来保护1次侧电解电容器的情况下，如果变阻器在完全且无误地在短路状态下破损，则因为1次侧的输入熔断器熔断而安全地结束，但在变阻器在半短路状态下破损且1次侧的输入熔断器未熔断的情况下，变阻器却成为电阻，在变阻器中持续地流动电流而成为高温，有可能会伴随着电阻器和电阻器的周围碳化的危险。

因此，在本实施例中，当输入AC过电压时，不是通过开关FET、或者变阻器等使1次侧的输入熔断器熔断，而是从高电压电路部断开全波整流电路，从而不使部件破损，且能够避免向全波整流电路以后的电路施加高电位的危险性。

如以上说明，在第1实施例中，对输入AC过电压的情况进行检测。通过使全波整流电路从高电压电路部断开，在输入了AC过电压时，获得能够可靠地防止1次侧电解电容器的开阀的效果。

另外，获得能够避免向全波整流电路以后的电路施加高电位的危险性的效果。

而且，直到断开AC开关或者AC线缆从电源插头被拔下来为止，获得能够持续从高电压电路部断开全波整流电路的状态的效果。

【实施例2】

第2实施例的结构在第1实施例的结构上追加了AC过电压传达部的1次侧和2次侧的电路。

图10是示出第2实施例的电源装置的结构的电路图。此外，对与上述的第1实施例相同的部分标注相同的符号并省略其说明。

在图10中，首先对AC过电压传达部的1次侧的电路结构进行说明。

在电解电容器C6的+侧连接有齐纳二极管D201的阴极侧，在齐纳二极管D201的阳极侧连接有齐纳二极管D202的阴极侧。

齐纳二极管D201、D202的合计齐纳电压比正常工作时的电解电容器C6的两端电压大，且设定为电解电容器C6的耐压以下的范围内。

在齐纳二极管D202的阳极侧连接有光电双向可控硅耦合器PC4的发光侧，在光电双向可控硅耦合器PC4的阴极侧连接有光电耦合器PC5的发光侧，在光电耦合器PC5的阴极侧连接有电阻R201。

虽然在AC电压是正常电压的情况下光电双向可控硅耦合器PC4的发光侧和光电耦合器PC5的发光侧不接通，但在电解电容器C6的两端电位是齐纳二极管D201、D202的合计齐纳电压+光电双向可控硅耦合器PC4的Vf(正向电压)+光电耦合器PC5的Vf(正向电压)以上的情况下，光电双向可控硅耦合器PC4的发光侧和光电耦合器PC5的发光侧接通。

下面，对AC过电压传达部的2次侧的电路结构进行说明。

电阻R400和电阻R401对2次侧输出进行分压，在分压点上连接有光电耦合器PC5的受光侧的集电极端子和ACALM-L信号。当光电耦合器PC5的受光侧接通时，电阻R400和电阻R401的分压点的电位从高(High)电平成为低(Low)电平，ACALM-L信号的电位也同样从高电平成为低电平。

此外，其它的电路结构与第1实施例相同。

图11是示出第2实施例的电源装置的结构的框图，是与图10所示的电源装置的电路图对应的图。

在图11中，在1次侧的过电压检测部300内设置有过电压传达部A310。过电压传达部A310相当于图10的光电耦合器PC5的发光部。

电源装置1100的过电压检测部300对平滑部004的电压进行监视，在平滑部004的电压达到预先设定的阈值(图10所示的齐纳二极管D201、D202的合计齐纳电压+光电双向可控硅耦合器PC4的Vf(正向电压)+光电耦合器PC5的Vf(正向电压))以上的情况下，检测出平滑部004的电压是异常的高电压状态(过电压)，使图10所示的光电双向可控硅耦合器PC4的发光侧和过电压传达部A310的光电耦合器PC5的发光侧进行发光动作。

另外，在2次侧设置有过电压传达部B320。

过电压传达部B320是在过电压传达部A310的光电耦合器PC5进行发光动作的情况下使ACALM-L信号的电压电平从高(H)电平变化到低(L)电平的部位，相当于图10所示的电阻R400、电阻R401、光电耦合器PC5的受光侧。

ACALM-L信号与控制基板内的运算/处理部022连接。运算/处理部022具有监视ACALM-L信号的状态的功能。

作为控制基板内的非易失性存储部的非易失性存储器330是即使电源断开也存储写入的信息的ROM(Read Only Memory：只读存储器)等。在该非易失性存储器330中存储从过电压传达部310传达的过电压发生信息。

作为显示部的LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)340是显示文字等的面板等。此外，其它的结构与第1实施例相同。

对上述的结构的作用进行说明。

参照图10和图11，按照图12的示出第2实施例的电源装置的动作的流程图的图中S所表示的步骤说明电源装置的动作。

首先，通过将图1和图2所示的印刷装置1000的电源装置1100的AC开关操作为接通而投入(接通)AC电源。

S101：电源装置1100的过电压检测部300对电解电容器C6的两端的电压进行监视，在电解电容器C6的两端的电压不足作为阈值的过电压检测值的情况下，向S102转移处理，另一方面在电解电容器C6的两端的电压是过电压检测值以上的情况下，向S103转移处理。

S102：在电解电容器C6的两端的电压不足过电压检测值的情况下，过电压检测部300作为电源向2次侧正常地提供电压，印刷装置1000正常地工作。此时，过电压检测部300向S114转移处理。此外，后面叙述S114以后的处理。

S103：在电解电容器C6的两端的电压是过电压检测值以上(图11所示的E1)的情况下，过电压检测部300使光电双向可控硅耦合器PC4的发光侧进行发光动作，使发光部发光(图11所示的E2)。

S104：当光电双向可控硅耦合器PC4的发光部发光时，光电双向可控硅耦合器PC4的受光侧接通(图4所示的E3)。

此外，与S103和S104的处理并行地进行S105～S108的处理。

S105：在电解电容器C6的两端的电压是过电压检测值以上(图11所示的E1)的情况下，过电压检测部A310使光电双向可控硅耦合器PC5的发光侧进行发光动作，使发光部发光(图11所示的E11)。

S106：当过电压传达部A310的光电耦合器PC5进行发光动作时，过电压传达部B320的光电耦合器PC5的受光侧接通。

S107：过电压传达部B320使ACALM-L信号的电压电平从高(H)电平变化到低(L)电平。

S108：当检测出ACALM-L信号的电压电平从高(H)电平变化到低(L)电平时，控制基板内的运算/处理部022作为检测出ACALM-L信号的低(L)电平的信息(过电压发生信息)而在非易失性存储器330中保存“L检测”。

S109～S113：因为是与图5所示的S5～S9相同的处理，所以省略说明。

在S114：S102中，当过电压检测部300作为电源而向2次侧正常地提供电压时，控制基板内的运算/处理部022判定在非易失性存储器330中是否作为检测出ACALM-L信号的低电平的信息而保存了“L检测”，在判定为保存的情况下向S115转移处理，在判定为没有保存的情况下向S101返回处理。

此外，在如下的情况下，在非易失性存储器330中作为检测出ACALM-L信号的低(L)电平的信息而保存有“L检测”：检测出电解电容器C6的两端的电压是过电压检测值以上之后再投入电源，电解电容器C6的两端的电压不足过电压检测值。

S115：判定为在非易失性存储器330中作为检测出ACALM-L信号的低(L)电平的信息而保存有“L检测”的运算/处理部022，在LCD340中显示例如“因为检测出AC过电压，所以安全地断开了电源”的语句，且通知由于检测出AC过电压而断开了电源。

S116：运算/处理部022将保存于非易失性存储器330中的“L检测”变更为作为未检测出ACALM-L信号的低电平的信息的“L未检测”(正常状态)而进行保存。

S117、S118：此外，在按下了发生AC过电压的确认按钮的情况下，在操作了印刷装置1000的情况下，或者在从外部装置接收了印刷数据等的情况下，使LCD349的显示返回到正常的状态，且向S101转移处理。

这样，印刷装置1000具有非易失性存储器330，该非易失性存储器330在电源装置1100中检测出过电压的情况下，存储从电源装置1100的过电压传达部310传达的过电压发生信息，在电源投入时，在非易失性存储器330中存储有过电压发生信息的情况下，在LCD340中显示电源装置1100中发生了过电压的意思。

即，在检测出AC过电压而电源装置的电源被断开的情况下，在下次投入电源时，通过在显示部中显示检测出AC过电压而电源被断开，使用者或维护员能够容易地确认检测出AC过电压而电源被断开。

如上述所述，在第2实施例中，除了第1实施例的效果之外，还得到如下的效果：在检测出AC过电压而电源装置的电源被断开的情况下，在下次投入电源时，通过通知检测出AC过电压而断开了电源，使用者等能够容易地确认检测出AC过电压而电源被断开。

此外，虽然在第1实施例和第2实施例中将印刷装置作为点阵击打式打印机进行了说明，但是不限于此，只要是具有电源装置的设备，也可以是喷墨方式或者电子照相方式的打印机、传真机设备、复印机、以及复合机(MFP)等。

Claims (7)

1.一种电源装置，其中，该电源装置具有：

整流部，其对AC输入进行整流；

平滑部，其使从所述整流部输出的电压平滑；

切换部，其切换所述整流部与所述平滑部的连接或切断；

过电压检测部，其检测施加到所述平滑部的电压的过电压；以及

切换控制部，其在所述过电压检测部检测出过电压的情况下，通过所述切换部切断所述整流部和所述平滑部。

2.根据权利要求1所述的电源装置，其中，

所述平滑部具有电解电容器。

3.根据权利要求2所述的电源装置，其中，

在施加于所述电解电容器的两端的电压成为阈值以上的情况下，所述过电压检测部检测出所述过电压，

所述切换控制部从所述整流部断开所述电解电容器。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的电源装置，其中，

所述切换部是继电器电路部。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的电源装置，其中，

所述过电压检测部具有光电双向可控硅耦合器的发光部，

所述切换控制部具有接受所述发光部发出的光的光电双向可控硅耦合器的受光部，

在检测出所述过电压的情况下，所述过电压检测部使所述发光部发光，

所述切换控制部通过所述受光部接受所述发光部发出的光，从所述整流部断开所述电解电容器，维持断开的状态。

6.一种印刷装置，其中，

该印刷装置具有权利要求1至5中任意一项所述的电源装置。

7.根据权利要求6所述的印刷装置，其中，

该印刷装置具有非易失性存储部，在所述电源装置中检测出过电压的情况下，该非易失性存储部存储从所述电源装置的过电压传达部传达的过电压发生信息，

在电源投入时，在所述非易失性存储部中存储了所述过电压发生信息的情况下，在显示部中显示所述电源装置中发生了过电压的意思。