CN105931945A - 用于清洗晶圆和洗涤器的方法和系统 - Google Patents

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Abstract

提供了在半导体制造中清洗晶圆的方法。该方法包括使用晶圆洗涤器清洗晶圆。该方法还包括将晶圆洗涤器移入搅动的清洗液内。该方法也包括在搅动的清洗液中，在晶圆洗涤器和清洗工作台之间产生接触。此外，该方法包括在通过搅动的清洗液清洗晶圆洗涤器之后，通过晶圆洗涤器清洗晶圆或第二晶圆。本发明的实施例还涉及用于清洗晶圆和洗涤器的方法和系统。

Description

用于清洗晶圆和洗涤器的方法和系统
技术领域
本发明涉及集成电路器件，更具体地，涉及用于清洗晶圆和洗涤器的方法和系统。
背景技术
半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。然而，这些进步也已经增大了处理和制造IC的复杂度，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在IC演化的过程中，功能密度(即，每芯片面积的集成器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))却已减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。
由于污染物(例如，包括微观粒子)可以干扰并且不利地影响随后的处理步骤，从而导致器件退化并且最终导致半导体晶圆废弃，所以半导体制造中的临界条件是在晶圆处理表面上没有污染物。当晶圆清洗工艺总是半导体晶圆制造工艺中的关键步骤时，超净晶圆对器件完整性正变得更加关键。例如，随着半导体部件尺寸减小，粒子污染物的有害影响增大，从而需要去除更小的粒子。此外，随着器件层的数量增大，清洗步骤的数量以及由颗粒污染物导致的器件退化的可能性相应地增大。为了充分地满足在ULSI和VLSI中对超净晶圆的需求，晶圆表面必须基本上没有污染粒子。
期望具有用于清洗晶圆的方法和系统以减少晶圆上的污染物或粒子。
发明内容
本发明的实施例提供了一种用于清洗晶圆的方法，包括：使用晶圆洗涤器清洗所述晶圆；将所述晶圆洗涤器移入搅动的清洗液内；在所述搅动的清洗液中，在所述晶圆洗涤器和清洗工作台之间产生接触；以及在通过所述搅动的清洗液清洗所述晶圆洗涤器之后，通过所述晶圆洗涤器清洗所述晶圆或第二晶圆。
本发明的另一实施例提供了一种用于清洗晶圆的方法，包括：使用晶圆洗涤器清洗所述晶圆；对所述晶圆洗涤器施加搅动的清洗液以清洗所述晶圆洗涤器，其中，所述搅动的清洗液提供有气泡并且以超声频率搅拌；以及在通过所述搅动的清洗液清洗所述晶圆洗涤器之后，通过所述晶圆洗涤器清洗所述晶圆或第二晶圆。
本发明的又一实施例提供了一种用于清洗晶圆的系统，包括：晶圆清洗模块，配置为清洗所述晶圆；以及洗涤器清洗模块，配置为清洗晶圆洗涤器，所述晶圆洗涤器用于清洗所述晶圆，其中，所述洗涤器清洗模块包括：清洗液供应器，配置为在所述晶圆洗涤器上提供清洗液；气体供应器，配置为向所述清洗液提供气泡；搅拌发生器，配置为搅拌所述清洗液；和清洗工作台，其中，当通过所述洗涤器清洗模块清洗所述晶圆洗涤器时，所述晶圆洗涤器相对于所述清洗工作台移动。
附图说明
当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1是根据一些实施例的用于清洗晶圆的系统的截面图。
图2A是根据一些实施例的清洗系统的清洗阶段的顶视图。
图2B和图2C是根据一些实施例的清洗系统的清洗阶段的凸起构件的放大截面图。
图3是根据一些实施例的用于清洗晶圆的方法的流程图。
图4是根据一些实施例的用于在清洗系统中清洗晶圆的工艺的一个清洗阶段的截面图。
图5A至图5C是根据一些实施例的在用于清洗不同晶圆之后的洗涤器的截面图。
图6A和图6B是根据一些实施例的用于在清洗系统中清洗晶圆的工艺的清洗阶段的截面图。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。应该理解，可以在方法之前、期间和之后提供额外的操作，并且对于方法的其他实施例，可以替换或消除一些描述的操作。
图1是根据一些实施例的在半导体制造工艺中用于清洗晶圆的清洗系统1的截面图。清洗系统1包括晶圆清洗模块2、洗涤器模块3和洗涤器清洗模块4。清洗系统1可以包括腔室5。腔室5包含晶圆清洗模块2。晶圆清洗模块2配置为清洗诸如晶圆100的晶圆。
晶圆100可以由硅或其他半导体材料制成。可选地或额外地，晶圆100可以包括诸如锗(Ge)的其他元素半导体材料。在一些实施例中，晶圆100由诸如碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、砷化铟(InAs)或磷化铟(InP)的化合物半导体制成。在一些实施例中，晶圆100由诸如硅锗(SiGe)、碳化硅锗(SiGeC)、磷砷化镓(GaAsP)或磷化镓铟(GaInP)的合金半导体制成。在一些实施例中，晶圆100包括外延层。例如，晶圆100具有位于块状半导体上面的外延层。在一些其他实施例中，晶圆100可以是绝缘体上硅(SOI)衬底或绝缘体上锗(GOI)衬底。
晶圆100可以具有多种器件元件。在晶圆100中形成的器件元件的实例包括晶体管(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管、双极结晶体管(BJT)、高压晶体管、高频晶体管、p沟道和/或n沟道场效应晶体管(PFET/NFET)等)、二极管和/或其他适用的元件。实施多种工艺以形成器件元件，诸如沉积、蚀刻、注入、光刻、退火和/或其他合适的工艺。
根据一些实施例，圆清洗模块2包括晶圆保持器21和清洗液供应器22。晶圆保持器21设置在由腔室5限定的封闭空间中。晶圆保持器21配置为保持并且固定将要清洗的晶圆100。可以通过诸如真空夹持或电子卡盘夹持的夹持机制将晶圆100固定在晶圆保持器21上。晶圆保持器21在水平面上可以是可旋转的。
如图1所示，根据一些实施例，洗涤器模块3包括机械臂31、轴32、刷座33和洗涤器(晶圆洗涤器)34。晶圆洗涤器(或刷子)34通过刷座33支撑在轴32的远端上，轴32连接至机械臂31。在一些实施例中，晶圆洗涤器34可以由合适的聚合物材料制成，诸如聚氨酯(PU)基海绵、聚乙烯醇(PVA)基海绵、其他适用的材料或它们的组合。
在一些实施例中，轴32是可旋转的，从而如果需要的话，可以使刷座33和晶圆洗涤器34旋转。机械臂31响应于控制器6的控制而可垂直和水平地移动。结果，晶圆洗涤器34能够在晶圆清洗模块2和洗涤器清洗模块4之间传递。
根据一些实施例，洗涤器清洗模块4包括容器41、清洗液供应器42、液体出口单元43、搅拌发生器44、气体供应器45和清洗工作台46。
在一些实施例中，容器41包括底壁411、侧壁412和下板414。侧壁412连接至底壁411并且远离底壁411延伸。结果，如图1所示，由底壁411和侧壁412限定清洗空间413。
在一些实施例中，清洗液供应器42连接至容器41并且配置为给容器41提供清洗液。清洗液供应器42包括入口管线421和阀422。入口管线421连接至侧壁412。阀422用于调节来自液体源(图中未示出)的清洗液的流量。然而，应该理解，可以对本发明的实施例作出许多变化和更改。在一些实施例中，容器41还包括覆盖清洗空间413的顶壁，并且入口管线421连接至容器41的顶壁。
在一些实施例中，液体出口单元43连接至容器41并且配置为排出容器41中的液体。液体出口单元43包括出口管线431和阀432。出口管线431连接至底壁411。阀432调节从容器41至废物处理单元的液体的流量。然而，应该理解，可以对本发明的实施例作出许多变化和更改。在一些实施例中，出口管线431连接至侧壁412的在底壁411附近的部分。
在一些实施例中，系统100还包括主机(图中未示出)以根据预定设置控制阀422和432。额外地或可选地，响应于由传感器产生的检测信号来控制阀422和432，传感器用于检测容器41中的液体的污染水平。当污染水平高于最大水平时，传感器向主机触发信号以驱动阀422和432。
在一些实施例中，搅拌发生器44定位在清洗空间413中并且放置在底壁411上。下板414通过搅拌发生器44连接至底壁411。搅拌发生器44配置为将电振荡转换成机械振荡。在一些实施例中，当操作搅拌发生器44时，下板414以超声频率进行振荡。
在一些实施例中，气体供应器45定位在清洗空间413中并且放置在下板414上。然而，应该理解，可以对本发明的实施例作出许多变化和更改。在一些其他实施例中，洗涤器清洗模块4包括许多气体供应器45。一个或多个气体供应器45定位在下板414上，并且其他气体供应器45定位在侧壁412上。只要可以通过洗涤器清洗模块4中的清洗液浸没气体供应器45，可以将气体供应器45放置在清洗空间413中的任何位置中。
在一些实施例中，气体供应器45配置为在清洗空间413内提供气泡。在一些其他实施例中，气体供应器45配置为提供压缩气流。通过泵将来自气体供应器45的气体压缩至一定气压，并且高压气流供应至清洗空间413内以及用于去除晶圆洗涤器中的粒子。
在一些实施例中，清洗工作台46定位在清洗空间413中并且放置在下板414上。清洗工作台46可以放置在清洗空间413的中心。清洗工作台46具有面向清洗空间413的开口的顶面461。在一些实施例中，顶面461用于擦洗晶圆洗涤器34以去除晶圆洗涤器34上的粒子。顶面461可以具有与晶圆洗涤器34的下表面341的尺寸相配的尺寸。可选地，顶面461的尺寸可以大于下表面341的尺寸。
在一些实施例中，清洗工作台46的顶面461是包括形成在其上的许多凸起构件463的粗糙表面。如图2A所示，在清洗工作台46的顶面461上随机地形成凸起构件463。每两个相邻的凸起构件463可以间隔开一定距离。可选地或额外地，每两个相邻的凸起构件463可以彼此邻近布置。在一些实施例中，凸起构件463同心地布置在清洗工作台46的顶面461上。
每个凸起构件463的外表面是弯曲表面以防止对晶圆洗涤器34造成损坏。如图2B所示，在一些实施例中，凸起构件463具有半圆形截面。在一些实施例中，凸起构件463具有半椭圆截面。然而，应该理解，可以对本发明的实施例作出许多变化和更改。凸起构件463可以具有任何配置。在一些实施例中，在清洗工作台46的顶面461上未形成有凸起构件。清洗工作台46的顶面461可以具有包括许多峰的许多波浪带。
图3是根据一些实施例的示出用于清洗晶圆的方法200的流程图。图4至图6是根据一些实施例的用于在清洗系统中清洗晶圆的工艺的一个清洗阶段的截面图。
方法200开始于操作201，其中，使用诸如晶圆洗涤器34的洗涤器清洗一个或多个晶圆(诸如晶圆100)。如图4所示，在一些实施例中，降低洗涤器模块3以使晶圆洗涤器34与晶圆100的后表面102b接触。也通过晶圆保持器21使晶圆100旋转。晶圆洗涤器34适合于从晶圆100去除粒子和/或污染物。在一些实施例中，清洗液供应器22在晶圆清洗操作期间在晶圆100上提供清洗液221。当清洗的晶圆洗涤器34接触正在旋转的晶圆100时，通过晶圆洗涤器34和清洗液221去除晶圆100上的粒子。
在一些实施例中，晶圆洗涤器34从晶圆100的边缘至中心逐渐地向内移动。可选地，晶圆洗涤器34从晶圆100的中心至边缘逐渐地向外移动。由于晶圆100是旋转的，所以通过晶圆洗涤器34完全地擦洗后表面102b。结果，通过晶圆洗涤器34去除晶圆100上的粒子和/或污染物，从而清洗后表面102b。
然而，当晶圆洗涤器34用于清洗晶圆一段时间后，由于粒子(或污染物)在晶圆洗涤器34上累积，所以清洗效率将减小。图5A至图5C是根据一些实施例的在用于清洗不同晶圆之后的晶圆洗涤器34的截面图。
如图5A所示，在使用晶圆洗涤器34清洗晶圆100之后，污染粒子7(或污染物)累积在晶圆洗涤器34上。如图5B所示，在晶圆洗涤器34进一步用于清洗包括晶圆100’的更多晶圆之后，更多的污染粒子7累积在晶圆洗涤器34上。随着晶圆洗涤器34不断地用于清洗晶圆，越来越多的污染粒子7可以粘附至晶圆洗涤器34并且污染晶圆洗涤器34。因此，当晶圆洗涤器34用于清洗新的晶圆时，一些颗粒污染物可以落在新的晶圆上，从而使晶圆洗涤器34的清洗效果退化。
例如，如图5C所示，在晶圆洗涤器34继续用于清洗包括晶圆100”的更多晶圆之后，更多的污染粒子7累积在晶圆洗涤器34上。在一些实施例中，一些污染粒子7从晶圆洗涤器34落下并且留在晶圆100”上。结果，未充分地清洗晶圆100”，这将导致晶圆100”的产量降低。
为了防止上述问题，方法200继续进行至操作202，其中，将晶圆洗涤器34移至洗涤器清洗模块(诸如洗涤器清洗模块4)以通过搅动的清洗液冲洗并且清洗晶圆洗涤器34。
参照图6A，在一些实施例中，在将晶圆洗涤器34放置于容器41内之前，通过清洗液供应器42提供或喷出清洗液8。清洗液8可以包括去离子水、NH4OH溶液、H2O2溶液、HCl溶液或它们的组合。
然后，通过搅拌发生器44超声地搅拌清洗液8。搅拌发生器44能够以从约10KHz至约500KHz的范围内的频率搅拌清洗液8。供应至搅拌发生器的功率为从约20W至约100W。由于清洗液8的超声搅拌，粘附至晶圆洗涤器34的污染粒子7被震动离开晶圆洗涤器34并且分布在由溶液41容纳的清洗液8中。
在一些实施例中，根据晶圆洗涤器34中累积的粒子尺寸改变振荡的频率。例如，如果晶圆洗涤器34中累积的粒子具有相对较大的尺寸，则以低频率振荡清洗液8，从而提高清洗效率。然而，应该理解，可以对本发明的实施例作出许多变化和更改。
在一些实施例中，在将晶圆洗涤器34放置于容器41内之前，不向容器41内供应清洗液8。可以在开始从清洗液供应器42供应清洗水30时操作搅拌发生器44。
方法200继续进行至操作203，其中，在搅动的清洗液8中生成气泡451。在一些实施例中，通过气体供应器(诸如气体供应器45)生成气泡451。气体供应器45可以连接至气体源。从气体源提供至气体供应器45的气体可以包括氮气、氩气或任何其他惰性气体。然而，应该理解，可以对本发明的实施例作出许多变化和更改。从气体源提供的气体可以是任何合适的气体。
在一些实施例中，根据晶圆洗涤器34中累积的粒子尺寸或根据由容器41容纳的液体的污染水平来调整由气体供应器45供应的气体的流速。例如，如果清洗液8的污染水平高于临界值，则将由气体供应器45供应的气体的流速调整为以较高的流速流动，从而提高清洗效率。然而，应该理解，可以对本发明的实施例作出许多变化和更改。
在一些实施例中，在将气体提供至清洗液8内之前，将从气体源提供至气体供应器45的气体压缩至较高的压力。结果，通过气体供应器45喷出气流。在一些实施例中，朝向晶圆洗涤器34供应气流，并且通过该气流冲洗掉晶圆洗涤器34上的粒子。
参照图6B，方法200继续进行至操作204，其中，移动晶圆洗涤器34以与粗糙表面(诸如清洗工作台46的粗糙表面461)产生接触。在一些实施例中，将晶圆洗涤器34垂直地传递至容器41内。在将晶圆洗涤器34浸入搅动的清洗液8之后，循序地朝向清洗工作台46的粗糙表面461移动晶圆洗涤器34，直到在晶圆洗涤器34的下表面341与清洗工作台46的粗糙表面461之间产生接触。
在一些实施例中，在下表面341和粗糙表面461之间产生接触之后，通过机械臂31对晶圆洗涤器34施加推力，从而在下表面341和粗糙表面461之间产生接触压力。晶圆洗涤器34和清洗工作台46之间的接触压力可以为从约1N/m2至约10N/m2。可选地，接触压力在从约1N/m2至约5N/m2的范围内。由于接触压力，晶圆洗涤器34被强迫受压并且变形。结果，从晶圆洗涤器34逐出晶圆洗涤器34中包含的污染液。
在一些实施例中，当实施洗涤器清洗工艺时连续地施加推力。由于在洗涤器清洗操作期间接触压力持续存在，所以在洗涤器清洗操作期间晶圆洗涤器34不与清洗工作台46分离。可以根据处理时间改变接触压力。可以沿着垂直于粗糙表面461的方向施加对晶圆洗涤器34施加的推力。可选地，可以沿着相对于粗糙表面461倾斜的方向施加对晶圆洗涤器34施加的推力。
在一些实施例中，实施晶圆洗涤器34的往复移动，其中，移动晶圆洗涤器34以交替地在晶圆洗涤器34和清洗工作台46之间产生接触和使晶圆洗涤器34从清洗工作台46分离。例如，在产生接触之后，将晶圆洗涤器34从清洗工作台46的粗糙表面461移开。然后，再次将晶圆洗涤器34靠近清洗工作台46移动，以在它们之间产生接触。可以沿着垂直方向上下移动晶圆洗涤器34。可选地，可以以在从约30度至约90度的范围内的角度使晶圆洗涤器34摆动。
在一些实施例中，在往复移动期间，晶圆洗涤器34的下表面341保持在搅动的清洗液8中。即，如图6A所示，晶圆洗涤器34的下表面341从清洗工作台46移开至不高于搅动的清洗液8的液面81的位置。在一些实施例中，用于交替在晶圆洗涤器34和清洗工作台46之间产生接触的操作以及使晶圆洗涤器34从清洗工作台46分离的操作的时间周期在从约10秒至20秒的范围内，从而有效地清洗洗涤器。可选地，时间周期在从约5秒至10秒的范围内。
在一些实施例中，在晶圆洗涤器34和清洗工作台46接触期间，通过轴32使晶圆洗涤器34在清洗液8中旋转。由于凸起构件463和晶圆洗涤器34之间形成的摩擦力，大大地增强了粘附至晶圆洗涤器34的污染粒子7的去除。在一些实施例中，清洗工作台46也可相对于晶圆洗涤器34旋转。在洗涤器清洗操作期间使清洗工作台46旋转。
方法200继续进行至操作205，其中，将清洗后的晶圆洗涤器34移至晶圆清洗模块2(图3)以清洗另一晶圆100’或晶圆100的未被清洗的剩余部分。
在一些实施例中，一旦从洗涤器清洗模块4去除晶圆洗涤器34，通过液体出口单元43排出分布有污染粒子7的清洗液8。然后，清洗液供应器42给容器41内提供清洗液8，并且通过搅拌发生器44搅拌清洗液8。在晶圆洗涤器34清洗晶圆100之后，洗涤器清洗模块4准备用于清洗晶圆洗涤器34。可选地或额外地，洗涤器清洗模块4准备用于清洗来自另一晶圆清洗模块的另一晶圆洗涤器。
在一些实施例中，在洗涤器清洗操作期间，容器41中容纳了分布有污染粒子7的清洗液8。没有清洗液8通过液体出口单元43排出。在一些其他实施例中，在洗涤器清洗操作期间，通过液体出口单元43连续地或周期性地排出分布有污染粒子7的清洗液8。同时，清洗液供应器42将新的清洗液8供应至容器41内，并且通过搅拌发生器44搅拌新的清洗液8。
用于清洗上述晶圆洗涤器的机制的实施例在晶圆洗涤器上施加搅动的清洗液。由于搅拌能量的辅助，有效地清洗了洗涤器。搅动的清洗液中的气泡增强了晶圆洗涤器上累积的粒子的去除。此外，在晶圆洗涤器和粗糙表面之间产生接触也增强了洗涤器上累积的粒子的去除。由于晶圆洗涤器重新用于清洗其他晶圆，所以可以延长关掉清洗系统以替换新的晶圆洗涤器的时间周期，并且减少了制造成本和时间。
根据一些实施例，提供了一种用于在半导体制造中清洗晶圆的方法。该方法包括使用晶圆洗涤器清洗晶圆。该方法还包括将晶圆洗涤器移入搅动的清洗液内。该方法也包括在搅动的清洗液中，在晶圆洗涤器和清洗工作台之间产生接触。此外，该方法包括在通过搅动的清洗液清洗晶圆洗涤器之后，通过晶圆洗涤器清洗晶圆或第二晶圆。
在上述方法中，其中，所述方法还包括：通过相对于所述清洗工作台移动所述晶圆洗涤器，将所述晶圆洗涤器移动为交替地与所述清洗工作台接触和从所述清洗工作台分离。
在上述方法中，其中，所述方法还包括：通过相对于所述清洗工作台移动所述晶圆洗涤器，将所述晶圆洗涤器移动为交替地与所述清洗工作台接触和从所述清洗工作台分离，其中，在将所述晶圆洗涤器移动为交替地与所述清洗工作台接触和从所述清洗工作台分离中，所述晶圆洗涤器的下表面从所述清洗工作台移开至不高于所述搅动的清洗液的液面的位置。
在上述方法中，其中，所述方法还包括：通过相对于所述清洗工作台移动所述晶圆洗涤器，将所述晶圆洗涤器移动为交替地与所述清洗工作台接触和从所述清洗工作台分离，其中，将所述晶圆洗涤器移动为交替地与所述清洗工作台接触和从所述清洗工作台分离的操作的时间周期在从约5秒至约10秒的范围内。
在上述方法中，其中，所述方法还包括：通过相对于所述清洗工作台移动所述晶圆洗涤器，产生接触压力以使所述晶圆洗涤器能够变形。
在上述方法中，其中，所述方法还包括：通过相对于所述清洗工作台移动所述晶圆洗涤器，产生接触压力以使所述晶圆洗涤器能够变形，其中，所述晶圆洗涤器和所述清洗工作台之间的所述接触压力为从约1N/m2至约5N/m2。
在上述方法中，其中，在所述晶圆洗涤器和所述清洗工作台的形成有多个凸起构件的粗糙表面之间产生所述接触。
在上述方法中，其中，通过搅拌发生器使所述搅动的清洗液以从约10KHz至约500KHz的范围内的频率超声地搅拌，并且供应至所述搅拌发生器的功率为从约20W至约100W。
在上述方法中，其中，所述方法还包括：当由洗涤器清洗模块容纳所述搅动的清洗液时，在所述搅动的清洗液中提供气泡，并且所述气泡包括氮气或氩气。
根据一些实施例，提供了一种用于在半导体制造中清洗晶圆的方法。该方法包括使用晶圆洗涤器清洗晶圆。该方法还包括对晶圆洗涤器施加搅动的清洗液以清洗晶圆洗涤器。搅动的清洗液提供有气泡并且以超声频率搅拌。该方法也包括在通过搅动的清洗液清洗晶圆洗涤器之后，通过晶圆洗涤器清洗晶圆或第二晶圆。
在上述方法中，其中，所述方法还包括：供应清洗液；搅拌由洗涤器清洗模块容纳的所述清洗液，以生成所述搅动的清洗液并且向所述搅动的清洗液内提供气泡；以及从所述洗涤器清洗模块排出所述清洗液。
在上述方法中，其中，所述气泡包括氮气或氩气。
在上述方法中，其中，以从约10KHz至约500KHz的范围内的超声频率搅拌所述搅动的清洗液。
在上述方法中，其中，通过搅拌发生器超声地搅拌所述搅动的清洗液，并且供应至所述搅拌发生器的功率为从约20W至约100W。
在上述方法中，其中，对所述晶圆洗涤器施加搅动的清洗液的操作包括将所述晶圆洗涤器浸入所述搅动的清洗液内。
在上述方法中，其中，所述方法还包括：移动所述晶圆洗涤器以在所述晶圆洗涤器和所述洗涤器清洗模块中的粗糙表面之间产生接触。
根据一些实施例，提供了一种用于在半导体制造中清洗晶圆的系统。该系统包括用于清洗晶圆的晶圆清洗模块。该系统也包括用于清洗晶圆洗涤器的洗涤器清洗模块，晶圆洗涤器用于清洗晶圆。洗涤器清洗模块包括清洗液供应器、气体供应器和搅拌发生器。清洗液供应器用于在晶圆洗涤器上提供清洗液。气体供应器用于向清洗液提供气泡。搅拌发生器用于搅拌清洗液。此外，洗涤器清洗模块包括清洗工作台。当通过洗涤器清洗模块清洗晶圆洗涤器时，晶圆洗涤器相对于清洗工作台移动。
在上述系统中，其中，所述清洗工作台包括多个凸起构件，并且所述凸起构件的截面具有弯曲的外表面。
在上述系统中，其中，所述搅拌发生器能够以从约10KHz至约500KHz的范围内的频率搅拌所述清洗液。
在上述系统中，其中，所述系统还包括：容器，其中，所述容器配置为承载用于清洗所述晶圆洗涤器的所述清洗液，并且所述搅拌发生器配置为使所述容器振动，从而搅拌所述清洗液。
虽然详细描述了实施例及它们的优势，但应该理解，在不背离所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，对本发明可作出各种变化、替代和修改。此外，本申请的范围不旨在限制于说明书中所述的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法和步骤的特定实施例。作为本领域的普通技术人员将容易地从本发明中理解，根据本发明，可以利用现有的或今后将被开发的、执行与在本发明所述的对应实施例基本相同的功能或实现基本相同的结果的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤。因此，所附权利要求旨在将这些工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤包括它们的范围内。此外，每一个权利要求构成一个单独的实施例，且不同权利要求和实施例的组合都在本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种用于清洗晶圆的方法，包括：
使用晶圆洗涤器清洗所述晶圆；
将所述晶圆洗涤器移入搅动的清洗液内；
在所述搅动的清洗液中，在所述晶圆洗涤器和清洗工作台之间产生接触；以及
在通过所述搅动的清洗液清洗所述晶圆洗涤器之后，通过所述晶圆洗涤器清洗所述晶圆或第二晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
通过相对于所述清洗工作台移动所述晶圆洗涤器，将所述晶圆洗涤器移动为交替地与所述清洗工作台接触和从所述清洗工作台分离。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在将所述晶圆洗涤器移动为交替地与所述清洗工作台接触和从所述清洗工作台分离中，所述晶圆洗涤器的下表面从所述清洗工作台移开至不高于所述搅动的清洗液的液面的位置。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，将所述晶圆洗涤器移动为交替地与所述清洗工作台接触和从所述清洗工作台分离的操作的时间周期在从约5秒至约10秒的范围内。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
通过相对于所述清洗工作台移动所述晶圆洗涤器，产生接触压力以使所述晶圆洗涤器能够变形。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述晶圆洗涤器和所述清洗工作台之间的所述接触压力为从约1N/m2至约5N/m2。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述晶圆洗涤器和所述清洗工作台的形成有多个凸起构件的粗糙表面之间产生所述接触。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，通过搅拌发生器使所述搅动的清洗液以从约10KHz至约500KHz的范围内的频率超声地搅拌，并且供应至所述搅拌发生器的功率为从约20W至约100W。
9.一种用于清洗晶圆的方法，包括：
使用晶圆洗涤器清洗所述晶圆；
对所述晶圆洗涤器施加搅动的清洗液以清洗所述晶圆洗涤器，其中，所述搅动的清洗液提供有气泡并且以超声频率搅拌；以及
在通过所述搅动的清洗液清洗所述晶圆洗涤器之后，通过所述晶圆洗涤器清洗所述晶圆或第二晶圆。
10.一种用于清洗晶圆的系统，包括：
晶圆清洗模块，配置为清洗所述晶圆；以及
洗涤器清洗模块，配置为清洗晶圆洗涤器，所述晶圆洗涤器用于清洗所述晶圆，其中，所述洗涤器清洗模块包括：
清洗液供应器，配置为在所述晶圆洗涤器上提供清洗液；
气体供应器，配置为向所述清洗液提供气泡；
搅拌发生器，配置为搅拌所述清洗液；和
清洗工作台，其中，当通过所述洗涤器清洗模块清洗所述晶圆洗涤器时，所述晶圆洗涤器相对于所述清洗工作台移动。
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