CN105928465B - 应变传感器以及变形量测定方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种应变传感器及变形量测定方法，应变传感器具备：光源，其射出光；标识器，其被设置于被测定对象物的表面，并反射从光源射出的光；检测部，其检测由标识器反射后的光的光强度；以及信号处理部，其根据由检测部检测出的光强度计算变形量。另外，标识器具备折射率不同的第一介质及第二介质。另外，第二介质在与标识器的设置面平行的平面上与第一介质同时存在，并且，周期性地被排列在第一介质内，第二介质的与标识器的设置面平行的方向的最大长度被形成为比从光源射出的光的波长短，第一介质及第二介质受到与标识器的设置面平行的方向的载荷而变形。
Description
技术领域
本发明涉及应变传感器以及变形量测定方法。
背景技术
以往，为了测定作用于被测定对象物的各种物理量(例如，位移、载荷、加速度等)而使用应变传感器。具体而言，借助应变传感器测定在被测定对象物产生的应变，并将所测定的应变转换为物理量，由此测定物理量。
针对上述应变传感器，近年来出于对构造物进行监测等目的而存在希望测定在构造物整体上产生的应变的需求。即，不是以往的应变点测定而是以场所为单位测定在被测定对象物产生的应变的能够进行应变场测定的应变传感器受到关注。
作为能够进行应变场测定的应变传感器，公开了如下应变传感器，其使用若照射激励光则发光波长因应变的大小而变动的应力发光元件测定每个场所的发光波长的变化量，由此能够进行应变场计测(例如，参照日本特开2014-115220号公报)。
另外，还公开了如下使用莫尔条纹法的应变场计测，即将具有格子图案的标识器粘贴于被测定对象物，使用照相机等拍摄因载荷而产生的格子图案的位移，比较施加载荷前后的图像数据，从而能够实施应变场的计测(例如，参照日本特开2009-264852号公报)。
然而，日本特开2014-115220号公报以及日本特开2009-264852号公报所记载的技术存在难以测定基于纳米尺寸的位移的应变的问题点。
例如，要使用日本特开2014-115220号公报所记载的结构来测定基于纳米尺寸的位移的应变，就需要测定皮米尺寸的发光波长的变动量，但以现有的分光器检测如此微小的发光波长的变动量非常困难。
另外，在日本特开2009-264852号公报所记载的技术中使用照相机测定应变，因此应变的测定精度取决于照相机的分辨率。考虑到现存的照相机的分辨率，要不被噪点淹没来测定应变，测定基于微米尺寸的位移的应变是极限，难以测定基于更加微小的纳米尺寸的位移的应变。
发明内容
本发明鉴于上述情况而产生，目的在于提供一种能够测定基于纳米尺寸的位移的变形量的应变传感器以及变形量测定方法。
为了实现上述课题中的至少一个，反映了本发明的一个方面的应变传感器，具备：光源，其射出光；标识器，其被设置于被测定对象物的表面，使从上述光源射出的光反射或者透过；检测部，其检测由上述标识器反射或透过后的光的光强度；以及信号处理部，其根据由上述检测部检测的光强度计算变形量，上述标识器被形成为具有折射率不同的第一介质及第二介质的平板薄膜状，上述第二介质在与上述标识器的设置面平行的平面上与上述第一介质同时存在，并且，周期性地被排列于上述第一介质内，上述第二介质的与上述标识器的设置面平行的方向上的最大长度被形成为比从上述光源射出的光的波长短，上述第一介质以及上述第二介质受到与上述标识器的设置面平行的方向的载荷而变形。
在上述应变传感器中，优选上述光源射出多束向与上述标识器的设置面平行的方向偏振且各偏振方向不同的光，上述检测部进一步检测由上述标识器反射或透过后的光的偏振方向，上述信号处理部根据由上述检测部检测出的光强度及偏振方向计算应变方向。
在上述应变传感器中，优选上述光源射出向由上述信号处理部计算出的应变方向偏振的第一光、和向与上述第一光垂直的方向偏振的第二光。
在上述应变传感器中，优选上述光源射出随着时间变化而偏振方向不同的光。
在上述应变传感器中，优选上述光源被配置多个，上述多个光源射出偏振方向彼此不同的光。
在上述应变传感器中，优选上述信号处理部根据表示每个偏振方向所具有的上述光强度与上述变形量的对应关系的表数据，计算上述变形量。
在上述应变传感器中，优选上述信号处理部根据表示上述光强度与上述变形量的对应关系的表数据计算上述变形量。
在上述应变传感器中，优选收纳上述第二介质的区域被形成为俯视时以与上述标识器的设置面垂直的方向为中心轴的正圆形状。
在上述应变传感器中，优选在收纳上述第二介质的区域收纳气体。
在上述应变传感器中，优选上述光源及上述检测部被邻接配置，上述光源向与上述标识器的设置面大致垂直的方向射出光。
在上述应变传感器中，优选上述标识器及上述被测定对象物是透明体，上述检测部检测透过了上述标识器的光的光谱强度。
在上述应变传感器中，优选具备测定上述标识器及上述被测定对象物的温度的温度测定部，上述信号处理部根据由上述温度测定部测定的温度，计算上述标识器以及上述被测定对象物的杨氏模量。
在上述应变传感器中，优选上述光源射出波长为1μm以下的光束。
另外，使用了反映本发明的一个方面的应变传感器的变形量测定方法具有根据由上述检测部检测出的光强度计算变形量的工序。
通过下述详细说明与附图会更加完整地理解本发明。但是，这些并不限定本发明。
附图说明
图1是示出本实施方式所涉及的应变传感器的简要结构的图。
图2是示出标识器的结构的俯视图。
图3是示出图2的III-III部分的一个例子的剖视图。
图4A是示出在标识器上产生X方向的载荷前的样子的俯视图。
图4B是示出在标识器上产生了X方向的载荷时的变形的样子的俯视图。
图4C是示出在标识器上产生X方向的载荷前后的第二介质的样子的俯视图。
图5A是示出在标识器上产生Y方向的载荷前的样子的俯视图。
图5B是示出在标识器上产生了Y方向的载荷时的变形的样子的俯视图。
图5C是示出了在标识器上产生Y方向的载荷前后的第二介质的样子的俯视图。
图6是示出变形量与反射光强度的对应关系的图。
图7是示出变形例所涉及的应变传感器的简要结构的图。
图8是示出每个偏振方向的反射光强度的图。
图9是示出第二介质的应变方向及偏振方向的图。
图10是示出变形量与反射光强度的对应关系的图。
图11是示出具有多个光源的应变传感器的简要结构的图。
具体实施方式
下面参照附图详细说明本发明的实施方式。此外，在以下说明中，设图1中的左右方向为X方向，上下方向为Z方向，与X方向及Z方向正交的方向(前后方向)为Y方向。
本实施方式所涉及的应变传感器1是能够利用光来测定在被测定对象物W上产生的应变场的传感器。如图1所示，应变传感器1具备：光源2；标识器3，其被固定于在光源2的Z方向下方所配置的被测定对象物W的上表面，反射从光源2出射的光；检测部4，其被配置于被测定对象物W的Z方向上方，检测由标识器3反射后的光；以及信号处理部5，其根据由检测部4检测出的光来测定被测定对象物W的应变。
光源2向被固定于下方的标识器3射出非偏振的光束(入射光21)。光源2射出1μm以下波长的光束。
标识器3具有反射光的光强度根据因载荷而产生的变形量变动的纳米尺寸的均匀的细孔规则排列而成的纳米孔阵列构造。标识器3如图2及图3所示，具有折射率不同的第一介质31与第二介质32，形成为平板薄膜状，反射从光源2射出的光束。
第一介质31是由铝、金、银、钛、氧化钛等金属或者树脂等形成的大致正方形的板状部件。第一介质31上收纳第二介质32的区域形成为俯视下以Z方向为中心轴的正圆形状。
第二介质32由丙烯酸树脂等形成，形成为俯视下以Z方向为中心轴的正圆形状。第二介质32具有与第一介质31相同的厚度，并且，周期性地排列于第一介质31内。另外，第二介质32的直径X0形成为比光源2的峰值波长短。
另外，构成标识器3的第一介质31及第二介质32如图4及图5所示，相对于与标识器3的固定面平行的方向的载荷而变形。
例如，如图4(A)及图4(B)所示，在标识器3上产生了X方向的载荷(X载荷711)的情况下，标识器3在X方向上变位。如图4(C)所示，如果将负载X载荷711前的第二介质设为320，将负载X载荷711后的第二介质设为321，将负载载荷前的第二介质320的直径设为X0，将负载载荷后的第二介质321的直径设为X1，则因X载荷711而在标识器3上产生的变形量εx能够由公式(1)计算。
公式(1)：εx＝(X1-X0)/X0
另外，图5(A)～图5(C)是示出在标识器3上产生了Y方向的载荷(Y载荷712)的情况下标识器3在Y方向上变位的图。如图5(C)所示，如果设负载Y载荷712前的第二介质为320，负载Y载荷712后的第二介质为321，负载载荷前的第二介质320的直径为Y0，负载载荷后的第二介质321的直径为Y1，则因Y载荷712而在标识器3上产生的变形量εy能够由公式(2)计算。
公式(2)：εy＝(Y1-Y0)/Y0
检测部4检测由标识器3反射后的光束(反射光22)的光强度。由检测部4检测出的反射光22的光强度被输出到信号处理部5。
信号处理部5根据从检测部4输出的反射光22的光强度计算被测定对象物W的变形量。具体而言，信号处理部5根据表示光强度与变形量的对应关系的表数据(参照图6)计算变形量。
接下来，参照图6说明使用本实施方式所涉及的应变传感器1计算在标识器3上产生的变形量的方法。此外，可测定的位移量的范围取决于光源2的波长、第二介质32的直径X0的长度。因此，通过将光源2的波长及第二介质的直径X0规定为纳米尺寸，能够测定基于纳米尺寸的位移的变形量。当然通过适当设定光源2的波长、构造体的大小、材料等，能够测定基于微米或其以上位移所产生的变形量。
【实施例】
在实施例中，作为标识器3，使用了第一介质31的厚度Z0为200nm、第二介质32的直径X0为200nm、第二介质32的周期C0为300nm的标识器。另外，使用了铝(Al)作为第一介质31，使用了二氧化硅(SiO2)作为第二介质32。另外，光源2使用了非偏振光且峰值波长约700nm的光源。
图6是表示变形量ε与反射光强度的对应关系的表数据。使用“反射光22的光量÷入射光21的光量”来计算反射光强度。在实施例中，如图6所示，随着负载载荷(变形量ε增大)，反射光强度单调减小。这是因为如果在标识器3上产生载荷，则标识器3所包含的第二介质32的形状因载荷而变形，标识器3的表面所产生的表面等离子体的特性发生变化。
在信号处理部5，预先准备图6所示的表数据，从而能够根据由检测部4检测出的反射光强度计算在标识器3上产生的变形量ε。例如，在检测部4检测出的反射光强度为0.60的情况下，能够参照图6所示的表数据，计算与反射光强度0.60相对应的变形量ε(≈0.10)。
如上所述，本实施方式所涉及的应变传感器1具备：光源2，其射出光；标识器3，其被固定于被测定对象物W的表面，反射从光源2射出的光；检测部4，其检测由标识器3反射后的光的光强度；以及信号处理部5，其根据由检测部4检测出的光强度来计算变形量。另外，标识器3形成为具有折射率不同的第一介质31及第二介质32的平板薄膜状。另外，第二介质32具有与第一介质31相同的厚度，并且，周期性地排列于第一介质31内，第二介质32的与标识器3的固定面平行的方向的最大长度形成为比从光源2射出的光的波长短，第一介质31及第二介质32相对于与标识器3的固定面平行的方向的载荷而变形。
因此，根据本实施方式所涉及的应变传感器1，将光源2的波长与第二介质32的直径的长度规定为纳米尺寸(例如，使用在元件表面规则排列着纳米尺寸的均匀的细孔的纳米孔阵列构造材料)，由此能够将可测定的位移量的范围规定为纳米尺寸，因此能够测定基于纳米尺寸的位移的变形量。
另外，根据本实施方式所涉及的应变传感器1，信号处理部5根据表示光强度与变形量的对应关系的表数据来计算变形量，因此能够减少环境误差、制造误差，从而能够提高变形量的检测精度。
另外，根据本实施方式所涉及的应变传感器1，收纳第二介质32的区域形成为俯视下以与标识器3的固定面垂直的方向为中心轴的正圆形状，因此能够在平面上的所有方向上恒定保持对应变的灵敏度，能够容易地实施变形量的检测。
另外，根据本实施方式所涉及的应变传感器1，由于光源2射出波长为1μm以下的光束，因此能够将可测定的位移量的范围规定为纳米尺寸，能够高精度地测定基于纳米尺寸的位移的变形量。
此外，根据本实施方式所涉及的应变传感器1，将光源2的波长设定为1μm以上，能够将可测定的位移量的范围规定为微米尺寸，能够高精度地测定基于微米尺寸的位移的变形量。
以上，根据本发明所涉及的实施方式具体进行了说明，但本发明并不局限于上述实施方式，能够在不脱离其要旨的范围内进行变更。
(变形例)
在变形例所涉及的应变传感器1A中，例如，如图7～图10所示，与实施方式的应变传感器1相比，光源2A、检测部4A及信号处理部5A的结构不同。此外，为了简化说明，对与实施方式相同的结构标注相同的附图标记，省略其详细说明。
如图7所示，光源2A向被固定于下方的标识器3射出直线偏振的光束(入射光21A)。
检测部4A检测由标识器3反射后的光束(反射光22A)的光强度及偏振方向。
信号处理部5A根据从检测部4A输出的反射光22A的光强度及偏振方向，计算被测定对象物W的应变方向以及变形量。具体而言，信号处理部5A首先根据从检测部4A输出的反射光22A的光强度及偏振方向，将具有最大光强度的偏振方向设为被测定对象物W的应变方向进行计算。继而，信号处理部5A根据表示所计算出的应变方向上的光强度与变形量的对应关系的表数据(参照图10)计算变形量。
接下来，参照图8～图10说明使用变形例所涉及的应变传感器1A计算在标识器3上产生的变形量的方法。
在变形例中，作为标识器3，使用了第一介质31的厚度Z0为200nm、第二介质32的直径X0为200nm、第二介质32的周期C0为300nm的标识器。另外，使用了铝(Al)作为第一介质31，使用了二氧化硅(SiO2)作为第二介质32。另外，光源2A使用了为直线偏振光且峰值波长约700nm的光源。此外，在变形例中，从光源2A射出偏振方向随着时间变化而有所不同的光，测定了各偏振方向上的光强度。
图8是将每个偏振方向θ的反射光强度图表化的图。如图9所示，偏振方向θ是在XY平面上从X方向偏振的角度。如图8所示，如果在XY平面上的任一方向上产生单轴载荷，则标识器3的反射光强度因其偏振方向而产生差异。这是因为第二介质32因载荷而从正圆形状变位为椭圆形状，因偏振方向，第二介质32的直径的大小产生差异，标识器3的表面所产生的表面等离子体的特性发生变化。在变形例的条件下，如果第二介质32的直径的大小增大，则反射光强度增大。即，被测定对象物W的应变方向是第二介质32的直径变为最大的方向，第二介质32的直径变为最大的方向是具有最大的反射光强度的偏振方向。例如，如图8所示，在获得了像“有载荷”这样的反射光强度的特性的情况下，变为最大的反射光强度的偏振方向θ为45°，应变方向被计算为45°。
图10是表示变形量ε与反射光强度的对应关系的表数据。在信号处理部5A中，按照每个偏振方向(应变方向)预先准备图10所示的表数据，从而能够根据由检测部4A检测出的反射光强度及偏振方向，计算在标识器3上产生的变形量ε。例如，在偏振方向θ的偏振光照射标识器3时，在检测部4A检测出的反射光强度为0.70的情况下，参照图10所示的偏振方向θ的表数据，能够计算与反射光强度0.70相对应的变形量ε(≈0.10)。
如上所述，根据变形例所涉及的应变传感器1A，光源2A射出多束向与标识器3的固定面平行的方向偏振且偏振方向彼此不同的光，检测部4A进一步检测由标识器3反射后的光的偏振方向，信号处理部5A根据由检测部4A检测出的光强度及偏振方向计算应变方向。
因此，根据变形例所涉及的应变传感器1A，能够检测多个偏振方向的反射光强度，因此能够根据各偏振方向的反射光强度之差测定最大应变方向。另外，能够根据测定出的最大应变方向的光强度测定最大应变方向的变形量。
另外，根据变形例所涉及的应变传感器1，光源2A射出随着时间变化而偏振方向有所不同的光，因此仅具备一个光源2A就能测定各偏振方向上的光强度，能够实现光源2A及检测部4A的小型化与成本减少。
另外，根据变形例所涉及的应变传感器1，信号处理部5A根据表示每个偏振方向所具备的光强度与变形量的对应关系的表数据计算变形量，因此能够减少环境误差、制造误差，从而能够提高变形量的检测精度。
此外，变形例是根据表示光强度与变形量的对应关系的表数据(参照图10)计算变形量，但并不局限于此。例如，也可以根据由检测部4A检测出的光强度，通过规定的计算式计算。
另外，在上述变形例中，信号处理部5A根据由检测部4A检测出的光强度及偏振方向计算应变方向，但并不局限于此。例如，也可以在由信号处理部5A计算出应变方向后，从光源2A射出向该计算出的应变方向偏振的第一光、和向与第一光垂直的方向偏振的第二光。
由此，能够计算第二介质32的俯视形状亦即椭圆的长轴的长度(应变方向的变形量)、短轴的长度(与应变方向垂直的方向的变形量)以及旋转角度θ，能够测定标识器3整体的应变情况。
另外，在上述变形例中，从一个光源2A射出随着时间变化而偏振方向有所不同的光，但并不局限于此。例如，也可以如图11所示的应变传感器1B那样，配置多个光源2B，从多个光源2B射出偏振方向彼此不同的光(入射光21B)。
在该情况下，检测部4B检测由标识器3反射后的光束(反射光22B)的光强度及偏振方向。信号处理部5B根据从检测部4B输出的反射光22B的光强度及偏振方向，计算被测定对象物W的应变方向及变形量。
由此，能够向标识器3射出多束偏振方向不同的光束，因此能够通过一次测定获得大量数据，从而能够提高应变方向及变形量的测定精度。另外，能够通过一次测定计算应变方向及变形量，因此能够缩短测定时间。
(其他变形例)
另外，在上述实施方式中，根据表示光强度与变形量的对应关系的表数据(参照图6)计算变形量，但并不局限于此。例如，也可以根据由检测部4检测出的光强度，通过规定的计算式计算。
另外，在上述实施方式中，将收纳第二介质32的区域形成为俯视时以Z方向(与标识器3的固定面垂直的方向)为中心轴的正圆形状，但并不局限于此。即，只要是与标识器3的固定面平行的方向的最大长度比从光源2射出的光的波长短的形状，则可以是任何形状，例如可以是椭圆形状、矩形状等。
另外，在上述实施方式中，第二介质32由丙烯酸树脂等形成，但并不局限于此。例如，也可以在收纳第二介质32的区域收纳气体。在该情况下，可以密封任意的气体，也可以将第二介质32的区域设为空间，由此将空气设为第二介质32。
通过在收纳第二介质32的区域收纳气体，在标识器3变位时不会在第一介质31与第二介质32之间产生缝隙，另外，在标识器3的温度上升了的情况下，也能够减小因第一介质31与第二介质32的热膨胀之差而产生的应力，因此能够进一步提高变形量的检测精度。
另外，在上述实施方式中，如图1所示，将光源2与检测部4分开配置，但并不局限于此。即，也可以使光源2及检测部4邻接配置，并且从光源2向与标识器3的固定面大致垂直的方向射出光。
由此，能够相对于标识器3大致垂直地入射光束，因此能够极力抑制因光束的入射角度而产生的分光强度的偏差，从而能够确保变形量的测定精度的稳定性。
另外，在上述实施方式中，例举说明了由标识器3反射从光源2射出的光束的结构，但并不局限于此。例如，也可以通过将标识器3及被测定对象物W设为透明体而形成从光源2射出的光束透过标识器3及被测定对象物W的结构。在该情况下，检测部4被配置于从光源2射出的光束透过标识器3及被测定对象物W后的前方，检测由标识器3透过了的光的光谱强度。
由此，能够使用透过了标识器3及被测定对象物W的光来测定变形量，因此与使用了反射光的测定相比，能够更加提高测定精度。
另外，可以具备测定标识器3及被测定对象物W的温度的温度测定部，信号处理部5根据由温度测定部测定出的温度，计算标识器3及被测定对象物W的杨氏模量。
由此，能够根据计算出的杨氏模量修正测定值，因此能够进一步提高变形量的测定精度。另外，不仅能计算变形量，还能计算因载荷产生的应力。
另外，在上述实施方式中，将标识器3固定于被测定对象物W的表面，但并不局限于此。即，只要标识器3被设置于被测定对象物W的表面即可，更加优选通过粘合等将标识器3固定于被测定对象物W的表面，但例如也可以是将标识器3载置于被测定对象物W的表面的结构。
另外，在上述实施方式中，例举说明了第二介质32具有与第一介质31相同的厚度的结构，但并不局限于此。即，只要是第二介质32在与标识器3的设置面平行的平面上与第一介质31同时存在的结构即可，例如，可以是第二介质32的厚度薄于第一介质31的厚度的结构。
此外，有关构成应变传感器的各装置的细节结构及各装置的细节动作，可在不脱离本发明的主旨的范围内适当变更。
根据本发明的优选实施方式的一个方面，提供如下应变传感器，其具备：光源，其射出光；标识器，其被配置于被测定对象物的表面，并反射或透过从上述光源射出的光；检测部，其检测由上述标识器反射或透过后的光的光强度；以及信号处理部，其根据由上述检测部检测出的光强度来计算变形量，上述标识器形成为具有折射率不同的第一介质及第二介质的平板薄膜状，上述第二介质在与上述标识器的设置面平行的平面上与上述第一介质同时存在，并且，被周期性地排列在上述第一介质内，上述第二介质的与上述标识器的设置面平行的方向的最大长度形成为比从上述光源射出的光的波长短，上述第一介质及上述第二介质相对于与上述标识器的设置面平行的方向的载荷而变形。
该应变传感器能够测定基于纳米尺寸的位移的变形量。
本申请以2015年2月26日向日本专利局申请的日本特愿2015-036053号专利为基础，本申请中的全部记载内容都被日本特愿2015-036053号专利公开。
Claims (13)
1.一种应变传感器，其特征在于，具备：
光源，其射出光；
标识器，其被设置于被测定对象物的表面，反射或透过从上述光源射出的光；
检测部，其检测由上述标识器反射或透过后的光的光强度；以及
信号处理部，其根据由上述检测部检测出的光强度计算变形量，
上述标识器被形成为具有折射率不同的第一介质及第二介质的平板薄膜状，
上述第二介质在与上述标识器的设置面平行的平面上与上述第一介质同时存在，并且周期性地被排列于上述第一介质内，
上述第二介质的与上述标识器的设置面平行的方向的最大长度被形成为比从上述光源射出的光的波长短，
上述第一介质及上述第二介质相对于与上述标识器的设置面平行的方向的载荷而变形，
上述光源射出多束向与上述标识器的设置面平行的方向偏振且偏振方向彼此不同的光，
上述检测部进一步检测由上述标识器反射或透过后的光的偏振方向，
上述信号处理部根据由上述检测部检测出的光强度及偏振方向计算应变方向。
2.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，
上述光源射出向由上述信号处理部计算出的应变方向偏振的第一光、和向与上述第一光垂直的方向偏振的第二光。
3.根据权利要求1或2所述的应变传感器，其中
上述光源射出随着时间变化而偏振方向不同的光。
4.根据权利要求1或2所述的应变传感器，其中，
上述光源被配置多个，
上述多个光源射出偏振方向彼此不同的光。
5.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，
上述信号处理部根据表示每个偏振方向所具备的上述光强度与上述变形量的对应关系的表数据计算上述变形量。
6.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，
上述信号处理部根据表示上述光强度与上述变形量的对应关系的表数据计算上述变形量。
7.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，
收纳上述第二介质的区域被形成为俯视时以与上述标识器的设置面垂直的方向为中心轴的正圆形状。
8.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，
在收纳上述第二介质的区域收纳气体。
9.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，
上述光源及上述检测部被邻接配置，
上述光源向与上述标识器的设置面大致垂直的方向射出光。
10.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，
上述标识器及上述被测定对象物为透明体，
上述检测部检测透过了上述标识器的光的光谱强度。
11.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，
具备测定上述标识器及上述被测定对象物的温度的温度测定部，
上述信号处理部根据由上述温度测定部测定出的温度，计算上述标识器及上述被测定对象物的杨氏模量。
12.根据权利要求1所述的应变传感器，其中，
上述光源射出波长为1μm以下的光束。
13.一种变形量测定方法，其使用了权利要求1～12中任一项所述的应变传感器，其特征在于，
具有根据由上述检测部检测出的光强度计算变形量的工序。
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