CN105870276A - 一种ito结构led芯片及其切割方法 - Google Patents
一种ito结构led芯片及其切割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105870276A CN105870276A CN201610412856.9A CN201610412856A CN105870276A CN 105870276 A CN105870276 A CN 105870276A CN 201610412856 A CN201610412856 A CN 201610412856A CN 105870276 A CN105870276 A CN 105870276A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- ito
- thin film
- cutting
- ito thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 239000007771 core particle Substances 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910004286 SiNxOy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 108090000723 Insulin-Like Growth Factor I Proteins 0.000 description 2
- 102000013275 Somatomedins Human genes 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 2
- 210000001142 back Anatomy 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种ITO结构LED芯片及其切割方法，该方法先制成发光二极管外延片；然后在外延片上制作ITO薄膜层；在ITO薄膜层上制作出带切割走道的介质膜层；经过湿法或干法蚀刻制作出图形化的ITO薄膜层和p‑GaP窗口层；在图形化的ITO薄膜层和p‑GaP窗口层上制作金属电极层；采用钻石刀片对应预制作的切割走道进行芯粒切割。本发明采用预制作的切割走道宽度大于刀片厚度4‑6μm，这样避免了钻石刀片与ITO薄膜直接接触，减少对高速旋转状态的钻石切割刀片的阻力，并解决了ITO薄膜和GaP薄膜在刀片切割时直接接触容易伴随碎屑附着和产生的崩角、崩边、裂纹等问题，极大地提升了产品的外观质量、可靠性和成品良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光二极管芯片制造技术领域，尤其是涉及一种
ITO
结构
LED
芯片及其切割方法。
背景技术
发光二极管具有高光效、低能耗、长寿命、多波段等优势，是一种有广阔应用前景的新光源，目前
AlGaInP
发光二极管已大量应用于高效固态照明领域中，如显示屏、汽车用灯、背光源、交通信号灯、景观照明等。
作为
AlGaInP
发光二极管首选的半导体
GaAs
衬底材料，其化学性质稳定，具有与
AlGaInP
材料晶格匹配性佳、导电性、导热性好、制造的晶体质量高、大批量制造成本低等明显优势。对于
GaAs
衬底的
AlGaInP LED
芯片，一般采用精密切割机系统，预先编程设定切割路径条件，利用高速旋转（
30000-45000r/min
）的超薄钻石刀片（厚度为
10-25
μ
m
）对
AlGaInP LED
芯片进行切割，使
AlGaInP LED
芯片分割成为单个的芯粒。掺锡氧化铟（
IndiumTinOxide
），一般简称为
ITO
。如图
1
所示，常规具有
ITO
结构的
AlGaInP LED
一般为在
GaAs
衬底
100
一面依次设置的缓冲层
101
、
n-AIGaInP
限制层
102
、
MQW
多量子阱有源层
103
、
p-AIGaInP
限制层
104
和
p-GaP
窗口层
105
，在
p-GaP
窗口层
105
上制作
ITO
薄膜层
106
，在
ITO
薄膜层
106
上设置有金属电极
107
，在
GaAs
衬底背面设置有背电极层
201
。由于
GaAs
衬底材料属于硬脆材料，特别是对于常规
ITO
结构的
AlGaInP LED
芯片而言，在芯片制造过程中会在外延片上表面生长一层
ITO
薄膜层，然后再进行制作金属电极层，这使得
AlGaInP LED
芯片本身的应力增加，而且
ITO
薄膜层与外延层的结合力远小于外延片内部的各个外延层之间的结合力，再加上切割时超薄钻石刀片直接接触
ITO
薄膜层、外延层和
GaAs
衬底，这就使得
AlGaInP LED
芯片加工时极其容易造成不同程度的物理损伤，特别是在
AlGaInP LED
芯片的正面周围、边缘容易产生外延层和
GaAs
衬底材料的崩角、崩边、裂纹、裂纹等问题，从而影响
AlGaInP LED
芯片的外观质量和可靠性，产品合格率低。
发明内容
本发明的第一个目的在于提供一种外观质量好、可靠性高的
ITO
结构
LED
芯片。
本发明的第二个目的在于提供一种便于生产、合格率高的
ITO
结构
LED
芯片的切割方法。
本发明的第一个目的是这样实现的：
一种
ITO
结构
LED
芯片，包括
GaAs
衬底，在
GaAs
衬底的上面依次设有外延生长缓冲层、
n-AIGaInP
限制层、多量子阱（
multiple quantum well
，
MQW
）有源层、
p-AIGaInP
限制层和
p-GaP
窗口层，在
p-GaP
窗口层上设有
ITO
薄膜层，在
GaAs
衬底的下面设有背电极，特征是：在
ITO
薄膜层上设有图形化的钻石刀片切割走道，在图形化的
ITO
薄膜层上设有金属电极层。
本发明的第二个目的是这样实现的：
一种
ITO
结构
LED
芯片的切割方法，其特征在于
:
包括以下步骤：
（
1
）、在
GaAs
衬底的上面依次设有外延生长缓冲层、
n-AIGaInP
限制层、多量子阱有源层、
p-AIGaInP
限制层和
p-GaP
窗口层，取得发光二极管外延片；
（
2
）、在
p-GaP
窗口层上蒸镀
ITO
薄膜层；
（
3
）、在
ITO
薄膜层上制作图形化的钻石刀片切割走道：在
ITO
薄膜层上采用
PECVD
生长一层介质膜，采用光刻和湿法蚀刻方式制作出介质膜图形，图形的走道与钻石刀片切割走道相对应，利用
ITO
和
GaP
腐蚀液湿法蚀刻方法或者采用干法蚀刻方法对没有介质膜层的保护区域进行腐蚀，再利用介质膜腐蚀液将介质膜层去除；
（
4
）、采用负胶套刻和蒸镀方式在图形化的
ITO
薄膜层上制作图案化的金属电极层；
（
5
）、在
GaAs
衬底的下面制作背电极；
（
6
）、采用精密切割机系统，预先编程设定切割路径条件，利用高速旋转的超薄钻石刀片对于
AlGaInP LED
芯片进行切割，使
AlGaInP LED
芯片分割成为单个的芯粒。
介质膜层为
SiO2
或
SiNxOy
（
x>0
，
0<y<2
）中的一种或多种组合。
在步骤（
3
）中，钻石刀片切割走道的宽度大于刀片的厚度
4-6
μ
m
。
在步骤（
3
）中，
GaP
层蚀刻深度为
3000
±
500nm
。
本发明采用光刻和湿法蚀刻方式制作出图案化的介质膜层，进而采用
GaP
腐蚀液对没有介质膜层区域的
ITO
薄膜和
GaP
层进行可控深度的蚀刻。
本发明是相邻两钻石刀片切割走道之间间距同芯片尺寸相同，切割走道宽度可以根据不同厚度的钻石切割刀片进行相应缩放，保持大于刀片厚度
4-6
μ
m
，切割走道区域的
ITO
薄膜层和部分厚度
GaP
层会被提前移除，这样就避免了钻石刀片与
ITO
薄膜的直接接触，减少对高速旋转状态的钻石切割刀片的阻力，并解决了
ITO
薄膜和
GaP
层在刀片切割时直接接触容易伴随碎屑附着和产生的崩角、崩边、裂纹等问题，极大地提升了产品的外观质量、可靠性和成品良率。
本发明在步骤（
3
）中，
PECVD
制作的介质膜层为
SiO2
或
SiNxOy
等绝缘材料制成，其中
x>0
，
0<y<2
。获得稳定图案化的介质膜，避免了
ITO
和
GaP
腐蚀溶液影响，从而制作出设计的图案化切割走道。
本发明在步骤（
3
）中，
GaP
层蚀刻深度为
3000
±
500nm
，利用湿法或干法蚀刻方法进行蚀刻。
因此，本发明具有
AlGaInP LED
芯片的外观质量好、便于生产、可靠性高、合格率高等优点，解决了
ITO
薄膜和
GaP
层在刀片切割时直接接触容易伴随碎屑附着和产生的崩角、崩边、裂纹等问题，极大地提升了产品的外观质量、可靠性和成品良率。
附图说明
图
1
为现有的常规
ITO
结构的
AlGaInP
发光二极管结构示意图；
图
2
为本发明的结构示意图；
图
3
为发光二极管外延片的截面示意图；
图
4
为在发光二极管外延片上制作
ITO
薄膜层和生长介质膜层的截面示意图；
图
5
为在介质膜层制作图案化切割走道的截面示意图；
图
6
为发光二极管外延片上蒸镀了
ITO
薄膜层的截面示意图。
具体实施方式
下面结合实施例并对照附图对本发明作进一步详细说明。
如图
2
所示，一种
ITO
结构
LED
芯片，包括
GaAs
衬底
100
，在
GaAs
衬底
100
的上面依次设有外延生长缓冲层
101
、
n-AIGaInP
限制层
102
、多量子阱有源层
103
、
p-AIGaInP
限制层
104
和
p-GaP
窗口层
105
，在
p-GaP
窗口层
105
上设有
ITO
薄膜层
106
，在
ITO
薄膜层
106
上设有图形化的钻石刀片切割走道
109
，在图形化的
ITO
薄膜层
106
上设有金属电极层
108
；在
GaAs
衬底
100
的下面设有背电极
201
。
一种
ITO
结构
LED
芯片的切割方法，包括以下步骤：
1
、制备发光二极管外延片：如图
3
所示，在
GaAs
衬底
100
的上面采用金属有机化学气相沉积（
MOCVD
）依次外延生长缓冲层
101
、
n-AIGaInP
限制层
102
、多量子阱有源层
103
、
p-AIGaInP
限制层
104
和
p-GaP
窗口层
105
。其中
p-GaP
窗口层
105
的表层高掺杂层的厚度优选
500
±
50
埃，掺杂浓度优选
5
×
1019cm-3
以上；
2
、如图
4
所示，在
p-GaP
窗口层
105
上采用蒸发镀膜方法蒸镀
ITO
薄膜层
106
，
ITO
薄膜层
106
优选厚度为
3000
±
200
埃；
3
、如图
4
所示，在
ITO
薄膜层
106
上采用
PECVD
生长介质膜层
107
，介质膜层
107
优选厚度为
2000
±
100
埃；
4
、如图
5
所示，在介质膜层
107
上采用光刻和蚀刻制作图案化切割走道
109
；
5
、如图
6
所示，在图形化
ITO
薄膜层
106
上制作金属电极层
108
；金属电极层
108
为圆形，直径
90um
，材料为
Cr/Au
，厚度
50/2500nm
；
6
、在
GaAs
衬底
100
的下面制作
n
电极层
201
，电极材料采用
AuGeNi/Au,
厚度为
150/200nm
；而后在
420
℃的氮气氛围中进行熔合，以获得背电极
201
和
GaAs
衬底
100
形成良好的欧姆接触。
、采用精密切割机系统，预先编程设定切割路径条件，利用高速旋转（
30000-45000r/min
）的超薄钻石刀片
301
（厚度为
10-25um
）对于
AlGaInP LED
芯片进行切割，使
AlGaInP LED
芯片分割成为单个的芯粒。
Claims (6)
1.一种ITO结构LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有外延生长缓冲层、n-AIGaInP限制层、多量子阱有源层、p-AIGaInP限制层和p-GaP窗口层，在p-GaP窗口层上设有ITO薄膜层，在GaAs衬底的下面设有背电极，其特征在于:在ITO薄膜层上设有图形化的钻石刀片切割走道，在图形化的ITO薄膜层上设有金属电极层。
2.一种ITO结构LED芯片的切割方法，其特征在于:包括以下步骤：
（1）、在GaAs衬底的上面依次设有外延生长缓冲层、n-AIGaInP限制层、多量子阱有源层、p-AIGaInP限制层和p-GaP窗口层，取得发光二极管外延片；
（2）、在p-GaP窗口层上蒸镀ITO薄膜层；
（3）、在ITO薄膜层上制作图形化的钻石刀片切割走道：在ITO薄膜层上采用PECVD生长一层介质膜，采用光刻和湿法蚀刻方式制作出介质膜图形，图形的走道与钻石刀片切割走道相对应，利用ITO和GaP腐蚀液湿法蚀刻方法或者采用干法蚀刻方法对没有介质膜层的保护区域进行腐蚀，再利用介质膜腐蚀液将介质膜层去除；
（4）、采用负胶套刻和蒸镀方式在图形化的ITO薄膜层上制作图案化的金属电极层；
（5）、在GaAs衬底的下面制作背电极；
（6）、采用精密切割机系统，预先编程设定切割路径条件，利用高速旋转的超薄钻石刀片对于AlGaInP LED芯片进行切割，使AlGaInP LED芯片分割成为单个的芯粒。
3.根据权利要求2所述的ITO结构LED芯片的切割方法，其特征在于：介质膜层为SiO2或 SiNxOy （x>0，0<y<2）中的一种或多种组合。
4.根据权利要求2所述的ITO结构LED芯片的切割方法，其特征在于：钻石刀片切割走道的宽度大于刀片厚度4-6μm。
5.根据权利要求2所述的ITO结构LED芯片的切割方法，其特征在于：图形化的ITO薄膜层上的金属电极材料为Ge、Au、Ni中的一种或多种组合。
6.根据权利要求2所述的ITO结构LED芯片的切割方法，其特征在于：在步骤（3）中，GaP层蚀刻深度为3000±500nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610412856.9A CN105870276B (zh) | 2016-06-13 | 2016-06-13 | 一种具有ito结构的led芯片及其切割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610412856.9A CN105870276B (zh) | 2016-06-13 | 2016-06-13 | 一种具有ito结构的led芯片及其切割方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105870276A true CN105870276A (zh) | 2016-08-17 |
| CN105870276B CN105870276B (zh) | 2018-05-29 |
Family
ID=56649269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610412856.9A Active CN105870276B (zh) | 2016-06-13 | 2016-06-13 | 一种具有ito结构的led芯片及其切割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105870276B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112447890A (zh) * | 2019-08-29 | 2021-03-05 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种改善led芯片制造良率的方法 |
| CN112542534A (zh) * | 2019-09-20 | 2021-03-23 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种表面生长ito和铝电极的led晶片切割方法 |
| CN114068767A (zh) * | 2020-07-30 | 2022-02-18 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种砷化镓基led管芯的制作方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101055908A (zh) * | 2006-04-14 | 2007-10-17 | 大连路美芯片科技有限公司 | 一种蓝宝石衬底上的发光二极管芯片的制作方法 |
| CN101604715A (zh) * | 2008-06-10 | 2009-12-16 | 普光科技（广州）有限公司 | 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN101937960A (zh) * | 2010-08-20 | 2011-01-05 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种垂直结构AlGaInP发光二极管及其制造方法 |
| US20120156815A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | Method for fabricating light emitting diode chip |
| CN102856453A (zh) * | 2012-09-14 | 2013-01-02 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 具有布拉格反射结构的四元系led芯片 |
| CN205790045U (zh) * | 2016-06-13 | 2016-12-07 | 南昌凯迅光电有限公司 | 一种ito结构led芯片 |
-
2016
- 2016-06-13 CN CN201610412856.9A patent/CN105870276B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101055908A (zh) * | 2006-04-14 | 2007-10-17 | 大连路美芯片科技有限公司 | 一种蓝宝石衬底上的发光二极管芯片的制作方法 |
| CN101604715A (zh) * | 2008-06-10 | 2009-12-16 | 普光科技（广州）有限公司 | 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN101937960A (zh) * | 2010-08-20 | 2011-01-05 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种垂直结构AlGaInP发光二极管及其制造方法 |
| US20120156815A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | Method for fabricating light emitting diode chip |
| CN102856453A (zh) * | 2012-09-14 | 2013-01-02 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 具有布拉格反射结构的四元系led芯片 |
| CN205790045U (zh) * | 2016-06-13 | 2016-12-07 | 南昌凯迅光电有限公司 | 一种ito结构led芯片 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112447890A (zh) * | 2019-08-29 | 2021-03-05 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种改善led芯片制造良率的方法 |
| CN112447890B (zh) * | 2019-08-29 | 2021-11-02 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种改善led芯片制造良率的方法 |
| CN112542534A (zh) * | 2019-09-20 | 2021-03-23 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种表面生长ito和铝电极的led晶片切割方法 |
| CN112542534B (zh) * | 2019-09-20 | 2022-04-05 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种表面生长ito和铝电极的led晶片切割方法 |
| CN114068767A (zh) * | 2020-07-30 | 2022-02-18 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种砷化镓基led管芯的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105870276B (zh) | 2018-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1957447B (zh) | Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法、ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法以及发光器件 | |
| CN103311395B (zh) | 一种激光剥离薄膜led及其制备方法 | |
| CN101055908B (zh) | 一种蓝宝石衬底上的发光二极管芯片的制作方法 | |
| CN102751398B (zh) | 一种倒三角形发光二极管芯片的制作方法 | |
| CN102881783A (zh) | 一种深刻蚀切割发光二极管芯片的方法 | |
| CN101908505B (zh) | 一种发光二极管芯片的制造方法 | |
| CN101388427A (zh) | 发光二极管元件的制造方法 | |
| CN105870276A (zh) | 一种ito结构led芯片及其切割方法 | |
| CN102290505A (zh) | GaN基发光二极管芯片及其制造方法 | |
| CN106409994B (zh) | 一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法 | |
| CN102709409B (zh) | 一种四元系led芯片的切割方法 | |
| CN104752571A (zh) | 一种晶圆级白光led芯片的切割方法 | |
| CN102324450A (zh) | GaN基发光二极管芯片及其制备方法 | |
| CN102544246A (zh) | 发光二极管晶粒的制作方法 | |
| CN103022277A (zh) | 一种采用图形化衬底的发光二极管的制备方法 | |
| TW201601192A (zh) | 回收基板和載體基板的方法 | |
| WO2023005203A1 (zh) | 垂直结构led芯片及其制造方法 | |
| CN101807646A (zh) | 用空气形成图形衬底的高效率发光二极管及其制备方法 | |
| CN101958378A (zh) | 具有电流阻塞结构的四元系垂直发光二极管及其制备方法 | |
| CN103014619A (zh) | 一种掩模板及其加工方法 | |
| CN105514225A (zh) | 具粗化表面的薄膜式覆晶发光二极管及其制造方法 | |
| CN104576840B (zh) | 在硅衬底上制备氮化镓led的方法 | |
| CN105762250A (zh) | 一种发光二极管及其制作方法 | |
| CN103137795B (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片晶胞的制备方法 | |
| CN105895771A (zh) | 一种带ito薄膜结构的led芯片及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No.199, huangtang West Street, Airport Economic Zone, Nanchang City, Jiangxi Province, 330000 Patentee after: Nanchang Kaixun photoelectric Co.,Ltd. Address before: 330038 3-1-1102, Central West District, liantai Xiangyu, No. 999, Yiyuan Road, Honggutan new area, Nanchang City, Jiangxi Province Patentee before: NANCHANG KAIXUN PHOTOELECTRIC Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address |