CN102856453A - 具有布拉格反射结构的四元系led芯片 - Google Patents
具有布拉格反射结构的四元系led芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102856453A CN102856453A CN2012103415746A CN201210341574A CN102856453A CN 102856453 A CN102856453 A CN 102856453A CN 2012103415746 A CN2012103415746 A CN 2012103415746A CN 201210341574 A CN201210341574 A CN 201210341574A CN 102856453 A CN102856453 A CN 102856453A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- bragg
- gap material
- led chip
- bragg reflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，至少包括半导体衬底、布拉格反射结构、发光外延结构、窗口层、透明导电层、第一电极、以及第二电极，其中，所述布拉格反射结构包括至少两个对应不同反射波长的布拉格反射层，可对部分射向衬底的光中至少两个波段的光同时进行反射，从而扩大了LED芯片中布拉格反射结构的反射波长的频宽，使布拉格反射结构的反射效率有所提高，进而提升LED芯片的內部量子效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED芯片，特别是涉及一种具有反射结构的LED芯片。
背景技术
LED（Light Emitting Diode）芯片，也称为LED发光芯片，是LED灯的核心组件，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电能转化为光能。LED芯片中位于衬底之上的发光结构主要由两部分组成，一部分是P型半导体，空穴占为多数载流子，另一部分是N型半导体，电子为多数载流子，两种半导体连接起来时，形成P-N结。当电流通过导线作用于这个芯片的时候，电子就会被推向P区，在P-N结合区（如量子阱区）电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED芯片发光的原理，其中，发出光的颜色依赖于光波长，且由形成P-N结的材料决定的。LED在生产过程中不要添加“汞”，也不需要充气，不需要玻璃外壳，抗冲击性好，抗震性好，不易破碎，便于运输，非常环保，被称为“绿色能源”。
最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。随着半导体科技的进步，现今的LED芯片已具备了高亮度的输出，加上LED芯片具有省电、体积小、低电压驱动、寿命非常长（普遍在5万至10万小时之间）等优点，因此，LED芯片已广泛地应用在显示器与照明等领域。但是，为追求更高亮度的LED芯片，最核心的需要解决的问题就是LED芯片的內部量子效率。
现有改善LED芯片內部量子效率的方法主要采用图形化衬底、表面微结构、倒装芯片、芯片键合、激光剥离技术、以及设置布拉格反射（Distributed Bragg Reflector，DBR）层。
为了降低LED芯片的衬底对光的吸收，可以在衬底和发光结构之间插入布拉格反射层，将部分射向衬底的光反射回去，从而增大整个LED芯片的出光效率。
现有的布拉格反射层对应的是单一反射波长，该单一反射波长主要集中在LED芯片发光结构发出光谱的半峰宽中，但是，单一反射波长限制了布拉格反射层的反射波长的频宽，进而降低了布拉格反射层的反射效率，从而导致了LED芯片內部量子效率受限。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，用于解决现有技术中布拉格反射层对应单一反射波长进而限制布拉格反射层的反射波长的频宽、降低布拉格反射层的反射效率、导致LED芯片內部量子效率受限的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，所述LED芯片至少包括：
半导体衬底；
布拉格反射结构，位于所述半导体衬底上表面，包括至少两个对应不同反射波长的布拉格反射层，各该布拉格反射层包括至少两个双层薄膜，且同一布拉格反射层中的双层薄膜呈周期性排列，各该双层薄膜包括第一间接能隙材料层和第二间接能隙材料层，其中，所述第二间接能隙材料层的折射率大于第一间接能隙材料层的折射率；
发光外延结构，位于所述布拉格反射结构上表面，由上至下依次包括第一导电类型外延层、有源层、及第二导电类型外延层；
窗口层，形成于所述发光外延结构上表面；
透明导电层，形成于所述窗口层上表面；
第一电极，形成于所述透明导电层上表面；
第二电极，形成于所述半导体衬底的背面。
可选地，所述双层薄膜为AlAs/AlxGa(1-x)As双层薄膜，x的范围是0.45~0.7，其中，第一间接能隙材料层AlAs形成于第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As之上。
可选地，所述双层薄膜为AlxGa(1-x)As/AlAs双层薄膜，x的范围是0.45~0.7，其中，第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As形成于第一间接能隙材料层AlAs之上。
可选地，所述反射波长的范围是550~750nm，所述第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的x取值范围是0.45~0.6。
可选地，所述反射波长范围是550~600nm时，所述第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的x取值范围是0.55~0.6；所述反射波长范围是600~700nm时，所述第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的x取值范围是0.5~0.55；所述反射波长范围是700~750nm时，所述第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的x取值范围是0.45~0.5。
可选地，所述布拉格反射结构中由上至下的多个布拉格反射层所对应的反射波长的大小为递增的。
可选地，所述半导体衬底为GaAs。
可选地，所述发光外延结构为III-V族化合物半导体材料（AlyGa1-y)0.5In0.5P，其中，0≤y≤1。
可选地，所述有源层为多量子阱结构，至少包括（Aly1Ga1-y1)0.5In0.5P /（Aly2Ga1-y2)0.5In0.5P双层薄膜，其中，（Aly1Ga1-y1)0.5In0.5P层形成于（Aly2Ga1-y2)0.5In0.5P层上，0≤y2<y1≤1。
可选地，0.55≤y1≤0.7，且0≤y2≤0.4。
如上所述，本发明的具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，具有以下有益效果：与现有的对应单一反射波长的布拉格反射层相比较而言，本发明的布拉格反射结构包括至少两个对应不同反射波长的布拉格反射层，可对部分射向衬底的光中至少两个波段的光同时进行反射，从而扩大了LED芯片中布拉格反射结构的反射波长的频宽，使布拉格反射结构的反射效率有所提高，进而提升LED芯片的內部量子效率。
附图说明
图1显示为本发明具有布拉格反射结构的四元系LED芯片的结构示意图。
图2显示为本发明具有布拉格反射结构的四元系LED芯片的布拉格反射结构中单个布拉格反射层的示意图。
元件标号说明
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
请参阅图1至图2。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。
为了降低LED芯片的衬底对光的吸收，可以在衬底和发光结构之间插入布拉格反射层，将部分射向衬底的光反射回去，从而增大整个LED芯片的出光效率。现有的布拉格反射层对应的是单一反射波长，该单一反射波长主要集中在LED芯片发光结构发出光谱的半峰宽中，但是，单一反射波长限制了布拉格反射层的反射波长的频宽，进而降低了布拉格反射层的反射效率，从而导致了LED芯片內部量子效率受限。
有鉴于此，本发明提供一种具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，与现有的对应单一反射波长的布拉格反射层相比较而言，本发明的布拉格反射结构包括至少两个对应不同反射波长的布拉格反射层，可对部分射向衬底的光中至少两个波段的光同时进行反射，从而扩大了LED芯片中布拉格反射结构的反射波长的频宽，使布拉格反射结构的反射效率有所提高，进而提升LED芯片的內部量子效率。以下将详细阐述本发明的具有布拉格反射结构的四元系LED芯片的实施方式，使本领域技术人员不需要创造性劳动即可理解本发明的具有布拉格反射结构的四元系LED芯片。
如图1和图2所示，本发明提供一种具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，所述LED芯片至少包括：半导体衬底1、布拉格反射结构2、发光外延结构3、窗口层4、透明导电层5、第一电极61、以及第二电极62。
所述半导体衬底1为GaAs，具体地，在本实施例中，GaAs为轻掺杂N型（N-型）GaAs，其掺杂浓度小于1e18cm-2。
所述发光外延结构3位于所述布拉格反射结构2上表面，由上至下依次包括第一导电类型外延层31、有源层32、及第二导电类型外延层33。其中，所述有源层32为多量子阱结构；所述第一导电类型外延层31、有源层32、及第二导电类型外延层33为III-V族化合物半导体材料，至少包括 (AlyGa1-y)0.5In0.5P，0≤y≤1，在本实施例中，具体地，所述半导体衬底1为轻掺杂N型（N-型）GaAs，则第一导电类型为P型，第二导电类型为N型，换言之，第一导电类型外延层31为P型Al0.5In0.5P，第二导电类型外延层33为N型Al0.5In0.5P，所述有源层32（多量子阱结构）为（Aly1Ga1-y1)0.5In0.5P/（Aly2Ga1-y2)0.5In0.5P双层薄膜，其中，（Aly1Ga1-y1)0.5In0.5P层形成于（Aly2Ga1-y2)0.5In0.5P层上，0≤y2<y1≤1，优选地，0.55≤y1≤0.7，0≤y2≤0.4。
需要说明的是，(AlyGa1-y)0.5In0.5P中限制In的含量与AlGa的含量相等，目的是使发光外延结构3与布拉格反射结构2晶格匹配，请详见布拉格反射结构2中的相关描述。
如图1所示，所述布拉格反射结构2位于所述半导体衬底1上表面，包括至少两个对应不同反射波长的布拉格反射层，优选的，所述布拉格反射层的个数的范围为2~4，所述布拉格反射结构中由上至下的多个布拉格反射层所对应的反射波长的大小为递增的；各该布拉格反射层包括至少两个双层薄膜，优选的，各该布拉格反射层中双层薄膜的个数的范围为2~30；同一布拉格反射层的双层薄膜呈周期性排列，且同一布拉格反射层中各该双层薄膜的厚度相等，换言之，一双层薄膜经过周期性叠加（排列）后形成一布拉格反射层，但是，各该布拉格反射层中双层薄膜的个数可以相等也可以不相等；各该双层薄膜包括第一间接能隙材料层和第二间接能隙材料层，其中，所述第二间接能隙材料层的折射率大于第一间接能隙材料层的折射率，所述第一间接能隙材料层和第二间接能隙材料层的厚度相等且为其对应的反射光波长的四分之一。
需要指出的是，所述双层薄膜的周期不仅包含整数周期的情况，还可为半个周期的情况，例如，一布拉格反射层的双层薄膜的周期数为20.5，即一布拉格反射层包括20.5个双层薄膜，其中，所述布拉格反射层最上层和最下层的为相同的间接能隙材料。
需要说明的是，本实施例中，所述第一间接能隙材料层为AlAs，第二间接能隙材料层为AlxGa(1-x)As，因此，所述双层薄膜为AlAs/AlxGa(1-x)As双层薄膜或AlxGa(1-x)As /AlAs双层薄膜，其中，所述双层薄膜为AlAs/AlxGa(1-x)As双层薄膜时，第一间接能隙材料层AlAs形成于第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As之上，x的范围是0.45~0.7；所述双层薄膜为AlxGa(1-x)As/AlAs双层薄膜时，第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As形成于第一间接能隙材料层AlAs之上，x的范围是0.45~0.7；所述第一间接能隙材料层AlAs和第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的厚度相等且为其对应的反射光波长的四分之一。
由于同一布拉格反射层的双层薄膜呈周期性排列，换言之，在同一布拉格反射层中，所述双层薄膜的类别是一致的，且所述的第一间接能隙材料层与第二间接能隙材料层的排列顺序保持一致，具体地，同一布拉格反射层中，所述双层薄膜均为AlAs/AlxGa(1-x)As双层薄膜、或者均为AlxGa(1-x)As /AlAs双层薄膜。
进一步，在布拉格反射结构2中，各该布拉格反射层中的各该双层薄膜的类别是一致的，且所述的第一间接能隙材料层与第二间接能隙材料层的排列顺序保持一致，换言之，布拉格反射结构2中的各该双层薄膜均为AlAs/AlxGa(1-x)As双层薄膜、或者均为AlxGa(1-x)As /AlAs双层薄膜。
需要进一步说明的是，当所述反射波长的范围是550~750nm时，所述布拉格反射结构2中第二间接能隙材料层为AlxGa(1-x)As，且x取值范围是0.45~0.6；具体地，所述反射波长范围是550~600nm时，所述第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的x取值范围是0.55~0.6；所述反射波长范围是600~700nm时，所述第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的x取值范围是0.5~0.55；所述反射波长范围是700~750nm时，所述第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的x取值范围是0.45~0.5。
需要特别指出的是，所述的布拉格反射结构2形成于衬底1上时，为了避免应力的产生，需要考虑到二者晶格匹配的问题；同时，所述的发光外延结构3位于所述布拉格反射结构2上表面，也同理需要考虑到晶格匹配的问题，进一步，对于发光外延结构3自身而言，所述的有源层32（多量子阱结构）形成于第一导电类型外延层31及第二导电类型外延层33之间时，仍然需要考虑到三者晶格匹配的问题。
具体地，在本实施例中，布拉格反射结构2与衬底1的晶格匹配如下：衬底1为GaAs；布拉格反射结构2中，第一间接能隙材料层为AlAs、第二间接能隙材料层为AlxGa(1-x)As，由于AlAs和AlxGa(1-x)As分别与GaAs的晶格常数相匹配，因此第一间接能隙材料层AlAs、第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As形成的布拉格反射结构2位于衬底1（GaAs）上时晶格匹配；
在本实施例中，发光外延结构3与布拉格反射结构2的晶格匹配如下：布拉格反射结构2中，第一间接能隙材料层为AlAs、第二间接能隙材料层为AlxGa(1-x)As，发光外延结构3为III-V族化合物半导体材料，至少包括四元系AlGaInP，为了达到发光外延结构3与布拉格反射结构2晶格匹配的目的，则需要发光外延结构3中In的含量与AlGa的含量相等，即发光外延结构3的材料为(AlyGa1-y)0.5In0.5P，其中，0≤y≤1；
在本实施例中，发光外延结构3中第一导电类型外延层31、有源层32（多量子阱结构）、第二导电类型外延层33的晶格匹配如下：所述第一导电类型外延层31、有源层32、及第二导电类型外延层33均为III-V族化合物半导体材料，至少包括 (AlyGa1-y)0.5In0.5P，其中，0≤y≤1，第一导电类型外延层31为P型Al0.5In0.5P，第二导电类型外延层33为N型Al0.5In0.5P，所述有源层32（多量子阱结构）为（Aly1Ga1-y1)0.5In0.5P/（Aly2Ga1-y2)0.5In0.5P双层薄膜，其中，（Aly1Ga1-y1)0.5In0.5P层形成于（Aly2Ga1-y2)0.5In0.5P层上，0≤y2<y1≤1，优选地，0.55≤y1≤0.7，0≤y2≤0.4。
各该布拉格反射层对应不同的反射波长原因在于各该布拉格反射层的厚度并不相同。布拉格反射层是由两种折射率不同的第一间接能隙材料层和第二间接能隙材料层交替生长而成，所述第一间接能隙材料层和第二间接能隙材料层的厚度为反射光波长的四分之一。各该布拉格反射层的厚度决定其对应的反射波长的最大反射率，其中，对应的反射波长越小，则需要的布拉格反射层的厚度越小。由于各该布拉格反射层中的双层薄膜的个数及单个双层薄膜的厚度决定各该布拉格反射层的厚度，因此，各该布拉格反射层的对应的反射波长的大小取决于双层薄膜的个数及单个双层薄膜的厚度。
下面以四个布拉格反射层为例说明本实施例中的布拉格反射结构，如图1及图2所示，所述布拉格反射结构2包括：
四个对应不同反射波长的布拉格反射层21、22、23、24，且布拉格反射层所对应的四种反射波长的大小为递增的，所述四种反射波长的范围是600~700nm。具体地，所述布拉格反射层21对应的反射波长为600nm，所述布拉格反射层22对应的反射波长为635nm，所述布拉格反射层23对应的反射波长为670nm，所述布拉格反射层24对应的反射波长为700nm。
其中，各该布拉格反射层21、22、23、24中，同一布拉格反射层中的双层薄膜呈周期性排列，且不同布拉格反射层中的双层薄膜的个数相等，均为二十个，即各该布拉格反射层21、22、23、24均包含二十个双层薄膜，同一布拉格反射层中单个双层薄膜的厚度相等，且同一布拉格反射层中第一间接能隙材料层与第一间接能隙材料层的厚度相等；各该双层薄膜均为AlAs/AlxGa(1-x)As双层薄膜，其中，第一间接能隙材料层AlAs形成于第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As之上，即布拉格反射层21中的各双层薄膜为AlAs/AlxGa(1-x)As双层薄膜时，所述布拉格反射层22、23、24中的各双层薄膜均为AlAs/AlxGa(1-x)As双层薄膜；所述反射波长范围是600~700nm时，所述第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的x取值范围是0.5~0.55，且各该布拉格反射层21、22、23、24的x取值相等，优选的，x均为0.52~0.53。
需要进一步说明的是，各该布拉格反射层21、22、23、24对应不同的反射波长，因此，各该布拉格反射层21、22、23、24的厚度并不相同。各该布拉格反射层21、22、23、24中，对应的反射波长（600nm）最短的所述布拉格反射层21的厚度最小，各该布拉格反射层21、22、23、24所对应的四种反射波长的大小为递增的，此时，各该布拉格反射层21、22、23、24的厚度也为递增的（如图1所示），满足布拉格反射层的厚度越小则其对应的反射波长越小的规律。
请参阅图2，其显示为本发明的布拉格反射结构中布拉格反射层22的示意图，以下是对布拉格反射层22进行地详细阐述：所述布拉格反射层22中的AlAs/AlxGa(1-x)As双层薄膜呈周期性排列，周期数为二十，所述布拉格反射层22对应的反射波长为635nm，第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的x取值为0.52~0.53。具体地，所述布拉格反射层22包括厚度均为60nm的AlAs/AlxGa(1-x)As双层薄膜2201、2202至2220，且第一间接能隙材料层AlAs与第一间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的厚度相等，则所述布拉格反射层22的厚度为1.2μm。其余布拉格反射层21、23及24与布拉格反射层22类似，相同之处不再一一赘述，区别仅在于双层薄膜的厚度不同。
所述窗口层4位于所述发光外延结构3上表面，使电流扩散均匀，用于辅助发光外延结构3发光，其中，所述窗口层4材料的能隙（band gap）高于发光外延结构3中材料的能隙，在本实施例中所述窗口层4优选P型GaP。
所述透明导电层5形成于所述窗口层上表面，进一步使电流更均匀分布于所述窗口层4，所述透明导电层5至少包括ITO（铟锡氧化物半导体）。
由于LED芯片是一种电致发光器件，因此需要在发光材料表面制作电极，从电极注入电流来驱动LED芯片发光。所述第一电极61位于所述透明导电层上表面，且覆盖部分透明导电层5，所述第一电极61至少包括CrAu合金；第二电极62形成于所述半导体衬底1的背面，所述第二电极62为GeAuNi合金。
综上所述，本发明具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，与现有的对应单一反射波长的布拉格反射层相比较而言，本发明的布拉格反射结构包括至少两个对应不同反射波长的布拉格反射层，可对部分射向衬底的光中至少两个波段的光同时进行反射，从而扩大了LED芯片中布拉格反射结构的反射波长的频宽，使布拉格反射结构的反射效率有所提高，进而提升LED芯片的內部量子效率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，其特征在于，所述LED芯片至少包括：
半导体衬底；
布拉格反射结构，位于所述半导体衬底上表面，包括至少两个对应不同反射波长的布拉格反射层，各该布拉格反射层包括至少两个双层薄膜，且同一布拉格反射层中的双层薄膜呈周期性排列，各该双层薄膜包括第一间接能隙材料层和第二间接能隙材料层，其中，所述第二间接能隙材料层的折射率大于第一间接能隙材料层的折射率；
发光外延结构，位于所述布拉格反射结构上表面，由上至下依次包括第一导电类型外延层、有源层、及第二导电类型外延层；
窗口层，形成于所述发光外延结构上表面；
透明导电层，形成于所述窗口层上表面；
第一电极，形成于所述透明导电层上表面；
第二电极，形成于所述半导体衬底的背面。
2.根据权利要求1所述的具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，其特征在于：所述双层薄膜为AlAs/AlxGa(1-x)As双层薄膜，x的范围是0.45~0.7，其中，第一间接能隙材料层AlAs形成于第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As之上。
3.根据权利要求1所述的具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，其特征在于：所述双层薄膜为AlxGa(1-x)As/AlAs双层薄膜，x的范围是0.45~0.7，其中，第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As形成于第一间接能隙材料层AlAs之上。
4.根据权利要求2或3所述的具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，其特征在于：所述反射波长的范围是550~750nm，所述第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的x取值范围是0.45~0.6。
5.根据权利要求4所述的具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，其特征在于：所述反射波长范围是550~600nm时，所述第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的x取值范围是0.55~0.6；所述反射波长范围是600~700nm时，所述第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的x取值范围是0.5~0.55；所述反射波长范围是700~750nm时，所述第二间接能隙材料层AlxGa(1-x)As的x取值范围是0.45~0.5。
6.根据权利要求1所述的具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，其特征在于：所述布拉格反射结构中由上至下的多个布拉格反射层所对应的反射波长的大小为递增的。
7.根据权利要求1所述的具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，其特征在于：所述半导体衬底为GaAs。
8.根据权利要求1所述的具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，其特征在于：所述发光外延结构为III-V族化合物半导体材料（AlyGa1-y)0.5In0.5P，其中，0≤y≤1。
9.根据权利要求1所述的具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，其特征在于：所述有源层为多量子阱结构，至少包括（Aly1Ga1-y1)0.5In0.5P /（Aly2Ga1-y2)0.5In0.5P双层薄膜，其中，（Aly1Ga1-y1)0.5In0.5P层形成于（Aly2Ga1-y2)0.5In0.5P层上，0≤y2<y1≤1。
10.根据权利要求9所述的具有布拉格反射结构的四元系LED芯片，其特征在于：0.55≤y1≤0.7，且0≤y2≤0.4。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210341574.6A CN102856453B (zh) | 2012-09-14 | 2012-09-14 | 具有布拉格反射结构的四元系led芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210341574.6A CN102856453B (zh) | 2012-09-14 | 2012-09-14 | 具有布拉格反射结构的四元系led芯片 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102856453A true CN102856453A (zh) | 2013-01-02 |
| CN102856453B CN102856453B (zh) | 2016-03-30 |
Family
ID=47402846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210341574.6A Active CN102856453B (zh) | 2012-09-14 | 2012-09-14 | 具有布拉格反射结构的四元系led芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102856453B (zh) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103413878A (zh) * | 2013-07-13 | 2013-11-27 | 北京工业大学 | 碳纳米管发光二极管 |
| CN104112800A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-10-22 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 | 一种采用复合dbr提高亮度的发光二极管及其制备方法 |
| CN105870276A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-08-17 | 南昌凯迅光电有限公司 | 一种ito结构led芯片及其切割方法 |
| CN105895771A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-08-24 | 南昌凯迅光电有限公司 | 一种带ito薄膜结构的led芯片及其制备方法 |
| WO2017185777A1 (zh) * | 2016-04-29 | 2017-11-02 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种AlGaInP发光二极管 |
| CN108091739A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-29 | 佛山东燊金属制品有限公司 | 复合DBR结构AlGaInP发光二极管 |
| CN108807624A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-13 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种正装led芯片及其制作方法 |
| CN110165550A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-23 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器 |
| CN110299472A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN112909139A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-04 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种基于dbr结构的led芯片及其制备方法 |
| CN113314648A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-08-27 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 一种led芯片及其制备方法 |
| CN116014050A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-04-25 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种发光元件 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1492520A (zh) * | 2002-10-22 | 2004-04-28 | 洲磊科技股份有限公司 | AlGaInP发光二极管组件 |
| CN1571173A (zh) * | 2003-07-23 | 2005-01-26 | 厦门三安电子有限公司 | 一种可用于发光二极管的布拉格反射体结构 |
| JP2008277651A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光ダイオード |
| CN101452976A (zh) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | 泰谷光电科技股份有限公司 | 高亮度发光二极管结构 |
-
2012
- 2012-09-14 CN CN201210341574.6A patent/CN102856453B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1492520A (zh) * | 2002-10-22 | 2004-04-28 | 洲磊科技股份有限公司 | AlGaInP发光二极管组件 |
| CN1571173A (zh) * | 2003-07-23 | 2005-01-26 | 厦门三安电子有限公司 | 一种可用于发光二极管的布拉格反射体结构 |
| JP2008277651A (ja) * | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光ダイオード |
| CN101452976A (zh) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | 泰谷光电科技股份有限公司 | 高亮度发光二极管结构 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 郑树文 等: "温度对Al0.5Ga0.5As/AlAs分布布喇格反射器的反射谱的影响", 《光子学报》, vol. 36, no. 5, 31 May 2007 (2007-05-31), pages 869 - 872 * |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103413878A (zh) * | 2013-07-13 | 2013-11-27 | 北京工业大学 | 碳纳米管发光二极管 |
| CN104112800A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-10-22 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 | 一种采用复合dbr提高亮度的发光二极管及其制备方法 |
| WO2017185777A1 (zh) * | 2016-04-29 | 2017-11-02 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种AlGaInP发光二极管 |
| CN105870276A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-08-17 | 南昌凯迅光电有限公司 | 一种ito结构led芯片及其切割方法 |
| CN105895771A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-08-24 | 南昌凯迅光电有限公司 | 一种带ito薄膜结构的led芯片及其制备方法 |
| CN108091739A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-29 | 佛山东燊金属制品有限公司 | 复合DBR结构AlGaInP发光二极管 |
| CN108807624A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-11-13 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种正装led芯片及其制作方法 |
| CN110165550A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-23 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器 |
| CN110299472A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
| US11469402B2 (en) | 2019-06-28 | 2022-10-11 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Array substrate, display panel and display device |
| CN112909139A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-04 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种基于dbr结构的led芯片及其制备方法 |
| CN113314648A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-08-27 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 一种led芯片及其制备方法 |
| CN116014050A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-04-25 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种发光元件 |
| CN116014050B (zh) * | 2022-12-30 | 2024-02-20 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种发光元件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102856453B (zh) | 2016-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102856453B (zh) | 具有布拉格反射结构的四元系led芯片 | |
| JP6013555B2 (ja) | 発光ダイオードチップ及びそれを製造する方法 | |
| Lee et al. | Light extraction analysis of GaN-based light-emitting diodes with surface texture and/or patterned substrate | |
| CN100379043C (zh) | 全角度反射镜结构GaN基发光二极管及制作方法 | |
| KR102642250B1 (ko) | 마이크로 발광장치 및 그 디스플레이 | |
| US7804104B2 (en) | Light-emitting diode with high lighting efficiency | |
| EP2989665A1 (en) | A light emitting diode component | |
| CN101807647A (zh) | 具有倾斜侧面的铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺 | |
| CN101345280A (zh) | 一种GaN基发光二极管及其制造方法 | |
| CN102263183B (zh) | 一种偏振出光发光二极管 | |
| KR102518125B1 (ko) | 마이크로 발광다이오드 칩 및 이의 제조 방법, 표시 장치 | |
| CN102299224A (zh) | 一种发光二极管 | |
| KR100558134B1 (ko) | 질화 갈륨계 반도체 led 소자 | |
| TWI765450B (zh) | 發光二極體 | |
| CN102931305B (zh) | 一种led芯片及其制备方法 | |
| KR101203538B1 (ko) | 전도성 매개물층이 적용된 금속 나노입자 내장형 발광다이오드 구조 | |
| CN202282380U (zh) | 一种发光二极管 | |
| JP2013247366A (ja) | 半導体発光素子 | |
| CN103579432A (zh) | 发光二极管元件、其制造方法及覆晶式发光二极管元件 | |
| CN104183677B (zh) | 一种发光二极管及其制造方法 | |
| US20210226083A1 (en) | Light emitting unit and manufacturing method thereof | |
| TWI608633B (zh) | 發光二極體裝置及其製造方法 | |
| TWI613838B (zh) | 發光元件 | |
| TWI443857B (zh) | Solid state light emitting elements with photonic crystals | |
| US20240243239A1 (en) | Light Emitting Device and Light Emitting Apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210301 Address after: Room 110-7, building 3, 290 Xingci 1st Road, Hangzhou Bay New District, Ningbo City, Zhejiang Province, 315336 Patentee after: Ningbo anxinmei Semiconductor Co.,Ltd. Address before: 230011 Industrial Park, Xinzhan District, Hefei City, Anhui Province Patentee before: HEFEI IRICO EPILIGHT TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |