CN105870035A - 倒角检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种倒角检测方法，属于图像制作领域。所述方法包括：制作测试基板和参比基板，所述测试基板和所述参比基板中每个基板包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的绝缘层，以及设置在所述绝缘层的导电层；其中，所述测试基板的绝缘层上形成有镂空的图形，所述测试基板的导电层设置在所述镂空的图形上，所述参比基板的绝缘层上未形成有图形，所述测试基板的导电层和所述参比基板的导电层的外轮廓形状大小相同；分别测试所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻；根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻，确定所述测试基板中的图形是否存在倒角。实现了在阵列基板工艺中对过孔倒角不良的检查，检测效率高。

Description

倒角检测方法

技术领域

本发明涉及制图工艺领域，特别涉及一种倒角检测方法。

背景技术

在许多电子产品中，例如液晶显示面板、印刷电路板等，常常需要将绝缘层两侧的两个导电层电连接，在这种情况下，通常会在绝缘层中形成图形(例如过孔等)，通过绝缘层中的图形来实现两侧导电层的电连接。

绝缘层材料一般是二氧化硅、氮氧化硅、有机膜等绝缘材料，其中，二氧化硅和氮氧化硅绝缘层一般都使用化学气相沉积镀膜，由于绝缘层的厚度较厚(一般＞500nm)，所以使用化学气相沉积镀膜时需要采用多步镀膜方式，形成的绝缘层相当于由多个子层构成，绝缘层的各子层的致密性存在差别，通常绝缘层底部的致密性比绝缘层上部的致密性差。在绝缘层制备完成后，通过干法刻蚀工艺在上面制作图形，由于绝缘层底部的致密性比绝缘层上部的致密性差，致密性差的子层结构较为松软，刻蚀时致密性较差的子层的刻蚀速率会大于致密性较好的子层的刻蚀速度，从而在图形的一侧形成倒角。若图形出现倒角，在绝缘层上制作较薄的导电层时，容易在倒角处发生断裂，导致绝缘层两侧的导电层无法电连接，最终影响产品质量。因此，需要对图形是否出现倒角进行检测。

目前检测绝缘层图形倒角的方式，通常是对电子产品进行切片，采用电子显微镜观察，效率十分低下。

发明内容

为了解决现有技术中，检测绝缘层图形倒角效率十分低下的问题，本发明实施例提供了一种倒角检测方法。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种倒角检测方法，所述方法包括：

制作测试基板和参比基板，所述测试基板和所述参比基板中每个基板包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的绝缘层，以及设置在所述绝缘层上的导电层；其中，所述测试基板的绝缘层上形成有镂空的图形，所述测试基板的导电层设置在所述镂空的图形上，所述参比基板的绝缘层上未形成有图形，所述测试基板的导电层和所述参比基板的导电层的外轮廓形状大小相同；

分别测试所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻；

根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻，确定所述测试基板中的图形是否存在倒角。

在本发明实施例的一种实现方式中，测试所述测试基板的面电阻，包括：

将四根探针沿同一直线均匀间隔设置在所述测试基板的导电层上，所述四根探针中位于两侧的两根探针连接电源，所述四根探针中位于两侧的两根探针之间设置有至少一个所述图形；

采用所述四根探针中位于两侧的两根探针测量所述位于两侧的两根探针、所述测试基板的导电层和电源所构成的回路的电流I1；

测量所述四根探针中位于中间的两根探针之间的电压U1；

根据所述电流I1和电压U1计算所述测试基板的面电阻；

测试所述参比基板的面电阻，包括：

将四根探针沿同一直线均匀间隔设置在所述参比基板的导电层上，所述四根探针中位于两侧的两根探针连接电源；

采用所述四根探针中位于两侧的两根探针测量所述位于两侧的两根探针、所述参比基板的导电层和电源所构成的回路的电流I0；

测量所述四根探针中位于中间的两根探针之间的电压U0；

根据所述电流I0和电压U0计算所述参比基板的面电阻。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述图形包括过孔或将所述绝缘层分隔的凹槽。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻，确定所述测试基板中的图形是否存在倒角，包括：

比较所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻的大小，当所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻的差值大于或等于设定值时，确定所述测试基板存在倒角。

在本发明实施例的另一种实现方式中，当所述图形为过孔时，所述方法还包括：

根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻计算出现倒角的过孔数量。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻计算出现倒角的过孔数量，包括：

根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻，计算所述测试基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离；

根据所述测试基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离计算出现倒角的过孔数。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻，计算所述测试基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离，包括：

根据以下公式计算所述测试基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离：

$R_0=\frac{\mathrm{\ρ}}{t}\×\frac{L_0}{W};$

$R_1=\frac{\mathrm{\ρ}}{t}\×\frac{L_1}{W};$

其中，R0为所述参比基板的面电阻，R1为所述测试基板的面电阻，ρ为所述导电层的电阻率，t为所述导电层的厚度，L0为所述参比基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离，L1为所述测试基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离，W为所述导电层在垂直于所述四根探针所在直线方向上的宽度。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述根据所述测试基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离的大小计算出现倒角的过孔数，包括：

当所述过孔为圆形时，采用以下公式计算出现倒角的过孔数：

$n=\frac{L_1-L_0}{\mathrm{\π}r-2r},$

其中，n为所述出现倒角的过孔数，r为所述过孔的半径，π为圆周率。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述方法还包括：

采用以下公式计算所述测试基板的倒角发生率：

P＝n/N，P为所述测试基板的倒角发生率，N为所述四根探针中位于两侧的两根探针之间设置的过孔数量。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述方法还包括：

通过多组所述测试基板和参比基板，分别计算出多个倒角发生率；

计算所述多个倒角发生率的平均值。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述测试基板和所述参比基板的外轮廓为正方形或圆形。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述正方形的边长为3mm-8mm，所述圆形的直径为3mm-8mm。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述四根探针中任意相邻的两根探针的间隔为0.5-1.5mm。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述电压为10mV-1000mV。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述过孔的半径为5-10μm，相邻的过孔间隔为10-20μm；所述凹槽的宽度为5-10μm，相邻的凹槽间隔为10-20μm。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

本发明通过检测测试基板和参比基板的面电阻，并根据测试基板和参比基板的面电阻来确定测试基板是否出现倒角，相较于通常的切片检查，无需再进行切片和电子显微镜观察，检测过程更为简单，因此有效地提高了检测效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种倒角检测方法的流程图；

图2是本发明实施例提供的另一种倒角检测方法的流程图；

图3是本发明实施例提供的测试基板的截面示意图；

图4是本发明实施例提供的参比基板的截面示意图；

图5是本发明实施例提供的测试基板的俯视图；

图6是本发明实施例提供的测试基板的俯视图；

图7是本发明实施例提供的参比基板的俯视图；

图8是本发明实施例提供的四探针测面电阻的示意图；

图9是本发明实施例提供的四探针测面电阻的俯视图；

图10是本发明实施例提供的多组测试基板和参比基板的示意图；

图11是本发明实施例提供的多组测试基板和参比基板的示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

图1是本发明实施例提供的一种倒角检测方法的流程图，参见图1，该方法包括：

步骤101：制作测试基板和参比基板，测试基板和参比基板中每个基板包括：衬底基板，设置在衬底基板上的绝缘层，以及设置在绝缘层上的导电层；其中，测试基板的绝缘层上形成有镂空的图形，测试基板的导电层设置在镂空的图形上，参比基板的绝缘层上未形成有图形，测试基板的导电层和参比基板的导电层的外轮廓形状大小相同。

其中，测试基板可以是专门用于测试的基板，也可以是实际生产中的基板。导电层可以是透明金属氧化物膜层或者金属膜层。

其中，测试基板和参比基板可以是两个完全独立的基板；或者，测试基板和参比基板也可以是集成在同一衬底基板上的基板，具体参见后文图10提供的测试基板和参比基板；或者，测试基板和参比基板也可以是集成在同一衬底基板和同一绝缘层上的基板，具体参见后文图11提供的测试基板和参比基板。

步骤102：分别测试测试基板的面电阻和参比基板的面电阻。

其中，测试基板的面电阻为测试基板的导电层的面电阻。参比基板的面电阻为参比基板的导电层的面电阻。

步骤103：根据测试基板的面电阻和参比基板的面电阻，确定测试基板中的图形是否存在倒角。

本发明实施例中，通过检测测试基板和参比基板的面电阻，并根据测试基板和参比基板的面电阻来确定测试基板是否出现倒角，相较于通常的切片检查，无需再进行切片和电子显微镜观察，检测过程更为简单，因此有效地提高了检测效率。

图2是本发明实施例提供的另一种倒角检测方法的流程图，参见图2，该方法包括：

步骤201：制作测试基板和参比基板，测试基板和参比基板中每个基板包括：衬底基板、设置在衬底基板上的绝缘层、以及设置在绝缘层上的导电层；其中，测试基板的绝缘层上形成有镂空的图形，测试基板的导电层设置在镂空的图形上，参比基板的绝缘层上未形成有图形，测试基板的导电层和参比基板的导电层的外轮廓形状大小相同。

其中，测试基板可以是专门用于测试的基板，也可以是实际生产中的基板。导电层可以是透明金属氧化物膜层或者金属膜层。

在本发明实施例中，图形可以包括过孔或将绝缘层分隔的凹槽，其中，每个凹槽将绝缘层分隔为两个独立的区域(两个区域的绝缘层完全断开)。

图3所示为测试基板10的截面示意图，图4所示为参比基板20的截面示意图。如图3和图4所示，测试基板10和参比基板20均包括衬底基板11、绝缘层12和导电层13，测试基板10的绝缘层12上形成有镂空的图形14。

图5是测试基板10的一种结构的俯视图，参见图5，该镂空的图形14可以是过孔，多个过孔以阵列方式排列在测试基板10上。过孔的半径可以为5-10μm，相邻的过孔间隔可以为10-20μm。

图6是测试基板10的另一种结构的俯视图，参见图6，该镂空的图形14可以是凹槽，多个凹槽间隔平行排列在测试基板10上，每个凹槽将测试基板10分为独立的两个区域，两个区域的绝缘层完全断开，互不连接。凹槽的宽度可以为5-10μm，相邻的凹槽间隔可以为10-20μm。

图7是参比基板20的俯视图，参见图7，由于参比基板20的绝缘层未开设镂空的图形，因此导电层为一平整的膜层。

步骤202：分别测试测试基板的面电阻R1和参比基板的面电阻R0。

其中，测试测试基板的面电阻R1，包括：

将四根探针沿同一直线均匀间隔设置在测试基板的导电层上，四根探针中位于两侧的两根探针连接电源，四根探针中位于两侧的两根探针之间设置有至少一个图形；

采用四根探针中位于两侧的两根探针测量位于两侧的两根探针、测试基板的导电层和电源所构成的回路的电流I1；

测量四根探针中位于中间的两根探针之间的电压U1；

根据电流I1和电压U1计算测试基板的面电阻R1；

测试参比基板的面电阻R0，包括：

将四根探针沿同一直线均匀间隔设置在参比基板的导电层上，四根探针中位于两侧的两根探针连接电源；

采用四根探针中位于两侧的两根探针测量位于两侧的两根探针、参比基板的导电层和电源所构成的回路的电流I0；

测量四根探针中位于中间的两根探针之间的电压U0；

根据电流I0和电压U0计算参比基板的面电阻。

在该步骤中，采用四探针法测试测试基板和参比基板的面电阻，测试方便。

优选地，在任意两个相邻探针之间设置至少一个图形，且相邻探针之间的图形数量为设定值，例如相邻探针之间的图形数量为2个。

图8所示为采用四探针测试测试基板10的面电阻的示意图，图9是采用四探针测试测试基板10的面电阻的俯视图。参见图8和图9，将四根探针30沿着阵列形式的过孔中的一列过孔排列，也即按照图9所示的a方向进行排列。如图8和9所示，相邻两个探针30间隔2个过孔。测试时，通过两侧的两个探针30向测试基板10施加直流电源，然后通过两侧的两个探针30测量位于两侧的两根探针、测试基板的导电层和电源所构成的回路的电流I1，测量中间的两个探针30之间的电压U1。最后根据公式R＝4.53U/I计算测试基板的面电阻。

在本发明实施例中，四根探针中任意相邻的两根探针的间隔可以为0.5-1.5mm。优选地，相邻的两根探针的间隔为1mm。相邻的两根探针的间隔太小，导致探针间图形数量太少，不能保证测试精度，相邻的两根探针的间隔太大，四根探针无法同时设置在一块基板上。

在本发明实施例中，通过探针向测试基板和参比基板施加的直流电源的电压可以为10mV-1000mV。

当然，图8中探针30的排列方向仅为举例，也可以按照方向b或者介于方向a和b之间的方向进行排列，本发明对此不做限制。

进一步地，本发明可以对一组测试基板或者参比基板进行多次测试，从而提高倒角检测的准确度。多次测试时，既可以在不同方向上进行倒角检测，也可以在每次倒角检测时，控制四根探针中两侧的两根探针之间的图形的数量不同。

另外，需要说明的是，上述图3、5、6、8中图形的数量仅为举例，本发明对此不做限制。

步骤203：比较测试基板的面电阻R1和参比基板的面电阻R0的大小，当R1和R0的差值大于或等于设定值时，确定测试基板存在倒角。

例如，设定值可以是R0的1％～2％。

步骤203通过比较R1和R0的差值，确定是否存在倒角，过程简捷方便。尤其适用于，刻蚀凹槽的测试基板，因为刻蚀凹槽时，如果发生倒角，凹槽处导电层为断开态，电阻很大，此时R1与R0相差很大，因此可以设定一个较大的设定值，使得判断出的结果更为准确。如图3所示，当图形14下部形成倒角15时，导电层13在图形14下部断开，如果图形是过孔，则电流会沿着过孔周围流动，而如果图形是凹槽，则电流将无法直接通过该图形，此时测得的测试基板和参比基板的面电阻相差较大，容易判断出测试基板存在倒角。

步骤204：当图形为过孔时，根据测试基板的面电阻R1和参比基板的面电阻R0计算出现倒角的过孔数量n。

由于刻蚀凹槽时，如果发生倒角，凹槽处导电层为断开态，电阻很大，不能准确计算倒角个数，因此，该方法只适用于刻蚀过孔的测试基板。确定出出现倒角的过孔个数，不仅可以验证前面判断的是否存在倒角，还能使得检测结果更详细。

其中，根据测试基板的面电阻R1和参比基板的面电阻R0计算出现倒角的过孔数量n，包括：

步骤一：根据测试基板的面电阻R1和参比基板的面电阻R0，计算测试基板上电流在四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离L1。

其中，根据以下公式计算测试基板上电流在四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离L1：

$R_0=\frac{\mathrm{\ρ}}{t}\×\frac{L_0}{W};$

$R_1=\frac{\mathrm{\ρ}}{t}\×\frac{L_1}{W};$

其中，ρ为导电层的电阻率，t为导电层的厚度，L0为参比基板上电流在四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离，L1为测试基板上电流在四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离，W为导电层在垂直于四根探针所在直线方向上的宽度。

如图9所示，探针30和图形14(过孔)间隔设置在方向a上，W为导电层在垂直于方向a的方向b上的宽度，由于导电层上存在过孔，因此该导电层在存在过孔的位置的宽度与不存在过孔的位置的宽度不同，但是由于过孔对宽度的影响较小，因此在本发明实施例中直接采用不存在过孔的位置的宽度作为导电层的宽度。当探针30所在直线不存在出现倒角的过孔时，此时电流经过的距离为两侧两个探针之间的距离，如果探针30所在直线存在出现倒角的过孔时，则电流经过的距离会变大，因为电流经过出现倒角的过孔时，需要沿着过孔的圆周流动。

因为S＝t×W，所以其中，S为导电层的截面积。

在上述公式中，R0和R1已经测出，t、W和L0也可以直接测出，因此根据公式能够计算出L1，计算方便准确。

值得说明的是，如果导电层的图形不是矩形，导电层在垂直于四根探针所在直线方向上的宽度为变化值时，取导电层在垂直于四根探针所在直线方向上的宽度的平均值，作为导电层在垂直于四根探针所在直线方向上的宽度。

步骤二：根据测试基板上电流在四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离L1的大小计算出现倒角的过孔数n。

其中，根据测试基板上电流在四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离L1的大小计算出现倒角的过孔数n，包括：

当过孔为圆形时，L₁＝L₀+n(πr-2r)，

其中，r为过孔的半径，π为圆周率。

对于圆形过孔而言，当出现倒角时，电流无法从过孔底部直接经过，而是需要沿着过孔圆周流动，因此采用该公式即可计算n的值，计算方便准确。

通过面电阻来计算电流在四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离L1，再根据该距离确定出现倒角的过孔数n，测试及计算过程方便。

步骤205：采用出现倒角的过孔数n计算测试基板的倒角发生率。

具体地，采用以下公式计算测试基板的倒角发生率：

P＝n/N，P为测试基板的倒角发生率，N为四根探针中位于两侧的两根探针之间设置的过孔数量。例如，图5所示的a方向上存在N个过孔，n为这N个过孔中存在倒角的过孔的数量。

为了提高上述n/N的准确度，在设置探针时，可以让两侧的两根探针设置在一排过孔的两端，这样能够让两根探针之间的过孔数量最大化，从而提高n/N的准确度。

通过步骤205计算倒角发生率，使得检测结果更直观。

可选地，该方法还包括：

通过多组测试基板和参比基板，分别计算出多个倒角发生率；

计算多个倒角发生率的平均值。

采用多组测试结果的平均值作为最终的倒角发生率，提高检测精度。

在本发明实施例的一种实现方式中，同时设置多组完全独立的测试基板10和参比基板20，然后分别对每组测试基板10和参比基板20进行检测。

在本发明实施例的另一种实现方式中，如图10所示，在同一块衬底基板11上可以同时形成多组测试基板10和参比基板20，多组测试基板10和参比基板20共用同一块衬底基板11，各个测试基板10和参比基板20的绝缘层相互分离，且每个测试基板10和参比基板20的绝缘层上设有独立的导电层。例如，在G6玻璃基板(1850mm×1500mm)上可以设置间隔设置多列测试基板10和参比基板20(沿长边方向)，例如测试基板10和参比基板20均有4-6列，每列测试基板10中的一个测试基板10和相邻列中相邻的参比基板20为一组，每列测试基板10(或参比基板20)设置7-10个测试基板10(或参比基板20)；而在G8.5玻璃基板(2500mm×2200mm)上可以间隔设置6-8列测试基板10和6-8列参比基板20，每列设置8-12个测试基板10(或参比基板20)。

在本发明实施例的另一种实现方式中，如图11所示，其提供的结构与图10相比，测试基板10和参比基板20除了共用同一块衬底基板11(图11未示出)外，还共用了覆盖在衬底基板11上的同一个绝缘层12，绝缘层12上设有图案区域(形成有镂空的图形)和非图案区域(未形成有图形)，在图案区域和非图案区域对应布置多个相互分离的导电层，从而形成多组测试基板10和参比基板20。

在本发明实施例中，测试基板和参比基板的外轮廓可以为正方形、圆形、矩形或其他图形，例如，图5、6、7和9所示，测试基板和参比基板的外轮廓均为正方形。外轮廓为正方形或圆形时，不仅方便测试基板和参比基板设计和制作，而且能满足倒角检测方法的需要。当然，在其他实施例中，测试基板和参比基板的外轮廓也可以是其他图形，本发明对此不做限制。

优选地，正方形的边长为3mm-8mm，圆形的直径为3mm-8mm。优选地，正方形的边长为5mm，圆形的直径为5mm。测试基板和参比基板尺寸太大不利于同时制作多组测试基板和参比基板，尺寸太小的话不利于扎针测试。

当然，本发明实施例的测试基板10还可以是实际生产中的产品，在生产时，制作尺寸相当的测试基板，对产品的倒角进行检测，从而解决阵列基板工艺中对过孔倒角不良的检查和拦截。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种倒角检测方法，其特征在于，所述方法包括：

制作测试基板和参比基板，所述测试基板和所述参比基板中每个基板包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的绝缘层，以及设置在所述绝缘层上的导电层；其中，所述测试基板的绝缘层上形成有镂空的图形，所述测试基板的导电层设置在所述镂空的图形上，所述参比基板的绝缘层上未形成有图形，所述测试基板的导电层和所述参比基板的导电层的外轮廓形状大小相同；

分别测试所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻；

根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻，确定所述测试基板中的图形是否存在倒角。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，测试所述测试基板的面电阻，包括：

将四根探针沿同一直线均匀间隔设置在所述测试基板的导电层上，所述四根探针中位于两侧的两根探针连接电源，所述四根探针中位于两侧的两根探针之间设置有至少一个所述图形；

采用所述四根探针中位于两侧的两根探针测量所述位于两侧的两根探针、所述测试基板的导电层和电源所构成的回路的电流I1；

测量所述四根探针中位于中间的两根探针之间的电压U1；

根据所述电流I1和电压U1计算所述测试基板的面电阻；

测试所述参比基板的面电阻，包括：

将四根探针沿同一直线均匀间隔设置在所述参比基板的导电层上，所述四根探针中位于两侧的两根探针连接电源；

采用所述四根探针中位于两侧的两根探针测量所述位于两侧的两根探针、所述参比基板的导电层和电源所构成的回路的电流I0；

测量所述四根探针中位于中间的两根探针之间的电压U0；

根据所述电流I0和电压U0计算所述参比基板的面电阻。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图形包括过孔或将所述绝缘层分隔的凹槽。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻，确定所述测试基板中的图形是否存在倒角，包括：

比较所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻的大小，当所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻的差值大于或等于设定值时，确定所述测试基板存在倒角。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当所述图形为过孔时，所述方法还包括：

根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻计算出现倒角的过孔数量。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻计算出现倒角的过孔数量，包括：

根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻，计算所述测试基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离；

根据所述测试基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离计算出现倒角的过孔数。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻，计算所述测试基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离，包括：

根据以下公式计算所述测试基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离：

$R_0=\frac{\mathrm{\ρ}}{t}\×\frac{L_0}{W};$

$R_1=\frac{\mathrm{\ρ}}{t}\×\frac{L_1}{W};$

其中，R0为所述参比基板的面电阻，R1为所述测试基板的面电阻，ρ为所述导电层的电阻率，t为所述导电层的厚度，L0为所述参比基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离，L1为所述测试基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离，W为所述导电层在垂直于所述四根探针所在直线方向上的宽度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据所述测试基板上电流在所述四根探针中位于两侧的两根探针之间经过的距离的大小计算出现倒角的过孔数，包括：

当所述过孔为圆形时，采用以下公式计算出现倒角的过孔数：

$n=\frac{L_1-L_0}{\mathrm{\π}r-2r},$

其中，n为所述出现倒角的过孔数，r为所述过孔的半径，π为圆周率。

9.根据权利要求5至8任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

采用以下公式计算所述测试基板的倒角发生率：

P＝n/N，P为所述测试基板的倒角发生率，N为所述四根探针中位于两侧的两根探针之间设置的过孔数量。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过多组所述测试基板和参比基板，分别计算出多个倒角发生率；

计算所述多个倒角发生率的平均值。

11.根据权利要求1至8任一项所述的方法，其特征在于，所述测试基板和所述参比基板的外轮廓为正方形或圆形。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述正方形的边长为3mm-8mm，所述圆形的直径为3mm-8mm。

13.根据权利要求2至8任一项所述的方法，其特征在于，所述四根探针中任意相邻的两根探针的间隔为0.5-1.5mm。

14.根据权利要求2至8任一项所述的方法，其特征在于，所述电压为10mV-1000mV。

15.根据权利要求3至8任一项所述的方法，其特征在于，所述过孔的半径为5-10μm，相邻的过孔间隔为10-20μm；所述凹槽的宽度为5-10μm，相邻的凹槽间隔为10-20μm。