CN108519519B - 一种电阻测量方法及电阻测量装置 - Google Patents

一种电阻测量方法及电阻测量装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种电阻测量方法及电阻测量装置,用于测量绝缘层的过孔位置的阻值,绝缘层的第一侧形成有第一导电图形,绝缘层的第二侧形成有第二导电图形;第一导电图形和第二导电图形通过所述绝缘层的过孔连接。其中,电阻测量方法包括:向第一导电图形施加第一电压和第一电流,向第二导电图形施加第二电压;其中,第二电压的电压值小于所述第一电压的电压值;第一电流在第一导电图形上经所述过孔传递至所述第二导电图形以形成第二电流;测量所述第二导电图形上的第二电流;根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值。本发明的方案能够测量过孔位置的阻值,可用于评估过孔位置的制作工艺。

Description

一种电阻测量方法及电阻测量装置
技术领域
本发明涉及显示产品的制作领域,特别是指一种电阻测量方法及电阻测量装置。
背景技术
在显示装置的生产过程中,经常会对不同制作阶段的显示基板的电阻进行测量,以评估制作品质。
目前测量显示基板上的电阻所采用的方案是使用两根探针分别连接至待测位置的回路两端,通过探针加载、测量电信号以计算待测位置的阻值。两探针测量方式可以满足绝大部分的检测需求。但是显示基板为多图层结构,很多不同图层的导电图形是通过过孔实现跨接,过孔位置的电阻非常小,使用两根探针测量过孔位置的阻值会存在很大的误差,已无法满足检测要求。
因此,当前有必要针对过孔位置的阻值提出一种测量方案。
发明内容
本发明的目的是提供一种电阻测量方法及电阻测量装置,能够测量过孔位置的阻值。
为实现上述目的,一方面,本发明的实施例提供一种电阻测量方法,用于测量绝缘层的过孔位置的阻值,所述绝缘层的第一侧形成有第一导电图形,所述绝缘层的第二侧形成有第二导电图形;所述第一导电图形和所述第二导电图形通过所述绝缘层的过孔连接;所述电阻测量方法包括:
向所述第一导电图形施加第一电压和第一电流,向所述第二导电图形施加第二电压;其中,所述第二电压的电压值小于所述第一电压的电压值;所述第一电流在所述第一导电图形上经所述过孔传递至所述第二导电图形以形成第二电流;
测量所述第二导电图形上的第二电流;
根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值。
其中,根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值,包括:
根据公式Rc=(V1-V2)/I2计算所述过孔位置的阻值;式中,V1表示所述第一电压的电压值,V2表示所述第二电压的电压值,I2表示所述第二电流的电流值,Rc表示所述过孔位置的阻值。
其中,向所述第一导电图形施加第一电流,包括:
向所述第一导电图形施加初始电流值的第一电流,之后按照预设变化量,对向所述第一导电图形施加的第一电流的电流值进行变化;
接收第二导电图形上的第二电流,包括:
每当向所述第一导电图形施加一种电流值的第一电流,对应测量一次第二导电图形上的第二电流;
根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值,包括:
按照公式Rc=(V1-V2)/I2,分别计算出每一种电流值的第二电流所对应的所述过孔位置的阻值Rc;式中,V1表示所述第一电压的电压值,V2表示所述第二电压的电压值,I2表示所述第二电流的电流值,Rc表示所述过孔位置的阻值;
将计算出的所有Rc的平均值最终确定为所述过孔位置的阻值。
其中,所述初始电流值的取值范围为[0.001A,0.002A],所述预设变化量为0.0001A。
另一方面,本发明的实施例提供一种电阻测量装置,用于测量绝缘层的过孔位置的阻值,所述绝缘层的第一侧形成有第一导电图形,所述绝缘层的第二侧形成有第二导电图形;所述第一导电图形和所述第二导电图形通过所述绝缘层的过孔连接;包括:
第一探针,用于向所述第一导电图形施加第一电流;
第二探针,用于向所述第一导电图形施加第一电压;
第三探针,用于向所述第二导电图形施加第二电压;其中,所述第二电压的电压值小于所述第一电压的电压值;所述第一电流在所述第一导电图形上经所述过孔传递至所述第二导电图形以形成第二电流;
第四探针,用于测量所述第二导电图形上的第二电流;
处理模块,用于根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值。
其中,所述处理模块根据公式Rc=(V1-V2)/I2计算所述过孔位置的阻值;式中,V1表示所述第一电压的电压值,V2表示所述第二电压的电压值,I2表示所述第二电流的电流值,Rc表示所述过孔位置的阻值。
其中,所述第一探针具体用于,向所述第一导电图形施加初始电流值的第一电流,之后按照预设变化量,对向所述第一导电图形施加的第一电流的电流值进行变化;
所述第四探针具体用于,每当第一向所述第一导电图形施加一种电流值的第一电流,对应测量一次第二导电图形上的第二电流;
所述处理模块具体包括:
第一计算单元,按照公式Rc=(V1-V2)/I2,分别计算出每一种电流值的第二电流所对应的所述过孔位置的阻值Rc;式中,V1表示所述第一电压的电压值,V2表示所述第二电压的电压值,I2表示所述第二电流的电流值,Rc表示所述过孔位置的阻值;
处理单元,将计算出的所有Rc的平均值最终确定为所述过孔位置的阻值。
其中,所述初始电流值的取值范围为[0.001A,0.002A],所述预设变化量为0.0001A。
此外,本发明的实施例提供一种计算机设备,包括:处理器、存储器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现本发明上述实施例所提供的测量方法。
此外,本发明的实施例还提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现发明上述实施例所提供的测量方法的步骤。
本发明的上述方案具有如下有益效果:
本发明的方案能够测量过孔位置的阻值,其测量误差在10Ω以内,相比于传统的两探针测试方法,测量结果更为精确,可用于评估过孔位置的制作工艺,对提高产品良品率具有一定帮助,因此具有较高的实用价值。
附图说明
图1为本发明实施例提供的电阻测量方法的步骤示意图;
图2为本发明实施例提供的电阻测量方法获得的第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值的坐标示意图;
图3为本发明实施例提供的电阻测量装置的结构示意图;
图4为第一导电图形与第二导电图形的关系示意图;
图5为本发明实施例提供的计算机设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。在下面的描述中,提供诸如具体的配置和组件的特定细节仅仅是为了帮助全面理解本发明的实施例。因此,本领域技术人员应该清楚,可以对这里描述的实施例进行各种改变和修改而不脱离本发明的范围和精神。另外,为了清楚和简洁,省略了对已知功能和构造的描述。
应理解,说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此,在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外,这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。
在本发明的各种实施例中,应理解,下述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后,各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定,而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
本发明的实施例提供一种电阻测量方法,用于测量绝缘层的过孔位置的阻值;绝缘层的第一侧形成有第一导电图形,绝缘层的第二侧形成有第二导电图形,第一导电图形和第二导电图形通过绝缘层的过孔连接;
其中,如图1所示,本实施例的电阻测量方法包括:
步骤1,向第一导电图形施加第一电压和第一电流,向第二导电图形施加第二电压;
其中,第二电压的电压值小于第一电压的电压值,从而保证第一电流能够在第一导电图形上经过孔传递至第二导电图形,以形成第二电流;
步骤2,测量第二导电图形上的第二电流;
步骤3,根据第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算过孔位置的阻值。
本实施例的电阻测量方法能够测量过孔位置的阻值,其测量误差在10Ω以内,相比于传统的两探针测试方法,测量结果更为精确,可用于评估过孔位置的制作工艺,对提高产品良品率具有一定帮助,因此具有较高的实用价值。
下面对实施例的电阻测量方法进行详细介绍。
本实施例为测量过孔位置的阻值,必须使过孔位置的电阻处于测量回路中,即测量所用的第一电流必须要经过绝缘层的过孔达到第二导电图形,以形成第二电流。
在实际应用中,可以使用一个探针给第一导电图形加载第一电流,并使用另一探针测量第二导电图形上的第二电流。
为了保证第一导电图形的第一电流能够有方向性地传导至测量第二电流的探针,还需要使用一个探针向第一导电图形加载第一电压,以及使用另一个探针向第二导电图形加载第二电压。
其中,第一电压的电压值大于第二电压的电压值,以保证第一导电图形与第二导电图形之间形成压差,控制第一电流流向测量第二电流的探针。
由于串联电路的各处负载电流均相同,因此测量回路满足公式Rc=(V1-V2)/I2,式中,V1表示所述第一电压的电压值,V2表示所述第二电压的电压值,I2表示所述第二电流的电流值,Rc表示过孔位置的阻值。
因此本实施例可以根据公式Rc=(V1-V2)/I2计算过孔位置的阻值。
当然,为了修正测量误差,本实施例也可以对第一电流进行适当变化,以测量出多个第二电流,并带入上述公式计算出多组Rc,之后将多组Rc的平均值作为过孔位置的阻值。
作为示例性介绍,本实施例在执行步骤1时,可以向第一导电图形施加初始电流值的第一电流,之后按照预设变化量,对向第一导电图形施加的第一电流的电流值进行变化。
对应地,在执行步骤2时,每当向第一导电图形施加一种电流值的第一电流,对应测量一次第二导电图形上的第二电流;
之后,按照公式Rc=(V1-V2)/I2,分别计算出每一种电流值的第二电流所对应的过孔位置的阻值Rc。
最后,计算所有Rc的平均值,并将该平均值最终确定为过孔位置的阻值。
在实际应用中,考虑过孔位置阻值的大小,第一电流的初始电流值的取值范围以[0.001A,0.002A]为宜,预设变化量以0.0001A为宜。
基于上述参数进行测量,可以得到如图2所示的坐标图。其中,图2纵坐标表示第一电流的电流值,单位为A,其按照0.0001A的预设变化量逐级递增;图2横坐标表示第一电压与第二电压之间的电压差值,单位为V。该图2中直线(趋近于直线)的斜率即可表示过孔位置的阻值。
以上是本实施例的电阻测量方法的介绍。需要说明的是,本实施例的绝缘层并不限于一图层结构,即上述过孔可以是一个图层上的过孔,或者是多个图层组合而成的过孔。在实际应用中,可以是用于跨接像素电极所在图层与源漏金属图形所在图层的过孔,也可以是用于跨接触控电极所在图层与源漏金属图形所在图层的过孔,或者也可以是跨接像素电极所在图层与触控电极所在图层的过孔。
综上所述,相比于现有技术的两探针电阻测量方法,本实施例的四探针电阻测量方法能够精确测量出过孔位置的阻值,可为评估显示基板过孔位置的制作工艺提供数据支持。
另一方面,本发明的实施例还提供一种电阻测量装置,用于测量绝缘层的过孔位置的阻值;绝缘层的第一侧形成有第一导电图形,绝缘层的第二侧形成有第二导电图形,第一导电图形和第二导电图形通过绝缘层的过孔连接;
其中,如图3所示,本实施例的电阻测量装置包括:
第一探针31,用于向第一导电图形施加第一电流;
第二探针32,用于向第一导电图形施加第一电压;
第三探针33,用于向第二导电图形施加第二电压;其中,第二电压的电压值小于第一电压的电压值,从而保证第一电流在第一导电图形上经过孔传递至第二导电图形,使第二导电图形上形成第二电流;
第四探针34,用于测量第二导电图形上的第二电流;
处理模块35,用于根据第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值。
显然,本实施例的电阻测量装置是本发明上述实施例提供的电阻测量方法的执行主体,因此该电阻测量方法所能实现的技术效果,本实施例的电阻测量装置同样也能够实现。
下面对实施例的电阻测量装置进行详细介绍。
本实施例为测量过孔位置的阻值,必须使过孔位置的电阻处于测量回路中,即测量所用的第一电流必须要经过过孔后达到第二导电图形,以形成第二电流。
在实际应用中,如图4所示,假设第一导电图形R_Layer1包括两个给探针接触的端点41、42,第二导电图形R_Layer2包括两个给探针接触的端点43、44。R_Layer1和R_Layer2实现跨接的位置为图4椭圆形虚线处,即过孔位置。
本实施例需要使用第一探针接触端点41,从而通过第一探针给R_Layer1加载第一电流,并使用第四探针接触端点44,从而通过第四探针接收R_Layer2上的第二电流。
为了使对R_Layer1端点41的第一电流能够有方向性地传导至与端点44接触的第四探针,还需要使用第二探针向R_Layer1的端点42加载第一电压,以及使用第三探针向R_Layer2的端点43加载第二电压。
由于串联电路的各处负载电流均相同,因此测量回路满足公式Rc=(V1-V2)/I2,式中,V1表示所述第一电压的电压值,V2表示所述第二电压的电压值,I2表示所述第二电流的电流值,Rc表示过孔位置的阻值。
因此本实施例的处理模块可以根据公式Rc=(V1-V2)/I2计算所述过孔位置的阻值过孔位置的阻值,通过公式计算出的数值即可作为过孔位置的阻值。
当然,为了保证修正测量过程中的误差,本实施例的处理模块并根据公式计算出多组Rc,之后将组Rc的平均值作为过孔位置的阻值。
作为示例性介绍,本实施例的第一探针可以向第一导电图形施加初始电流值的第一电流,之后按照预设变化量,对向第一导电图形施加的第一电流的电流值进行变化。
对应地,第四探针可以在每当第一探针向第一导电图形施加一种电流值的第一电流时,对应测量一次第二导电图形上的第二电流;
处理单元将计算出的所有Rc的平均值最终确定为所述过孔位置的阻值。
此外,如图5所示,本发明的另一实施例还提供一种计算机设备500,包括:处理器51、存储器52以及存储在存储器52上并可在处理器51上运行的计算机程序。
其中,处理器51和存储器52之间可以通过总线接口实现数据交互。总线接口可以包括任意数量的互联的总线和桥,具体由处理器51代表的一个或多个处理器和存储器52代表的存储器的各种电路链接在一起。总线架构还可以将诸如外围设备、稳压器和功率管理电路等之类的各种其他电路链接在一起,这些都是本领域所公知的,因此,本文不再对其进行进一步描述。
其中,本实施例的处理器51读取存储器的程序,可以执行以下过程:
向所述第一导电图形施加第一电压和第一电流,向所述第二导电图形施加第二电压;其中,所述第二电压的电压值小于所述第一电压的电压值;所述第一电流在所述第一导电图形上经所述过孔传递至所述第二导电图形以形成第二电流;
测量所述第二导电图形上的第二电流;
根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值。
可选地,本实施例的处理器51读取存储器的程序以根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值,包括:
根据公式Rc=(V1-V2)/I2计算所述过孔位置的阻值;式中,V1表示所述第一电压的电压值,V2表示所述第二电压的电压值,I2表示所述第二电流的电流值,Rc表示所述过孔位置的阻值。
可选地,本实施例的处理器51读取存储器的程序以向所述第一导电图形施加第一电流的步骤包括:
向所述第一导电图形施加初始电流值的第一电流,之后按照预设变化量,对向所述第一导电图形施加的第一电流的电流值进行变化。
可选地,本实施例的处理器51读取存储器的程序以接收第二导电图形上的第二电流的步骤包括:
每当向所述第一导电图形施加一种电流值的第一电流,对应测量一次第二导电图形上的第二电流;
可选地,本实施例的处理器51读取存储器的程序以根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值,包括:
按照公式Rc=(V1-V2)/I2,分别计算出每一种电流值的第二电流所对应的所述过孔位置的阻值Rc;式中,V1表示所述第一电压的电压值,V2表示所述第二电压的电压值,I2表示所述第二电流的电流值,Rc表示所述过孔位置的阻值;
将计算出的所有Rc的平均值最终确定为所述过孔位置的阻值。
可选地,所述初始电流值的取值范围为[0.001A,0.002A],所述预设变化量为0.0001A。
此外,本发明的另一实施例还提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序。所述计算机程序被处理器执行时实现如下步骤:
向所述第一导电图形施加第一电压和第一电流,向所述第二导电图形施加第二电压;其中,所述第二电压的电压值小于所述第一电压的电压值;所述第一电流在所述第一导电图形上经所述过孔传递至所述第二导电图形以形成第二电流;
测量所述第二导电图形上的第二电流;
根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值。
可选地,本实施例的计算机程序被处理器执行时以根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值的步骤,包括:
根据公式Rc=(V1-V2)/I2计算所述过孔位置的阻值;式中,V1表示所述第一电压的电压值,V2表示所述第二电压的电压值,I2表示所述第二电流的电流值,Rc表示所述过孔位置的阻值。
可选地,本实施例的计算机程序被处理器执行时以向所述第一导电图形施加第一电流的步骤包括:
向所述第一导电图形施加初始电流值的第一电流,之后按照预设变化量,对向所述第一导电图形施加的第一电流的电流值进行变化。
本实施例的计算机程序被处理器执行时以接收第二导电图形上的第二电流的步骤包括:
每当向所述第一导电图形施加一种电流值的第一电流,对应测量一次第二导电图形上的第二电流;
本实施例的计算机程序被处理器执行时以根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值的步骤包括:
按照公式Rc=(V1-V2)/I2,分别计算出每一种电流值的第二电流所对应的所述过孔位置的阻值Rc;式中,V1表示所述第一电压的电压值,V2表示所述第二电压的电压值,I2表示所述第二电流的电流值,Rc表示所述过孔位置的阻值;
将计算出的所有Rc的平均值最终确定为所述过孔位置的阻值。
可选地,所述初始电流值的取值范围为[0.001A,0.002A],所述预设变化量为0.0001A。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。

Claims (6)

1.一种电阻测量方法,用于测量绝缘层的过孔位置的阻值,所述绝缘层的第一侧形成有第一导电图形,所述绝缘层的第二侧形成有第二导电图形;所述第一导电图形和所述第二导电图形通过所述绝缘层的过孔连接;其特征在于,所述电阻测量方法包括:
通过第一探针向所述第一导电图形施加第一电流,通过第二探针向所述第一导电图形施加第一电压,通过第三探针向所述第二导电图形施加第二电压;其中,所述第二电压的电压值小于所述第一电压的电压值;所述第一电流在所述第一导电图形上经所述过孔传递至所述第二导电图形以形成第二电流;所述第一电流有多个电流值;
通过第四探针测量所述第二导电图形上的第二电流;
根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值;
向所述第一导电图形施加第一电流,包括:
向所述第一导电图形施加初始电流值的第一电流,之后按照预设变化量,对向所述第一导电图形施加的第一电流的电流值进行变化;
接收第二导电图形上的第二电流,包括:
每当向所述第一导电图形施加一种电流值的第一电流,对应测量一次第二导电图形上的第二电流;
根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值,包括:
按照公式Rc=(V1-V2)/I2,分别计算出每一种电流值的第二电流所对应的所述过孔位置的阻值Rc;式中,V1表示所述第一电压的电压值,V2表示所述第二电压的电压值,I2表示所述第二电流的电流值,Rc表示所述过孔位置的阻值;
将计算出的所有Rc的平均值最终确定为所述过孔位置的阻值。
2.根据权利要求1所述的电阻测量方法,其特征在于,
所述初始电流值的取值范围为[0.001A,0.002A],所述预设变化量为0.0001A。
3.一种电阻测量装置,用于测量绝缘层的过孔位置的阻值,所述绝缘层的第一侧形成有第一导电图形,所述绝缘层的第二侧形成有第二导电图形;所述第一导电图形和所述第二导电图形通过所述绝缘层的过孔连接;其特征在于,包括:
第一探针,用于向所述第一导电图形施加第一电流;
第二探针,用于向所述第一导电图形施加第一电压;
第三探针,用于向所述第二导电图形施加第二电压;其中,所述第二电压的电压值小于所述第一电压的电压值;所述第一电流在所述第一导电图形上经所述过孔传递至所述第二导电图形以形成第二电流;所述第一电流有多个电流值;
第四探针,用于测量所述第二导电图形上的第二电流;
处理模块,用于根据所述第一电压与第二电压的电压差值以及第二电流的电流值计算所述过孔位置的阻值;
所述第一探针具体用于,向所述第一导电图形施加初始电流值的第一电流,之后按照预设变化量,对向所述第一导电图形施加的第一电流的电流值进行变化;
所述第四探针具体用于,每当第一向所述第一导电图形施加一种电流值的第一电流,对应测量一次第二导电图形上的第二电流;
所述处理模块具体包括:
第一计算单元,按照公式Rc=(V1-V2)/I2,分别计算出每一种电流值的第二电流所对应的所述过孔位置的阻值Rc;式中,V1表示所述第一电压的电压值,V2表示所述第二电压的电压值,I2表示所述第二电流的电流值,Rc表示所述过孔位置的阻值;
处理单元,将计算出的所有Rc的平均值最终确定为所述过孔位置的阻值。
4.根据权利要求3所述的电阻测量装置,其特征在于
所述初始电流值的取值范围为[0.001A,0.002A],所述预设变化量为0.0001A。
5.一种计算机设备,包括:处理器、存储器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-2中任一项所述的测量方法。
6.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-2中任一项所述的测量方法的步骤。
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