CN105845834B - 倒置绿光量子点薄膜电致发光器件 - Google Patents

倒置绿光量子点薄膜电致发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN105845834B
CN105845834B CN201610213294.5A CN201610213294A CN105845834B CN 105845834 B CN105845834 B CN 105845834B CN 201610213294 A CN201610213294 A CN 201610213294A CN 105845834 B CN105845834 B CN 105845834B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transmission layer
hole
green light
hole transmission
light quantum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201610213294.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105845834A (zh
Inventor
曹进
周洁
谢婧薇
魏翔
俞浩健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Shanghai for Science and Technology
Original Assignee
University of Shanghai for Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Shanghai for Science and Technology filed Critical University of Shanghai for Science and Technology
Priority to CN201610213294.5A priority Critical patent/CN105845834B/zh
Publication of CN105845834A publication Critical patent/CN105845834A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105845834B publication Critical patent/CN105845834B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/321—Inverted OLED, i.e. having cathode between substrate and anode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括层叠的第一空穴传输层和第二空穴传输层。第一空穴传输层的厚度为5nm～15nm。第一空穴传输层的HOMO能级大于第二空穴传输层的HOMO能级，从而在绿光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求。

Description

倒置绿光量子点薄膜电致发光器件
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域，尤其是涉及一种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件。
背景技术
量子点(QDs，quantum dots)是一些肉眼无法看到的、极其微小的半导体纳米晶体，粒径一般小于10nm。当受到光或电的刺激，量子点可以发出有色光线，光线的颜色由量子点的组成材料和大小形状决定，这一特性使得量子点能够改变光源发出的光线颜色。由于电子、空穴和激子在三维空间方向上被量子限域，使得QDs的能带结构由块体的连续结构变成具有分子特性的分立能级结构。当QDs粒径与万尼尔激子(Wannier exciton)的波尔半径(Bohr radius)相当或更小时，电子的局域性和相干性增强，激子带的吸收系数增加，出现激子强吸收，受激后能发射强荧光，并且具有窄而对称的发射光谱、宽而连续的吸收谱等优点。随着QDs尺寸变化，量子效应的作用使得其能隙宽度随之改变，从而发出不同颜色的光。运用QDs制成的量子点发光二极管(QLEDs，quantum dot light emitting diodes)也由此具备了高效率、色彩丰富、高稳定性等特点。
然而，传统的量子点薄膜电致发光器件(QLED)的空穴不容易注入，需要高HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital，最高占据分子轨道)能级的空穴注入材料来帮助空穴的注入。特别是对于绿光量子点薄膜电致发光器件，绿光量子点的HOMO能级一般较大，大约有6.5eV，而一般的透明阳极的功函数大约不到5.0eV，两者相差较远，造成QLED器件中空穴注入势垒普遍较高，而常用的空穴注入材料的HOMO能级一般为5.0eV～5.5eV，无法满足空穴注入的要求。
发明内容
基于此，有必要提供一种可以满足空穴注入要求的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件。
一种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基板、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、空穴传输层以及阳极；
所述空穴传输层包括层叠的第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第一空穴传输层与所述绿光量子点发光层直接接触，所述第一空穴传输层的厚度为5nm～15nm；
所述第一空穴传输层的材料为第一空穴传输材料和第二空穴传输材料形成的混合物，所述第二空穴传输层的材料为第二空穴传输材料和第三空穴传输材料形成的混合物；
所述第一空穴传输层的HOMO能级为6.04eV～6.5eV，所述第二空穴传输层的HOMO能级为4.2eV～6.03V，所述第一空穴传输层的HOMO能级大于所述第二空穴传输层的HOMO能级。
在一个实施方式中，所述绿光量子点发光层的材料为CdSe@ZnS核壳结构绿光量子点，其中，@表示包覆，CdSe为所述核壳结构绿光量子点的核，ZnS为所述核壳结构绿光量子点的壳，
在一个实施方式中，所述绿光量子点发光层的厚度为20nm～30nm。
在一个实施方式中，所述第一空穴传输材料的HOMO能级、所述第二空穴传输材料的HOMO能级及所述第三空穴传输材料的HOMO能级依次减小。
在一个实施方式中，所述第一空穴传输材料选自2-羟基-3-甲基-2-环戊烯-1-酮和6,6-二(4-9氢-咔唑-9-基)苯基)-6氢-吡咯[3,2,1-de]吖啶中的一种。
在一个实施方式中，所述第二空穴传输材料选自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′联苯、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯、8,8-二(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)-8氢-吲哚[3,2,1-de]吖啶和3,5-二(9氢-咔唑-9-基)-氮,氮-联苯氨中的一种。
在一个实施方式中，所述第三空穴传输材料选自三氧化钼、三氧化钨、氧化钒和钛菁铜中的一种。
在一个实施方式中，所述第一空穴传输层中所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料的质量比为4:3～3:1，所述第一空穴传输材料选自2-羟基-3-甲基-2-环戊烯-1-酮和6,6-二(4-9氢-咔唑-9-基)苯基)-6氢-吡咯[3,2,1-de]吖啶中的一种，所述第二空穴传输材料选自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′联苯、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯、8,8-二(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)-8氢-吲哚[3,2,1-de]吖啶和3,5-二(9氢-咔唑-9-基)-氮,氮-联苯氨中的一种。
在一个实施方式中，所述第二空穴传输层中所述第二空穴传输材料和所述第三空穴传输材料的质量比为3:4～4:3，所述第二空穴传输材料选自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′联苯、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯、8,8-二(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)-8氢-吲哚[3,2,1-de]吖啶和3,5-二(9氢-咔唑-9-基)-氮，氮-联苯氨中的一种，所述第三空穴传输材料选自三氧化钼、三氧化钨、氧化钒和钛菁铜中的一种。
在一个实施方式中，所述第二空穴传输层的厚度为15nm～30nm。
上述倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，包括依次层叠的基板、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、空穴传输层以及阳极。空穴传输层包括层叠的第一空穴传输层和第二空穴传输层。其中，与绿光量子点发光层直接接触的的第一空穴传输层的厚度为5nm～15nm，厚度较薄的第一空穴传输层，在保证足够的空穴注入的基础上，可有效的降低电致发光器件的漏电流，提高发光效率。第一空穴传输层和第二空穴传输层的材料均为两种空穴传输材料形成的混合物，且两层空穴传输层中有一种相同的空穴传输材料，使得空穴传输层之间势垒变化平缓，进一步降低绿光QLED的驱动电压。第一空穴传输层的HOMO能级为6.04eV～6.5eV，与绿光量子点的HOMO能级相近；第二空穴传输层的HOMO能级为4.2eV～6.03eV，与阳极的功函数相近；并且第一空穴传输层的HOMO能级大于第二空穴传输层的HOMO能级，从而在绿光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求。
附图说明
图1为一实施方式的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的结构示意图；
图2为倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的能级结构原理示意图；
图3为一实施方式的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的制备方法的流程图；
图4为分别对实施例1、实施例2、实施例3以及对比例中的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件进行亮度测试的结果图。
具体实施方式
下面主要结合附图对倒置绿光量子点薄膜电致发光器件作进一步详细的说明。
如图1所示，一实施方式的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件10，包括依次层叠的基底100、阴极200、电子传输层300、绿光量子点发光层400、空穴传输层500以及阳极600。
基底100的材质可以为玻璃，玻璃透光性好，并且方便在其上溅射或蒸镀导电膜。
阴极200的材质可以为铟锡氧化物(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)、掺铟的氧化锌(IZO)等。阴极200的厚度可以为80nm～200nm。
电子传输层300具有较好的电子迁移率，可为氧化锌(ZnO)或二氧化钛(TiO2)等。
具体的，电子传输层300的厚度为30nm～50nm。
绿光量子点发光层400的材料为CdSe@ZnS核壳结构绿光量子点，其中，@表示包覆，CdSe为所述核壳结构绿光量子点的核，ZnS为所述核壳结构绿光量子点的壳。CdSe@ZnS核壳结构绿光量子点的粒径一般为6nm～15nm，这种核壳结构绿光量子点，亮度较高，发光效率高。本实施方式中，CdSe@ZnS核壳结构绿光量子点的粒径为12.5nm。
具体的，绿光量子点发光层400的厚度为20nm～30nm。
空穴传输层500包括层叠的第一空穴传输层510和第二空穴传输层520，第一空穴传输层510与绿光量子点发光层400直接接触，第一空穴传输层510的厚度为5nm～15nm。在紧贴绿光量子点发光层400的一侧设置一层厚度为5nm～15nm的第一空穴传输层510能够在保证足够的空穴注入的基础上，有效的降低电致发光器件的漏电流，提高发光效率。
进一步的，第一空穴传输层510的厚度为6nm～8nm。
倒置绿光量子点薄膜电致发光器件10的能级结构原理示意图如图2所示，第一空穴传输层510的材料为第一空穴传输材料(HTL1)和第二空穴传输材料(HTL2)形成的而混合物，第二空穴传输层520的材料为第二空穴传输材料(HTL2)和第三空穴传输材料(HTL3)形成的混合物。第一空穴传输层510的HOMO能级与绿光量子点发光层400的HOMO能级(一般为6.5eV左右)接近，而第二空穴传输层520的HOMO能级与阳极功函数(例如，Al的功函数为4.0eV左右)接近，第一空穴传输层510和第二空穴传输层520形成阶梯状的能级关系，当空穴从阳极向阴极方向迁移时，空穴注入势垒小，迁移效率高。
具体的，第一空穴传输材料(HTL1)、第二空穴传输材料(HTL2)及第三空穴传输材料(HTL3)的HOMO能级依次减小。第一空穴传输层510和第二空穴传输层520均采用两种空穴传输材料(HTL)掺杂形成掺杂体系。相比传统的仅有一种空穴传输材料的空穴传输层，由两种空穴传输材料(HTL)掺杂形成掺杂体系更容易实现得到不同的HOMO能级，从而形成阶梯状的势垒。并且第一空穴传输层510和第二空穴传输层520中有一种相同的空穴传输材料，使得空穴传输层之间势垒变化平缓，有利于空穴的注入，进一步降低绿光QLED的驱动电压。
具体的，第一空穴传输层510的HOMO能级为6.04eV～6.5eV，第二空穴传输层520的HOMO能级为4.2eV～6.03eV，第一空穴传输层510的HOMO能级大于第二空穴传输层520的HOMO能级。第一空穴传输层510的HOMO能级与绿光量子点发光层400的HOMO能级(大约为6.5eV)相近，而第二空穴传输层520的HOMO能级为与阳极的功函数相近，通过第一空穴传输层510和第二空穴传输层520在绿光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求。
传统的正置结构的量子点薄膜电致发光器件，由于量子点发光层(QDs发光层)需要采用溶液法来制备，在制备穴传输层500时，溶液法限制了空穴注入和空穴传输材料的可选择性。本发明的绿光量子点薄膜电致发光器件10采用倒置结构，阳极600在最上层，离基底100最远。空穴传输层500可在绿光量子点发光层400制备完成后用真空蒸镀的方式来制备，因此与绿光量子点发光层400匹配的高HOMO能级空穴传输材料可选择范围更广。
具体的，第一空穴传输材料(HTL1)选自2-羟基-3-甲基-2-环戊烯-1-酮(mCP)和6,6-二(4-9氢-咔唑-9-基)苯基)-6氢-吡咯[3,2,1-de]吖啶(BCPPA)中的一种。HTL1的HOMO能级一较高，接近绿光量子点发光层400的HOMO能级，使得空穴容易从第一空穴传输层510传导进入绿光量子点发光层400中，提高发光效率。
第二空穴传输材料(HTL2)选自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)、2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′联苯(BTPD)、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯(CBP)、8,8-二(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)-8氢-吲哚[3,2,1-de]吖啶(FPCC)和3,5-二(9氢-咔唑-9-基)-氮,氮-联苯氨(DCDPA)中的一种。一般的，HTL2的HOMO能级小于HTL1的HOMO能级。
第三空穴传输材料(HTL3)选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、氧化钒(V2O5)和钛菁铜(CuPc)中的一种。一般的，HTL3的HOMO能级小于HTL2的HOMO能级。HTL3的HOMO能级一般较低，接近阳极的功函数，使得空穴容易从阳极传导进入第二空穴传输层520中，提高发光效率。
具体的，第一空穴传输层510中第一空穴传输材料和第二空穴传输材料的质量比为4:3～3:1。其中，第一空穴传输材料(HTL1)选自2-羟基-3-甲基-2-环戊烯-1-酮(mCP)和6,6-二(4-9氢-咔唑-9-基)苯基)-6氢-吡咯[3,2,1-de]吖啶(BCPPA)中的一种，第二空穴传输材料(HTL2)选自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)、2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′联苯(BTPD)、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯(CBP)、8,8-二(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)-8氢-吲哚[3,2,1-de]吖啶(FPCC)和3,5-二(9氢-咔唑-9-基)-氮,氮-联苯氨(DCDPA)中的一种。
第二空穴传输层520中第二空穴传输材料和第三空穴传输材料的质量比为3:4～4:3。其中，第二空穴传输材料(HTL2)选自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)、2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′联苯(BTPD)、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯(CBP)、8,8-二(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)-8氢-吲哚[3,2,1-de]吖啶(FPCC)和3,5-二(9氢-咔唑-9-基)-氮,氮-联苯氨(DCDPA)中的一种，第三空穴传输材料(HTL3)选自三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)、氧化钒(V2O5)和钛菁铜(CuPc)中的一种。
通过分别调节第一空穴传输层510中HTL1与HTL2的质量比及第二空穴传输层520中HTL2和HTL3的质量比，可以获得多个不同HOMO能级的第一空穴传输层510和第二空穴传输层520，从而形成层层的HOMO能级递减关系，使的绿光量子点发光层400与阳极600之间的势垒变化平缓，利于空穴的传输，提高发光效率。
具体的，第一空穴传输层510小于第二空穴传输层520的厚度。与绿光量子点发光层400直接接触的第一空穴传输层510的厚度较薄，由于第一空穴传输层510的空穴迁移率较低，5nm～15nm的较薄的厚度在保证足够的空穴注入的基础上，有效的降低电致发光器件的漏电流，提高发光效率。第二空穴传输层520的厚度根据空穴传输材料的性质来决定。
具体的，第二空穴传输层520的厚度为15nm～30nm。
传统的QLED只有单层的空穴传输层500，或者有多层结构，一般也是做成相同的厚度，由于空穴在空穴传输层500中各个部位的迁移率不尽相同，空穴传输的效率低。本申请中第一空穴传输层510的厚度小于第二空穴传输层520的厚度，根据阶梯状的势垒变化以及空穴迁移率，合理设计每一层空穴传输层的厚度，提高空穴的传输效率，进而提高QLED的发光效率。
阳极600选自铝、银、金和铂中的一种。铝(Al)、银(Ag)、金(Au)和铂(Pt)的功函数较高，有利于减小阳极600与绿光量子点发光层400之间的势垒差。
具体的，阳极600的厚度为100nm～150nm。
上述倒置绿光量子点薄膜电致发光器件10，包括依次层叠的基板100、阴极200、电子传输层300、绿光量子点发光层400、空穴传输层500以及阳极600。空穴传输层500包括层叠的第一空穴传输层510和第二空穴传输层520。其中，紧贴绿光量子点发光层的第一空穴传输层的厚度为5nm～15nm，厚度较薄的第一空穴传输层，在保证足够的空穴注入的基础上，可有效的降低电致发光器件的漏电流，提高发光效率。第一空穴传输层510和第二空穴传输层520的材料均为两种空穴传输材料形成的混合物，且两层空穴传输层中有一种相同的空穴传输材料，使得空穴传输层之间势垒变化平缓，进一步降低绿光QLED的驱动电压。第一空穴传输层510的HOMO能级为6.04eV～6.5eV，与绿光量子点的HOMO能级相近；第二空穴传输层520的HOMO能级为4.2eV～6.03eV，与阳极600的功函数相近；并且第一空穴传输层510的HOMO能级大于第二空穴传输层520的HOMO能级，从而在绿光量子点发光层400与阳极600之间形成阶梯性势垒，达到逐步提高空穴传输层的空穴注入能力，满足绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求。
此外，本发明还提供一种上述倒置绿光量子点薄膜电致发光器件10的制备方法，如图3所示，该方法包括以下步骤S110～S140。
S110、提供基底，在基底上形成阴极。
基底的材质可以为玻璃，可将基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。之后在基底上蒸镀、喷镀、溅射或电化学蒸发沉积形成阴极。阴极的材质可以为铟锡氧化物(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)、掺铟的氧化锌(IZO)等，阴极的厚度为80nm～200nm。
优选的，采用溅射的方法将铟锡氧化物(ITO)溅射至玻璃基底上。
本实施方式中，在基底上形成阴极后，还包括对已形成阴极的基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min，再进行紫外臭氧(UV-ozone)处理15min。
S120、在S110中得到的阴极上依次形成电子传输层和绿光量子点发光层。
可采用溶液旋涂法在阴极导电膜上制备电子传输层，电子传输层可为氧化锌(ZnO)或二氧化钛(TiO2)等，电子传输层的厚度30nm～50nm。
同样，可采用溶液旋涂法在电子传输层上形成绿光量子点发光层，绿光量子点发光层的厚度为20nm～30nm。绿光量子点发光层的材料可以为CdSe@ZnS核壳结构绿光量子点。
S130、在S120中得到的绿光量子点发光层上形成空穴传输层，空穴传输层包括依次层叠的第一空穴传输层和第二空穴传输层。
可采用真空蒸镀法在绿光量子点发光层上形成第一空穴传输层，第一空穴传输层的材料为第一空穴传输材料(HTL1)和第二空穴传输材料(HTL2)形成的混合物，第一空穴传输层的厚度为5nm～15nm。再在第一空穴传输层上真空蒸镀形成第二空穴传输层，第二空穴传输层的材料为第二空穴传输材料(HTL2)和第二空穴传输材料(HTL3)形成的混合物，第二空穴传输层的厚度可以为15nm～30nm。
S140、在S130中得到第二空穴传输层上形成阳极。
可采用蒸镀、喷镀、溅射或电化学蒸发沉积的方法在第二空穴传输层上形成阳极。阳极的材质可选自铝、银、金和铂中的一种。
这种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的制备方法，工艺简单、易操作。制备得到的绿光量子点薄膜电致发光器件的绿光量子点发光层与阳极之间形成阶梯性势垒，空穴传输层的空穴注入能力强，满足绿光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入的要求。
以下为实施例部分。
以下实施例中，如无特别说明，未注明具体条件的实验方法，通常按照常规条件，所用实验材料可购自西格玛奥德里奇(上海)贸易有限公司、百灵威科技有限公司。
实施例1
倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的结构为基底、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、空穴传输层以及阳极，其中空穴传输层包括层叠的第一空穴传输层和第二空穴传输层。第一空穴传输层与绿光量子点发光层直接接触。其中，第一空穴传输层的厚度为8nm，第一空穴传输层的材料为第一空穴传输材料(HTL1)和第二空穴传输材料(HTL2)形成的混合物，其中HTL1为2-羟基-3-甲基-2-环戊烯-1-酮(mCP)，HTL2为8,8-二(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)-8氢-吲哚[3,2,1-de]吖啶(FPCC)，mCP与FPCC质量比为2:1。第二空穴传输层的厚度为25nm，第二空穴传输层为第二空穴传输材料(HTL2)和第二空穴传输材料(HTL3)形成的混合物，其中HTL2为8,8-二(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)-8氢-吲哚[3,2,1-de]吖啶(FPCC)，HTL3为三氧化钨(WO3)，FPCC与WO3的质量比为1:1。
倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的具体制备过程如下：
将玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。然后在玻璃基板上溅射一层厚度为150nm的ITO导电膜，再进行紫外臭氧(UV-ozone)处理15min。接着采用溶液旋涂法在充满氮气且水氧含量极低的手套箱内制备ZnO电子传输层，采用20mg/ml的ZnO纳米颗粒乙醇溶液，在转速为1500转/分钟(Resolutions per minute，rpm)，温度为150℃下退火30min，ZnO电子传输层的厚度为40nm。之后在电子传输层上制备绿光量子点发光层，采用20mg/ml的绿光CdSe@ZnS量子点甲苯溶液，在转速2000rpm，温度为150℃下退火30min，绿光量子点发光层厚度为20nm。之后将器件转移至压力为10-4Pa下的高真空腔体内，依次将质量比为2:1的mCP与FPCC真空蒸镀形成第一空穴传输层、质量比为1:1的FPCC与WO3真空蒸镀形成第二空穴传输层。最后真空蒸镀100nm的Al电极作为阳极，得到倒置绿光量子点薄膜电致发光器件。
分别对第一空穴传输层和第二空穴传输层进行测试，第一空穴传输层的HOMO能级为6.1eV，第二空穴传输层的HOMO能级为6.03eV。
对制备得到的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件进行亮度测试，结果如图4所示。从图4可以看出，实施例1中的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件亮度高明显高于对比例。
实施例2
本实施例的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件中第一空穴传输层的厚度为5nm，第一空穴传输层的材料为HTL1和HTL2形成的混合物，其中HTL1为mCP，HTL2为FPCC，mCP与FPCC质量比为4:3。第二空穴传输层的厚度为15nm，第二空穴传输层的材料为HTL2和HTL3形成的混合物，其中HTL2为FPCC，HTL3为WO3，FPCC与WO3质量比为3:4。其余与实施例1相同。
倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的具体制备方法与实施例1相同。
第一空穴传输层的HOMO能级为6.1eV，第二空穴传输层的HOMO能级为6.03eV。
对制备得到的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件进行亮度测试，结果如图4所示。从图4可以看出，实施例2中的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件亮度高明显高于对比例。
实施例3
本实施例的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件中第一空穴传输层的厚度为15nm，第一空穴传输层的材料为HTL1和HTL2形成的混合物，其中HTL1为mCP，HTL2为FPCC，mCP与FPCC质量比为3:1。第二空穴传输层的厚度为30nm，第二空穴传输层的材料为HTL2和HTL3形成的混合物，其中HTL2为FPCC，HTL3为WO3，FPCC与WO3质量比为4:3。其余与实施例1相同。
倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的具体制备方法与实施例1相同。
第一空穴传输层的HOMO能级为6.1eV，第二空穴传输层的HOMO能级为6.03eV。
对制备得到的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件进行亮度测试，结果如图4所示。从图4可以看出，实施例3中的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件亮度高明显高于对比例。
实施例4
本实施例的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件中第一空穴传输层的厚度为10nm，第一空穴传输层的材料为HTL1和HTL2形成的混合物，其中HTL1为BCPPA，HTL2为NPB，BCPPA与NPB质量比为2:1。第二空穴传输层的厚度为25nm，第二空穴传输层的材料为HTL2和HTL3形成的混合物，其中HTL2为NPB，HTL3为CuPc，NPB与CuPc质量比为1:1。其余与实施例1相同。
倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的具体制备方法与实施例1相同。
第一空穴传输层的HOMO能级为6.1eV，第二空穴传输层的HOMO能级为5.4eV。
实施例5
本实施例的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件中第一空穴传输层的厚度为15nm，第一空穴传输层的材料为HTL1和HTL2形成的混合物，其中HTL1为BCPPA，HTL2为BTPD，BCPPA与BTPD质量比为4:3。第二空穴传输层的厚度为20nm，第二空穴传输层的材料为HTL2和HTL3形成的混合物，其中HTL2为BTPD，HTL3为MoO3，BTPD与MoO3质量比为3:4。其余与实施例1相同。
倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的具体制备方法与实施例1相同。
第一空穴传输层的HOMO能级为6.04eV，第二空穴传输层的HOMO能级为5.57eV。
实施例6
本实施例的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件中第一空穴传输层的厚度为5nm，第一空穴传输层的材料为HTL1和HTL2形成的混合物，其中HTL1为mCP，HTL2为CBP，mCP与CBP质量比为3:1。第二空穴传输层的厚度为18nm，第二空穴传输层的材料为HTL2和HTL3形成的混合物，其中HTL2为CBP，HTL3为V2O5，CBP与V2O5质量比为4:3。其余与实施例1相同。
倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的具体制备方法与实施例1相同。
第一空穴传输层的HOMO能级为6.1eV，第二空穴传输层的HOMO能级为5.9eV。
实施例7
本实施例的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件中第一空穴传输层的厚度为6nm，第一空穴传输层的材料为HTL1和HTL2形成的混合物，其中HTL1为mCP，HTL2为DCDPA，mCP与DCDPA质量比为3:2。第二空穴传输层的厚度为23nm，第二空穴传输层的材料为HTL2和HTL3形成的混合物，其中HTL2为DCDPA，HTL3为V2O5，DCDPA与V2O5质量比为1:1。其余与实施例1相同。
倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的具体制备方法与实施例1相同。
第一空穴传输层的HOMO能级为6.1eV，第二空穴传输层的HOMO能级为5.88eV。
实施例8
本实施例的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件中第一空穴传输层的厚度为8nm，第一空穴传输层的材料为HTL1和HTL2形成的混合物，其中HTL1为mCP，HTL2为FPCC，mCP与FPCC质量比为4:3。第二空穴传输层的厚度为15nm，第二空穴传输层的材料为HTL2和HTL3形成的混合物，其中HTL2为FPCC，HTL3为V2O5，FPCC与V2O5质量比为3:4。其余与实施例1相同。
倒置绿光量子点薄膜电致发光器件的具体制备方法与实施例1相同。
第一空穴传输层的HOMO能级为6.1eV，第二空穴传输层的HOMO能级为6.03eV。
对比例
对比例的绿光量子点薄膜电致发光器件的结构为基底、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、空穴传输层以及阳极。阴极材料为ITO，电子传输层为ZnO，发光层为绿光量子点，空穴传输层为一层NPB和一层MoO3，阳极为Al。对对比例进行亮度测试，结果如图4所示。从图4可以看出，对比例的亮度明显小于实施例1、实施例2和实施例3中的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基板、阴极、电子传输层、绿光量子点发光层、空穴传输层以及阳极；
所述空穴传输层包括层叠的第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第一空穴传输层与所述绿光量子点发光层直接接触，所述第一空穴传输层的厚度为5nm～15nm；
所述第一空穴传输层的材料为第一空穴传输材料和第二空穴传输材料形成的混合物，所述第二空穴传输层的材料为第二空穴传输材料和第三空穴传输材料形成的混合物；
所述第一空穴传输层的HOMO能级为6.04eV～6.5eV，所述第二空穴传输层的HOMO能级为4.2eV～6.03V，所述第一空穴传输层的HOMO能级大于所述第二空穴传输层的HOMO能级；
所述第二空穴传输层与所述阳极直接接触；
所述第一空穴传输层的厚度小于所述第二空穴传输层厚度。
2.根据权利要求1所述的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述绿光量子点发光层的材料为CdSe@ZnS核壳结构绿光量子点，其中，@表示包覆，CdSe为所述核壳结构绿光量子点的核，ZnS为所述核壳结构绿光量子点的壳。
3.根据权利要求1所述的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述绿光量子点发光层的厚度为20nm～30nm。
4.根据权利要求1所述的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料的HOMO能级、所述第二空穴传输材料的HOMO能级及所述第三空穴传输材料的HOMO能级依次减小。
5.根据权利要求1所述的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料选自2-羟基-3-甲基-2-环戊烯-1-酮和6,6-二(4-9氢-咔唑-9-基)苯基)-6氢-吡咯[3,2,1-de]吖啶中的一种。
6.根据权利要求1所述的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第二空穴传输材料选自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′联苯、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯、8,8-二(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)-8氢-吲哚[3,2,1-de]吖啶和3,5-二(9氢-咔唑-9-基)-氮,氮-联苯氨中的一种。
7.根据权利要求1所述的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第三空穴传输材料选自三氧化钼、三氧化钨、氧化钒和钛菁铜中的一种。
8.根据权利要求1所述的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输层中所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料的质量比为4:3～3:1，所述第一空穴传输材料选自2-羟基-3-甲基-2-环戊烯-1-酮和6,6-二(4-9氢-咔唑-9-基)苯基)-6氢-吡咯[3,2,1-de]吖啶中的一种，所述第二空穴传输材料选自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′联苯、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯、8,8-二(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)-8氢-吲哚[3,2,1-de]吖啶和3,5-二(9氢-咔唑-9-基)-氮,氮-联苯氨中的一种。
9.根据权利要求1所述的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第二空穴传输层中所述第二空穴传输材料和所述第三空穴传输材料的质量比为3:4～4:3，所述第二空穴传输材料选自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′联苯、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯、8,8-二(4-(9氢-咔唑-9-基)苯基)-8氢-吲哚[3,2,1-de]吖啶和3,5-二(9氢-咔唑-9-基)-氮，氮-联苯氨中的一种，所述第三空穴传输材料选自三氧化钼、三氧化钨、氧化钒和钛菁铜中的一种。
10.根据权利要求1所述的倒置绿光量子点薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第二空穴传输层的厚度为15nm～30nm。
CN201610213294.5A 2016-04-07 2016-04-07 倒置绿光量子点薄膜电致发光器件 Expired - Fee Related CN105845834B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610213294.5A CN105845834B (zh) 2016-04-07 2016-04-07 倒置绿光量子点薄膜电致发光器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610213294.5A CN105845834B (zh) 2016-04-07 2016-04-07 倒置绿光量子点薄膜电致发光器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105845834A CN105845834A (zh) 2016-08-10
CN105845834B true CN105845834B (zh) 2017-12-22

Family

ID=56596982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610213294.5A Expired - Fee Related CN105845834B (zh) 2016-04-07 2016-04-07 倒置绿光量子点薄膜电致发光器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105845834B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106159110A (zh) * 2016-09-14 2016-11-23 Tcl集团股份有限公司 一种AgNWs薄膜、量子点发光二极管及其制备方法
CN106549113B (zh) 2017-01-16 2019-10-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及装置
CN107342367A (zh) 2017-06-28 2017-11-10 深圳市华星光电技术有限公司 量子点电致发光器件及其制作方法
US10516132B2 (en) 2017-08-24 2019-12-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Inverted quantum dot light-emitting diode and manufacturing method thereof
CN107565065A (zh) * 2017-08-24 2018-01-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 倒置型量子点发光二极管及其制作方法
CN111584728B (zh) * 2020-05-22 2022-08-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示面板

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG148030A1 (en) * 2000-12-28 2008-12-31 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
JP2006073636A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Japan Science & Technology Agency フレキシブル透明有機エレクトロルミネッセンス装置
KR20120050146A (ko) * 2010-11-10 2012-05-18 엘지디스플레이 주식회사 양자 발광 소자
CN104681730A (zh) * 2015-02-09 2015-06-03 桂林电子科技大学 一种基于梯度结构空穴注入传输的紫外有机电致发光器件及其制备方法
CN105280829B (zh) * 2015-09-17 2018-01-12 Tcl集团股份有限公司 Qled及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105845834A (zh) 2016-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105845834B (zh) 倒置绿光量子点薄膜电致发光器件
CN104681731B (zh) 一种钙钛矿型电致发光器件及其制备方法
CN105261707B (zh) 一种新型量子点发光器件
CN105895816B (zh) 一种倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制造方法
WO2019080246A1 (zh) Qled器件的制作方法及qled器件
CN102097598B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN106803546A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN106920827A (zh) 一种发光二极管、阵列基板、发光器件及显示装置
CN107452886A (zh) 一种复合薄膜和有机发光二极管及其制备方法
TWI575725B (zh) 包含金屬氧化物的陽極及具有該陽極之有機發光裝置
CN105895815B (zh) 倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件
CN105845840B (zh) 倒置绿光量子点薄膜电致发光器件
CN105845839B (zh) 倒置绿光量子点薄膜电致发光器件
CN105845835B (zh) 倒置绿光量子点薄膜电致发光器件
CN105845838B (zh) 倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件
CN105845836B (zh) 倒置白光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法
CN105895814B (zh) 倒置蓝光量子点薄膜电致发光器件
CN101916830A (zh) 白色有机电致发光器件及其制备方法
CN111244298A (zh) 一种发光器件及显示器
CN104183738A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183718A (zh) 有机电致发光装置及其制备方法
CN104183732A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
WO2024040561A1 (zh) 发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置
CN103137877B (zh) 电致发光器件及其制备方法
WO2024000517A1 (zh) 发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20171222

Termination date: 20200407

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee