CN105845748B - 多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法 - Google Patents

多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法。它解决了现有太阳能电池的结构简单，容易出现持续衰减，产品稳定性差等技术问题。本多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法，包括以下步骤：a、对晶体硅片进行清洗制绒、扩散和刻蚀；b、将步骤a中完成的晶体硅片通过臭氧发生装置在硅片表面生成一层1‑2nm的SiO2氧化膜；c、通过清洗装置将石墨舟清洗干净，将步骤b中完成的晶体硅片装到石墨舟上，将其放入管式PECVD进行预沉积和清洗；d、将步骤c中完成的晶体硅片用管式PECVD沉积；e、将步骤d中完成的晶体硅片用管式PECVD再次沉积。本发明具有产品稳定、可靠的优点。

Description

多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种制作方法，特别是一种多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法。
背景技术
近几年的研究表明，存在于晶体硅光伏组件中的电路与其接地金属边框之间的高电压，会造成组件的光伏性能的持续衰减。造成此类衰减的机理是多方面的，例如，在上述高电压的作用下，组件电池的封装材料和组件上表面层及下表面层的材料中出现的离子迁移现象；电池中出现的热载流子现象；电荷的再分配削减了电池的活性层；相关的电路被腐蚀等，这些引起衰减的机理被称之为电位诱发衰减、极性化(Potential InducedDegradation即PID)。一些电站实际使用表明，光伏发电系统的系统电压似乎存在对晶体硅电池组件有持续的“电位诱发衰减”效应(PID效应)，基于丝网印刷的晶体硅电池通过封装材料(通常是EVA和玻璃的上表面)对组件边框形成的回路所导致的漏电流，被确认为是引起上述效应的主要原因。近年来PID已经成为国外买家投诉国内组件质量的重要因素之一，严重时候它可以引起一块组件功率衰减60％以上，从而影响整个电站的功率输出，一些国家和地区已逐步开始把抗PID作为组件的关键要求之一。影响晶硅光伏组件功率衰减的一大核心因素是晶硅电池，由于组件中的一个重要辅料EVA容易水解产生醋酸，醋酸可以和玻璃中的钠盐反应，导致钠离子迁移到电池表面影响电池性能，从而导致组件功率的衰减，也即引起组件PID衰减。电池片在镀膜前先进行臭氧氧化通过臭氧发生装置使氧气和空气发生反应产生臭氧进而在硅片表面镀上一层很薄的SiO2氧化膜，增加其抗钠离子渗透能力,阻挡离子和水汽进入电池内部对电池的性能产生破坏，从而有效解决组件PID衰减。
经检索，如中国专利文献公开了一种太阳能电池【申请号：200810065797.8；公开号：CN 101527327A】。这种太阳能电池，其包括：一硅片衬底，该硅片衬底的上表面形成有多个间隔设置的凹孔；一背电极，该背电极设置于所述硅片衬底的下表面，且与该硅片衬底表面欧姆接触；一掺杂硅层，该掺杂硅层形成于所述凹孔的内表面；一上电极，该上电极设置于所述硅片衬底的上表面；其特征在于，所述上电极包括一碳纳米管结构。
该专利中公开的太阳能电池虽然可使其具有较好的透光性，但是，该太阳能电池的结构简单，容易出现持续衰减，产品稳定性差，因此，设计出一种多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法是很有必要的。
发明内容
本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法，该制作方法具有产品稳定、可靠的特点。
本发明的目的可通过下列技术方案来实现：多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、对晶体硅片进行清洗制绒、扩散和刻蚀，通过酸雾处理装置对清洗制绒和刻蚀产生的废气进行处理，通过尾排处理装置对扩散产生的尾气进行处理；
b、将步骤a中完成的晶体硅片通过臭氧发生装置在晶体硅片表面生成一层1-2nm的SiO2氧化膜；
c、通过清洗装置将石墨舟清洗干净，将步骤b中完成的晶体硅片装到石墨舟上，将其放入管式PECVD进行预沉积和清洗，通过NH3电离的H+轰击硅片对其表面进行清洗，其中，PECVD参数设置为：氨气流量5-5.5slm，射频功率4900-5900wart，时间10-20s；
d、将步骤c中完成的晶体硅片用管式PECVD沉积，得到第一层折射率为2.20-2.25的高折射率氮化硅减反射膜，其中，PECVD参数设置为：氨气流量4.5-5.5slm，硅烷流量1100-1200sccm，压强1600-1800mTor，射频功率5200-6200wart，开关时间5:40ms，时间200-240s；
e、将步骤d中完成的晶体硅片用管式PECVD再次沉积，得到第二层折射率为2.00-2.05的低折射率氮化硅减反射膜，其中，PECVD参数设置为：氨气流量7.5-8.5slm，硅烷流量830-910sccm，压强1600-1800mTor，射频功率5200-6200wart，开关时间5:40ms，时间390-420s。
采用以上方法，通过在臭氧氧化硅片表面使用管式PECVD沉积高、低折射率组成的二层氮化硅减反射膜，较常规折射率在2.03-2.07的低折射率减反射膜折射率提高，在不影响太阳电池转换效率的情况下能满足电池组件抗PID的要求，且抗PID测试组件衰减功率也得到了大幅度的下降，仅为0.75％左右，延长了组件使用寿命，产品稳定、可靠。
在步骤a中所述的酸雾处理装置包括底座和固定在底座上的排气塔，所述底座上固定有一级吸收塔和二级吸收塔，一级吸收塔内竖直设置有分隔板一，分隔板一将一级吸收塔分成左空腔和右空腔，分隔板一上开设有若干通孔，一级吸收塔的左空腔下端连接有进气管一，一级吸收塔的右空腔上端连接有出气管一，二级吸收塔内水平设置有分隔板二，分隔板二将二级吸收塔分隔成上空腔和下空腔，二级吸收塔的上空腔连接有进气管二，二级吸收塔的下空腔连接有出气管二，且出气管二与排气塔相连接，二级吸收塔下空腔连接有连接管一，连接管一的另一端设置在二级吸收塔上空腔，且出气管一和进气管二之间连接有连接管二；底座上还固定有一循环水池，循环水池连接有出水管一，出水管一的另一端与一级吸收塔右空腔相连接，循环水池连接有进水管一，进水管一另一端与二级吸收塔下空腔相连接。
酸雾处理装置的工作原理如下：含氮氧化物的废气通过进气管一进入到一级吸收塔内，循环水池内的水通过出水管一能够向一级吸收塔内进行喷淋，对废气进行吸收，且分隔板一上开设有通孔主要起到过滤的作用，同时，一级吸收塔内的废气和水由出气管一流出，且通过连接管二和进气管二进入到二级吸收塔的上空腔内，再由连接管一进入到二级吸收塔的上空腔内，从而实现多级净化，二级吸收塔净化后的气体通过出气管二进入到排气塔排出，且二级吸收塔的水由进水管一进入到循环水池内循环利用。
所述分隔板一上设置有过滤网一。
过滤网一主要起到对进入一级吸收塔内的废气进行过滤的作用。
所述排气塔具有内腔，排气塔的上端设置有出气口，排气塔内水平固定有分隔板三，且分隔板三上开设有若干过滤孔，分隔板三将排气塔内腔从上往下依次分隔成上内腔和下内腔。
分隔板三将排气塔分隔成上内腔和下内腔，且分隔板三上开设有过滤孔，从而对废气进行再过滤处理。
所述排气塔下内腔内设置有若干紫外线照射灯。
排气塔下内腔内的紫外线照射灯能够对废气进行杀菌处理。
所述二级吸收塔下空腔的内壁上还涂有活性炭。
二级吸收塔下空腔内的活性炭为市场上能够买到现有产品，能够起到对废气除臭的作用。
在步骤a中所述的尾排处理装置包括底板，底板上固定有能对尾气进行处理的处理塔，处理塔内设置有若干电加热管，电加热管通过线路与变频器相连，底板上设置有能控制变频器动作的控制机构；处理塔和输送管一端相连通，输送管另一端能和外界相连通，输送管上设置有电磁阀，底板上设置有能将输送管中的尾气暂时进行储存的储气机构，储气机构包括气囊、输入管和输出管，输入管一端和气囊的进口相连通，输入管另一端和输送管相连通，输入管上依次设置有第一单向阀和第一电磁阀，输出管一端和气囊的出口相连通，输出管另一端和输送管相连通，输出管上依次设置有第二单向阀和第二电磁阀，且输入管和输出管分别位于电磁阀两侧；底板上还设置有能对处理塔进行冷却的冷却机构。
尾排处理装置的工作原理如下：扩散过程中会产生带有硅粉的废气，带有硅粉的废气排入输送管内，打开电磁阀，输送管中带有硅粉的废气进入处理塔，通过电加热管加热使带有硅粉的废气燃烧，形成二氧化硅粉末；当处理塔故障时，关闭电磁阀，打开第一电磁阀，输送管中带有硅粉的废气进入输入管，然后通过第一单向阀进入气囊中，待故障消除后，关闭第一电磁阀，打开电磁阀和第二电磁阀，气囊中的废气进入输出管中，然后通过第二单向阀进入输送管中，使废气不会因为处理塔故障而没处理而排放到外界，处理可靠；底板上还设置有能对处理塔进行冷却的冷却机构，采用冷却机构对处理塔进行冷却，使处理塔不会因温度过高而产生故障，处理持续时间长，可持续性能好。
所述控制机构包括控制器和警灯，警灯固定在底板上，变频器和警灯均与该控制器相连。
采用以上结构，当处理塔故障时，变频器传递信号到控制器，控制器传递信号到警灯，提示作用好；当处理塔故障消除后，控制器控制变频器工作，变频器使电加热管重新工作。
所述底板上还设置有能提示气囊异常的提示机构，提示机构包括压力传感器、警铃和显示器，压力传感器设置在输入管上，显示器固定在底板上，压力传感器、警铃和显示器均与上述控制器相连。
采用以上结构，通过压力传感器检测到输入管异常，然后将异常信号传递到控制器，控制器将信号同时传递到显示器和警铃，警铃发出报警，警示作用好。
所述电磁阀、第一电磁阀和第二电磁阀均与上述控制器相连。
采用以上结构，通过控制器控制电磁阀、第一电磁阀、第二电磁阀动作，智能化程度高。
所述控制器为PLC可编程控制器。
所述冷却机构包括若干风扇、安装环、导轨、滑动块、电机和钢丝绳，导轨竖直固定在底板上，滑动块设置在导轨上，电机固定在导轨上端，钢丝绳一端和电机的输出轴相连，钢丝绳另一端和滑动块相连，安装环固定在滑动块上，且处理塔位于安装环内，若干风扇设置在安装环上，且风扇的出风口朝上。
采用以上结构，通过电机工作带动钢丝绳动作，钢丝绳带动滑动块沿导轨上下移动，进而带动滑动块上的安装环上下移动，使安装环上的风扇上下移动，从而加快处理塔外的热空气向上排出，冷却作用好。
所述导轨上端通过第一弹簧固定有上行程开关，导轨下端第二弹簧固定有下行程开关，上行程开关、下行程开关均与电机相连。
采用以上结构，当安装环上移至最高触碰第一弹簧上的上行程开关时，上行程开关发出信号使电机反转，使安装环下移，当安装环下移至最低触碰第二弹簧上的下行程开关时，下行程开关发出信号使电机正转，使安装环上移。
在步骤c中所述的清洗装置包括工作台和固定在工作台上的清洗槽，所述清洗槽内水平设置有转动轴一和转动轴二，转动轴一上固定滚轮一，转动轴二上固定有滚轮二，滚轮一和滚轮二之间套设有皮带，清洗槽沿长度方向的一内侧壁上固定有出气管三，清洗槽沿长度方向的另一内侧壁上固定有出气管四，出气管三和出气管四上均开设有若干出气孔，清洗槽的外壁上固定有风机一和风机二，风机一出气口与出气管三的一端连接，风机二出气口与出气管四的一端连接，转动轴一的一端穿出清洗槽，且转动轴一的穿出端设置有驱动机构；工作台上固定有水箱，水箱具有空腔，水箱空腔内水平设置有一过滤网二，过滤网二将水箱空腔分成上空腔和下空腔，水箱下空腔连接有出水管二，出水管二的另一端与清洗槽相连接，水箱上空腔连接有进水管二，进水管二的另一端与清洗槽相连接。
清洗装置的工作原理如下：通过驱动机构能够带动转动轴一上的滚轮一转动，通过转动轴二上的滚轮二和皮带，从而能够使石墨舟在输送过程中实现清洗，且风机一和风机二能够分别向出气管三和出气管四进行吹起，且出气管三和出气管四上的出气孔，从而能够使清洗槽内的清洗液形成水波，从而能够更有效的对石墨舟进行清洗；同时，清洗槽内的清洗液能够通过进水管二进入到水箱上空腔，通过过滤网二进行过滤渗透到水箱下空腔，由出水管二再回流到清洗槽内，从而达到节约水资源的目的。
所述驱动机构包括驱动电机，驱动电机输出轴端部固定在转动轴一上。
所述清洗槽的内底壁上还设置有若干加热管。
加热管能够根据实际清洗情况对清洗液进行加热，从而提高清洗效果。
所述水箱具有开口，且开口处铰接有一盖板，所述的水箱相对的两侧面上竖直开设有滑槽一和滑槽二，滑槽一和滑槽二上分别滑动设置有滑块一和滑块二，上述的过滤网二固定在滑块一和滑块二上。
过滤网二通过滑块一和滑块二，可拆卸设置在清洗槽内，从而便于对过滤网二进行清理和替换。
与现有技术相比，本多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法具有以下优点：
1、本发明中通过在臭氧氧化硅片表面使用管式PECVD沉积高、低折射率组成的二层氮化硅减反射膜，较常规折射率在2.03-2.07的低折射率减反射膜折射率提高，在不影响太阳电池转换效率的情况下能满足电池组件抗PID的要求，且抗PID测试组件衰减功率也得到了大幅度的下降，仅为0.75％左右，延长了组件使用寿命，产品稳定、可靠。
2、当处理塔故障时，输送管中带有硅粉的废气可进入输入管，通过第一单向阀进入气囊中，待故障消除后，气囊中的废气进入输出管中，通过第二单向阀进入输送管中，使废气不会因为处理塔故障而没处理而排放到外界，处理可靠。
3、通过滚轮一、滚轮二和皮带的作用，能够使石墨舟在输送过程中实现清洗，且风机一和风机二能够分别向出气管三和出气管四进行吹起，从而能够使清洗槽内的清洗液形成水波，能够更有效的对石墨舟进行清洗，清洗效果好。
附图说明
图1是尾排处理装置的平面结构示意图。
图2是酸雾处理装置的剖视结构示意图。
图3是清洗装置的立体结构示意图。
图4是清洗装置的剖视结构示意图。
图中，1、底板；2、控制器；3、显示器；4、警灯；5、电加热管；6、处理塔；7、第二弹簧；8、导轨；9、下行程开关；10、滑动块；11、安装环；12、风扇；13、钢丝绳；14、上行程开关；15、第一弹簧；16、电机；17、变频器；18、输出管；19、电磁阀；20、输送管；21、输入管；22、第一电磁阀；23、压力传感器；24、第一单向阀；25、气囊；26、第二单向阀；27、第二电磁阀；28、警铃；50、底座；51、排气塔；52、一级吸收塔；53、二级吸收塔；54、分隔板一；55、进气管一；56、出气管一；57、分隔板二；58、进气管二；59、出气管二；60、连接管一；61、连接管二；62、循环水池；63、出水管一；64、进水管一；65、分隔板三；66、紫外线照射灯；67、工作台；68、清洗槽；69、皮带；70、出气管三；71、出气管四；72、风机一；73、风机二；74、水箱；75、出水管二；76、进水管二；77、驱动电机；78、盖板；79、过滤网二。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
本多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法，包括以下步骤：
a、对晶体硅片进行清洗制绒、扩散和刻蚀，通过酸雾处理装置对清洗制绒和刻蚀产生的废气进行处理，通过尾排处理装置对扩散产生的尾气进行处理；
b、将步骤a中完成的晶体硅片通过臭氧发生装置在晶体硅片表面生成一层1-2nm的SiO2氧化膜；在本实施例中，将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅片通过臭氧发生装置在硅片表面生成一层1.5nm的SiO2氧化膜；
c、通过清洗装置将石墨舟清洗干净，将步骤b中完成的晶体硅片装到石墨舟上，将其放入管式PECVD进行预沉积和清洗，通过NH3电离的H+轰击硅片对其表面进行清洗，其中，PECVD参数设置为：氨气流量5-5.5slm，射频功率4900-5900wart，时间10-20s；在本实施例中，PECVD参数设置为：氨气流量5.2slm，射频功率5500wart，时间15s；
d、将步骤c中完成的晶体硅片用管式PECVD沉积，得到第一层折射率为2.20-2.25的高折射率氮化硅减反射膜，其中，PECVD参数设置为：氨气流量4.5-5.5slm，硅烷流量1100-1200sccm，压强1600-1800mTor，射频功率5200-6200wart，开关时间5:40ms，时间200-240s；在本实施例中，第一层折射率为2.22的高折射率氮化硅减反射膜，其中，PECVD参数设置为：氨气流量5.0slm，硅烷流量1150sccm，压强1700mTor，射频功率5700wart，开关时间5:40ms，时间220s；
e、将步骤d中完成的晶体硅片用管式PECVD再次沉积，得到第二层折射率为2.00-2.05的低折射率氮化硅减反射膜，其中，PECVD参数设置为：氨气流量7.5-8.5slm，硅烷流量830-910sccm，压强1600-1800mTor，射频功率5200-6200wart，开关时间5:40ms，时间390-420s；在本实施例中，第二层折射率为2.02的低折射率氮化硅减反射膜，其中，PECVD参数设置为：氨气流量8.0slm，硅烷流量850sccm，压强1700mTor，射频功率5700wart，开关时间5:40ms，时间405s
采用该方法，通过在臭氧氧化硅片表面使用管式PECVD沉积高、低折射率组成的二层氮化硅减反射膜，较常规折射率在2.03-2.07的低折射率减反射膜折射率提高，在不影响太阳电池转换效率的情况下能满足电池组件抗PID的要求，且抗PID测试组件衰减功率也得到了大幅度的下降，仅为0.75%左右，延长了组件使用寿命，产品稳定、可靠。
下表是本发明与传统方法，成品电性能的比较：
如图2所示，在步骤a中的酸雾处理装置包括包括底座50和固定在底座50上的排气塔51，底座50上固定有一级吸收塔52和二级吸收塔53；一级吸收塔52内竖直设置有分隔板一54，分隔板一54将一级吸收塔52分成左空腔和右空腔，分隔板一54上开设有通孔，且分隔板一54上设置有过滤网一，过滤网一主要起到对进入一级吸收塔52内的含氮氧化物的废气进行过滤的作用；一级吸收塔52的左空腔下端连接有进气管一55，一级吸收塔52的右空腔上端连接有出气管一56，二级吸收塔53内水平设置有分隔板二57，分隔板二57将二级吸收塔53分隔成上空腔和下空腔，二级吸收塔53的上空腔连接有进气管二58，二级吸收塔53的下空腔连接有出气管二59，且出气管二59与排气塔51相连接，二级吸收塔53下空腔连接有连接管一60，连接管一60的另一端设置在二级吸收塔53上空腔，且出气管一56和进气管二58之间连接有连接管二61。
如图2所示，底座50上还固定有一循环水池62，循环水池62连接有出水管一63，出水管一63的另一端与一级吸收塔52右空腔相连接，循环水池62连接有进水管一64，进水管一64另一端与二级吸收塔53下空腔相连接；排气塔51具有内腔，排气塔51的上端设置有出气口，排气塔51内水平固定有分隔板三65，且分隔板三65上开设有若干过滤孔，分隔板三65将排气塔51内腔从上往下依次分隔成上内腔和下内腔；分隔板三65将排气塔51分隔成上内腔和下内腔，且分隔板三65上开设有过滤孔，对废气进行再过滤处理；排气塔51下内腔内设置有若干紫外线照射灯66，排气塔51下内腔内的紫外线照射灯66能够对废气进行杀菌处理。
如图2所示，二级吸收塔53下空腔的内壁上还涂有活性炭，二级吸收塔53下空腔内的活性炭为市场上能够买到现有产品，能够起到对废气除臭的作用。
如图2所示，含氮氧化物的废气通过进气管一55进入到一级吸收塔52内，循环水池62内的水通过出水管一63能够向一级吸收塔52内进行喷淋，对废气进行吸收，且分隔板一54上开设有通孔主要起到过滤的作用，同时，一级吸收塔52内的废气和水由出气管一56流出，且通过连接管二61和进气管二58进入到二级吸收塔53的上空腔内，再由连接管一60进入到二级吸收塔53的上空腔内，从而实现多级净化，二级吸收塔53净化后的废气通过出气管二59进入到排气塔51排出，且二级吸收塔53的水由进水管一64进入到循环水池62内循环利用。
如图1所示，在步骤a中的尾排处理装置包括底板1，底板1的材料为不锈钢，底板1上固定有能对尾气进行处理的处理塔6，处理塔6的材料为不锈钢，底板1上通过螺栓连接的方式固定有处理塔6，处理塔6内设置有若干电加热管5，在本实施例中，电加热管5的数量为三根；电加热管5通过线路与变频器17相连，底板1上设置有能控制变频器17动作的控制机构；处理塔6和输送管20一端相连通，输送管20的材料为铁，处理塔6和输送管20通过焊接的方式相连通，输送管20另一端能和外界相连通，输送管20上设置有电磁阀19，底板1上设置有能将输送管20中的尾气暂时进行储存的储气机构，储气机构包括气囊25、输入管21和输出管18，输入管21一端和气囊25的进口相连通，输入管21另一端和输送管20相连通，输入管21上依次设置有第一单向阀24和第一电磁阀22，输出管18一端和气囊25的出口相连通，输出管18另一端和输送管20相连通，输出管18上依次设置有第二单向阀26和第二电磁阀27，且输入管21和输出管18分别位于电磁阀19两侧；底板1上还设置有能对处理塔6进行冷却的冷却机构。
如图1所示，控制机构包括控制器2和警灯4，警灯4固定在底板1上，警灯4通过螺栓连接的方式固定在底板1上，变频器17和警灯4均与该控制器2相连，在本实施例中，控制器2采用市场上可以买到的单片机，单片机控制电磁阀、铃、传感器、变频器和灯的程序为现有，其程序不需要重新编辑；采用以上结构，当处理塔6故障时，在本实施例中，故障为短暂断电，变频器17传递信号到控制器2，控制器2传递信号到警灯4，提示作用好；当处理塔6故障消除后，控制器2控制变频器17工作，变频器17使电加热管5重新工作；当然，变频器17也可以通过线路和抽风机相连。
如图1所示，底板1上还设置有能提示气囊25异常的提示机构，提示机构包括压力传感器23、警铃28和显示器3，压力传感器23设置在输入管21上，显示器3固定在底板1上，显示器3通过螺栓连接的方式固定在底板1上，压力传感器23、警铃28和显示器3均与控制器2相连，采用以上结构，通过压力传感器23检测到输入管21异常，然后将异常信号传递到控制器2，控制器2将信号同时传递到显示器3和警铃28，警铃28发出报警，警示作用好。
如图1所示，电磁阀19、第一电磁阀22和第二电磁阀27均与控制器2相连，采用以上结构，通过控制器2控制电磁阀19、第一电磁阀22、第二电磁阀27动作，智能化程度高；控制器2为PLC可编程控制器。
如图1所示，冷却机构包括若干风机12、安装环11、导轨8、滑动块10、电机16和钢丝绳13，导轨8竖直固定在底板1上，导轨8通过焊接的方式固定在底板1上，滑动块10设置在导轨8上，电机16固定在导轨8上端，电机16通过螺栓连接的方式固定在导轨8上端，钢丝绳13一端和电机16的输出轴相连，钢丝绳13另一端和滑动块10相连，安装环11固定在滑动块10上，安装环11通过焊接的方式固定在滑动块10上，且处理塔6位于安装环11内，若干风扇12设置在安装环11上，在本实施例中，风扇12的数量为六个，且风扇12的出风口朝上，采用以上结构，通过电机16工作带动钢丝绳13动作，钢丝绳13带动滑动块10沿导轨8上下移动，进而带动滑动块10上的安装环11上下移动，使安装环11上的风扇12上下移动，从而加快处理塔6外的热空气向上排出，冷却作用好。
如图1所示，导轨8上端通过第一弹簧15固定有上行程开关14，导轨8下端第二弹簧7固定有下行程开关9，上行程开关14、下行程开关9均与电机16相连，采用以上结构，当安装环11上移至最高触碰第一弹簧15上的上行程开关14时，上行程开关14发出信号使电机16反转，使安装环11下移，当安装环11下移至最低触碰第二弹簧7上的下行程开关9时，下行程开关9发出信号使电机16正转，使安装环11上移。
尾排处理装置的工作原理如下：扩散过程中会产生带有硅粉的废气，带有硅粉的废气排入输送管20内，通过控制器2打开电磁阀19，输送管20中带有硅粉的废气进入处理塔6，通过控制器2控制变频器17工作，变频器17使电加热管5工作，使带有硅粉的废气燃烧，形成二氧化硅粉末；当处理塔6故障时，通过控制器2关闭电磁阀19，然后通过控制器2打开第一电磁阀22，输送管20中带有硅粉的废气进入输入管21，然后通过第一单向阀24进入气囊25中，待故障消除后，通过控制器2关闭第一电磁阀22，然后通过控制器2打开电磁阀19和第二电磁阀27，气囊25中的废气进入输出管18中，然后通过第二单向阀26进入输送管20中。
如图3、图4所示，在步骤c中的清洗装置包括工作台67和固定在工作台67上的清洗槽68；清洗槽68内水平设置有转动轴一和转动轴二，转动轴一上固定滚轮一，转动轴二上固定有滚轮二，滚轮一和滚轮二之间套设有皮带69，清洗槽68沿长度方向的一内侧壁上固定有出气管三70，清洗槽68沿长度方向的另一内侧壁上固定有出气管四71，出气管三70和出气管四71上均开设有出气孔，清洗槽68的外壁上固定有风机一72和风机二73，风机一72出气口与出气管三70的一端连接，风机二73出气口与出气管四71的一端连接；转动轴一的一端穿出清洗槽68，转动轴一的穿出端设置有驱动机构，驱动机构包括驱动电机77，驱动电机77输出轴端部固定在转动轴一上；驱动电机77能够给滚轮一提供动力，从而能够实现皮带69的传动。
如图3、图4所示，工作台67上固定有水箱74，水箱74具有空腔，水箱74空腔内水平设置有一过滤网二79，过滤网二79将水箱74空腔分成上空腔和下空腔，水箱74下空腔连接有出水管二75，出水管二75的另一端与清洗槽68相连接，水箱74上空腔连接有进水管二76，进水管二76的另一端与清洗槽68相连接；清洗槽68的内底壁上还设置有加热管,加热管能够根据实际清洗情况对清洗液进行加热，从而提高清洗效果。
如图3、图4所示，水箱74具有开口，且开口处铰接有一盖板78，水箱74相对的两侧面上竖直开设有滑槽一和滑槽二，滑槽一和滑槽二上分别滑动设置有滑块一和滑块二，过滤网二79固定在滑块一和滑块二上；过滤网二79通过滑块一和滑块二，可拆卸设置在清洗槽68内，从而便于对过滤网二79进行清理和替换。
清洗装置的工作原理如下：通过驱动电机77能够带动转动轴一上的滚轮一转动，通过转动轴二上的滚轮二和皮带69，从而能够使石墨舟在输送过程中实现清洗，且风机一72和风机二73能够分别向出气管三70和出气管四71进行吹起，且出气管三70和出气管四71上的出气孔，从而能够使清洗槽68内的清洗液形成水波，从而能够更有效的对石墨舟进行清洗；同时，清洗槽68内的清洗液能够通过进水管二76进入到水箱74上空腔，通过过滤网二79进行过滤渗透到水箱74下空腔，由出水管二75再回流到清洗槽68内，从而达到节约水资源的目的。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

Claims (9)

1.多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、对晶体硅片进行清洗制绒、扩散和刻蚀，通过酸雾处理装置对清洗制绒和刻蚀产生的废气进行处理，通过尾排处理装置对扩散产生的尾气进行处理，在步骤a中所述的尾排处理装置包括底板，底板上固定有能对尾气进行处理的处理塔，处理塔内设置有若干电加热管，电加热管通过线路与变频器相连，底板上设置有能控制变频器动作的控制机构；处理塔和输送管一端相连通，输送管另一端能和外界相连通，输送管上设置有电磁阀，底板上设置有能将输送管中的尾气暂时进行储存的储气机构，储气机构包括气囊、输入管和输出管，输入管一端和气囊的进口相连通，输入管另一端和输送管相连通，输入管上依次设置有第一单向阀和第一电磁阀，输出管一端和气囊的出口相连通，输出管另一端和输送管相连通，输出管上依次设置有第二单向阀和第二电磁阀，且输入管和输出管分别位于电磁阀两侧；底板上还设置有能对处理塔进行冷却的冷却机构；所述冷却机构包括若干风扇、安装环、导轨、滑动块、电机和钢丝绳，导轨竖直固定在底板上，滑动块设置在导轨上，电机固定在导轨上端，钢丝绳一端和电机的输出轴相连，钢丝绳另一端和滑动块相连，安装环固定在滑动块上，且处理塔位于安装环内，若干风扇设置在安装环上，且风扇的出风口朝上；
b、将步骤a中完成的晶体硅片通过臭氧发生装置在晶体硅片表面生成一层1-2nm的SiO2氧化膜；
c、通过清洗装置将石墨舟清洗干净，将步骤b中完成的晶体硅片装到石墨舟上，将其放入管式PECVD进行预沉积和清洗，通过NH3电离的H+轰击硅片对其表面进行清洗，其中，PECVD参数设置为：氨气流量5-5.5slm，射频功率4900-5900wart，时间10-20s；
d、将步骤c中完成的晶体硅片用管式PECVD沉积，得到第一层折射率为2.20-2.25的高折射率氮化硅减反射膜，其中，PECVD参数设置为：氨气流量4.5-5.5slm，硅烷流量1100-1200sccm，压强1600-1800mTor，射频功率5200-6200wart，开关时间5:40ms，时间200-240s；
e、将步骤d中完成的晶体硅片用管式PECVD再次沉积，得到第二层折射率为2.00-2.05的低折射率氮化硅减反射膜，其中，PECVD参数设置为：氨气流量7.5-8.5slm，硅烷流量830-910sccm，压强1600-1800mTor，射频功率5200-6200wart，开关时间5:40ms，时间390-420s。
2.根据权利要求1所述的多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法，其特征在于，在步骤a中所述的酸雾处理装置包括底座和固定在底座上的排气塔，所述底座上固定有一级吸收塔和二级吸收塔，一级吸收塔内竖直设置有分隔板一，分隔板一将一级吸收塔分成左空腔和右空腔，分隔板一上开设有若干通孔，一级吸收塔的左空腔下端连接有进气管一，一级吸收塔的右空腔上端连接有出气管一，二级吸收塔内水平设置有分隔板二，分隔板二将二级吸收塔分隔成上空腔和下空腔，二级吸收塔的上空腔连接有进气管二，二级吸收塔的下空腔连接有出气管二，且出气管二与排气塔相连接，二级吸收塔下空腔连接有连接管一，连接管一的另一端设置在二级吸收塔上空腔，且出气管一和进气管二之间连接有连接管二；底座上还固定有一循环水池，循环水池连接有出水管一，出水管一的另一端与一级吸收塔右空腔相连接，循环水池连接有进水管一，进水管一另一端与二级吸收塔下空腔相连接。
3.根据权利要求2所述的多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法，其特征在于，所述分隔板一上设置有过滤网一；所述排气塔具有内腔，排气塔的上端设置有出气口，排气塔内水平固定有分隔板三，且分隔板三上开设有若干过滤孔，分隔板三将排气塔内腔从上往下依次分隔成上内腔和下内腔；所述排气塔下内腔内设置有若干紫外线照射灯；所述二级吸收塔下空腔的内壁上还涂有活性炭。
4.根据权利要求1所述的多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法，其特征在于，所述控制机构包括控制器和警灯，警灯固定在底板上，变频器和警灯均与该控制器相连。
5.根据权利要求4所述的多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法，其特征在于，所述底板上还设置有能提示气囊异常的提示机构，提示机构包括压力传感器、警铃和显示器，压力传感器设置在输入管上，显示器固定在底板上，压力传感器、警铃和显示器均与上述控制器相连。
6.根据权利要求5所述的多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法，其特征在于，所述电磁阀、第一电磁阀和第二电磁阀均与上述控制器相连。
7.根据权利要求6所述的多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法，其特征在于，所述导轨上端通过第一弹簧固定有上行程开关，导轨下端第二弹簧固定有下行程开关，上行程开关、下行程开关均与电机相连。
8.根据权利要求1所述的多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法，其特征在于，在步骤c中所述的清洗装置包括工作台和固定在工作台上的清洗槽，所述清洗槽内水平设置有转动轴一和转动轴二，转动轴一上固定滚轮一，转动轴二上固定有滚轮二，滚轮一和滚轮二之间套设有皮带，清洗槽沿长度方向的一内侧壁上固定有出气管三，清洗槽沿长度方向的另一内侧壁上固定有出气管四，出气管三和出气管四上均开设有若干出气孔，清洗槽的外壁上固定有风机一和风机二，风机一出气口与出气管三的一端连接，风机二出气口与出气管四的一端连接，转动轴一的一端穿出清洗槽，且转动轴一的穿出端设置有驱动机构；工作台上固定有水箱，水箱具有空腔，水箱空腔内水平设置有一过滤网二，过滤网二将水箱空腔分成上空腔和下空腔，水箱下空腔连接有出水管二，出水管二的另一端与清洗槽相连接，水箱上空腔连接有进水管二，进水管二的另一端与清洗槽相连接。
9.根据权利要求8所述的多晶太阳电池表面氮化硅减反射膜的制作方法，其特征在于，所述驱动机构包括驱动电机，驱动电机输出轴端部固定在转动轴一上；所述清洗槽的内底壁上还设置有若干加热管；所述水箱具有开口，且开口处铰接有一盖板，所述的水箱相对的两侧面上竖直开设有滑槽一和滑槽二，滑槽一和滑槽二上分别滑动设置有滑块一和滑块二，上述的过滤网二固定在滑块一和滑块二上。
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