CN105829276A - 氧化石墨烯和碳纳米管墨及其制备方法 - Google Patents

氧化石墨烯和碳纳米管墨及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105829276A
CN105829276A CN201380080716.0A CN201380080716A CN105829276A CN 105829276 A CN105829276 A CN 105829276A CN 201380080716 A CN201380080716 A CN 201380080716A CN 105829276 A CN105829276 A CN 105829276A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene oxide
swnt
thin slice
carbon nano
nano tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380080716.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105829276B (zh
Inventor
郭仕锐
王巍
坚吉兹·S·厄兹坎
米里马·厄兹坎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of California
Original Assignee
University of California
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of California filed Critical University of California
Publication of CN105829276A publication Critical patent/CN105829276A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105829276B publication Critical patent/CN105829276B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32Carbon-based
    • H01G11/36Nanostructures, e.g. nanofibres, nanotubes or fullerenes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00Inks
    • C09D11/52Electrically conductive inks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/24Electrodes characterised by structural features of the materials making up or comprised in the electrodes, e.g. form, surface area or porosity; characterised by the structural features of powders or particles used therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/26Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/26Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
    • H01G11/28Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features arranged or disposed on a current collector; Layers or phases between electrodes and current collectors, e.g. adhesives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32Carbon-based
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/52Separators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/84Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
    • H01G11/86Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13Energy storage using capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明提供一种能量装置,所述能量装置包括:具有顶表面和底表面的纸基基板;和至少沉积在所述顶表面上的氧化石墨烯和碳纳米管复合材料。所述能量装置可以用作例如超级电容器中的电极。

Description

氧化石墨烯和碳纳米管墨及其制备方法
技术领域
本文件总体上涉及氧化石墨烯和碳纳米管墨,并且具体地,涉及用于能量装置的氧化石墨烯和碳纳米管墨。
背景
碳同素异形体已经被用于许多应用,例如电子装置、传感器、光伏装置和储能装置。超级电容器归因于其与电池相比的高功率密度和长循环寿命而引起注意。碳纳米管(例如,单壁碳纳米管)已经被认识到是需要大表面积以及高导电性和针对各种电化学条件的稳定性的应用的重要材料。然而,可能存在着限制单壁碳纳米管用于许多应用的使用的加工方面的挑战。
综述
将单壁碳纳米管结合到能量装置中可能会表现出加工方面的挑战。例如,单壁碳纳米管(SWNT)在水或有机溶剂中可能具有低的溶解度或分散浓度,并且归因于范德华相互作用而在没有表面官能化或表面活性剂辅助的情况下会聚集,这减小了有效表面积并且进一步减小了用于储能应用的电容。
之前的方法已经用于借助包括酸处理、表面活性剂结合和非共价结合分子的多种官能化方法来分散SWNT。尽管非共价官能化可以在不引入任何表面活性剂或减小导电性的情况下分散SWNT,但是其仍然是获得分散体形式的高浓度SWNT的主要挑战。氧化石墨烯(GO)具有两性分子性质并且之前的方法将还原的氧化石墨烯与SWNT结合以制备高性能超级电容器。然而,使用还原的氧化石墨烯可能会增加制作成本。此外,之前的方法已经使用镍泡沫体、钛箔、不锈钢和铜网作为用于超级电容器的集电体。然而,这样的集电体通常采用了用于制作的粘合剂材料。
本公开内容提供一种氧化石墨烯/SWNT复合材料墨,其可以与纸基基板结合以形成用于超级电容器的电极。归因于低成本、轻重量、大柔韧性、无粘合剂工艺以及不需要用于集电体的骨架的事实,结合纸基基板对于超级电容器而言可能是有利的。因此,本公开内容的氧化石墨烯/SWNT复合材料墨可以提供用于超级电容器的纸基电极的低成本和高产量制备。
该综述意在提供对本专利申请的主题的综述。其不意在提供对本发明的排他的或详尽的解释。包括细节描述是为了提供关于本专利申请的进一步信息。
附图简述
在不必根据比例绘制的附图中,不同视图中类似的数字可以描述类似的部件。具有不同字母后缀的类似的数字可以表示类似部件的不同情形。附图通常通过实例的方式而非通过限制的方式示出在本文件中讨论的各个实施方案。
图1总体上显示能量装置10的一部分的横截面。
图2总体上显示超级电容器的横截面。
图3总体上显示形成氧化石墨烯(GO)-SWNT纸电极的方法。
图4显示氧化石墨烯薄片的原子力显微图。
图5显示氧化石墨烯薄片的原子力显微图。
图6显示氧化石墨烯薄片的扫描电子显微(SEM)图像。
图7显示氧化石墨烯薄片的SEM图像。
图8显示氧化石墨烯薄片的SEM图像。
图9显示图8的氧化石墨烯薄片的尺寸分布。
图10显示氧化石墨烯薄片的SEM图像。
图11显示图10的氧化石墨烯薄片的尺寸分布。
图12显示氧化石墨烯薄片的SEM图像。
图13显示图12的氧化石墨烯薄片的尺寸分布。
图14显示氧化石墨烯薄片的SEM图像。
图15显示图13的氧化石墨烯薄片的尺寸分布。
图16显示GO-SWNT分散体的照片。
图17显示GO-SWNT分散体的照片。
图18显示GO-SWNT分散体的照片。
图19显示GO-SWNT分散体的照片。
图20显示GO-SWNT纸电极的SEM图像。
图21显示GO-SWNT纸电极的SEM图像。
图22显示GO薄片、SWNT和GO-SWNT分散体的FTIR光谱。
图23显示GO薄片、SWNT和GO-SWNT墨的拉曼光谱。
图24显示了在具有5:1的GO:SWNT比率的不同扫描速率下的关于实施例1的循环伏安法(CV)曲线。
图25显示了在具有1:1的GO:SWNT比率的不同扫描速率下的关于实施例1的循环伏安法(CV)曲线。
图26显示了在具有1:3的GO:SWNT比率的不同扫描速率下的关于实施例1的循环伏安法(CV)曲线。
图27显示了在具有1:5的GO:SWNT比率的不同扫描速率下的关于实施例1的循环伏安法(CV)曲线。
图28显示了在不同电流密度值下的实施例1的比电容测量。
图29显示了第一循环和第5000循环的比电容衰减的比较。
图30显示了关于具有不同GO:SWNT比率的实施例1-4的Ragon曲线。
图31显示了具有不同GO:SWNT比率的实施例1-4的电化学阻抗光谱(EIS)。
详细描述
本公开内容提供关于用于制作电化学稳定的超级电容器的氧化石墨烯(GO)和单壁碳纳米管(SWNT)墨(在本文中也称为“GO-SWNT墨”和“GO-SWNT分散体”)的合成和应用的各种实施方案。如在本文中所述的,在没有表面活性剂辅助的情况下,通过超声处理支持使用GO和去离子水溶液(2毫克/毫升(mg/ml))分散SWNT以得到12mg/ml的SWNT浓度。通过浸渍浇铸(dipcasting)方法将GO-SWNT墨与纸基基板结合以形成用于超级电容器的能量装置(在本文中成为“GO-SWNT纸电极”)。
通过在GO-SWNT墨中使用不同浓度的SWNT,GO-SWNT纸电极提供了不同的电容值。在一个实例中,在1:5的GO/SWNT重量比的情况下,在0.5安培/克(A/g)的电流密度,比电容的最高值达到了295法拉第/克(F/g)。结合了该GO-SWNT纸电极的超级电容器的循环稳定性表现了超过60000个循环的85%的电容保持率。
GO和SWNT之间的相互作用可以分离分散体中的SWNT并且在复合材料墨中提供单独的GO片,其增加了用于电化学反应的有效活性面积。在一个实例中,GO-SWNT复合材料墨可以包含分散在DI水中的至少12mg/ml的SWNT,而没有表面活性剂辅助。即,GO-SWNT墨基本上不含表面活性剂。如在本文中使用的术语“基本上”是指完全地或几乎完全地;例如,“基本上不含”表面活性剂的GO-SWNT墨或者不含有粘合剂,或者含有痕量,使得GO-SWNT墨的任何相关的功能性质不受所述痕量的存在所影响。GO-SWNT墨显示了高稳定性和渗透性,并且可以是用于制备纸电极的有效墨材料。可以容易地制作基于纸电极的超级电容器,而不需要其他添加剂、粘合剂或另外的集电体。本公开内容的能量装置和方法可以提供用于电化学能量装置如超级电容器的大规模制造的无粘合剂印墨方法。
图1总体上显示能量装置10(例如,在本文中也称为“GO-SWNT纸电极10”)的一部分的横截面。在一个实例中,图1中所示的GO-SWNT纸电极10可以例如用作超级电容器中的电极。GO-SWNT纸电极10可以包括纸基基板12和GO-SWNT复合材料14。纸基基板12可以具有顶表面和底表面。纸基基板12可以至少包括滤纸、印刷纸和聚乙烯(PE)膜。
在一个实例中,GO-SWNT纸电极10可以包括GO-SWNT复合材料14。如在本文中使用的“GO-SWNT复合材料”是指干燥以后的GO-SWNT墨。即,将GO-SWNT墨涂敷到纸基基板12并且使其干燥以形成GO-SWNT复合材料14。如在本文中讨论的,GO-SWNT复合材料14可以包括GO(例如,GO薄片)和碳纳米管(例如,单壁碳纳米管),其中GO-SWNT复合材料14基本上不含表面活性剂。如在图1中显示的,将GO-SWNT复合材料14涂敷到纸基基板12的顶表面。然而,底表面和侧表面也可以包括GO-SWNT复合材料14。
在一个实例中,在GO-SWNT复合材料14中,GO(例如,GO薄片)可以是单层GO薄片。在一个实例中,GO薄片的厚度可以在约0.35纳米(nm)至约100nm的范围内。例如,GO薄片的厚度在约.35nm至约50nm的范围和约0.6nm至约2nm的范围内,例如,约00.7nm、0.9nm、1.1nm、1.3nm、1.5nm、1.7nm和1.9nm。在一个实例中,GO薄片的厚度可以在10nm至500μm的范围内。例如,GO薄片的长度在约20nm至约300nm的范围内,例如约50nm、100nm和200nm。
在一个实例中,GO-SWNT复合材料14可以包含约1重量%(wt.%)至约99wt.%的GO(例如,GO薄片)。在一个实例中,GO-SWNT复合材料14可以包含约15wt.%至约85wt.%的GO(例如,GO薄片)。在一个实例中,GO-SWNT复合材料14可以包含约1wt.%至约99wt.%的SWNT。例如,GO-SWNT复合材料14可以包含15wt.%至85wt.%的SWNT,如约20wt.%、30wt.%、40wt.%、50wt.%、60wt.%和70wt.%。
在一个实例中,GO-SWNT纸电极10可以包含碳纳米管。在一个实例中,碳纳米管为单壁碳纳米管(SWNT)。SWNT可以具有约10μm至约10,000μm的平均高度。例如,SWNT的平均高度可以在约100nm至约500nm的范围内,例如25nm、50nm、100nm和150nm。在一个实例中,碳纳米管的平均高度可以为约50μm。
在一个实例中,碳纳米管可以具有在约2nm至约20nm范围内的平均外径。例如,碳纳米管可以具有在约8nm至约15nm范围内的平均外径,例如9nm、10nm、11nm、12nm、13nm和14nm。在一个实例中,碳纳米管可以具有约0.5nm至约50nm的平均内径。例如,碳纳米管可以具有约5nm至约10nm的平均内径,例如6nm、7nm、8nm和9nm。在一个实例中,碳纳米管可以具有在约1层至约50层的范围内的壁厚。
图2总体上显示包括图1的GO-SWNT纸电极10的超级电容器20的横截面。超级电容器20可以包括第一电极22、第二电极24、电解质26和隔体25。第一电极22和第二电极24可以是GO-SWNT纸电极10,如图1中所示。在一个实例中,第一电极22和第二电极24可以包括具有顶表面和底表面的纸基基板12以及至少沉积在所述顶表面上的GO-SWNT复合材料14。
在一个实例中,电解质24可以是氢氧化钾。然而,可以使用适用于超级电容器的其他电解质。例如,可以将水性电解质体系(包括硫酸、硫酸锂和硫酸钠)、有机电解质体系和离子液体用作电解质24。隔体2可以包括多孔膜,例如聚乙烯(PE)膜、聚丙烯(PE)膜、阳极氧化铝(AAO)模板、嵌段共聚物(BCP)以及滤纸。可以使用适用于超级电容器的其他多孔膜。结合了GO-SWNT纸电极10的超级电容器20可以提供优于现有超级电容器、电池和燃料电池的优点。例如,基于GO-SWNT纸电极的超级电容器可以容易地制备,而不需要其他添加剂、粘合剂或另外的集电体。本公开内容的方法提供了用于电化学储能装置的大规模制造的无粘合剂印墨方法。
图3总体上显示用于形成GO-SWNT纸电极的方法100的流程图。在一个实例中,方法100在步骤102可以包括获得或提供GO-SWNT分散体(例如,GO-SWNT墨),其中所述GO-SWNT分散体基本上不含表面活性剂。
所述方法100在步骤104可以包括将GO-SWNT分散体沉积到纸基基板的表面上。例如,将GO-SWNT分散体沉积可以包括将纸基基板浸没(例如,浸涂)到GO-SWNT中。也可以采用其他方法,例如旋涂、滴涂和刀涂。
在一个实例中,GO-SWNT分散体可以包含在约0.1mg/ml至约12mg/ml范围内的SWNT。例如,GO-SWNT分散体可以包含在约0.5mg/ml至约10mg/ml的范围内,例如1mg/ml、2mg/ml、3ml/ml、4mg/ml、5mg/ml、6mg/ml、6mg/ml、7mg/ml、8mg/ml和9mg/ml的SWNT。在一个实例中,GO-SWNT分散体可以包含10mg/ml的SWNT。
在一个实例中,GO-SWNT分散体可以包含在约0.1mg/ml至约10mg/ml范围内的GO薄片。在一个实例中,GO-SWNT分散体可以包含在约1mg/ml至约5mg/ml的范围内,例如2mg/ml、3mg/ml和4mg/ml的GO薄片。
GO-SWNT分散体的pH可以在约1至约14的范围内。例如,GO-SWNT分散体的pH可以在约6至约12的范围内。在一个实例中,GO-SWNT分散体的pH为约7。在一个实例中,所述方法可以包括对沉积在纸基基板的表面上的GO-SWNT分散体进行干燥。
在一个实例中,沉积多个金属氧化物纳米结构可以包括将涂布的多孔金属基板浸没(例如,浸涂)到包含多个金属氧化物纳米结构和去离子水的溶液中。在一个实例中,所述多个金属氧化物纳米结构可以选自多个RuO2纳米粒子和多个MnO2纳米线。
实施例
提供下列实施例以说明而非限制本公开内容的范围。
测试设备
使用标准硅悬臂以击触模式的操作进行原子力显微术(Multimode-5,Veeco)。在室温用具有显微镜和逐步扫描能力(0.5cm-1分辨率)的BrukerEquinox55记录傅里叶变换红外光谱法(FTIR)光谱。使用具有532nm可见激光作为激发源的Renishawmicro-Raman光谱仪获得拉曼光谱。使用LeoSUPRA55显微镜记录SEM图像。
氧化石墨烯的制备
通过使用改进的Hummers方法制备氧化石墨烯(GO)薄片。将石墨(1克(g))和0.75g硝酸钠(NaNO3)置于烧瓶中。在冰-水浴中搅拌的同时加入硫酸(75ml;H2SO4)并且在1h时间内缓慢加入4.5g高锰酸钾(KMnO4)。在冰-水浴中继续搅拌2小时。然后将烧瓶放置到35℃的油浴中历时2小时。向烧瓶中加入去离子水(100ml),同时将温度升高到95℃,在搅拌1小时以后,加入过氧化氢(3mL;H2O2;30wt%水溶液)并且之后将混合物在25℃搅拌2小时。将混合物通过过滤用去离子水完全地洗涤,然后通过机械搅动将GO薄片分散在水中。在过滤以后,将GO薄片(0.1g)分散在去离子水(100mL)中并且超声处理30分钟。为了获得纯化的单层GO分散体,采用下列方法:将获得的分散体超声处理另外的30分钟,然后在1000转/分钟(rpm)离心20分钟以移除溶液中的大粒子。在几次离心以后,然后将上层溶液在8000rpm离心20分钟以移除任何剩余的可溶性杂质和小得多的GO层。将该步骤重复若干次直至上层部分清澈。然后在温和超声处理的情况下将沉淀最终分散在去离子水中。
氧化石墨烯薄片的原子力显微术(AFM)
进行AFM并且图4和5显示了AMF图像。图4和5显示了GO薄片的厚度为约0.5nm。
氧化石墨烯薄片的扫描电子显微(SEM)图像
图6和7显示了氧化石墨烯薄片的SEM图像。该SEM图像显示了GO薄片的尺寸分布在约20nm至约500μm的范围内。
图8、10、12和14显示了GO的SEM图像,并且图9、11、13和15分别显示了图8、10、12和13的不同尺寸分布。通过若干次相继的离心步骤可以获得GO薄片的均匀尺寸。GO薄片的在约200nm至约500nm范围内的尺寸分布用于分散SWNT。利用均匀的并且较小尺寸的GO薄片,可以增加GO薄片和SWNT之间的相互作用。
形成GO-SWNT分散体
将不同量的SWNT(SigmaAldrich)加入到所获得的具有2mg/ml的浓度的GO薄片的GO溶液中。在超声处理10-25分钟以后,形成黑色墨。
对GO-SWNT分散体的pH调节
用NaOH和/或氯化氢(HCl)调节GO-SWNT分散体的pH以进一步测试分散体性质的调制。在pH值增加的情况下,GO-SWNT分散体变得稳定,甚至在一个月的持续时间以后也没有沉淀。当pH值接近4时,分散体非常不稳定,并且在超声处理辅助的分散以后仅仅10分钟内就出现沉淀。然而,通过加入1MNaOH,分散体的稳定性增加。这种GO-SWNT分散体的稳定性表明的长期使用的可能。通过OH-浓度的增加可以将羧基去质子化,从而导致更多带负电的物种,其促进SWNT束的分离。
图16-19显示了具有不同pH水平的GO-SWN分散体(例如,GO-SWNT墨)的照片。GO-SWNT分散体包含在不同的pH水平分散在2mg/ml的GO溶液中的5mgSWNT。图16显示了pH为4的GO-SWNT分散体,图17显示了pH为7的GO-SWNT分散体,图16显示了pH为9的GO-SWNT分散体,并且图16显示了pH为12的GO-SWNT分散体。体积差异归因于为调节pH而加入NaOH。需要注意的是,在图19内部可见的黑色材料是在振荡以后的残留物。
随着SWNT的浓度增加,粘度增加。在SWNT浓度为10mg/ml的GO-SWNT分散体的实例中,GO-SWNT墨形成凝胶。
为了研究GO分散SWNT的能力,增加SWNT和GO之间的重量比。令人惊奇地,在没有表面活性剂辅助的情况下,用2mg/mlGO薄片溶液(例如,GO薄片和去离子水)在GO-SWNT墨中获得12mg/ml的SWNT。即,将12mg/ml加入到GO薄片溶液中。
形成实施例1
将两片编织纸浸入到GO:SWNT重量比为5:1的GO-SWNT墨中。将涂布的纸片在真空烘箱中在40℃干燥4小时,以形成包含GO-SWNT复合材料的GO-SWNT纸电极。使用双电极测量技术用于电化学测量,其中将两片GO-SWNT纸电极组装成夹层结构,并且多孔膜(Celgard3501)作为隔体。将氢氧化钾(KOH;6M)水溶液用作电解质。在室温在大气条件下进行超级电容器元件的包装。
形成实施例2
重复实施例1,不同之处在于GO-SWNT墨具有1:1的GO:SWNT重量比。
形成实施例3
重复实施例1,不同之处在于GO-SWNT墨具有1:3的GO:SWNT重量比。
形成实施例4
重复实施例1,不同之处在于GO-SWNT墨具有1:5的GO:SWNT重量比。
GO-SWNT电极的SEM图像
GO薄片和SWNT由于范德华力而倾向于再堆叠或形成束。GO和SWNT之间的非共价相互作用可以不仅影响SWNT束的分离,而且影响防止GO薄片再堆叠。图20和21显示了实施例1的GO-SWNT纸电极的SEM图像。显示的是SWNT分离并且嵌入到GO薄片中。尽管在与SWNT混合以后发生了GO片的部分再堆叠,然而它们在防止进一步的再堆叠方面发挥作用,其提供了用于实现单个GO片的机会。
FTIR光谱
图22显示GO薄片、SWNT和GO-SWNT墨的FTIR光谱。在GO薄片的表面上存在的占优化学结构是叔醇和醚,并且在GO的周边存在非常低量的羧酸。这些结构特征对GO薄片提供了令人着迷的性质。尽管羟基、酮基、醚基和羧基提供了GO薄片和水分子之间氢键键合的机会,但是完整的π键将提供π-π堆叠的机会。GO薄片的FTIR光谱进一步确认了这些官能团的存在。C–OH基(1378cm-1)的弯曲、C=O(1715cm-1)拉伸震动以及环氧基分别在1094cm-1和857cm-1的C–O和C–C拉伸都表征了空气干燥的光谱。
拉曼光谱
图23显示GO薄片、SWNT和GO-SWNT墨的拉曼光谱。如在GO薄片(例如,GO膜)的图23中所示的,拉曼光谱具有D(1320cm-1)带、G(1573cm-1)带和2D(2640cm-1)带,其表示了GO材料的特征峰。1:1和2:1的ID/IG比率确认了双层或单层GO薄片的存在。因此,因为ID/IG比率为2:1,确定GO薄片是单层GO薄片。
分子与石墨烯的相互作用可以用拉曼光谱表征,其中D、G和2D带用于理解化学相互作用的本质。随着SWNT和GO的混合增加的G带的半最大值全宽度(full-width-at-half-maximum)(FWHM)显示了经由GO片与SWNT的π-π相互作用的电子结构变化。
这样的协同效应增加了GO-SWNT复合材料的有效表面积,其增加了用于电化学反应的活性部位的密度。与这种墨材料的纸的容易结合提供了电极的低成本制作的方式,而不需要粘合剂或添加剂。因此,该GO-SWNT复合材料可以提供电化学双层电容器(EDLC)的低成本卷对管制作的巨大机会。
电化学测试
将包装电池的两个电极用鳄鱼夹连接到电化学分析仪(GamryReference600TM)。以在-0.5至0.5V范围内的1伏的电压窗口,以5mVsec-1至500mVsec-1的扫描速率进行循环伏安法(CV)和计时电位法(充电-放电(CD))扫描。在0.1Hz至1MHz之间以10mV的振幅进行恒电势EIS测量。
进行循环伏安法(CV)以评价在对称双电极超级电容器元件中组装的电极的电化学性能。图24-27显示了在不同扫描速率下关于实施例1-4的CV曲线。图24显示了关于实施例1(GO:SWNT比率为5:1)的CV曲线,图25显示了关于实施例2(GO:SWNT比率为1:1)的CV曲线,图26显示了关于实施例3(GO:SWNT比率为1:3)的CV曲线,并且图27显示了关于实施例4(GO:SWNT比率为1:5)的CV曲线。如在图24-27中所示的,GO/SWNT的不同比率提供了不同的比电容值。在5mv/s的5:1、1:1、1:3和1:5的GO/SWNT比率分别提供42.8F/g、24.0F/g、102.8F/g和124.2F/g的比电容值。Cs的比电容值使用等式(1)由CV曲线计算:
C s = ∫ I d V m × Δ V × S
其中Cs为比电容,∫IdV为CV曲线的积分面积,m是用于电极之一的活性材料的质量,ΔV是电压窗口,而S是扫描速率。比电容随着墨中SWNT/GO比率增加而增加。偏离CV曲线的矩形形状的少许变形是归因于由GO薄片上的各种官能团导致的假电容(pseudo-capacitance)。
对于1:1比率来说,计算的比电容比报告的90F/g值低,这可能归因于在当前测量中使用的活性材料的实际质量。在本发明的一个制造工艺中,将编织纸的两侧都覆盖GO-SWNT。尽管编织纸具有高的孔隙率,但是也将会在某种程度上防止从纸的一侧至另一个侧的离子传输。因此,实际的活性材料(例如,对电容有贡献的材料)大大少于用于制备电极的总材料。需要注意的是,对于不同的GO:SWNT比率所计算的本发明的比电容值高于GO本身的值(10.9F/g)。
图28显示了在不同电流密度值下的实施例4的比电容测量。在本文中,在0.5A/g的最高电容值为295F/g,其与在251F/g的关于官能化GO-MWNT材料的值是可比较的。取决于官能团或SWNT的类型(例如,金属或半导体管),许多基于SWNT的超级电容器显示了在32–142F/g范围内的比电容。
循环稳定性是超级电容器装置的重要性质。使用恒电流充电-放电测量本发明材料体系的循环稳定性。使用下列等式(2)计算在不同电流密度下的比电容值:
C s = 2 i m ( d V / d t )
其中m是一个电极的碳质量,i是放电电流,并且dV/dt是放电曲线斜率。
1:5的GO/SWNT比率表明了最高比电容,其随着充电-放电电流密度的增加而一致地增加。申请人将该现象归因于离子减少到达活性表面,特别是相对慢的法拉第反应(faradicreaction)。
图29显示了实施例4的关于第一次循环和第5000次循环的比电容衰减的比较。在5000次循环以后,电容值降低了11%,这显示了本发明的复合墨材料与单独的还原GO材料的稳定性相比的更高的稳定性。充电-放电循环在2A/g继续60000个循环。与第一次循环相比,观察到仅仅64%的电容保持率。然而,与第5000次循环相比,获得了85%的保持率。这清楚地表明用于超级电容器电极的本发明复合墨材料的高稳定性。有趣的是,发现电容在5000次循环以后增加。活性材料的两个侧面的活性部位可能在许多循环以后增加,并且GO可能部分地还原为石墨烯,或者SWNT的顶部会是打开的,这增加了总表面积,因此增加了电容。该现象进一步表明了在长循环测试过程中的电极材料的稳定性。
能量密度(E)和功率密度(P)使用等式(3)和(4)计算:
E = 1 2 C s ( Δ V ) 2 - - - ( 3 )
P = E t - - - ( 4 )
其中t是放电的总时间。Cs是来自充电-放电测量的比电容值,并且ΔV是对于水性电解质为1.0V的电势范围。根据不同的GO/SWNT比率获得Ragone曲线。图30显示了具有不同GO:SWNT比率的实施例1-4的Ragone曲线。清楚的是,在根据电容测量的1:5的GO/SWNT比率的情况下,复合墨材料表现出了最高的功率密度。对于墨来说1:1比率显示了根据CV测量的较低性能。归因于GO和SWNT之间相互作用的过多成束的SWNT和/或堆叠的GO薄片可能是所述低性能的原因。电容器的功率密度达到了10kW/kg的值,其高于GO基或CNT基超级电容器的值。
图31显示了具有不同GO:SWNT比率的实施例1-4的电化学阻抗光谱(EIS)。如在图31中所示的,随着SWNT的量增加,内阻降低。
概述
在没有表面活性剂辅助的情况下,使用GO材料在高达12mg/ml的浓度成功地分散了SWNT。该GO–SWNT纸电极是不含粘合剂的,并且通过将纸基板浸入到GO-SWNT分散体中、随后进行真空烘箱干燥而制备。在没有还原GO材料的情况下,本申请显示了在0.5A/g的充电-放电电流密度为295F/g的比电容值。在60000次充电-放电循环以后的85%的电容保持率显示了超级电容器电极的高电化学稳定性。本公开内容提供了用于广泛用途的储能装置的基于墨的低成本和卷对卷制作。
不同的注释&实施例
为了进一步描述在本文中公开的方法以及复合碳纳米管和石墨烯纳米结构,在这里提供了对实施例的非限制性列举:
在实施例1中,一种能量装置,所述能量装置包括:具有顶表面和底表面的纸基基板;和至少沉积在所述顶表面上的氧化石墨烯和碳纳米管复合材料。
在实施例2中,实施例1的主题可以任选地被配置为使得所述氧化石墨烯和碳纳米管复合材料基本上不含表面活性剂。
在实施例3中,实施例1或2中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述氧化石墨烯和碳纳米管复合材料包含约15重量%至约85重量%的氧化石墨烯。
在实施例4中,实施例1至3中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述氧化石墨烯和碳纳米管复合材料包含约15重量%至约85重量%的碳纳米管。
在实施例5中,实施例1至4中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述碳纳米管是单壁碳纳米管。
在实施例6中,实施例1至5中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述能量装置不包括粘合剂。
在实施例7中,实施例1至6中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述氧化石墨烯是单层氧化石墨烯薄片。
在实施例8中,实施例1至7中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述单层氧化石墨烯薄片的厚度在约0.35纳米至约50纳米的范围内。
在实施例9中,实施例1至8中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述单层氧化石墨烯薄片的长度在约200纳米至约500纳米的范围内。
在实施例10中,一种超级电容器,所述超级电容器可以包括:第一电极,所述第一电极包括:具有顶表面和底表面的第一纸基基板,和至少沉积在所述顶表面上的第一氧化石墨烯和碳纳米管复合材料;第二电极,所述第二电极包括:具有顶表面和底表面的第二纸基基板,和至少沉积在所述顶表面上的第二氧化石墨烯和碳纳米管复合材料;电解质;和安置在所述第一电极和所述第二电极之间的隔体。
在实施例11中,实施例1至10中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述第一氧化石墨烯和碳纳米管复合材料和所述第二氧化石墨烯和碳纳米管复合材料包含约15重量%至约85重量%的氧化石墨烯。
在实施例12中,实施例1至11中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述氧化石墨烯和碳纳米管复合材料和所述第二氧化石墨烯和碳纳米管复合材料包含约15重量%至约85重量%的碳纳米管。
在实施例13中,实施例1至12中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述碳纳米管是单壁碳纳米管。
在实施例14中,实施例1至13中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述第一氧化石墨烯和碳纳米管复合材料和所述第二氧化石墨烯和碳纳米管复合材料包含多个氧化石墨烯薄片,所述氧化石墨烯薄片的厚度在约0.35纳米至约50纳米的范围内,并且长度在约200纳米至约500纳米的范围内。
在实施例15中,一种方法,所述方法可以包括:获得或提供氧化石墨烯和碳纳米管分散体,所述氧化石墨烯和碳纳米管分散体基本上不含表面活性剂;和将所述氧化石墨烯和碳纳米管分散体沉积在纸基基板的表面上。
在实施例16中,实施例1至15中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述氧化石墨烯和碳纳米管分散体包含在约0.5毫克/毫升至约12毫克/毫升范围内的碳纳米管。
在实施例17中,实施例1至16中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得包括用紫外线产生的臭氧处理涂布的多孔金属基板一段时间。
在实施例18中,实施例1至16中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得包括对沉积在所述纸基基板的表面上的所述氧化石墨烯和碳纳米管分散体进行干燥。
在实施例19中,实施例1至18中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述氧化石墨烯和碳纳米管分散体的pH在约6至约12的范围内。
在实施例20中,实施例1至19中的任一项或任意组合的主题可以任选地被配置为使得所述碳纳米管是单壁碳纳米管。
这些非限制性实例可以以任何排列或组合方式组合。以上详细描述意在是说明性的并不是限制性的。例如,上述实例(或其一个或多个要素)可以彼此结合使用。如由本领域普通技术人员基于回顾以上描述,可以使用其他实施方案。此外,可以将各种特征或要素集合在一起以简化本公开内容。这不应该被解释为意指未要求保护的公开特征对任何权利要求是必需的。相反,本发明的主题可以处于少于具体公开的实施方案的全部特征的状态。因此,以下权利要求在此结合至详细描述中,并且各权利要求作为单独的实施方案代表其本身。本发明的范围应该参照所附权利要求以及与这些权利要求授予的等价物的全部范围来确定。
在本申请中,术语“包含(including)”和“其中(inwhich)”用作各自的术语“包含(comprising)”和“其中(wherein)”的通俗英语等同物。此外,在以下权利要求中,术语“包括”和“包含”是开放性的,即,包括除在权利要求中在所述术语后列出的那些以外要素的方法、电池或能量装置仍然被认为落在所述权利要求的范围内。此外,在以下权利要求中,术语“第一”、“第二”和“第三”等仅被用作标记,并且并非意在对其目标赋予数字要求。
在本文中,如在专利文献中常见的,术语“一个”或“一种”用来包括一个或多于一个,独立于“至少一个”或“一个或多个”的任何其他实例。在本文中,除非另外说明,术语“或”用来指代非排他性的,因此“A或B”包括“A而不是B”、“B而不是A”以及“A和B”。在本文中,术语“包括(including)”和“其中(inwhich)”用作各自的术语“包括(comprising)”和“其中(wherein)”的通俗英语等同物。此外,在以下权利要求中,术语“包括”和“包含”是开放性的,即,包括除在权利要求中在所述术语后列出的那些以外要素的系统、装置、制品或过程仍然被认为落在所述权利要求的范围内。此外,在以下权利要求中,术语“第一”、“第二”和“第三”等仅被用作标记,并且并非意在对其目标赋予数字要求。
以范围形式表述的值应该以灵活的方式解释为不仅包括作为范围的界限而明确叙述的数值,而且也包括在那个范围内的所包含的所有单个数值或子范围,如同每个数值和子范围被明确地叙述一样。例如,“约0.1%至约5%”的范围应当被解释为:不仅包括0.1%至5%(包括端点),而且也包括在指出的范围内的单个值(例如,1%、2%、3%和4%)和子范围(例如,0.1%至0.5%、1.1%至2.2%、3.3%至4.4%)。如在本文中所使用的,术语“约”可以定义为包括一定幅度的误差,例如,至少+/-10%。
以上描述意在是说明性的并不是限制性的。例如,上述实例(或其一个或多个方面)可以彼此结合使用。如由本领域普通技术人员基于回顾以上描述,可以使用其他实施方案。提供概要以符合37C.F.R.§1.72(b),从而允许读者迅速确定技术公开内容的本质。摘要是在理解不会将其用于解释或限制权利要求的范围或含义的情况下提交的。而且,在以上详细描述中,可以将多种特征集合在一起,以简化公开内容。这不应该被解释为意指未要求保护的公开特征对任何权利要求是必需的。相反,本发明的主题可以处于少于具体公开的实施方案的全部特征的状态。因此,以下权利要求在此结合到详细说明中,并且每个权利要求作为单独的实施方案独立存在,并且预期的是,这种实施方案可以彼此以各种组合或排列进行组合。本发明的范围应该参照所附权利要求以及与这些权利要求授予的等价物的全部范围来确定。

Claims (20)

1.一种能量装置,所述能量装置包括:
具有顶表面和底表面的纸基基板;和
至少沉积在所述顶表面上的氧化石墨烯和碳纳米管复合材料。
2.根据权利要求1所述的能量装置,其中所述氧化石墨烯和碳纳米管复合材料基本上不含表面活性剂。
3.根据权利要求1所述的能量装置,其中所述氧化石墨烯和碳纳米管复合材料包含约15重量%至约85重量%的氧化石墨烯。
4.根据权利要求1所述的能量装置,其中所述氧化石墨烯和碳纳米管复合材料包含约15重量%至约85重量%的碳纳米管。
5.根据权利要求1所述的能量装置,其中所述碳纳米管是单壁碳纳米管。
6.根据权利要求1所述的能量装置,其中所述能量装置不包括粘合剂。
7.根据权利要求1所述的能量装置,其中所述氧化石墨烯是单层氧化石墨烯薄片。
8.根据权利要求7所述的能量装置,其中所述单层氧化石墨烯薄片的厚度在约0.35纳米至约50纳米的范围内。
9.根据权利要求7所述的能量装置,其中所述单层氧化石墨烯薄片的长度在约200纳米至约500纳米的范围内。
10.一种超级电容器,所述超级电容器包括:
第一电极,所述第一电极包括:
具有顶表面和底表面的第一纸基基板,和
至少沉积在所述顶表面上的第一氧化石墨烯和碳纳米管复合材料;
第二电极,所述第二电极包括:
具有顶表面和底表面的第二纸基基板,和
至少沉积在所述顶表面上的第二氧化石墨烯和碳纳米管复合材料;
电解质;和
安置在所述第一电极和所述第二电极之间的隔体。
11.根据权利要求10所述的超级电容器,其中所述第一氧化石墨烯和碳纳米管复合材料和所述第二氧化石墨烯和碳纳米管复合材料包含约15重量%至约85重量%的氧化石墨烯。
12.根据权利要求10所述的超级电容器,其中所述氧化石墨烯和碳纳米管复合材料和所述第二氧化石墨烯和碳纳米管复合材料包含约15重量%至约85重量%的碳纳米管。
13.根据权利要求12所述的超级电容器,其中所述碳纳米管是单壁碳纳米管。
14.根据权利要求10所述的超级电容器,其中所述第一氧化石墨烯和碳纳米管复合材料和所述第二氧化石墨烯和碳纳米管复合材料包含多个氧化石墨烯薄片,所述氧化石墨烯薄片的厚度在约0.35纳米至约50纳米的范围内,并且长度在约200纳米至约500纳米的范围内。
15.一种方法,所述方法包括:
获得或提供氧化石墨烯和碳纳米管分散体,所述氧化石墨烯和碳纳米管分散体基本上不含表面活性剂;和
将所述氧化石墨烯和碳纳米管分散体沉积在纸基基板的表面上。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述氧化石墨烯和碳纳米管分散体包含在约0.5毫克/毫升至约12毫克/毫升范围内的碳纳米管。
17.根据权利要求15所述的方法,所述方法包括用紫外线产生的臭氧处理涂布的多孔金属基板一段时间。
18.根据权利要求15所述的方法,所述方法包括对沉积在所述纸基基板的表面上的所述氧化石墨烯和碳纳米管分散体进行干燥。
19.根据权利要求15所述的方法,其中所述氧化石墨烯和碳纳米管分散体的pH在约6至约12的范围内。
20.根据权利要求15所述的方法,其中所述碳纳米管是单壁碳纳米管。
CN201380080716.0A 2013-11-05 2013-11-05 氧化石墨烯和碳纳米管墨及其制备方法 Active CN105829276B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2013/068574 WO2015069226A1 (en) 2013-11-05 2013-11-05 Graphene oxide and carbon nanotube ink and methods for producing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105829276A true CN105829276A (zh) 2016-08-03
CN105829276B CN105829276B (zh) 2018-06-19

Family

ID=53041844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380080716.0A Active CN105829276B (zh) 2013-11-05 2013-11-05 氧化石墨烯和碳纳米管墨及其制备方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10163583B2 (zh)
JP (1) JP6363708B2 (zh)
KR (1) KR102139118B1 (zh)
CN (1) CN105829276B (zh)
WO (1) WO2015069226A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10163583B2 (en) 2013-11-05 2018-12-25 The Regents Of The University Of California Graphene oxide and carbon nanotube ink and methods for producing the same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160087148A1 (en) * 2014-09-19 2016-03-24 National Cheng Kung University Non-metallic semiconductor quantum dot and method of carrying out chemical reaction or photoluminescence reaction by using the same
US20220270830A1 (en) * 2021-02-19 2022-08-25 Micron Technology, Inc. Supercapacitors and Integrated Assemblies Containing Supercapacitors

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110165321A1 (en) * 2010-01-07 2011-07-07 Aruna Zhamu Continuous process for producing spacer-modified nano Graphene electrodes for supercapacitors
WO2012088697A1 (zh) * 2010-12-30 2012-07-05 海洋王照明科技股份有限公司 石墨烯衍生物-碳纳米管复合材料及其制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2005332975B2 (en) * 2004-10-22 2010-12-09 Hyperion Catalysis International, Inc. Improved ozonolysis of carbon nanotubes
US20080048152A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Jang Bor Z Process for producing nano-scaled platelets and nanocompsites
JP5605650B2 (ja) 2007-10-19 2014-10-15 ユニバーシティー オブ ウロンゴング グラフェン分散液の製造方法
WO2009054415A1 (ja) 2007-10-23 2009-04-30 Tokushu Paper Mfg. Co., Ltd. シート状物及びその製造方法
WO2009098779A1 (ja) * 2008-02-08 2009-08-13 Meijo Nano Carbon Co., Ltd. カーボンナノチューブ分散液、及びその利用
JP5660595B2 (ja) * 2008-02-11 2015-01-28 国立大学法人 東京大学 導電紙とその製造方法、導電性セルロース組成物とその製造方法、物品、電子デバイス
US8114375B2 (en) * 2008-09-03 2012-02-14 Nanotek Instruments, Inc. Process for producing dispersible nano graphene platelets from oxidized graphite
US8226801B2 (en) * 2009-07-27 2012-07-24 Nanotek Instruments, Inc. Mass production of pristine nano graphene materials
WO2011041663A2 (en) * 2009-10-02 2011-04-07 Board Of Regents, The University Of Texas System Exfoliation of graphite oxide in propylene carbonate and thermal reduction of resulting graphene oxide platelets
JP5811871B2 (ja) * 2012-01-31 2015-11-11 三菱瓦斯化学株式会社 ポリビニルアルコール系コンポジット繊維及びその製造方法
CN103319734B (zh) * 2012-03-20 2016-07-27 沈阳航空航天大学 碳纳米纸增强导电聚合物基复合材料制备方法
CN105829276B (zh) 2013-11-05 2018-06-19 加利福尼亚大学董事会 氧化石墨烯和碳纳米管墨及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110165321A1 (en) * 2010-01-07 2011-07-07 Aruna Zhamu Continuous process for producing spacer-modified nano Graphene electrodes for supercapacitors
WO2012088697A1 (zh) * 2010-12-30 2012-07-05 海洋王照明科技股份有限公司 石墨烯衍生物-碳纳米管复合材料及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10163583B2 (en) 2013-11-05 2018-12-25 The Regents Of The University Of California Graphene oxide and carbon nanotube ink and methods for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US10163583B2 (en) 2018-12-25
JP6363708B2 (ja) 2018-07-25
WO2015069226A1 (en) 2015-05-14
JP2017502495A (ja) 2017-01-19
US20160293347A1 (en) 2016-10-06
KR20160081939A (ko) 2016-07-08
CN105829276B (zh) 2018-06-19
KR102139118B1 (ko) 2020-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Garakani et al. Scalable spray-coated graphene-based electrodes for high-power electrochemical double-layer capacitors operating over a wide range of temperature
Lee et al. Carbon nanotube/manganese oxide ultrathin film electrodes for electrochemical capacitors
Honarpazhouh et al. Electrochemical hydrogen storage in Pd-coated porous silicon/graphene oxide
Banerjee et al. Electrochemical capacitance of Ni-doped metal organic framework and reduced graphene oxide composites: more than the sum of its parts
CN106463276B (zh) 金属氧化物锚定的石墨烯和碳纳米管混合泡沫体
Huang et al. Effects of reduction process and carbon nanotube content on the supercapacitive performance of flexible graphene oxide papers
Ghasemi et al. MnO2 nanoparticles decorated on electrophoretically deposited graphene nanosheets for high performance supercapacitor
KR20110051249A (ko) 탄소 기반 나노구조체의 층상 조립체 및 에너지 저장 및 생산 소자에서의 그의 용도
Zhu et al. Graphene-anchored NiCoO2 nanoarrays as supercapacitor electrode for enhanced electrochemical performance
Cheng et al. The supercapacitive behavior and excellent cycle stability of graphene/MnO2 composite prepared by an electrostatic self-assembly process
Lin et al. Asymmetric supercapacitors based on functional electrospun carbon nanofiber/manganese oxide electrodes with high power density and energy density
Sarno et al. High surface area monodispersed Fe3O4 nanoparticles alone and on physical exfoliated graphite for improved supercapacitors
Marina et al. In situ growth of redox-active iron-centered nanoparticles on graphene sheets for specific capacitance enhancement
Oh et al. Controlling hydrazine reduction to deposit iron oxides on oxidized activated carbon for supercapacitor application
Khandelwal et al. Tailoring the structural properties of simultaneously reduced and functionalized graphene oxide via alkanolamine (s)/alkyl alkanolamine for energy storage applications
Haghshenas et al. Arginine-functionalized graphene oxide for green and high-performance symmetric supercapacitors
Wang et al. Facile and green synthesis of TiN/C as electrode materials for supercapacitors
Sarno et al. A one-step SC-CO2 assisted technique to produce compact PVDF-HFP MoS2 supercapacitor device
Ren et al. Facile synthesis of tremella-like MnO 2 and its application as supercapacitor electrodes
Sun et al. Electrodeposited with FeOOH and MnO2 on laser-induced graphene for multi-assembly supercapacitors
Shi et al. Facile synthesis of structure-controllable, N-doped graphene aerogels and their application in supercapacitors
De et al. Spray‐On Reduced Graphene Oxide‐Poly (vinyl alcohol) Supercapacitors for Flexible Energy and Power
CN105829276B (zh) 氧化石墨烯和碳纳米管墨及其制备方法
US11686011B2 (en) Vertically-aligned graphene-carbon fiber hybrid electrodes and methods for making same
Naveen et al. Nickel hydroxide nanoplatelets via dendrimer-assisted growth on graphene for high-performance energy-storage applications

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant