CN105824582B - 一种信息处理方法及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种信息处理方法及电子设备，包括检测获得电子设备中存储单元的当前温度；获取所述存储单元所在环境的当前环境温度；在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同。

Description

一种信息处理方法及电子设备
技术领域
本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种信息处理方及电子设备。
背景技术
SSD(Solid State Disk，固态硬盘)是一种永久性存储器，由于其具有传统机械硬盘不具备的快速读写，质量轻，能耗低以及体积小的优点，所以，SSD在市场上得到了广泛的应用。
SSD在持续高速度读写情况下，SSD的温度就很容易升高，而高温对SSD的寿命有很大的影响，现有技术中，当检测到SSD达到一定温度时就直接降低SSD的读写速度，进而控制SSD的温度。
但本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：
现有技术中，固态硬盘存在温度调节方式单一的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种信息处理方法及电子设备，用于解决现有技术中，固态硬盘存在温度调节方式单一的技术问题，实现固态硬盘温度调节方式多样化的技术效果。
本申请实施例一方面提供一种信息处理方法，所述方法包括：
检测获得电子设备中存储单元的当前温度；
获取所述存储单元所在环境的当前环境温度；
在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；
基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同。
可选的，所述获取所述存储单元所在环境的当前环境温度，具体包括：
确定所述存储单元在第一预设时间段内具有第一温度变化趋势；
确定所述存储单元的当前读写速度为第一读写速度；
基于读写速度，温度变化与环境温度的第一对应关系，获取与所述第一温度变化趋势以及所述第一读写速度对应的所述存储单元所在环境的当前环境温度。
可选的，所述获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略，具体包括：
从数据库中获取预先存储的所述存储单元的至少一个预存温度控制策略；
从所述至少一个预存温度控制策略中确定出与所述当前环境温度对应第一预存温度控制策略作为的所述温度控制策略。
可选的，所述基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，具体包括：
基于所述温度控制策略，获取与所述当前环境温度相适应的第二读写速度；
将所述存储单元的当前读写速度从所述第一读写速度调整到所述第二读写速度，其中，所述第一读写速度与所述第二读写速度不同。
可选的，基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态之后，所述方法还包括：
基于读写速度与温度阈值之间的第二对应关系，将所述存储单元的当前温度阈值由所述第一温度阈值调整到第二温度阈值。
可选的，所述基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态之后，所述方法还包括：
确定所述存储单元的当前读写速度为第三读写速度；
获取所述存储单元在所述第三读写速度下所述存储单元的第二温度变化趋势；
基于所述第二温度变化趋势，修正所述温度控制策略。
可选的，所述基于所述第二温度变化趋势，修正所述温度控制策略，具体包括：
基于读写速度与所述存储单元所在环境温度之间的第二对应关系，确定所述第三读写速度对应于第一环境温度；
基于所述第二温度变化趋势，确定第二预设时间段内所述存储单元的温度是处于第一预设温度范围还是处于第二预设温度范围内；
在所述存储单元的温度处于第一预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度调高到第四读写速度；
在所述存储单元的温度处于第二预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度降低到第五读写速度。
本申请实施例另一方面提供一种电子设备，包括：
存储单元；
处理器，与所述存储单元连接；
传感器，与所述处理器连接，其中，所述传感器用于检测获得所述电子设备中存储单元的当前温度；
所述处理器用于：
获取所述存储单元所在环境的当前环境温度；
在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；
基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同。
可选的，所述处理器用于：
确定所述存储单元在第一预设时间段内具有第一温度变化趋势；
确定所述存储单元的当前读写速度为第一读写速度；
基于读写速度，温度变化与环境温度的第一对应关系，获取与所述第一温度变化趋势以及所述第一读写速度对应的所述存储单元所在环境的当前环境温度。
可选的，所述处理器用于：
从数据库中获取预先存储的所述存储单元的至少一个预存温度控制策略；
从所述至少一个预存温度控制策略中确定出与所述当前环境温度对应第一预存温度控制策略作为的所述温度控制策略。
可选的，所述处理器用于：
基于所述温度控制策略，获取与所述当前环境温度相适应的第二读写速度；
将所述存储单元的当前读写速度从所述第一读写速度调整到所述第二读写速度，其中，所述第一读写速度与所述第二读写速度不同。
可选的，所述处理器还用于：
基于读写速度与温度阈值之间的第二对应关系，将所述存储单元的当前温度阈值由所述第一温度阈值调整到第二温度阈值。
可选的，所述处理器还用于：
确定所述存储单元的当前读写速度为第三读写速度；
获取所述存储单元在所述第三读写速度下所述存储单元的第二温度变化趋势；
基于所述第二温度变化趋势，修正所述温度控制策略。
可选的，所述处理器还用于：
基于读写速度与所述存储单元所在环境温度之间的第二对应关系，确定所述第三读写速度对应于第一环境温度；
基于所述第二温度变化趋势，确定第二预设时间段内所述存储单元的温度是处于第一预设温度范围还是处于第二预设温度范围内；
在所述存储单元的温度处于第一预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度调高到第四读写速度；
在所述存储单元的温度处于第二预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度降低到第五读写速度。
再一方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：
检测获得单元，用于检测获得电子设备中存储单元的当前温度；
第一获取单元，用于获取所述存储单元所在环境的当前环境温度；
第二获取单元，用于在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；
调整单元，用于基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同。
本申请实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下一种或多种技术效果：
由于本申请实施例中的技术方案，采用了检测获得电子设备中存储单元的当前温度；以及获取所述存储单元所在环境的当前环境温度；以及在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；以及基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同的技术方案。
也即在本申请中，固态硬盘根据其闪存单元当前所在的环境温度，动态的将固态硬盘的读写速度调试到当前环境温度下最适宜的读写速度，从而在保证读写过程中产生的热量不损伤固态硬盘的情况下，又能获得最高的读写性能，所以，有效的解决了现有技术中，固态硬盘存在温度调节方式单一的技术问题，实现了固态硬盘温度调节方式多样化的技术效果，且同时具有固态硬盘温度调节效率高的有益效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例。
图1为本申请实施例一提供的一种信息处理方法的流程图；
图2为本申请实施例一中步骤S102的具体实现方式的流程图；
图3为本申请实施例一中闪存单元的一个温度变化曲线；
图4为本申请实施例一中步骤S103的具体实现方式的流程图；
图5为本申请实施例一中步骤S104的具体实现方式的流程图；
图6为本申请实施例一中步骤S104之后执行的步骤的流程图；
图7为本申请实施例一中步骤S107的具体实现方式的流程图；
图8为本申请实施例一中闪存单元的另一个温度变化曲线；
图9为本申请实施例二提供的一种电子设备的结构示意图；
图10为本申请实施例三提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供一种信息处理方法及电子设备，用于解决现有技术中，固态硬盘存在温度调节方式单一的技术问题，实现固态硬盘温度调节方式多样化的技术效果。
本申请实施例中的技术方案为解决上述的技术问题，总体思路如下：
检测获得电子设备中存储单元的当前温度；
获取所述存储单元所在环境的当前环境温度；
在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；
基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同。
在上述方法中，由于采用了检测获得电子设备中存储单元的当前温度；以及获取所述存储单元所在环境的当前环境温度；以及在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；以及基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同的技术方案。
也即固态硬盘根据其闪存单元当前所在的环境温度，动态的将固态硬盘的读写速度调试到当前环境温度下最适宜的读写速度，从而在保证读写过程中产生的热量不损伤固态硬盘的情况下，又能获得最高的读写性能，所以，有效的解决了现有技术中，固态硬盘存在温度调节方式单一的技术问题，实现了固态硬盘温度调节方式多样化的技术效果，且同时具有固态硬盘温度调节效率高的有益效果。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明技术方案的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请文件中记载的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明技术方案保护的范围。
实施例一
请参考图1，为本申请实施例一提供的一种信息处理方法，包括：
S101：检测获得电子设备中存储单元的当前温度；
S102：获取所述存储单元所在环境的当前环境温度；
S103：在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；
S104：基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同。
在具体实施过程中，上述方法可应用于SSD固态硬盘中，当然还可以应用于其它存储电子设备中，在此就不一一列举了，在本申请实施例中，以SSD固态硬盘为例，来对本申请实施例中的方法的具体实现过程进行详细描述。
采用本申请实施例中的方法进行处理时，先执行步骤S101，即检测获得电子设备中存储单元的当前温度。
在具体实施过程中，继续沿用上述例子，在实际应用中，SSD固态硬盘包括闪存单元，闪存单元作为SSD固态硬盘的存储介质在进行读写过程中会产生热量，闪存单元在其产生的热量作用下自身温度会升高，在具体实践过程中，可以在闪存单元上设置温度传感器来检测SSD固态硬盘中闪存单元在读写过程中产生的热量，这里具体以在闪存单元上设置温度传感器为例，那么，当SSD固态硬盘中的闪存单元处于读写状态时，SSD固态硬盘就能够通过设置在闪存单元上的温度传感器检测获得闪存单元的当前温度，如SSD固态硬盘通过温度传感器检测获得闪存单元自身的当前温度为30度，或SSD固态硬盘通过温度传感器检测获得闪存单元自身的当前温度为50度等。
在执行完步骤S101之后，本申请实施例中的方法就会执行步骤S102，即获取所述存储单元所在环境的当前环境温度。
在具体实施过程中，继续沿用上述例子，在SSD固态硬盘通过温度传感器获得闪存单元的当前温度后，SSD固态硬盘就会去获取闪存单元所在环境的环境温度，当然，也可以去获取SSD固态硬盘所在环境的环境温度，因为闪存单元设置在SSD固态硬盘中，SSD固态硬盘和闪存单元所在环境的环境温度是相同的，在实际应用中，可以在SSD固态硬盘的外壳上设置温度传感器来获取闪存单元所在环境的环境温度，当然，也可以按照以下方式获取闪存单元所在环境的环境温度，也即步骤S102还可以按照以下方式具体实施，请结合参考图2：
S1021：确定所述存储单元在第一预设时间段内具有第一温度变化趋势；
S1022：确定所述存储单元的当前读写速度为第一读写速度；
S1023：基于读写速度，温度变化与环境温度的第一对应关系，获取与所述第一温度变化趋势以及所述第一读写速度对应的所述存储单元所在环境的当前环境温度。
在具体实施过程中，继续沿用上述例子，在SSD固态硬盘通过设置在闪存单元上的温度传感器获得闪存单元的当前温度后，SSD固态硬盘就会去确定闪存单元在达到当前温度之前的一个预设时间段内闪存单元温度的变化趋势，在实际应用中，本领域的技术人员可以灵活设置上述预设时间段，例如，可以选择上述预设时间段具体为闪存单元在达到当前温度之前的一分钟内，也可以选择上述预设时间段内具体为闪存单元在达到当前温度之前的30秒内等，在此，以上述预设时间段具体为闪存单元在达到当前温度之前的30秒内为例，那么，SSD固态硬盘就会去确定闪存单元在达到当前温度之前的30秒内，闪存单元的温度变化趋势，在实际应用中，可以如图3所示用温度变化曲线来表示闪存单元在30秒内的温度变化趋势，当然还可以用其他方式，在此就不一一列举，并以图3中所示的温度变化曲线来表示在30秒内，闪存单元的温度变化趋势为例。
在SSD固态硬盘获得闪存单元在30秒内的如图3所示的温度变化趋势后，SSD固态硬盘就会去确定SSD固态硬盘中闪存单元当前的读写速度，这里假设闪存单元的当前的读写速度为10kb/s，那么，SSD固态硬盘就能够确定出闪存单元的当前读写速度为10kb/s，然后，SSD固态硬盘就能够根据闪存单元的读写速度，温度变化与环境温度之间的对应关系，获取到闪存单元当前所在环境的环境温度。
这里，为了叙述方便将闪存单元的读写速度，温度变化与环境温度之间的对应关系称为第一对应关系，在实际应用中，第一对应关系可以是预先根据实验结果得出的且预存在SSD固态硬盘中或预存在云端数据库中的对应关系，在此，以第一对应关系为预先根据实验结果得出的且预存在SSD固态硬盘中的对应关系为例，那么，SSD固态硬盘就可以去获取存储在SSD固态硬盘中与闪存单元的读写速度，温度变化与环境温度之间第一对应关系，这里假设第一对应关系如表一所示：
表一
读写速度(kb/s) 温度变化(度) 环境温度(度)
5 20-35 30
10 20-35 25
10 35-50 40
20 20-30 5
由于闪存单元当前的读写速度为10kb/s，在30秒内的温度变化如图3所示处于35度至50度，那么根据表一所示，即可以得出闪存单元当前所在环境的环境温度为40度。
在执行完步骤S102之后，本申请实施例中的方法就会执行步骤S103，即在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略。
在具体实施过程中，继续沿用上述例子，在SSD固态硬盘获取到闪存单元当前所在环境的环境温度为40度后，SSD固态硬盘就会去判断闪存单元自身的当前温度是否达到了一个预设温度阈值，在实际应用中，这个预设的温度阈值可以根据实际需要灵活设置，比如将预设温度阈值设置为50度，那么当闪存单元自身的温度超过50度时，其产生的热量就会对其本身造成损伤，那么，就可以将预设温度阈值设置为50度，这里也以预设温度阈值设置为50度为例，同时假设SSD固态硬盘通过设置在闪存单元上的温度传感器获取到的闪存单元自身的当前温度为50度。
那么，SSD固态硬盘就会判断出闪存单元自身的当前温度达到了预设的50度温度阈值，这时，SSD固态硬盘就会去获取与当前闪存单元所在环境温度也即环境温度为40度对应的闪存单元的温度控制策略。当然，在实际应用中，也可以是SSD固态硬盘先判断闪存单元的当前温度值是否达到了预设的温度阈值，以及在闪存单元的当前温度达到了预设的温度阈值后，SD固态硬盘才去获取与当前闪存单元所在环境温度对应的闪存单元的温度控制策略。
具体的，在SSD固态硬盘判断出闪存单元的当前温度达到了预设的50度温度阈值后，可以按照以下方式来执行步骤S103：获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略，请参考图4：
S1031：从数据库中获取预先存储的所述存储单元的至少一个预存温度控制策略；
S1032：从所述至少一个预存温度控制策略中确定出与所述当前环境温度对应第一预存温度控制策略作为的所述温度控制策略。
在具体实施过程中，继续沿用上述例子，具体的，在SSD固态硬盘判断出闪存单元自身的当前温度达到了预设的50度温度阈值后，SSD固态硬盘就可以从存储在SSD固态硬盘数据库中或存储在云端数据库中的一个或多个温度控制策略，这里，具体以SSD固态硬盘从存储在SSD固态硬盘数据库中存储的两个温度控制策略为例，那么SSD固态硬盘就会从获得的这两个温度控制策略中找出与闪存单元当前所处环境的环境温度对应的温度控制策略。
这里为了叙述方便，将上述两个温度控制策略分别称为第一温度控制策略和第二温度控制策略，假设与闪存单元当前所在环境的环境温度40度对应的温度控制策略为第一温度控制策略，那么，SSD固态硬盘就能够从获取到的第一温度控制策略以及和第二温度控制策略中确定出与闪存单元当前所在的环境温度40度对应的第一温度控制策略。
在执行完步骤S103之后，本申请实施例中的方法就会执行步骤S104，即基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同。
请参考图5，在实际应用中，步骤S104可以按照以下方式具体实施：
S1041：基于所述温度控制策略，获取与所述当前环境温度相适应的第二读写速度；
S1042：将所述存储单元的当前读写速度从所述第一读写速度调整到所述第二读写速度，其中，所述第一读写速度与所述第二读写速度不同。
在具体实施过程中，继续沿用上述例子，具体的，当SSD固态硬盘获取到与闪存单元当前所在的环境温度40度对应的第一温度控制策略后，SSD固态硬盘就会从第一温度控制策略中确定出，与闪存单元当前所在环境的环境温度相应的读写速度，当然，在实际应用中，可以通过实验测得SSD固态硬盘中闪存单元在各个环境温度下最适宜的读写速度，将闪存单元的读写速度设置为当前环境温度下的最适宜的读写速度时，既能够保证闪存单元的读写效率又不至于在一个合理的时间段内闪存单元在读写过程中产生的热量损伤闪存单元本身。
这里假设，第一温度控制策略中闪存单元在所处环境的环境温度为40度时，最适宜的读写速度为6kb/s，那么，SSD固态硬盘就能够从所述第一温度控制策略中，确定出当闪存单元所在环境的环境温度为40度时，闪存单元的最适宜的读写速度为6kb/s，然后，SSD固态硬盘就会将闪存单元的当前读写速度从10kb/s降低为6kb/s，读写速度降低后的闪存单元的温度就会降低，使其处于不损伤闪存单元本身的安全温度范围内，且闪存单元降低后的读写速度又是闪存单元在当前环境温度下最适宜的读写速度，所以，能够保证闪存单元的读写效率。
所以，通过上述方式，也即SSD固态硬盘根据其闪存单元当前所在的环境温度，动态的将固态硬盘的读写速度调试到当前环境温度下最适宜的读写速度，从而在保证读写过程中产生的热量不损伤固态硬盘的情况下，又能获得最高的读写性能，所以，有效的解决了现有技术中，固态硬盘存在温度调节方式单一的技术问题，实现了固态硬盘温度调节方式多样化的技术效果，且同时具有固态硬盘温度调节效率高的有益效果。
当然，在实际应用中，在执行完步骤S104之后，还可以执行步骤：
基于读写速度与温度阈值之间的第二对应关系，将所述存储单元的当前温度阈值由所述第一温度阈值调整到第二温度阈值。
在具体实施过程中，继续沿用上述例子，具体的，当SSD固态硬盘就会将闪存单元的当前读写速度从10kb/s降低为6kb/s之后，SSD固态硬盘还可以根据闪存单元的读写速度与温度阈值之间的对应关系，重新设置闪存单元为降低后的读写速度时，闪存单元的温度阈值，这里为了叙述方便，将闪存单元的读写速度与温度阈值之间的对应关系称为第二对应关系，在实际应用中，可以根据实验测得当闪存单元的读写速度为6kb/s时，其温度阈值为多少。
这里假设，当闪存单元的读写速度为6kb/s时，闪存单元的温度阈值为34度，也即当闪存单元所在环境温度为40度，读写速度为6kb/s时，其温度阈值为34度，当闪存单元的温度超过34度时，闪存单元的温度就会急剧上升，对闪存单元本身造成损害。那么，SSD固态硬盘就能够从闪存单元的读写速度与温度阈值之间的第二对应关系中，确定出与闪存单元的当前读写速度6kb/s对应的温度阈值为34度，然后，SSD固态硬盘就会将闪存单元的温度阈值从之前的50度调整为34度，以便保护闪存单元。
请参考图6，在实际应用中，在执行完步骤S104之后，也可以执行步骤：
S105：确定所述存储单元的当前读写速度为第三读写速度；
S106：获取所述存储单元在所述第三读写速度下所述存储单元的第二温度变化趋势；
S107：基于所述第二温度变化趋势，修正所述温度控制策略。
在具体实施过程中，继续沿用上述例子，在实际应用中，SSD固态硬盘还可以根据SSD固态硬盘中闪存单元在实际读写操作过程中产生的数据修正之前存储的一个或多个温度控制策略。具体的，当SSD固态硬盘将闪存单元的当前读写速度从10kb/s降低为6kb/s之后，SSD固态硬盘就能够确定出闪存单元当前的读写速度为6kb/s，然后，SSD固态硬盘就会去确定闪存单元在6kb/s的读写速度下的温度变化趋势。
那么，SSD固态硬盘就能够根据闪存单元在当前读写速度下的温度变化趋势来修正温度控制策略之前存储的与当前读写速度对应的温度控制策略，在实际应用中，请参考图7，步骤S107还可以按照以下方式具体实现：
S1071：基于读写速度与所述存储单元所在环境温度之间的第二对应关系，确定所述第三读写速度对应于第一环境温度；
S1072：基于所述第二温度变化趋势，确定第二预设时间段内所述存储单元的温度是处于第一预设温度范围还是处于第二预设温度范围内；
S1073：在所述存储单元的温度处于第一预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度调高到第四读写速度；
S1074：在所述存储单元的温度处于第二预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度降低到第五读写速度。
在具体实施过程中，继续沿用上述例子，具体的，当SSD固态硬盘获得闪存单元在当前读写速度为6kb/s下的温度变化趋势后，SSD固态硬盘就会根据闪存单元读写速度与环境温度之间的对应关系，获取到闪存单元在当前读写速度下也即6kb/s对应的环境温度，由上面的叙述可知，当闪存单元的读写速度为6kb/s时对应的环境温度为40度，那么，SSD固态硬盘就能够获得闪存单元当前所在的环境温度为40度。
这时，SSD固态硬盘就会根据步骤S106获得的闪存单元在当前读写速度为6kb/s下温度变化趋势，来判断在一预设时间内如10s内闪存单元的温度是处于预设的第一个温度范围，还是处于预设的第二个温度范围，在实际应用中，第一温度范围可以代表闪存单元在读写速度为6kb/s以及环境温度为40度下，温度上升缓慢，还可以提升闪存单元在环境温度为40度下的读写速度，第二温度范围可以代表闪存单元在读写速度为6kb/s以及环境温度为40度下，温度上升快，可以适当降低闪存单元在环境温度为40度下的读写速度。
这里假设第一温度范围为10度至20度，第二温度范围为25度至33度，当闪存单元在当前读写速度为6kb/s下10秒内的温度变化趋势如图8中A所示，也即温度处于12度至18度，那么，SSD固态硬盘就能够确定出闪存单元在环境温度为40度读写速度为6kb/s且10s内温度处于第一温度范围，也即是说还可以提升闪存单元的读写速度，如将6kb/s提升到7kb/s，那么，SSD固态硬盘就会将环境温度为40对应的温度控制策略中闪存单元的读写速度由6kb/s修改为7kb/s，进而对环境温度控制策略进行实时修正的目的。
同样的，当闪存单元在当前读写速度为6kb/s下10秒内的温度变化趋势如图8中B所示，也即温度处于25度至33度，那么，SSD固态硬盘就能够确定出闪存单元在环境温度为40度读写速度为6kb/s且10s内温度处于第二温度范围，也即是说需要降低闪存单元的读写速度，如将6kb/s降低到5kb/s，那么，SSD固态硬盘就会将环境温度为40对应的温度控制策略中闪存单元的读写速度由6kb/s修改为5kb/s，进而对环境温度控制策略进行实时修正的目的。
实施例二
请参考图9，基于与本申请实施例一相同的发明构思，本申请实施例二提供了一种电子设备，包括：
存储单元1；
处理器2，与所述存储单元1连接；
传感器3，与所述处理器2连接，其中，所述传感器3用于检测获得所述电子设备中存储单元1的当前温度；
所述处理器2用于：
获取所述存储单元1所在环境的当前环境温度；
在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；
基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同。
在具体实施过程中，上述电子设备可以具体为SSD固态硬盘中，当然还可以为具有读写功能的存储电子设备，在此就不一一列举了，也不做任何限制。
可选的，所述处理器2用于：
确定所述存储单元在第一预设时间段内具有第一温度变化趋势；
确定所述存储单元的当前读写速度为第一读写速度；
基于读写速度，温度变化与环境温度的第一对应关系，获取与所述第一温度变化趋势以及所述第一读写速度对应的所述存储单元所在环境的当前环境温度。
可选的，所述处理器2用于：
从数据库中获取预先存储的所述存储单元的至少一个预存温度控制策略；
从所述至少一个预存温度控制策略中确定出与所述当前环境温度对应第一预存温度控制策略作为的所述温度控制策略。
可选的，所述处理器2用于：
基于所述温度控制策略，获取与所述当前环境温度相适应的第二读写速度；
将所述存储单元的当前读写速度从所述第一读写速度调整到所述第二读写速度，其中，所述第一读写速度与所述第二读写速度不同。
可选的，所述处理器2还用于：
基于读写速度与温度阈值之间的第二对应关系，将所述存储单元的当前温度阈值由所述第一温度阈值调整到第二温度阈值。
可选的，所述处理器2还用于：
确定所述存储单元的当前读写速度为第三读写速度；
获取所述存储单元在所述第三读写速度下所述存储单元的第二温度变化趋势；
基于所述第二温度变化趋势，修正所述温度控制策略。
可选的，所述处理器2还用于：
基于读写速度与所述存储单元所在环境温度之间的第二对应关系，确定所述第三读写速度对应于第一环境温度；
基于所述第二温度变化趋势，确定第二预设时间段内所述存储单元的温度是处于第一预设温度范围还是处于第二预设温度范围内；
在所述存储单元的温度处于第一预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度调高到第四读写速度；
在所述存储单元的温度处于第二预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度降低到第五读写速度。
实施例三
请参考图10，基于与本申请实施例一相同的发明构思，本申请实施例三提供了一种电子设备，包括：
检测获得单元4，用于检测获得电子设备中存储单元的当前温度；
第一获取单元5，用于获取所述存储单元所在环境的当前环境温度；
第二获取单元6，用于在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；
调整单元7，用于基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同。
可选的，第一获取单元具体包括：
第一确定单元，用于确定所述存储单元在第一预设时间段内具有第一温度变化趋势；
第二确定单元，用于确定所述存储单元的当前读写速度为第一读写速度；
第三获取单元，用于基于读写速度，温度变化与环境温度的第一对应关系，获取与所述第一温度变化趋势以及所述第一读写速度对应的所述存储单元所在环境的当前环境温度。
可选的，所述第二获取单元具体包括：
第三获取单元，用于从数据库中获取预先存储的所述存储单元的至少一个预存温度控制策略；
第三确定单元，用于从所述至少一个预存温度控制策略中确定出与所述当前环境温度对应第一预存温度控制策略作为的所述温度控制策略。
可选的，所述调整单元具体包括：
第四获取单元，用于基于所述温度控制策略，获取与所述当前环境温度相适应的第二读写速度；
第一调整子单元，用于将所述存储单元的当前读写速度从所述第一读写速度调整到所述第二读写速度，其中，所述第一读写速度与所述第二读写速度不同。
可选的，所述电子设备还包括：
第二调整子单元，用于基于读写速度与温度阈值之间的第二对应关系，将所述存储单元的当前温度阈值由所述第一温度阈值调整到第二温度阈值。
可选的，所述电子设备还包括：
第四确定单元，用于确定所述存储单元的当前读写速度为第三读写速度；
第五获取单元，用于获取所述存储单元在所述第三读写速度下所述存储单元的第二温度变化趋势；
修正单元，用于基于所述第二温度变化趋势，修正所述温度控制策略。
可选的，所述修正单元具体包括：
第五确定单元，用于基于读写速度与所述存储单元所在环境温度之间的第二对应关系，确定所述第三读写速度对应于第一环境温度；
第六确定单元，用于基于所述第二温度变化趋势，确定第二预设时间段内所述存储单元的温度是处于第一预设温度范围还是处于第二预设温度范围内；
第三调整子单元，用于在所述存储单元的温度处于第一预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度调高到第四读写速度；
第四调整子单元，用于在所述存储单元的温度处于第二预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度降低到第五读写速度。
本申请实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下一种或多种技术效果：
由于本申请实施例中的技术方案，采用了检测获得电子设备中存储单元的当前温度；以及获取所述存储单元所在环境的当前环境温度；以及在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；以及基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同的技术方案。
也即在本申请中，固态硬盘根据其闪存单元当前所在的环境温度，动态的将固态硬盘的读写速度调试到当前环境温度下最适宜的读写速度，从而在保证读写过程中产生的热量不损伤固态硬盘的情况下，又能获得最高的读写性能，所以，有效的解决了现有技术中，固态硬盘存在温度调节方式单一的技术问题，实现了固态硬盘温度调节方式多样化的技术效果，且同时具有固态硬盘温度调节效率高的有益效果。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
具体来讲，本申请实施例中的信息处理方法对应的计算机程序指令可以被存储在光盘，硬盘，U盘等存储介质上，当存储介质中的与信息处理方法对应的计算机程序指令被一电子设备读取或被执行时，包括如下步骤：
检测获得电子设备中存储单元的当前温度；
获取所述存储单元所在环境的当前环境温度；
在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；
基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同。
可选的，所述存储介质中存储的与步骤：所述获取所述存储单元所在环境的当前环境温度，对应的计算机程序指令在被执行时，具体包括：
确定所述存储单元在第一预设时间段内具有第一温度变化趋势；
确定所述存储单元的当前读写速度为第一读写速度；
基于读写速度，温度变化与环境温度的第一对应关系，获取与所述第一温度变化趋势以及所述第一读写速度对应的所述存储单元所在环境的当前环境温度。
可选的，所述存储介质中存储的与步骤：所述获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略，对应的计算机程序指令在被执行时，具体包括：
从数据库中获取预先存储的所述存储单元的至少一个预存温度控制策略；
从所述至少一个预存温度控制策略中确定出与所述当前环境温度对应第一预存温度控制策略作为的所述温度控制策略。
可选的，所述存储介质中存储的与步骤：所述基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，对应的计算机程序指令在被执行时，具体包括：
基于所述温度控制策略，获取与所述当前环境温度相适应的第二读写速度；
将所述存储单元的当前读写速度从所述第一读写速度调整到所述第二读写速度，其中，所述第一读写速度与所述第二读写速度不同。
可选的，所述存储介质中还存储有另外一些计算机程序指令，该另外一些计算机程序指令在与步骤：基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态之后被执行，执行过程中包括如下步骤：
基于读写速度与温度阈值之间的第二对应关系，将所述存储单元的当前温度阈值由所述第一温度阈值调整到第二温度阈值。
可选的，所述存储介质中还存储有另外一些计算机程序指令，该另外一些计算机程序指令在与步骤：所述基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态之后被执行，执行过程中包括如下步骤：
确定所述存储单元的当前读写速度为第三读写速度；
获取所述存储单元在所述第三读写速度下所述存储单元的第二温度变化趋势；
基于所述第二温度变化趋势，修正所述温度控制策略。
可选的，所述存储介质中存储的与步骤：所述基于所述第二温度变化趋势，修正所述温度控制策略，对应的计算机程序指令在被执行时，具体包括：
基于读写速度与所述存储单元所在环境温度之间的第二对应关系，确定所述第三读写速度对应于第一环境温度；
基于所述第二温度变化趋势，确定第二预设时间段内所述存储单元的温度是处于第一预设温度范围还是处于第二预设温度范围内；
在所述存储单元的温度处于第一预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度调高到第四读写速度；
在所述存储单元的温度处于第二预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度降低到第五读写速度。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种信息处理方法，包括：
检测获得电子设备中存储单元的当前温度；其中，所述电子设备是固态硬盘，所述存储单元是闪存单元；
获取所述存储单元所在环境的当前环境温度；
在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；
基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同；
其中，所述获取所述存储单元所在环境的当前环境温度，具体包括：
确定所述存储单元在第一预设时间段内具有第一温度变化趋势；
确定所述存储单元的当前读写速度为第一读写速度；
基于读写速度，温度变化与环境温度的第一对应关系，获取与所述第一温度变化趋势以及所述第一读写速度对应的所述存储单元所在环境的当前环境温度；其中，所述第一对应关系是预先根据实验结果得出的且预存在固态硬盘中或预存在云端数据库中的对应关系。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略，具体包括：
从数据库中获取预先存储的所述存储单元的至少一个预存温度控制策略；
从所述至少一个预存温度控制策略中确定出与所述当前环境温度对应第一预存温度控制策略作为的所述温度控制策略。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，具体包括：
基于所述温度控制策略，获取与所述当前环境温度相适应的第二读写速度；
将所述存储单元的当前读写速度从所述第一读写速度调整到所述第二读写速度，其中，所述第一读写速度与所述第二读写速度不同。
4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态之后，所述方法还包括：
基于读写速度与温度阈值之间的第二对应关系，将所述存储单元的当前温度阈值由所述第一温度阈值调整到第二温度阈值。
5.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态之后，所述方法还包括：
确定所述存储单元的当前读写速度为第三读写速度；
获取所述存储单元在所述第三读写速度下所述存储单元的第二温度变化趋势；
基于所述第二温度变化趋势，修正所述温度控制策略。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于所述第二温度变化趋势，修正所述温度控制策略，具体包括：
基于读写速度与所述存储单元所在环境温度之间的第二对应关系，确定所述第三读写速度对应于第一环境温度；
基于所述第二温度变化趋势，确定第二预设时间段内所述存储单元的温度是处于第一预设温度范围还是处于第二预设温度范围内；
在所述存储单元的温度处于第一预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度调高到第四读写速度；
在所述存储单元的温度处于第二预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度降低到第五读写速度。
7.一种电子设备，包括：
存储单元；其中，所述电子设备是固态硬盘，存储单元是闪存单元；
处理器，与所述存储单元连接；
传感器，与所述处理器连接，其中，所述传感器用于检测获得所述电子设备中存储单元的当前温度；
所述处理器用于：
确定所述存储单元在第一预设时间段内具有第一温度变化趋势；
确定所述存储单元的当前读写速度为第一读写速度；
基于读写速度，温度变化与环境温度的第一对应关系，获取与所述第一温度变化趋势以及所述第一读写速度对应的所述存储单元所在环境的当前环境温度；其中，所述第一对应关系是预先根据实验结果得出的且预存在固态硬盘中或预存在云端数据库中的对应关系；
在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；
基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同。
8.如权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述处理器用于：
从数据库中获取预先存储的所述存储单元的至少一个预存温度控制策略；
从所述至少一个预存温度控制策略中确定出与所述当前环境温度对应第一预存温度控制策略作为的所述温度控制策略。
9.如权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述处理器用于：
基于所述温度控制策略，获取与所述当前环境温度相适应的第二读写速度；
将所述存储单元的当前读写速度从所述第一读写速度调整到所述第二读写速度，其中，所述第一读写速度与所述第二读写速度不同。
10.如权利要求7-9中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述处理器还用于：
基于读写速度与温度阈值之间的第二对应关系，将所述存储单元的当前温度阈值由所述第一温度阈值调整到第二温度阈值。
11.如权利要求7-9中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述处理器还用于：
确定所述存储单元的当前读写速度为第三读写速度；
获取所述存储单元在所述第三读写速度下所述存储单元的第二温度变化趋势；
基于所述第二温度变化趋势，修正所述温度控制策略。
12.如权利要求11所述的电子设备，其特征在于，所述处理器还用于：
基于读写速度与所述存储单元所在环境温度之间的第二对应关系，确定所述第三读写速度对应于第一环境温度；
基于所述第二温度变化趋势，确定第二预设时间段内所述存储单元的温度是处于第一预设温度范围还是处于第二预设温度范围内；
在所述存储单元的温度处于第一预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度调高到第四读写速度；
在所述存储单元的温度处于第二预设温度范围时，将所述存储单元在所述第一环境温度下的所述第三读写速度降低到第五读写速度。
13.一种电子设备，包括：
检测获得单元，用于检测获得电子设备中存储单元的当前温度；其中，所述电子设备是固态硬盘，存储单元是闪存单元；
第一获取单元，用于获取所述存储单元所在环境的当前环境温度；
第二获取单元，用于在所述当前温度达到第一温度阈值时，获取与所述当前环境温度对应的所述存储单元的温度控制策略；
调整单元，用于基于所述温度控制策略，将所述存储单元的当前工作状态由第一工作状态调整为与所述当前环境温度匹配的第二工作状态，其中，所述第二工作状态与所述第一工作状态不同；
其中，第一获取单元具体包括：
第一确定单元，用于确定所述存储单元在第一预设时间段内具有第一温度变化趋势；
第二确定单元，用于确定所述存储单元的当前读写速度为第一读写速度；
第三获取单元，用于基于读写速度，温度变化与环境温度的第一对应关系，获取与所述第一温度变化趋势以及所述第一读写速度对应的所述存储单元所在环境的当前环境温度；其中，所述第一对应关系是预先根据实验结果得出的且预存在固态硬盘中或预存在云端数据库中的对应关系。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108604112B (zh) * 2017-01-03 2020-07-28 华为技术有限公司 一种控制温度的方法、终端设备及装置
CN107945820B (zh) * 2017-11-03 2019-08-13 记忆科技(深圳)有限公司 一种固态硬盘温度控制方法及温度控制模块
CN110187842B (zh) * 2019-06-03 2022-07-15 深圳忆联信息系统有限公司 基于固态硬盘的跨温区数据保护方法、装置和计算机设备
CN110611127B (zh) * 2019-09-17 2021-02-02 Oppo（重庆）智能科技有限公司 电池管理方法、装置、存储介质及电子设备
CN110765042B (zh) * 2019-10-22 2023-06-09 天津津航计算技术研究所 自适应的Nand Flash读写速度调整方法
CN110764715B (zh) * 2019-11-09 2021-07-06 苏州浪潮智能科技有限公司 一种带宽控制方法、设备以及存储介质
CN110825327A (zh) * 2019-11-11 2020-02-21 深圳忆联信息系统有限公司 Ssd的温度控制方法、装置、计算机设备及存储介质
EP3829157B1 (en) * 2019-11-29 2024-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Recording apparatus, method of controlling recording apparatus, and storage medium
CN111651327B (zh) * 2020-06-03 2022-09-20 深圳忆联信息系统有限公司 固态硬盘的温度控制方法、装置、计算机设备和存储介质
CN112631870B (zh) * 2020-12-29 2023-01-06 深圳大普微电子科技有限公司 一种温度控制方法、装置与固态硬盘
CN116360709B (zh) * 2023-05-31 2023-08-08 天津神舟通用数据技术有限公司 一种数据存取系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101813950A (zh) * 2009-02-23 2010-08-25 联想(北京)有限公司 一种控制设备散热的装置和具有该装置的设备
CN105204780A (zh) * 2015-09-14 2015-12-30 联想(北京)有限公司 信息处理方法、固态硬盘及电子设备
CN105242876A (zh) * 2015-09-28 2016-01-13 联想(北京)有限公司 一种控制方法及电子设备

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015191534A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 富士通株式会社 サーバ装置、情報格納プログラム、及び情報格納方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101813950A (zh) * 2009-02-23 2010-08-25 联想(北京)有限公司 一种控制设备散热的装置和具有该装置的设备
CN105204780A (zh) * 2015-09-14 2015-12-30 联想(北京)有限公司 信息处理方法、固态硬盘及电子设备
CN105242876A (zh) * 2015-09-28 2016-01-13 联想(北京)有限公司 一种控制方法及电子设备

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