CN111651327B - 固态硬盘的温度控制方法、装置、计算机设备和存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种固态硬盘的温度控制方法、装置、计算机设备和存储介质，其中该方法包括：根据温度控制请求对固态硬盘进行实时温度检测；当检测到温度上升至Thermal Threshold时，降低固态硬盘的读写性能至Base Thermal Performance；所述固态硬盘的温度继续上升，当检测所述固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制所述固态硬盘的读写性能；当检测到所述固态硬盘的温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制所述固态硬盘的读写性能。本发明有效地控制了SSD的工作温度，降低了高温对SSD器件的不良影响，尽可能的保证了SSD在安全温度下工作。
Description
技术领域
本发明涉及固态硬盘技术领域，特别是涉及一种固态硬盘的温度控制方法、装置、计算机设备和存储介质。
背景技术
随着固态硬盘价格的下跌，固态硬盘越来越普及，NVMe SSD简称SSD以其优越的性能更是发展迅猛，各大电脑厂商纷纷将硬盘做成NVMe SSD，从可靠性和性能方面为用户提供较好的体验。基于NVMe接口的SSD相对SATA SSD在读写性能有极大的提升，同时伴随而来的是SSD温度控制问题。NVMe标准协议提供了温度控制的基本方法，即Host ControlledThermal Management，在温度达到预设的阈值时降低性能以缓和高性能带来的温度负面影响。
然而，虽然这种传统的温度控制方法实现简单，在一般情况下也可以有效控制SSD工作温度，但是在环境温度较高，例如25℃以上，通风散热情况较差的情况下，对温度控制的效果比较有限，可能会造成SSD长时间处于高温情况下工作，因此，需要针对实际SMART温度及运行效果做进一步实时优化。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种固态硬盘的温度控制方法、装置、计算机设备和存储介质。
一种固态硬盘的温度控制方法，所述方法包括：
获取固态硬盘的温度控制请求，并根据所述温度控制请求对固态硬盘进行实时温度检测；
当检测到温度上升至Thermal Threshold时，降低固态硬盘的读写性能至BaseThermal Performance，此时的时刻为T_Thermal；
所述固态硬盘的温度继续上升，当检测所述固态硬盘的温度上升至ThermalThreshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制所述固态硬盘的读写性能；
当检测到所述固态硬盘的温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制所述固态硬盘的读写性能；
当检测到所述固态硬盘的温度降至Thermal Threshold后，将所述固态硬盘的读写性能恢复至Base Thermal Performance。
在其中一个实施例中，所述当检测所述固态硬盘的温度上升至ThermalThreshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制所述固态硬盘的读写性能的步骤还包括：
当检测所述固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，将所述固态硬盘的读写性能RW Performance降低至Base Thermal Performance–ΔP；
其中，ΔP＝P(Temp–(Thermal Threshold+ΔTemp))，Temp为所述固态硬盘当前的温度，P为自定义控制函数。
在其中一个实施例中，所述当检测到所述固态硬盘的温度维持在ThermalThreshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制所述固态硬盘的读写性能的步骤还包括：
在T_Thermal+ΔT1的时刻开始根据达到高温的时间动态控制所述固态硬盘的读写性能，将所述固态硬盘的读写性能RW Performance降低至Base Thermal Performance–ΔP–ΔP’；
其中，ΔP’＝P’(T–(T_Thermal+ΔT1))，T为当前时间，P’为另一自定义控制函数。
在其中一个实施例中，在所述当检测到所述固态硬盘的温度降至ThermalThreshold后，将所述固态硬盘的读写性能恢复至Base Thermal Performance的步骤之后还包括：
当检测到所述固态硬盘的温度降至Thermal Threshold–ΔTemp’后，恢复读写性能为Best Performance，其中ΔTemp’为预设的温度差值参数。
一种固态硬盘的温度控制装置，所述装置包括：
温度检测模块，所述温度检测模块用于获取固态硬盘的温度控制请求，并根据所述温度控制请求对固态硬盘进行实时温度检测；
性能降低模块，所述性能降低模块用于当检测到温度上升至Thermal Threshold时，降低固态硬盘的读写性能至Base Thermal Performance，此时的时刻为T_Thermal；
第一动态控制模块，所述第一动态控制模块用于所述固态硬盘的温度继续上升，当检测所述固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制所述固态硬盘的读写性能；
第二动态控制模块，所述第二动态控制模块用于当检测到所述固态硬盘的温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制所述固态硬盘的读写性能；
性能恢复模块，所述性能恢复模块用于当检测到所述固态硬盘的温度降至Thermal Threshold后，将所述固态硬盘的读写性能恢复至Base Thermal Performance。
在其中一个实施例中，所述第一动态控制模块还用于：
当检测所述固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，将所述固态硬盘的读写性能RW Performance降低至Base Thermal Performance–ΔP；
其中，ΔP＝P(Temp–(Thermal Threshold+ΔTemp))，Temp为所述固态硬盘当前的温度，P为自定义控制函数。
在其中一个实施例中，所述第二动态控制模块还用于：
在T_Thermal+ΔT1的时刻开始根据达到高温的时间动态控制所述固态硬盘的读写性能，将所述固态硬盘的读写性能RW Performance降低至Base Thermal Performance–ΔP–ΔP’；
其中，ΔP’＝P’(T–(T_Thermal+ΔT1))，T为当前时间，P’为另一自定义控制函数。
在其中一个实施例中，所述性能恢复模块还用于：
当检测到所述固态硬盘的温度降至Thermal Threshold–ΔTemp’后，恢复读写性能为Best Performance，其中ΔTemp’为预设的温度差值参数。
一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任意一项方法的步骤。
一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任意一项方法的步骤。
上述固态硬盘的温度控制方法、装置、计算机设备和存储介质根据温度控制请求对固态硬盘进行实时温度检测；当检测到温度上升至Thermal Threshold时，降低固态硬盘的读写性能至Base Thermal Performance；所述固态硬盘的温度继续上升，当检测所述固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制所述固态硬盘的读写性能；当检测到所述固态硬盘的温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制所述固态硬盘的读写性能；当检测到所述固态硬盘的温度降至Thermal Threshold后，将所述固态硬盘的读写性能恢复至Base ThermalPerformance。本发明提供的温度控制方式可以根据SSD的实际温度及运行效果进行实时的动态控制，避免了在通风散热情况较差的情况下，传统温控方式可能会造成SSD长时间处于高温情况下工作，实现了有效地控制了SSD的工作温度，降低了高温对SSD器件的不良影响，尽可能的保证了SSD在安全温度下工作。
附图说明
图1为传统技术中固态硬盘温度控制方法的温控曲线示意图；
图2为一个实施例中固态硬盘的温度控制方法的流程示意图；
图3为一个实施例中固态硬盘温度控制方法的温控曲线示意图；
图4为另一个实施例中固态硬盘温度控制方法的温控曲线示意图；
图5为再一个实施例中固态硬盘的温度控制方法的流程示意图；
图6为又一个实施例中固态硬盘温度控制方法的温控曲线示意图；
图7为一个实施例中固态硬盘的温度控制装置的结构框图；
图8为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
如图1所示，为传统技术中固态硬盘温度控制方法的温控曲线示意图。具体地，SSD正常读写性能为Best Performance，SSD内部需要每隔一定时间进行温度检查，当检查SMART温度超出设定的阈值Thermal Threshold后，降低读写性能为Thermal Performance，从而使得SSD温度逐渐停止上升，继而回落到安全温度范围；当检查到SMART温度降低到Thermal Threshold-3℃后，SSD恢复为正常读写性能。
这种温度控制方法实现简单，在一般情况下也可以有效控制SSD工作温度，但是在环境温度较高时，或者通风散热情况较差的情况下，对温度控制的效果比较有限，可能会造成SSD长时间处于高温情况下工作，因此需要针对实际SMART温度及运行效果做进一步实时优化。
在一个实施例中，如图2所示，提供了一种固态硬盘的温度控制方法，该方法包括：
步骤202，获取固态硬盘的温度控制请求，并根据温度控制请求对固态硬盘进行实时温度检测；
步骤204，当检测到温度上升至Thermal Threshold时，降低固态硬盘的读写性能至Base Thermal Performance，此时的时刻为T_Thermal；
步骤206，固态硬盘的温度继续上升，当检测固态硬盘的温度上升至ThermalThreshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制固态硬盘的读写性能；
步骤208，当检测到固态硬盘的温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制固态硬盘的读写性能；
步骤210，当检测到固态硬盘的温度降至Thermal Threshold后，将固态硬盘的读写性能恢复至Base Thermal Performance。
具体地，在本实施例中在传统的温控方式的基础上，分别根据实际SSD的温度及运行效果进行实时控制，以达到适应各种运行环境下的温控优化，具体包括如下实现步骤：
首先，获取固态硬盘的温度控制请求，并根据温度控制请求对固态硬盘进行实时温度检测。当检测到温度上升至Thermal Threshold(预设的温度阈值)时，降低固态硬盘的读写性能至Base Thermal Performance，此时的时刻为T_Thermal。通过将固态硬盘的读写性能至Base Thermal Performance可以降低固态硬盘的温度上升的速度。但是，显然在环境温度过高的情况下，固态硬盘的温度还是会继续上升，因此，还需要进一步降低固态硬盘的读写性能。
接着，当检测固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制固态硬盘的读写性能。这里的ΔTemp为预设的温度差值，即当温度在上升到Thermal Threshold之后又上升了ΔTemp，则继续进一步地根据当前温度对固态硬盘的读写性能进行控制，显然若当前固态硬盘温度越高的话，那么就需要降低更多的读写性能，直至固态硬盘的温度开始缓慢下降。
与此同时，还需要对固态硬盘处于高温的时长进行检测，并根据高温时长进行动态调节。具体地，当检测到固态硬盘的温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制固态硬盘的读写性能。这里的ΔT1为预设的高温时间段参数。即当固态硬盘的温度维持在Thermal Threshold以上达到ΔT1时，需要进一步限制固态硬盘的读写性能，显然若当前固态硬盘处于高温的时间越长，那么就需要降低更多的读写性能，直至固态硬盘的温度开始缓慢下降。
最后，当检测到固态硬盘的温度降至Thermal Threshold后，将固态硬盘的读写性能恢复至Base Thermal Performance。
在本实施例中，根据温度控制请求对固态硬盘进行实时温度检测；当检测到温度上升至Thermal Threshold时，降低固态硬盘的读写性能至Base Thermal Performance；所述固态硬盘的温度继续上升，当检测所述固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制所述固态硬盘的读写性能；当检测到所述固态硬盘的温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制所述固态硬盘的读写性能；当检测到所述固态硬盘的温度降至Thermal Threshold后，将所述固态硬盘的读写性能恢复至Base Thermal Performance。本方案提供的温度控制方式可以根据SSD的实际温度及运行效果进行实时的动态控制，避免了在通风散热情况较差的情况下，传统温控方式可能会造成SSD长时间处于高温情况下工作，实现了有效地控制了SSD的工作温度，降低了高温对SSD器件的不良影响，尽可能的保证了SSD在安全温度下工作。
在一个实施例中，当检测固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制固态硬盘的读写性能的步骤还包括：
当检测固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，将固态硬盘的读写性能RW Performance降低至Base Thermal Performance–ΔP；
其中，ΔP＝P(Temp–(Thermal Threshold+ΔTemp))，Temp为所述固态硬盘当前的温度，P为自定义控制函数。
具体地，在本实施例中提供了具体的根据实时温度动态控制固态硬盘的读写性能的实现方式，包括如下实现步骤：
1、SSD进行读写测试操作，性能处于正常状态，为Best Performance，SMART温度随着读写操作逐渐上升。
2、SSD检查到SMART温度上升至Thermal Threshold，降低读写性能至BaseThermal Performance。
3、由于环温较高或散热较差等原因，SMART温度继续上升，SSD检查到温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp，开始动态控制读写性能，读写性能为：
RW Performance＝Base Thermal Performance–ΔP
其中，ΔP＝P(SMART Temp–(Thermal Threshold+ΔTemp))，图3所示的实施例中采用了线性关系，具体地可以自行定义其他控制函数。
4、当温度降至Thermal Threshold后，读写性能恢复至Base ThermalPerformance。
5、当温度回落至Thermal Threshold-3℃后，恢复读写性能为Best Performance；这里的3℃非定值，可以作为差值参数设置为其他数值。
在一个实施例中，当检测到固态硬盘的温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制固态硬盘的读写性能的步骤还包括：
在T_Thermal+ΔT1的时刻开始根据达到高温的时间动态控制固态硬盘的读写性能，将固态硬盘的读写性能RW Performance降低至Base Thermal Performance–ΔP–ΔP’；
其中，ΔP’＝P’(T–(T_Thermal+ΔT1))，T为当前时间，P’为另一自定义控制函数。
具体地，在本实施例中提供了具体的根据高温时间动态控制固态硬盘的读写性能的实现方式。
当SSD检查到SMART温度长期处于高温状态，如大于Thermal Threshold时，说明当前情况下简单Thermal策略无法控制温度，需要将时间因素考虑进来。
首先，设置时间参数ΔT1，当SSD检测到SMART温度大于Thermal Threshold的时间已经超出ΔT1时，在Base Thermal Performance的基础上根据SSD处于高温的时长来进一步动态调节读写性能。如图4所示，具体包括：
1、SSD进行读写测试操作，性能处于正常状态，为Best Performance，SMART温度随着读写操作逐渐上升；
2、SSD检查到SMART温度上升至Thermal Threshold，降低读写性能至BaseThermal Performance，此时为T_Thermal；
3、由于环温较高或散热较差等原因，SMART温度没有降低，长时间处于高温情况下。SSD检查到温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1，即在T_Thermal+ΔT1的时刻开始动态控制读写性能，读写性能为：
RW Performance＝Base Thermal Performance–ΔP’
其中ΔP’＝P’(T–(T_Thermal+ΔT1))，T为当前时间，图4所示的实施例中采用的是阶梯线性关系具体地可以自行定义其他控制函数。
4、当温度降至Thermal Threshold后，读写性能恢复至Base ThermalPerformance；
5、当温度回落至Thermal Threshold-3℃后，恢复读写性能为Best Performance；这里的3℃非定值，可以作为差值参数设置为其他数值。
在一个实施例中，如图5所示，提供了一种固态硬盘的温度控制方法，该方法包括：
步骤502，获取固态硬盘的温度控制请求，并根据温度控制请求对固态硬盘进行实时温度检测；
步骤504，当检测到温度上升至Thermal Threshold时，降低固态硬盘的读写性能至Base Thermal Performance，此时的时刻为T_Thermal；
步骤506，固态硬盘的温度继续上升，当检测固态硬盘的温度上升至ThermalThreshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制固态硬盘的读写性能；
步骤508，当检测到固态硬盘的温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制固态硬盘的读写性能；
步骤510，当检测到固态硬盘的温度降至Thermal Threshold后，将固态硬盘的读写性能恢复至Base Thermal Performance；
步骤512，当检测到固态硬盘的温度降至Thermal Threshold–ΔTemp’后，恢复读写性能为Best Performance，其中ΔTemp’为预设的温度差值参数。
具体地，在本实施例中提供了一种固态硬盘的温度控制方法，该方法中结合了上述实施例中两种实时动态温度控制方式，在需要实时调控读写性能阶段，读写实际性能为：
RW Performance＝Base Thermal Performance–ΔP–ΔP’
ΔP＝P(SMART Temp–(Thermal Threshold+ΔTemp))
ΔP’＝P’(T–(T_Thermal+ΔT1))
即固态硬盘的实际性能受到SMART温度影响和高温时间影响的双重叠加，如图6所示，具体的温度控制步骤如下：
1、SSD进行读写测试操作，性能处于正常状态，为Best Performance，SMART温度随着读写操作逐渐上升。
2、SSD检查到SMART温度上升至Thermal Threshold，降低读写性能至BaseThermal Performance，此时为T_Thermal。
3、SMART温度继续上升，SSD检查到温度上升至ThermalThreshold+ΔTemp，开始动态控制读写性能，读写性能为RW Performance＝Base Thermal Performance–ΔP；之后一段时间温度较为平稳，性能也维持相对平稳状态。
4、SMART温度长时间处于高温情况下，SSD检查到温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1，即在T_Thermal+ΔT1的时刻开始进一步调节读写性能，读写性能为RW Performance＝Base Thermal Performance–ΔP–ΔP’。
5、SMART温度开始下降，此时ΔT致使ΔP’进一步增加，而实际下降的温度导致ΔP开始减少，导致性能在再一次下降后慢慢开始回升。
6、SMART温度回落至Thermal Threshold+ΔTemp，温度带来的性能偏移ΔP变为0，此时读写性能动态调控部分只受高温时间带来的性能偏移ΔP’影响。
7、当温度降至Thermal Threshold后，读写性能恢复至Base ThermalPerformance。
8、当温度回落至Thermal Threshold-3℃后，恢复读写性能为Best Performance；这里的3℃非定值，可以作为差值参数设置为其他数值。
在上述实施例中，可实现有效地控制SSD温度，降低高温对SSD器件的不良影响，尽可能保证SSD在安全温度下工作，提高SSD工作的稳定性和可靠性。
应该理解的是，虽然图2-6的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图2-6中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在一个实施例中，如图7所示，提供了一种固态硬盘的温度控制装置700，该装置包括：
温度检测模块701，用于获取固态硬盘的温度控制请求，并根据所述温度控制请求对固态硬盘进行实时温度检测；
性能降低模块702，用于当检测到温度上升至Thermal Threshold时，降低固态硬盘的读写性能至Base Thermal Performance，此时的时刻为T_Thermal；
第一动态控制模块703，用于所述固态硬盘的温度继续上升，当检测所述固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制所述固态硬盘的读写性能；
第二动态控制模块704，用于当检测到所述固态硬盘的温度维持在ThermalThreshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制所述固态硬盘的读写性能；
性能恢复模块705，用于当检测到所述固态硬盘的温度降至Thermal Threshold后，将所述固态硬盘的读写性能恢复至Base Thermal Performance。
在一个实施例中，第一动态控制模块703还用于：
当检测所述固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，将所述固态硬盘的读写性能RW Performance降低至Base Thermal Performance–ΔP；
其中，ΔP＝P(Temp–(Thermal Threshold+ΔTemp))，Temp为所述固态硬盘当前的温度，P为自定义控制函数。
在一个实施例中，第二动态控制模块704还用于：
在T_Thermal+ΔT1的时刻开始根据达到高温的时间动态控制所述固态硬盘的读写性能，将所述固态硬盘的读写性能RW Performance降低至Base Thermal Performance–ΔP–ΔP’；
其中，ΔP’＝P’(T–(T_Thermal+ΔT1))，T为当前时间，P’为另一自定义控制函数。
在一个实施例中，性能恢复模块705还用于：
当检测到所述固态硬盘的温度降至Thermal Threshold–ΔTemp’后，恢复读写性能为Best Performance，其中ΔTemp’为预设的温度差值参数。
关于固态硬盘的温度控制装置的具体限定可以参见上文中对于固态硬盘的温度控制方法的限定，在此不再赘述。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，其内部结构图可以如图8所示。该计算机设备包括通过装置总线连接的处理器、存储器以及网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作装置、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作装置和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种固态硬盘的温度控制方法。
本领域技术人员可以理解，图8中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现以上各个方法实施例中的步骤。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以上各个方法实施例中的步骤。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种固态硬盘的温度控制方法，其特征在于，所述方法包括：
获取固态硬盘的温度控制请求，并根据所述温度控制请求对固态硬盘进行实时温度检测；
当检测到温度上升至Thermal Threshold时，降低固态硬盘的读写性能至BaseThermal Performance，此时的时刻为T_Thermal；
所述固态硬盘的温度继续上升，当检测所述固态硬盘的温度上升至ThermalThreshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制所述固态硬盘的读写性能；
当检测到所述固态硬盘的温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制所述固态硬盘的读写性能；
当检测到所述固态硬盘的温度降至Thermal Threshold后，将所述固态硬盘的读写性能恢复至Base Thermal Performance；
所述当检测所述固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制所述固态硬盘的读写性能的步骤还包括：
当检测所述固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，将所述固态硬盘的读写性能RW Performance降低至Base Thermal Performance–ΔP；
其中，ΔP＝P(Temp–(Thermal Threshold+ΔTemp))，Temp为所述固态硬盘当前的温度，P为自定义控制函数；
所述当检测到所述固态硬盘的温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制所述固态硬盘的读写性能的步骤还包括：
在T_Thermal+ΔT1的时刻开始根据达到高温的时间动态控制所述固态硬盘的读写性能，将所述固态硬盘的读写性能RW Performance降低至Base Thermal Performance–ΔP–ΔP’；
其中，ΔP’＝P’(T–(T_Thermal+ΔT1))，T为当前时间，P’为另一自定义控制函数。
2.根据权利要求1所述的固态硬盘的温度控制方法，其特征在于，在所述当检测到所述固态硬盘的温度降至Thermal Threshold后，将所述固态硬盘的读写性能恢复至BaseThermal Performance的步骤之后还包括：
当检测到所述固态硬盘的温度降至Thermal Threshold–ΔTemp’后，恢复读写性能为Best Performance，其中ΔTemp’为预设的温度差值参数。
3.一种固态硬盘的温度控制装置，其特征在于，所述装置包括：
温度检测模块，所述温度检测模块用于获取固态硬盘的温度控制请求，并根据所述温度控制请求对固态硬盘进行实时温度检测；
性能降低模块，所述性能降低模块用于当检测到温度上升至Thermal Threshold时，降低固态硬盘的读写性能至Base Thermal Performance，此时的时刻为T_Thermal；
第一动态控制模块，所述第一动态控制模块用于所述固态硬盘的温度继续上升，当检测所述固态硬盘的温度上升至Thermal Threshold+ΔTemp时，根据实时温度动态控制所述固态硬盘的读写性能；
第二动态控制模块，所述第二动态控制模块用于当检测到所述固态硬盘的温度维持在Thermal Threshold以上的时长已达到ΔT1时，根据高温时间动态控制所述固态硬盘的读写性能；
性能恢复模块，所述性能恢复模块用于当检测到所述固态硬盘的温度降至ThermalThreshold后，将所述固态硬盘的读写性能恢复至Base Thermal Performance；
所述第一动态控制模块还用于：当检测所述固态硬盘的温度上升至ThermalThreshold+ΔTemp时，将所述固态硬盘的读写性能RW Performance降低至Base ThermalPerformance–ΔP；其中，ΔP＝P(Temp–(Thermal Threshold+ΔTemp))，Temp为所述固态硬盘当前的温度，P为自定义控制函数；
所述第二动态控制模块还用于：在T_Thermal+ΔT1的时刻开始根据达到高温的时间动态控制所述固态硬盘的读写性能，将所述固态硬盘的读写性能RW Performance降低至BaseThermal Performance–ΔP–ΔP’；其中，ΔP’＝P’(T–(T_Thermal+ΔT1))，T为当前时间，P’为另一自定义控制函数。
4.根据权利要求3所述的固态硬盘的温度控制装置，其特征在于，所述性能恢复模块还用于：
当检测到所述固态硬盘的温度降至Thermal Threshold–ΔTemp’后，恢复读写性能为Best Performance，其中ΔTemp’为预设的温度差值参数。
5.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1或2所述方法的步骤。
6.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1或2所述的方法的步骤。
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