CN105810770A - 异质结太阳能电池及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种异质结太阳能电池及其制造方法，而异质结太阳能电池包含一太阳能电池本体、一第一图案化透明导电层以及一第二图案化透明导电层。其中，第一图案化透明导电层形成于第一非晶硅半导体层上，并具有多个第一延伸包覆部，第一延伸包覆部部分地包覆住第一非晶硅半导体层的边缘。第二图案化透明导电层形成于第二非晶硅半导体层上，并与第一图案化透明导电层围构出至少一边缘暴露区，边缘暴露区使第一图案化透明导电层与第二图案化透明导电层相互断开。
Description
技术领域
本发明关于一种异质结太阳能电池及其制造方法，尤指一种利用第一图案化透明导电层的第一延伸包覆部包覆第一非晶硅半导体层以增加光电转换效率的异质结太阳能电池及其制造方法。
背景技术
请参阅图1，图1显示先前技术的异质结硅晶太阳能电池剖面示意图。如图所示，一异质结硅晶太阳能电池PA100包含一太阳能电池本体PA1、一透明导电层PA2、一第一电极PA3以及一第二电极PA4。太阳能电池本体PA1包含一硅晶半导体层PA11、一第一本征非晶硅半导体层PA12、一第一非晶硅半导体层PA13、一第二本征非晶硅半导体层PA14以及一第二非晶硅半导体层PA15。
第一本征非晶硅半导体层PA12与第二本征非晶硅半导体层PA14分别形成于硅晶半导体层PA11的两面上，而第一非晶硅半导体层PA13与第二非晶硅半导体层PA15则分别形成在第一本征非晶硅半导体层PA12与第二本征非晶硅半导体层PA14上，最后透明导电层PA2再整个形成在第一非晶硅半导体层PA13与第二非晶硅半导体层PA15外围。而第一电极PA3与第二电极PA4是分别设置在透明导电层PA2的两侧，以用来收集电流。
其中，为了避免上下两侧的透明导电层PA2产生短路，通常会在透明导电层PA2的第一绝缘处PA21与第二绝缘处PA22利用激光切割的方式，使透明导电层PA2分割成两个部份，而第一电极PA3与第二电极PA4便可分别收集载子而不会产生漏电流。
请参阅图2图2，第二图显示先前技术的另一异质结硅晶太阳能电池平面示意图。如图所示，一异质结硅晶太阳能电池PA200的构造与上述的异质结硅晶太阳能电池PA100相似，但为了避免上下两侧的透明导电层因在侧边接触而产生漏电流的情形，异质结硅晶太阳能电池PA200上下两侧的透明导电层PA2a在形成时，都是直接利用遮罩遮蔽的方式，使异质结硅晶太阳能电池PA200的太阳能电池本体PA1a的边缘露出而不被透明导电层PA2a所覆盖，因此透明导电层PA2a并无法从太阳能电池本体PA1a的边缘电性接触。
承上所述，现有的方式虽可以有效地避免上下两层的透明导电层PA2a在边缘互相接触，但也损失了侧边的吸光率，导致光电转换效率渐少，因此如何在避免侧边漏电流的同时提高整体受光面积，一直是本领域待解决的问题。
发明内容
有鉴于在先前技术中，现有的异质结太阳能电池虽然可以在透明导电层形成后，利用激光切割制程来分割出两部分的透明导电层，但却会因此增加制程上的成本，然而，虽然可以在形成透明导电层时，利用遮罩的方式避免太阳能电池本体的边缘被透明导电层覆盖，进而避免透明导电层在侧边产生漏电流，但此方式却会损失吸光率，降低太阳能电池的光电转换效率。
缘此，本发明的主要目的提供一异质结太阳能电池及其制造方法，不仅不需要另外以激光切割制程来分割出两块透明导电层，亦可形成光吸收率较高的太阳能电池。
承上所述，本发明为解决现有技术的问题所采用的必要技术手段提供一种异质结太阳能电池，包含一太阳能电池本体、一第一图案化透明导电层以及一第二图案化透明导电层。太阳能电池本体包含一半导体基板、一第一本征非晶硅半导体层、一第一非晶硅半导体层、一第二本征非晶硅半导体层以及一第二非晶硅半导体层。半导体基板具有相对设置的一第一表面与一第二表面，且半导体基板掺杂有一第一半导体。第一本征非晶硅半导体层设置于第一表面上。第一非晶硅半导体层设置于第一本征非晶硅半导体层上，并掺杂有一第二半导体。第二本征非晶硅半导体层设置于第二表面上。第二非晶硅半导体层设置于第二本征非晶硅半导体层上，并掺杂有一第三半导体。
第一图案化透明导电层形成于第一非晶硅半导体层上，并具有多个第一延伸包覆部，第一延伸包覆部部分地包覆住第一非晶硅半导体层的边缘。第二图案化透明导电层形成于第二非晶硅半导体层上，且所述第二图案化透明导电层与所述第一图案化透明导电层之间围构出多个相互连通的边缘暴露区，借以使所述第一图案化透明导电层与所述第二图案化透明导电层通过所述相互连通的边缘暴露区互相绝缘。
如上所述，通过第一图案化透明导电层所具有的多个第一延伸包覆部部分地包覆住第一非晶硅半导体层的边缘，可有效的增加太阳能电池本体的光吸收率，意即被第一延伸包覆部所包覆的太阳能电池本体的边缘亦可吸收光线并产生光电转换，进而增加电流的输出。
由上述的必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，边缘暴露区的形状为长方形、正方形、弧形、不规则形、环形或其组合。
由上述的必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，第二图案化透明导电层具有多个第二延伸包覆部，第二延伸包覆部部分地包覆住第二非晶硅半导体层的边缘。借此可相对的增加太阳能电池本体吸光率。较佳者，第一延伸包覆部与第二延伸包覆部交错排列。
由上述的必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，第一图案化透明导电层的边缘与第二图案化透明导电层的边缘图案为互补。
由上述的必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，第一半导体为一第一型半导体，第二半导体与第三半导体其中一个为第一型半导体，另一个为一第二型半导体。较佳者，第一型半导体为N型半导体，第二型半导体为P型半导体；或者，第一型半导体为P型半导体，第二型半导体为N型半导体。
本发明为解决现有技术的更采用另一必要技术手段，其提供一种异质结太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：步骤(a)，制备一半导体基板，半导体基板掺杂有一第一半导体；步骤(b)，于半导体基板的一第一表面上形成一第一本征非晶硅半导体层；步骤(c)，于第一本征非晶硅半导体层上形成一第一非晶硅半导体层，且第一非晶硅半导体层掺杂有一第二半导体；步骤(d)，于半导体基板的一第二表面上形成一第二本征非晶硅半导体层；步骤(e)，于第二本征非晶硅半导体层上形成一第二非晶硅半导体层，其中第二非晶硅半导体层掺杂有第三半导体；步骤(f)，于第一非晶硅半导体层的表面形成一第一图案化透明导电层，且第一图案化透明导电层具有多个包覆第一非晶硅半导体层边缘的第一延伸包覆部；步骤(g)，于第二非晶硅半导体层上形成一第二图案化透明导电层，且第二图案化透明导电层与第一图案化透明导电层之间围构出多个相互连通的边缘暴露区，借以使第一图案化透明导电层与第二图案化透明导电层通过相互连通的边缘暴露区互相绝缘。其中需特别说明的是，步骤(c)与步骤(d)的顺序是可以对调的。
由上述的必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，第一图案化透明导电层与第二图案化透明导电层透过一真空蒸镀制程(Vacuumevaporationdeposition)、一电弧放电蒸镀制程(Arcdischargedeposition)、一脉冲激光蒸镀制程(Pulselaserdeposition)或一溅镀制程(Sputter)所形成。
由上述的必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，步骤(f)在第一非晶硅半导体层的表面形成第一图案化透明导电层时，透过遮罩或半导体基板支架遮挡住第一非晶硅半导体层的部分表面，进而形成第一延伸包覆部。
由上述的必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，步骤(g)在第二非晶硅半导体层的表面形成第二图案化透明导电层时，透过遮罩或半导体基板支架遮挡第二非晶硅半导体层的部分表面，进而形成多个第二延伸包覆部，且第二延伸部与第一延伸部交错地排列。
由上述的必要技术手段所衍生的一附属技术手段为，第一半导体为一第一型半导体，第二半导体与第三半导体其中一个为第一型半导体，另一个为一第二型半导体。较佳者，第一型半导体为N型半导体，第二型半导体为P型半导体；或者，第一型半导体为P型半导体，第二型半导体为N型半导体。
本发明所采用的具体实施例，将通过以下的实施例及图式作进一步的说明。
附图说明
图1显示先前技术的异质结硅晶太阳能电池剖面示意图；
图2显示先前技术的另一异质结硅晶太阳能电池平面示意图；
图3图3显示本发明第一较佳实施例所提供异质结太阳能电池的平面示意图；
图4显示本发明第一较佳实施例所提供异质结太阳能电池的另一平面示意图；
图5显示图3的A-A剖面示意图；
图6显示图3的B-B剖面示意图；
图7显示本发明第二较佳实施例所提供的异质结太阳能电池的平面示意图；
图8显示本发明第二较佳实施例所提供的异质结太阳能电池的另一平面示意图；
图9显示本发明第三较佳实施例所提供的异质结太阳能电池的平面示意图；
图10显示本发明第三较佳实施例所提供的异质结太阳能电池的另一平面示意图；
图11显示本发明第四较佳实施例所提供的异质结太阳能电池的平面示意图；以及
图12显示本发明第四较佳实施例所提供的异质结太阳能电池的另一平面示意图。
【符号说明】
PA100、PA200异质结硅晶太阳能电池
PA1、PA1a太阳能电池本体
PA11硅晶半导体层
PA12第一本征非晶硅半导体层
PA13第一非晶硅半导体层
PA14第二本征非晶硅半导体层
PA15第二非晶硅半导体层
PA2、PA2a透明导电层
PA3第一电极
PA4第二电极
100、100a、100b、100c异质结太阳能电池
1、1a、1b、1c太阳能电池本体
11半导体基板
111第一表面
112第二表面
12第一本征非晶硅半导体层
13第一非晶硅半导体层
14第二本征非晶硅半导体层
15第二非晶硅半导体层
2、2a、2b、2c第一图案化透明导电层
21、21a、21b、21c第一延伸包覆部
3、3a、3b、3c第二图案化透明导电层
31、31a、31b、31c第二延伸包覆部
ER1第一边缘暴露区
ER2第二边缘暴露区
具体实施方式
请参阅图3至图6，图3显示本发明第一较佳实施例所提供异质结太阳能电池的平面示意图；图4显示本发明第一较佳实施例所提供异质结太阳能电池的另一平面示意图；图5显示图3的A-A剖面示意图；图6显示图3的B-B剖面示意图。
如图3及图4所示，一种异质结太阳能电池100包含一太阳能电池本体1、一第一图案化透明导电层2以及一第二图案化透明导电层3。
太阳能电池本体1包含一半导体基板11、一第一本征非晶硅半导体层12、一第一非晶硅半导体层13、一第二本征非晶硅半导体层14以及一第二非晶硅半导体层15。半导体基板11具有相对设置的一第一表面111与一第二表面112，且半导体基板11掺杂有一第一半导体。其中，第一半导体为一第一型半导体，且在本实施例中，第一型半导体例如是N型半导体。
第一本征非晶硅半导体层12设置于第一表面111上。第一非晶硅半导体层13设置于第一本征非晶硅半导体层12上，并掺杂有一第二半导体。其中，第二半导体为一第二型半导体，且在本实施例中，第二型半导体例如是P型半导体。
第二本征非晶硅半导体层14设置于第二表面112上。第二非晶硅半导体层15设置于第二本征非晶硅半导体层14上，并掺杂有一第三半导体。其中，第三半导体为第一型半导体，在本实施例中为N型半导体
第一图案化透明导电层2形成于第一非晶硅半导体层13上，并具有多个第一延伸包覆部21，第一延伸包覆部21部分地包覆住第一非晶硅半导体层13与第二非晶硅半导体层15的边缘。
第二图案化透明导电层3形成于第二非晶硅半导体层15上，并具有多个第二延伸包覆部31，第二延伸包覆部31部分地包覆住第一非晶硅半导体层13与第二非晶硅半导体层15的边缘。
承上所述，第一延伸包覆部21与第二延伸包覆部31交错地排列，且第一图案化透明导电层2的边缘与第二图案化透明导电层3的边缘互补但不互相连接，进而使第二图案化透明导电层3与所述第一图案化透明导电层2之间围构出多个相互连通的边缘暴露区，而多个边缘暴露区更可区分为多个第一边缘暴露区ER1与多个第二边缘暴露区ER2，第一边缘暴露区ER1是由第一延伸包覆部21其中相邻二个与第二延伸包覆部31其中位于第一延伸包覆部21相邻二个间的一个所围构而成，第二边缘暴露区ER2是由第二延伸包覆部21其中相邻二个与第一延伸包覆部31其中位于第二延伸包覆部21相邻二个间的一个所围构而成，且多个第一边缘暴露区ER1与多个第二边缘暴露区ER2是相互连通，借以使第一图案化透明导电层2与第二图案化透明导电层3间隔地设置，即第一图案化透明导电层2与第二图案化透明导电层3的边缘完全不接触，以避免短路现象。
此外，在本实施例中，第一边缘暴露区ER1的形状主要为长方形，而第二边缘暴露区ER2的形状主要为长方形与位于四个边角的弧形，但在其他实施例中而不限于此，例如可为长方形、正方形、弧形、不规则形、环形或其组合。
如上所述，通过第一图案化透明导电层2所具有的多个第一延伸包覆部21部分地包覆住第一非晶硅半导体层13与第二非晶硅半导体层15的边缘，可有效的增加太阳能电池本体1的光吸收率，意即被第一延伸包覆部21所包覆的太阳能电池本体1的边缘亦可吸收光线并产生光电转换，进而增加电流的输出。
请继续参阅图3至图6。如图所示，本发明更提供一种异质结太阳能电池100的制作方法，其步骤首先是制备半导体基板11，而半导体基板11在制作的过程中便掺杂有第一半导体，第一半导体在本实施例中为第一型半导体，即N型半导体；接着于半导体基板11的第一表面111上以一化学气相沉积制程形成第一本征非晶硅半导体层12；然后于第一本征非晶硅半导体层上以化学气相沉积制程形成一第一非晶硅半导体层13，且第一非晶硅半导体层13在形成的同时便掺杂有一第二半导体，第二半导体在本实施例中为第二型半导体，即P型半导体；再来于半导体基板11的一第二表面112上以化学气相沉积制程形成一第二本征非晶硅半导体层14；接着于第二本征非晶硅半导体层14上以化学气相沉积制程形成一第二非晶硅半导体层15，其中第二非晶硅半导体层15在形成时便掺杂有第三半导体，第三半导体在本实施例中为第一型半导体，即N型半导体；的后于第一非晶硅半导体层13的表面形成第一图案化透明导电层2，且第一图案化透明导电层2具有多个包覆第一非晶硅半导体层13边缘的第一延伸包覆部21；最后，于第二非晶硅半导体层15上形成第二图案化透明导电层3，且第二图案化透明导电层3与第一图案化透明导电层2围构出多个相互连通的第一边缘暴露区ER1与第二边缘暴露区ER2，借以使第一图案化透明导电层2与所述第二图案化透明导电层3间隔地设置，而第一非晶硅半导体层13与第二非晶硅半导体层15的边缘自第一边缘暴露区ER1与第二边缘暴露区ER2露出。
在本实施例中，化学气相沉积制程例如是电浆辅助化学气相沉积(Plasma-enhancedchemicalvapordeposition,PECVD)制程，而第一图案化透明导电层2与第二图案化透明导电层3透过一真空蒸镀制程、一电弧放电蒸镀制程、一脉冲激光蒸镀制程或一溅镀制程所形成。
此外，第一图案化透明导电层2的第一延伸包覆部21在形成的过程中，利用半导体基板支架支撑太阳能电池本体1的第二非晶硅半导体层15边缘，再形成透明导电层，使得所形成的第一图案化透明导电层2会在支架两侧形成第一延伸包覆部21，因此透过支架的遮挡即可图案化透明导电层而形成第一图案化透明导电层2。而第二图案化透明导电层3的第二延伸包覆部31例如是透过遮罩的方式利用上述的真空蒸镀制程、一电弧放电蒸镀制程、一脉冲激光蒸镀制程或一溅镀制程所形成，意即在形成时，遮罩是覆盖住第一延伸包覆部21与第一延伸包覆部21之间的第一非晶硅半导体层13，以形成第二图案化透明导电层3与第二延伸包覆部31。在本实施例中，透过支架遮挡形成的第一延伸包覆部21与透过遮罩形成的第二延伸包覆部31所形成的图案为互补，但第一延伸包覆部21与第二延伸包覆部31的边缘并不相连，因此可避免第一图案化透明导电层2与第二图案化透明导电层3接触而短路的问题。
请参阅图7与图8，图7显示本发明第二较佳实施例所提供的异质结太阳能电池的平面示意图；图8显示本发明第二较佳实施例所提供的异质结太阳能电池的另一平面示意图。如图所示，一种异质结太阳能电池100a包含一太阳能电池本体1a、一第一图案化透明导电层2a以及一第二图案化透明导电层3a。其中，异质结太阳能电池100a与上述的异质结太阳能电池100相似，其差异主要在于异质结太阳能电池100a的第一图案化透明导电层2a具有四个第一延伸包覆部21a，而第二图案化透明导电层3a具有四个第二延伸包覆部31a，第一非晶硅半导体层13与第二非晶硅半导体层15自前述图案化透明导电层未覆盖的区域露出。
请参阅图9与图10，图9显示本发明第三较佳实施例所提供的异质结太阳能电池的平面示意图；图10显示本发明第三较佳实施例所提供的异质结太阳能电池的另一平面示意图。如图所示，一种异质结太阳能电池100b包含一太阳能电池本体1b、一第一图案化透明导电层2b以及一第二图案化透明导电层3b。其中，异质结太阳能电池100b与上述的异质结太阳能电池100相似，其差异主要在于异质结太阳能电池100b的第一图案化透明导电层2b具有四个第一延伸包覆部21b，而第二图案化透明导电层3b具有四个第二延伸包覆部31b。
请参阅图11与图12，图11显示本发明第四较佳实施例所提供的异质结太阳能电池的平面示意图；图12显示本发明第四较佳实施例所提供的异质结太阳能电池的另一平面示意图。如图所示，一种异质结太阳能电池100c包含一太阳能电池本体1c、一第一图案化透明导电层2c以及一第二图案化透明导电层3c。其中，异质结太阳能电池100c与上述的异质结太阳能电池100相似，其差异主要在于异质结太阳能电池100c的第一图案化透明导电层2c具有四个第一延伸包覆部21c，而第二图案化透明导电层3c未具有第二延伸包覆部，在本实施例中第一图案化透明导电层2与第二图案化透明导电层3不接触，因此可避免短路的问题。
综上所述，由于本发明所提供的异质结太阳能电池及其制造方法在形成第一图案化透明导电层时是利用支架及/或遮罩的方式来遮挡，在形成第二图案化透明导电层时，是利用遮罩来遮挡，使得第一图案化透明导电层与第二图案化透明导电层形成后会在遮挡处露出第一非晶硅半导体层13与第二非晶硅半导体层15，并使遮挡处的两侧形成第一延伸包覆部或第二延伸包覆部，进而增加太阳能电池本体的光电转换效率，且由于第一延伸包覆部或第二延伸包覆部并未直接接触，因此不会有短路及漏电流的现象产生。相较于先前技术的异质结太阳能电池在形成透明导电层后再以激光切割的方式分隔出两块透明导电层，本发明可以有效的省略激光切割制程，同时太阳能电池本体边缘仅部分遮挡，因此可以增加透明导电层覆盖太阳能电池本体的面积，进而有效的增加太阳能电池本体的吸光率与光电转换率。
此外，虽然在本实施例中，第一半导体与第三半导体为第一型半导体，第二半导体为第二型半导体，且第一型半导体为N型半导体，第二型半导体为P型半导体；但在其他实施例中则不限于此，亦可是第一半导体与第二半导体为第一型半导体，第三半导体为第二型半导体，且第一型半导体亦可是P型半导体，第二型半导体亦可相对的是N型半导体。
通过以上较佳具体实施例的详述，希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所公开的较佳具体实施例来对本发明的范畴加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的专利范围的范畴内。
Claims (15)
1.一种异质结太阳能电池，包含：
一太阳能电池本体，包含：
一半导体基板，具有相对设置的一第一表面与一第二表面，且所述半导体基板掺杂有一第一半导体；
一第一本征非晶硅半导体层，设置于所述第一表面上；
一第一非晶硅半导体层，设置于所述第一本征非晶硅半导体层上，并掺杂有一第二半导体；
一第二本征非晶硅半导体层，设置于所述第二表面上；以及
一第二非晶硅半导体层，设置于所述第二本征非晶硅半导体层上，并掺杂有一第三半导体；
一第一图案化透明导电层，形成于所述第一非晶硅半导体层上，并具有多个第一延伸包覆部，所述第一延伸包覆部部分地包覆住所述第一非晶硅半导体层的边缘；以及
一第二图案化透明导电层，形成于所述第二非晶硅半导体层上，且所述第二图案化透明导电层与所述第一图案化透明导电层之间围构出多个相互连通的边缘暴露区，借以使所述第一图案化透明导电层与所述第二图案化透明导电层通过所述相互连通的边缘暴露区互相绝缘。
2.如权利要求1所述的异质结太阳能电池，其中，所述边缘暴露区的形状为长方形、正方形、弧形、不规则形、环形或其组合。
3.如权利要求1所述的异质结太阳能电池，其中，所述第二图案化透明导电层具有多个第二延伸包覆部，所述第二延伸包覆部至少包覆住部分所述第二非晶硅半导体层的边缘。
4.如权利要求3所述的异质结太阳能电池，其中，所述第一延伸包覆部与所述第二延伸包覆部交错地排列。
5.如权利要求1所述的异质结太阳能电池，其中，所述第一图案化透明导电层的边缘与所述第二图案化透明导电层的边缘图案为互补。
6.如权利要求1所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，所述第一半导体为一第一型半导体，所述第二半导体与所述第三半导体其中一个为一第一型半导体，另一个为一第二型半导体。
7.如权利要求6所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，所述第一型半导体为N型半导体，所述第二型半导体为P型半导体。
8.如权利要求6所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，所述第一型半导体为P型半导体，所述第二型半导体为N型半导体。
9.一种异质结太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：
(a)制备一半导体基板，所述半导体基板掺杂有一第一半导体；
(b)于所述半导体基板的一第一表面上形成一第一本征非晶硅半导体层；
(c)于所述第一本征非晶硅半导体层上形成一第一非晶硅半导体层，且所述第一非晶硅半导体层掺杂有一第二半导体；
(d)于所述半导体基板的一第二表面上形成一第二本征非晶硅半导体层；
(e)于所述第二本征非晶硅半导体层上形成一第二非晶硅半导体层，其中所述第二非晶硅半导体层掺杂有一第三半导体；
(f)于所述第一非晶硅半导体层的表面形成一第一图案化透明导电层，且所述第一图案化透明导电层具有多个包覆所述第一非晶硅半导体层边缘的第一延伸包覆部；以及
(g)于所述第二非晶硅半导体层上形成一第二图案化透明导电层，且所述第二图案化透明导电层与所述第一图案化透明导电层之间围构出多个相互连通的边缘暴露区，借以使所述第一图案化透明导电层与所述第二图案化透明导电层通过所述相互连通的边缘暴露区互相绝缘。
10.如权利要求9所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，所述第一图案化透明导电层与所述第二图案化透明导电层透过一真空蒸镀制程、一电弧放电蒸镀制程、一脉冲激光蒸镀制程或一溅镀制程所形成。
11.如权利要求9所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，步骤(f)在所述第一非晶硅半导体层的表面形成所述第一图案化透明导电层时，透过遮罩或半导体基板支架遮挡住所述第一非晶硅半导体层的部分表面，进而形成所述第一延伸包覆部。
12.如权利要求9所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，步骤(g)在所述第二非晶硅半导体层的表面形成所述第二图案化透明导电层时，透过遮罩或半导体基板支架遮挡所述第二非晶硅半导体层的部分表面，进而形成多个第二延伸包覆部，且所述第二延伸部与所述第一延伸部交错地排列。
13.如权利要求9所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，所述第一半导体为一第一型半导体，所述第二半导体与所述第三半导体其中一个为一第一型半导体，另一个为一第二型半导体。
14.如权利要求13所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，所述第一型半导体为N型半导体，所述第二型半导体为P型半导体。
15.如权利要求13所述的异质结太阳能电池的制作方法，其中，所述第一型半导体为P型半导体，所述第二型半导体为N型半导体。
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