CN105793467A - 等离子体装置用部件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种等离子体装置用部件，其是由基材和形成于该基材上的最表面的氮化铝覆膜构成的、且具有通过冲击烧结法而形成的包含粒径为1μm以下的微小粒子的氮化铝覆膜的等离子体装置用部件，上述基材由金属或陶瓷构成，上述等离子体装置用部件的特征在于，上述氮化铝覆膜的厚度为10μm以上，膜密度为90％以上，氮化铝覆膜的单位面积20μm×20μm中存在的能够确认晶界的氮化铝粒子的面积率为0～90％，而不能确认晶界的氮化铝粒子的面积率为10～100％。根据上述构成，能够提供具有对等离子体攻击及自由基攻击具有强耐受性的氮化铝覆膜的等离子体装置用部件及其制造方法。

Description

等离子体装置用部件及其制造方法
技术领域
本发明涉及对卤素系腐蚀性气体或等离子体的耐腐蚀性优异、可以适宜用于在半导体、液晶制造用等中被使用的等离子体处理装置的被氮化铝膜覆盖的等离子体装置用部件及其制造方法。
背景技术
半导体制造装置中的等离子体工艺为主体的蚀刻工序、CVD成膜工序、除去抗蚀剂的灰化工序中的装置用部件被暴露于反应性高的氟、氯等卤素系腐蚀性气体。
因此，对于在上述那样的工序中被暴露于卤素等离子体的部件来说，使用氧化铝、氮化铝、氧化钇、YAG等陶瓷作为构成材料。特别是陶瓷中，若考虑性能与成本的平衡，热导率高、耐腐蚀性也优异的氮化铝是优选的。
作为这样的以往的陶瓷制的等离子体装置用部件，例如有专利文献1中公开的静电卡盘，在氮化铝的内部埋设有金属电极，通过使设置于晶片与内部电极之间的介电层的体积固有电阻率为108～1012Ω·cm，从而在低温度下产生提高了晶片的吸附力的所谓约翰逊-拉别克(Johnson-Rahbeck)力而使晶片吸附。
然而，由于氮化铝为难烧结性材料，所以在氮化铝原料粉末中添加烧结助剂来实施烧结。烧结的机理是：通过添加烧结助剂，在晶界中产生低熔点的反应产物而发生液相化，介由该液相来进行氮化铝的物质移动。因此，在烧结体的粒子间存在许多晶界层，在应力集中的情况下破坏从晶界进行，发生粒子的脱落。
因此，在等离子体装置用部件(静电卡盘)的情况下，反复发生晶片的吸附和脱离，所以在吸附面产生应力而由氮化铝构成的等离子体装置用部件中存在下述问题：因脱粒而产生颗粒，污染晶片。
由此，在专利文献1中，提出了使用控制烧结助剂、从而抑制了容易成为颗粒产生源的晶界破坏的氮化铝的等离子体装置用部件(静电卡盘)。
此外，还提出了使用了通过添加氮化钛等而抑制了颗粒产生的氮化铝的等离子体装置用部件(静电卡盘)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-133196号公报
像专利文献1那样在使用了氮化铝作为原材料的等离子体装置用部件(静电卡盘)中，起因于晶界破坏的颗粒成为大的问题。因此，进行了烧结助剂的种类和添加量的调节，但是若减少烧结助剂的添加量则烧结变得不完全，控制作为静电卡盘的功能的重要的体积电阻率变得困难。
此外，添加氮化钛而抑制了颗粒的产生，但是近年来颗粒的降低要求变得严格，仅添加氮化钛时并不充分，颗粒产生量的降低变得困难。
进而，由于存在晶界层，即使实施研磨加工等，也会在表面残留不规则的凹凸，此外，在蚀刻等处理时存在于介电层的表面的粒子发生脱粒，起因于它们的颗粒的产生成为问题。
进而，在氮化铝中添加氧化铝、氮化钛时，就暴露于卤素气体等腐蚀性气体或等离子体中的等离子体装置用部件(静电卡盘)而言，由于要求高的耐腐蚀性，所以伴随着所形成的晶界层、存在耐腐蚀性降低而诱发颗粒产生的问题。
在近来的半导体元件中，为了达成高集成度，开展了布线宽度的窄小化(例如24nm至19nm)。在像这样窄小化的布线或具有其的元件中，即使混入例如直径为40nm左右的极微小粒子(微小颗粒)，也会引起布线不良(导通不良)或元件不良(短路)等缺陷，所以强烈期望更进一步严格地抑制起因于装置构成部件的微细颗粒的产生。
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明是为了应对这样的课题而完成的，目的是提供一种能够使下述内容成为可能的等离子体装置用部件及不会因再生处理中的试剂处理或喷砂处理而对构件造成腐蚀或变形等损伤的等离子体装置用部件及其制造方法：在蚀刻工序中使覆膜自身的耐等离子体性及耐腐蚀性提高而稳定且有效地抑制粒子脱落等颗粒的产生，抑制伴随装置清洗或部件的更换等的生产率的降低、蚀刻或成膜成本的增加，同时防止膜剥离，抑制微细颗粒的产生，防止因杂质而产生的污染。
用于解决技术问题的方法
本发明的具有通过冲击烧结法而形成的氮化铝覆膜的等离子体装置用部件的特征在于，在氮化铝(AlN)覆膜中含有氮化铝粒子，覆膜的厚度为10μm以上，覆膜的密度为90％以上，覆膜组织的单位面积20μm×20μm中存在的能够确认晶界的氮化铝粒子的面积率为0～90％，而不能确认晶界的氮化铝粒子的面积率为10～100％。
氮化铝覆膜优选膜厚为10～200μm并且覆膜的密度为99％以上且100％以下。上述氮化铝粒子优选包含1μm以下的微粒且上述能够确认晶界的氮化铝粒子的平均粒径为2μm以下。
另外，氮化铝粒子的整体的平均粒径优选为5μm以下。在上述氮化铝覆膜中，当对覆膜进行XRD分析时，AlN的最强峰Im相对于Al2O3的最强峰Ic之比(Im/Ic)优选为8以上。优选：上述氮化铝覆膜通过研磨处理而使其表面粗糙度Ra为0.5μm以下。
本发明的通过冲击烧结法而形成有氮化铝覆膜的等离子体装置用部件的制造方法的特征在于，其具备以下工序：将包含氮化铝粒子的浆料供给至燃烧火焰的工序；和将氮化铝粒子的喷射速度调节为400～1000m/秒而喷射到基材上的工序。
氮化铝粒子的平均粒径优选为0.05～5μm。氮化铝覆膜的厚度优选为10μm以上。此外，优选将包含氮化铝粒子的浆料供给至燃烧火焰的中心。
通过将这样的氮化铝覆膜施加于利用等离子体放电的等离子体装置用部件，能够提高部件的耐等离子体性，能够大幅地抑制颗粒的产生量或杂质污染量，同时不会因再生处理中的试剂处理或喷砂处理而对构件造成腐蚀或变形等损伤，所以能够大幅地减少装置清洗或部件更换的次数。颗粒产生量的降低大大有助于会进行等离子体处理的各种薄膜、进而使用了其的元件或部件的成品率提高。此外，装置清洗或部件更换次数的降低大大有助于生产率的提高以及蚀刻成本或成膜成本的削减。
根据本发明，能够提供下述等离子体装置用部件及其制造方法：由部件产生的微细颗粒的产生得到稳定且有效的抑制，能够抑制伴随频繁的装置清洗或部件的更换等的生产率的降低或部件成本的增加，还能够应用于高集成化的半导体元件的制造，通过等离子体装置的运转率的改善还能够实现蚀刻或成膜成本的降低等。
附图说明
图1是概略地图示本发明的等离子体装置用部件的截面结构的截面图。
图2是表示氮化铝覆膜的一个例子的显微镜组织图。
具体实施方式
以下，对用于实施本发明的方式进行说明。
本发明的在基材表面上具有通过冲击烧结法而形成的氮化铝覆膜的等离子体装置用部件的特征在于，在氮化铝覆膜中含有氮化铝粒子，覆膜的厚度为10μm以上，覆膜的密度为90％以上，覆膜组织的单位面积20μm×20μm中存在的能够确认晶界的氮化铝粒子的面积率为0～90％，而不能确认晶界的氮化铝粒子的面积率为10～100％。
图1中示出本发明的等离子体装置用部件的一个实施例。图中，符号1为等离子体装置用部件，3为基材，2为与基材3的表面一体形成的氮化铝覆膜。
作为上述覆膜构成材料，优选对等离子体攻击或自由基攻击(例如活泼性的F自由基或Cl自由基)及特别是对氯系等离子体或氟系等离子体具有强耐受性的氮化铝(AlN)。
能够确认晶界的氮化铝粒子可以通过覆膜组织的放大照片来确认。例如通过扫描型电子显微镜照片来拍摄5000倍的放大照片。图2中示出表示氮化铝覆膜的一个例子的组织图(放大照片)。图中，符号4为不能确认晶界的氮化铝粒子，5为能够确认晶界的氮化铝粒子。
对于“能够确认晶界的氮化铝粒子”来说，各个粒子的晶界能够以对比度的差来确认。另一方面，对于“不能确认晶界的氮化铝粒子”来说，因相邻的AlN粒子彼此结合而不能确认各个粒子的晶界。
成为观察覆膜组织状态的视野的单位面积设定为20μm×20μm。此外，对该单位面积测定任意的3处，将其平均值作为“能够确认晶界的氮化铝粒子”及“不能确认晶界的氮化铝粒子”的面积率。图2中示出“能够确认晶界的氮化铝粒子”的粒子组和“不能确认晶界的氮化铝粒子”的粒子组混合存在的状态。
冲击烧结法是通过燃烧火焰将粒子喷射而进行成膜的覆膜方法，是粒子以高速度碰撞到基材上、粒子利用由该碰撞产生的粒子的破碎热进行烧结结合而形成覆膜的方法。
因此，氮化铝粒子存在与原料粉末的粒子形状相比容易形成成为破碎形状的覆膜的倾向。此外，通过将氮化铝粒子的喷射速度进行高速控制而加速至粒子开始沉积的临界速度以上，能够在不使氮化铝粒子熔融、分解的情况下进行成膜，能够得到基本维持了原料粉末的粒子形状的膜密度高的氮化铝覆膜。冲击烧结法由于能够高速喷射，所以容易得到“能够确认晶界的氮化铝粒子”和“不能确认晶界的氮化铝粒子”混合存在的组织。
当设定“能够确认晶界的氮化铝粒子”和“不能确认晶界的氮化铝粒子”的面积率的合计为100％时，“能够确认晶界的氮化铝粒子”以面积率计为0～90％、“不能确认晶界的氮化铝粒子”的面积率为10～100％是重要的。
上述冲击烧结法是将氮化铝粒子进行高速喷射，利用碰撞到基材上时的破坏热将粒子逐渐沉积的成膜方法。在利用破坏热的沉积时氮化铝粒子通过热而进行结合，由此形成不能确认晶界的氮化铝粒子。此外，通过使用高速喷射，由于不像喷镀那样将原料粉末熔化而进行喷射，所以能够以维持作为原料粉末的氮化铝粒子的粉末形状的状态沉积。因此，能够在不产生膜内部的应力的情况下形成致密且结合力强的膜。
若“能够确认晶界的氮化铝粒子”的面积率超过90％，则由冲击产生的破坏热不充分，所以在沉积时变成急剧的冷却状态而膜的低密度化、结合力降低，根据情况产生裂纹。“能够确认晶界的氮化铝粒子”的面积率优选为0～50％。这与“不能确认晶界的氮化铝粒子”的面积率优选为50～100％的范围是相同的含义。
此外，氮化铝覆膜的膜厚需要为10μm以上。该膜厚低于10μm时，无法充分得到设置氮化铝覆膜的效果，反而有成为膜剥落的原因的可能性。氮化铝覆膜的厚度的上限没有特别限定，但若过厚则得不到更多的效果，还会成为成本提高的主要原因。因此，氮化铝覆膜的厚度为10～200μm的范围，更优选为50～150μm的范围。
此外，覆膜的密度需要为90％以上。覆膜密度是指与气孔率相反的用语，覆膜密度为90％以上是指与气孔率为10％以下相同的意思。
覆膜密度的测定方法是通过光学显微镜对氮化铝覆膜沿膜厚方向对截面组织照片拍摄500倍的放大照片，算出其中拍摄的气孔的面积率。具体而言，通过
“膜密度(％)＝100－气孔的面积率”
的算式算出膜密度。对于算出膜密度来说，对覆膜组织的单位面积200μm×200μm的面积进行分析。另外，当膜厚较薄时，测定多个部位直到合计的单位面积达到200μm×200μm为止。
覆膜的密度为90％以上，更优选为95％以上，进一步优选为99％以上且100％以下。若在氮化铝覆膜中有许多气孔(空隙)，则从该气孔进行等离子体攻击等浸蚀而使氮化铝覆膜的寿命降低。特别是在氮化铝覆膜的表面上气孔少是重要的。
此外，氮化铝覆膜的表面粗糙度优选通过研磨处理而使Ra达到0.5μm以下。若研磨加工后的表面粗糙度Ra变成0.5μm以下，则晶片与介电体层进行密合而蚀刻的均匀性提高。另一方面，若研磨加工后的表面粗糙度Ra超过0.5μm，则晶片发生变形而密合性降低，蚀刻性变得不均匀，同时存在变得容易产生颗粒的难点。
此外，优选：能够确认晶界的氮化铝粒子的平均粒径为2μm以下，且包括不能确认晶界的氮化铝粒子在内的整体的氮化铝粒子的平均粒径为5μm以下。
如后述那样，在冲击烧结法中使用的作为原料粉末的氮化铝粉末优选平均粒径为0.05～5μm的范围。若作为原料粉末的氮化铝粒子的平均粒径超过5μm，则变得难以在粒子发生碰撞时不被破碎地飞散而形成覆膜，进而有通过粒子自身的喷砂作用对覆膜造成损伤而产生裂纹的可能性。
此外，若氮化铝粒子变成5μm以下，则变得容易在微粒发生碰撞时破碎适度地进行而利用由破碎产生的发热有助于粒子结合而形成覆膜。该形成的覆膜的粒子间的结合力大，因等离子体攻击及自由基攻击产生的损耗降低而颗粒产生量变少，耐等离子体性提高。
氮化铝粒子的粒径的更优选的值为0.05μm以上且3μm以下，但若粒径变得低于0.05μm，则变得难以进行粒子的破碎而形成为覆膜，但是成为低密度的覆膜而耐等离子体性及耐腐蚀性会降低，所以微粒粒径的应用范围优选为0.05～5μm。
但是，若粒径低于0.05μm的微粒低于氮化铝粒子整体的5％，则不会使覆膜形成恶化，所以也可以使用含有低于0.05μm的微粒的粉末。
氮化铝粒子的平均粒径的求法是使用图2那样的放大照片来实施的。对于能够确认晶界的氮化铝粒子来说，将照片中拍摄的各个粒子中最长的对角线作为粒径。对于不能确认晶界的氮化铝粒子来说，使用各个粒子的假设圆、将其直径作为粒径。将该作业分别对各50个粒子、合计为100个粒子进行测定，将其平均值作为平均粒径。
此外，在上述氮化铝覆膜中，当对覆膜进行XRD分析时，AlN的最强峰Im相对于Al2O3的最强峰Ic之比(Im/Ic)优选为8以上。
接着，对本发明的等离子体装置用部件的制造方法进行说明。
本发明的通过冲击烧结法在基材表面形成有氮化铝覆膜的等离子体装置用部件的制造方法的特征在于，其具备以下工序：将包含氮化铝粒子的浆料供给至燃烧火焰的工序；和将氮化铝粒子的喷射速度调节为400～1000m/秒而喷射到基材上的工序。
氮化铝粒子的平均粒径优选为0.05～5μm。氮化铝覆膜的膜厚优选为10μm以上。优选：将包含氮化铝粒子的浆料供给至燃烧火焰的中心。
冲击烧结法是将包含氮化铝粒子的浆料供给至火焰中而使氮化铝粒子进行高速喷射的成膜方法。
实施冲击烧结法的成膜装置具备供给燃烧源的燃烧源供给口和与其连接的燃烧室。通过在燃烧室使燃烧源燃烧，从而使燃烧火焰口产生燃烧火焰。在燃烧火焰的附近有浆料供给口，从浆料供给口供给的氮化铝粒子浆料介由喷嘴从燃烧火焰喷射到基材上而逐渐成膜。燃烧源使用氧、乙炔、煤油等，根据需要也可以使用2种以上。
进而，按照燃烧火焰的温度变得低于进行成膜的氮化铝粒子的沸点的方式，调节并控制燃烧源的配合比、冷却气体的投入量等燃烧条件。燃烧火焰的温度为沸点以上时，即便高速喷射，作为浆料供给的氮化铝粒子也会蒸发、分解或熔融，结果是覆膜没有沉积、或者即使沉积也成为与喷镀同样的形态。
当通过冲击烧结法来形成氮化铝覆膜时，氮化铝粒子的喷射速度优选为400m/秒以上且1000m/秒以下的范围。若喷射速度慢至低于400m/秒，则粒子发生碰撞时的粉碎变得不充分，有得不到膜密度高的膜的可能性。此外，若喷射速度超过1000m/秒，则碰撞力变得过大，容易产生由氮化铝粒子产生的喷砂效果，变得难以得到目标膜。
当将氮化铝粒子浆料投入到浆料供给口中时，优选按照浆料位于燃烧火焰的中心的方式进行供给。若将氮化铝粒子浆料供给至燃烧火焰的外侧则喷射速度不稳定。此外，一部分氮化铝粒子在燃烧火焰的外侧被喷射，一部分到达至中心后被喷射。即便是相同的燃烧火焰，在外侧和内侧处温度也会有些不同。通过以尽可能相同的温度、相同的喷射速度进行成膜，从而“能够确认晶界的粒子”及“不能确认晶界的粒子”的组织的控制成为可能。
冲击烧结法是通过燃烧火焰将粒子喷射而进行成膜的覆膜方法，是粒子以高速度进行碰撞、利用由该碰撞产生的粒子的破碎热进行烧结结合而形成覆膜的方法。因此，覆膜中的氮化铝粒子存在与原料粉末的粒子形状相比容易形成成为破碎形状的覆膜的倾向。
此外，通过将氮化铝粒子的喷射速度控制在高速度、加速至粒子开始沉积的临界速度以上，能够在不使氮化铝粒子熔融、分解的情况下进行成膜，能够得到膜密度高的氮化铝覆膜。
此外，冲击烧结法由于能够高速喷射，所以容易得到“不能确认晶界的粒子”。能够高效地得到像本发明那样的下述氮化铝覆膜：能够确认晶界的氮化铝粒子的面积率为0～90％，而不能确认晶界的氮化铝粒子的面积率为10～100％。
此外，为了控制“能够确认晶界的粒子”及“不能确认晶界的粒子”，调节从喷嘴至基材为止的喷射距离L也是有效的。像上述那样冲击烧结法是使用燃烧火焰将氮化铝粒子进行高速喷射、利用碰撞时的粒子的破坏热进行烧结结合而使其沉积的方法。
为了不使暂时以燃烧火焰加温的氮化铝粒子成为熔融的扁平形状而进行成膜，优选将喷射距离L调节为100～400mm。喷射距离L低于100mm时，距离过近而变得难以得到氮化铝粒子不被破碎地进行烧结结合而成的覆膜。另一方面，若喷射距离L超过400mm，则过于分离，所以冲击力变弱而难以得到目标氮化铝覆膜。通过控制上述的喷射速度、作为原料粉末的氮化铝粒子尺寸，能够控制熔融、未熔融的组织。优选喷射距离L为100～200mm。
氮化物粒子浆料优选作为原料粉末含有平均粒径为0.05～5μm的氮化物粒子的浆料。进行浆料化的溶剂优选甲醇、乙醇等比较容易挥发的溶剂。氮化物粒子优选充分地进行粉碎而成为没有粗大粒子的状态后与溶剂进行混合。例如，若存在粒径为20μm以上的粗大粒子，则变得难以得到均匀的覆膜。此外，浆料中的氮化物粒子的比例优选为30～80体积％。具有适度的流动性的浆料由于向供给口的供给变得顺利、供给量稳定，所以可得到均匀的覆膜。
通过采用这样的冲击烧结法，能够维持原料粉末(氮化铝粒子)的晶体结构而构成耐等离子体性高的氮化铝覆膜。
根据上述构成，等离子体装置用部件的耐等离子体性显著提高，颗粒降低和杂质污染的降低、进而部件使用的长寿命化成为可能。因此，若是使用了这样的等离子体蚀刻装置用部件的装置设备，则在等离子体处理工序中颗粒的产生及部件更换次数的降低成为可能。
此外，由于通过冲击烧结法将浆料粒子以高速度吹附到基材上，利用其碰撞能量将粒子沉积，所以在构成部件上沉积覆膜的情况下喷砂处理变得不需要，没有喷砂材料的残留或表面缺陷的发生，从而覆膜的密合性大幅提高。认为这是由于，通过构成部件的表面氧化覆膜因粒子的高速碰撞而被破坏、活性面露出，从而在部件表面上直接形成覆膜，通过之后的粒子碰撞利用由粒子破坏产生的发热在粒子间发生接合，形成为覆膜。
因此，能够有效地抑制因沉积到部件上的氮化铝覆膜的剥离而导致的颗粒的产生，同时能够大幅减少装置清洗、部件更换的次数。颗粒产生量的降低大大有助于半导体制造装置中进行蚀刻或成膜的各种薄膜、进而使用了其的元件或部件的制造成品率的提高。此外，装置清洗或部件更换次数的降低、由不需要喷砂处理而带来的部件的使用寿命的延长大大有助于生产率的提高以及蚀刻成本的削减。
实施例
(实施例1～7及比较例1)
使用燃烧火焰型喷射装置、通过冲击烧结法在氧化铝制基材(300mm×3mm)上在表1所示的条件下形成氮化铝覆膜而制备作为等离子体装置用部件的静电卡盘。用于制备将具有表1所示的平均粒径的作为原料粉末的氮化铝(AlN)粒子分散而得到的浆料的溶剂均使用乙醇。此外，使用的原料粉末均使用纯度为99.9％以上的高纯度氮化铝粒子。此外，作为原料粉末的氮化铝粒子，使用实施充分的粉碎及筛分操作而没有粒径超过10μm那样的粗大粒子的原料粉末。
此外，比较例1是具有由添加了烧结助剂的氮化铝烧结体构成的覆膜的部件。
表1
接着对于在各实施例及比较例中制备的部件的氮化铝覆膜来说，分析膜密度、能够确认晶界的粒子及不能确认晶界的粒子的面积比、氮化铝覆膜中的能够确认晶界的粒子的平均粒径及晶体结构。此外，比较例1为由添加了0.5％的Y2O3的烧结助剂并通过烧结法得到的烧结体形成覆膜的比较材料。
对于膜密度来说，按照膜截面的合计的单位面积成为200μm×200μm的方式拍摄放大照片(500倍)，由其中拍摄的气孔的比例求出。此外，对于能够确认晶界的粒子及不能确认晶界的粒子的面积比来说，拍摄膜表面中的单位面积20μm×20μm的放大照片(5000倍)，将能够区别1个氮化铝粒子的晶界的粒子作为“能够确认晶界的粒子”，而将晶界结合而无法区别的粒子作为“不能确认晶界的粒子”，求出面积比。对任意的3处实施该作业，将其平均值作为“能够确认晶界的粒子”及“不能确认晶界的粒子”的面积比(％)。此外，使用相同的放大照片来求出“能够确认晶界的粒子”的平均粒径。
此外，通过XRD分析调查各覆膜的晶体结构。对于XRD分析来说，使用Cu靶，在管电压：40kV、管电流：40mA的条件下进行测定，调查AlN的最强峰Im相对于Al2O3的最强峰Ic之比(Im/Ic)。将其测定结果示于下述表2中。
表2
如由上述表2所示的结果表明的那样，各实施例的部件的氮化铝覆膜的膜密度高，“能够确认晶界的氮化铝粒子”的比例(面积比)为0～90％的范围内。此外，通过采用冲击烧结法，变成与原料粉末的尺寸相比稍小的氮化铝粒子。此外，由于没有熔融至必要程度以上，所以晶体结构也与原料粉末相同。
此外，实施例1～7的部件的氮化铝覆膜的表面粗糙度Ra均为0.5μm以下。此外，比较例1中的氮化铝覆膜的表面粗糙度Ra为1.5μm。
接着，将各实施例及比较例的静电卡盘部件配置在等离子体蚀刻装置内，暴露于CF4(50sccm)+O2(20sccm)+Ar(50sccm)的混合蚀刻气体。将蚀刻腔室内的真空度设定为10mTorr，将输出功率设为300W(偏压为100W)，连续运转2小时后，对于氮化铝覆膜来说，利用胶带剥离法测定脱落附着粒子的附着面积率作为剥离评价。具体而言，在氮化铝覆膜上粘贴导电性碳胶带后，将胶带剥离，对胶带进行SEM观察而测定存在于125μm×95μm的视野中的氮化铝粒子的面积。此外，测定实施向上述混合蚀刻气体中的暴露试验前后的部件的重量变化，求出每单位面积的重量减少。将其测定结果示于下述表3中。
表3
此外，对于各氮化铝覆膜来说，在室温(25℃)下通过4端子法(依据JISK7194)测定其体积电阻率，结果为2.7～3.3×1011Ω·cm。
如由上述表3所示的结果表明的那样，判明：在各实施例的等离子体装置用部件中，对等离子体攻击及自由基攻击具有强的耐受性。对等离子体攻击及自由基攻击具有强的耐受性是指，在将各实施例的部件用于干式蚀刻装置中时，能够有效地抑制颗粒的产生。
在以上的实施例中，对基材由氧化铝陶瓷构成的情况进行了例示，但是通过实验确认了在使用金属制的基材的情况下也发挥同等的效果。
如以上说明的那样，根据本发明的等离子体装置用部件，能够稳定且有效地防止由构成部件产生的颗粒。此外，由于覆膜对腐蚀性气体的活性自由基的腐蚀得到抑制，所以来自覆膜的颗粒发生的防止成为可能，在腐蚀产物的降低的同时，因覆膜的脱落防止而带来的颗粒发生的抑制成为可能。因此，能够削减等离子体装置用部件的清洗或部件的更换次数。
符号说明
1等离子体装置用部件
2氮化铝覆膜
3基材
4不能确认晶界的氮化铝粒子
5能够确认晶界的氮化铝粒子

Claims (16)

1.一种等离子体装置用部件，其是由基材和形成于该基材上的最表面的氮化铝覆膜构成的等离子体装置用部件，所述基材由金属或陶瓷构成，所述等离子体装置用部件的特征在于，
所述氮化铝覆膜的厚度为10μm以上，
膜密度为90％以上，
氮化铝覆膜的单位面积20μm×20μm中存在的能够确认晶界的氮化铝粒子的面积率为0～90％，而不能确认晶界的氮化铝粒子的面积率为10～100％。
2.根据权利要求1所述的等离子体装置用部件，其特征在于，所述基材由将金属电极埋设在内部的陶瓷构成，在该基材上的最表面具有所述氮化铝覆膜。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的等离子体装置用部件，其特征在于，所述氮化铝覆膜为通过冲击烧结法而形成的氮化铝覆膜。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体装置用部件，其特征在于，形成所述氮化铝覆膜的粒子整体的平均粒径为5μm以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体装置用部件，其特征在于，形成所述氮化铝覆膜的粒子包含粒径为1μm以下的微粒。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体装置用部件，其特征在于，所述氮化铝覆膜的膜厚为10～200μm并且膜密度为99％以上且100％以下。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的等离子体装置用部件，其特征在于，所述能够确认晶界的氮化铝粒子的平均粒径为2μm以下。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的等离子体装置用部件，其特征在于，所述氮化铝粒子的平均粒径为0.05～5μm。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的等离子体装置用部件，其特征在于，当对所述氮化铝覆膜进行XRD分析时，AlN的最强峰Im相对于Al2O3的最强峰Ic之比Im/Ic为8以上。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的等离子体装置用部件，其特征在于，所述氮化铝覆膜通过研磨处理而以0.5μm以下的表面粗糙度Ra形成。
11.一种等离子体装置用部件的制造方法，其是在由金属或陶瓷构成的基材上的最表面通过冲击烧结法而形成有氮化铝覆膜的等离子体蚀刻装置用部件的制造方法，其特征在于，其具备以下工序：
将包含氮化铝粒子的浆料供给至燃烧火焰的工序；和
将所述氮化铝粒子按照喷射速度为400～1000m/秒的方式喷射到基材上的工序。
12.根据权利要求11所述的等离子体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述浆料中包含的氮化铝粒子是纯度为99.9％以上的氮化铝粒子。
13.根据权利要求11至12中任一项所述的等离子体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述氮化铝粒子的平均粒径为0.05～5μm。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的等离子体装置用部件的制造方法，其特征在于，所述氮化铝覆膜的膜厚为10μm以上。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的等离子体装置用部件的制造方法，其特征在于，将包含所述氮化铝粒子的浆料供给至燃烧火焰的中心。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的等离子体装置用部件的制造方法，其特征在于，将被供给包含所述氮化铝粒子的浆料的燃烧火焰的温度调节至低于所供给的氮化铝粒子的沸点。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297265A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック
JP2000158275A (ja) * 1998-11-27 2000-06-13 Kyocera Corp 静電チャック
CN1864255A (zh) * 2003-10-09 2006-11-15 Snt株式会社 具有非烧结aln的静电吸盘及其制备方法
JP2009293061A (ja) * 2008-06-03 2009-12-17 Riverstone Kogyo Kk 微粉末セラミックス衝撃焼結被覆法
US20120216955A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 Toshiba Materials Co., Ltd. Plasma processing apparatus
WO2013176168A1 (ja) * 2012-05-22 2013-11-28 株式会社東芝 プラズマ処理装置用部品およびプラズマ処理装置用部品の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3991098B2 (ja) * 2000-10-23 2007-10-17 独立行政法人産業技術総合研究所 火炎で合成した窒化アルミニウム製フィラー粉体
JP4510358B2 (ja) * 2002-03-27 2010-07-21 太平洋セメント株式会社 静電チャックおよびその製造方法
JP2003133196A (ja) 2002-06-14 2003-05-09 Ibiden Co Ltd 半導体製造・検査装置用セラミック基板
US7319080B2 (en) * 2002-09-20 2008-01-15 Tokuyama Corporation Aluminum nitride sintered compact
FR2845078B1 (fr) * 2002-09-26 2004-10-29 Alstom PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT EN NITRURE D'ALUMINIUM AlN
US6953761B2 (en) * 2002-12-27 2005-10-11 Hitachi, Ltd. Aluminum nitride sintered body and substrate for electronic devices

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297265A (ja) * 1994-04-26 1995-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック
JP2000158275A (ja) * 1998-11-27 2000-06-13 Kyocera Corp 静電チャック
CN1864255A (zh) * 2003-10-09 2006-11-15 Snt株式会社 具有非烧结aln的静电吸盘及其制备方法
JP2009293061A (ja) * 2008-06-03 2009-12-17 Riverstone Kogyo Kk 微粉末セラミックス衝撃焼結被覆法
US20120216955A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 Toshiba Materials Co., Ltd. Plasma processing apparatus
WO2013176168A1 (ja) * 2012-05-22 2013-11-28 株式会社東芝 プラズマ処理装置用部品およびプラズマ処理装置用部品の製造方法

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