CN105789482A - 显示装置和制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。制造显示装置的方法包括：利用电解质处理流体处理母衬底的表面；在利用电解质处理流体处理过的母衬底上形成剥离层；以及通过在剥离层上形成彼此间隔开的多个聚酰亚胺层从而在母衬底的表面上形成衬底。

Description

显示装置和制造显示装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年1月14日提交至韩国知识产权局的第10-2015-0006975号韩国专利申请的优先权和利益，其公开的内容通过整体引用并入本文。
技术领域
本发明的一个或多个示例性实施方式涉及显示装置和制造显示装置的方法。
背景技术
便携式电子设备正在被广泛使用。广泛使用的便携式电子设备的示例包括小型电子设备，例如移动电话和平板电脑。
这些电子设备包括显示装置以支持各种功能并向用户提供诸如图像和/或视频的视觉信息。此外，以某一角度弯曲的显示装置也变得流行。近来，由于用于操作显示装置的部件的尺寸减小，因此显示装置趋向于在电子设备中占据越来越大的量。
发明内容
本发明的一个或多个示例性实施方式包括显示装置和制造显示装置的方法。
本发明的实施方式的附加方面将被部分地阐述在下面的说明书中，并且部分地，将通过描述变得明显或者可通过所提出实施方式的实践而获悉。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，制造显示装置的方法包括：利用电解质处理流体处理母衬底的表面；在利用电解质处理流体处理的母衬底上形成剥离层；以及通过在剥离层上形成彼此间隔开的多个聚酰亚胺层而在母衬底的表面上形成衬底。
该方法在利用电解质处理流体处理母衬底的表面之前还可包括从母衬底的表面去除杂质。
从母衬底的表面去除杂质可包括向母衬底的表面上喷射氧等离子体。
利用电解质处理流体处理母衬底的表面可包括：利用电解质处理流体涂覆母衬底的表面；以及利用非极性水喷射电解质处理流体以清洗母衬底。
利用电解质处理流体处理母衬底的表面还可包括：在清洗母衬底之后，通过利用空气喷射电解质处理流体来使电解质处理流体变干并去除电解质处理流体的一部分。
电解质处理流体可包含聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)。
形成剥离层可包括：横跨母衬底散布剥离层；以及利用非极性水喷射剥离层以清洗剥离层。
形成剥离层还可包括：在清洗剥离层之后，通过利用空气来喷射剥离层而使剥离层变干；以及去除剥离层的一部分。
剥离层可包含石墨烯氧化物和蒙脱石(MMT)中的至少一个。
该方法在形成衬底之后还可包括：在衬底上形成显示部分；以及使母衬底与衬底分离。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式，显示装置包括：衬底，该衬底包括处于其下部分的剥离层；显示部分，形成在衬底上并包括薄膜晶体管(TFT)和有机发光器件；以及覆盖显示部分的薄膜封装层。
本发明构思的示例性实施方式可通过使用系统、方法、计算机程序或它们的组合实现。
附图说明
结合附图，通过示例性实施方式的以下描述，本发明的这些方面和/或其他方面将变得明显且更容易理解，在附图中：
图1是根据示例性实施方式的用于制造显示装置的装置概念性视图；
图2是通过图1中所示用于制造显示装置的装置来制造的显示装置的局部剖视图；以及
图3至图7是依次示出了图2中所示通过用于制造显示装置的装置来制造的显示装置的制造过程的剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述该发明构思，在附图中示出了发明构思的示例性实施方式。参考示出本发明构思的示例性实施方式的附图，以便增加对本发明构思、它们的优点以及本发明构思的特征和方面的充分理解。然而，本发明构思可具体化为许多不同的形式，并且不应被看作限于本文所述的实施方式。在下文中，将参照附图通过说明本发明构思的示例性实施方式来详细描述本发明构思。附图中相同的参考数字表示相同的元件，并且它们的重复描述可以被省略。
应理解，当元件或层被称作“位于”另一元件或层“上”、“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，其可直接位于另一元件或层上、直接连接至另一元件或层或者直接耦接至另一元件或层，或者还可存在一个或多个中间元件或层。当元件被称作“直接位于”另一元件或层“上”、“直接连接至”另一元件或层或者“直接耦接至”另一元件或者层时，则不存在中间元件或层。例如，当第一元件被描述为“耦接”或“连接”至第二元件时，第一元件可直接耦接或连接至第二元件，或者第一元件可通过一个或多个中间元件间接耦接或连接至第二元件。相同的参考数字表示相同的元件。虽然如“第一”、“第二”等的这些术语可用于描述各种部件，但是这些部件决不限于上述术语。这些术语仅用于使一个部件与另一部件区分开来。
以单数形式使用的表述包含复数形式的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
在本说明书中，应当理解的是，诸如“包括(including)”、“具有(having)”和“包括(comprising)”的术语旨在表示存在本说明书中公开的特征、数量、步骤、动作、部件、零件或它们的组合，而不是旨在排除可存在或可增加一个或多个其他特征、数量、步骤、动作、部件、零件或它们的组合的可能性。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列举项目中的一个或多个的任何和全部组合。此外，当描述本发明的实施方式时，“可以”的使用涉及本发明的一个或多个实施方式。当诸如“至少一个”的表述在一列元件之前时，是修饰整列元件而不是修饰该列中的单个元件。此外，术语“示例性”旨在指代示例或说明。
应理解，当诸如层、膜、区域或板的部件被称作“位于”另一部件“上”，该部件可直接位于另一部件上或者在其上可存在中间部件。
为了方便说明，附图中的部件的尺寸可以被放大。换言之，因为附图中的部件的尺寸和厚度可被任意地示出以便于说明，因此下述实施方式不限制于附图中的部件的尺寸和厚度。本文中可使用空间相对术语，如“在...之下”、“在...下方”、“下面”、“在...之上”、“上面”等，以便于描述附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。应理解，空间相对术语旨在包含器件在使用或操作中除附图中所示取向之外的不同取向。例如，如果将图中的器件翻转，那么描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将被取向为在其他元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“在...下方”可包括上方和下方两个方位。器件可以以其他方式取向(旋转90度或位于其他取向)，并且本文中所使用的空间相对描述语应被相应地解释。
当某个实施方式可以不同地实现时，具体处理顺序可以与所描述的顺序不同的顺序来执行。例如，两个连续描述的处理可基本上同时执行或者以与所述的顺序相反的顺序执行。
图1是根据本发明示例性实施方式的用于制造显示装置的装置100的概念性视图。
参照图1，用于制造显示装置的装置100可包括装载单元110、干法清洗单元120、电解质处理单元130、剥离层形成单元140和卸载单元150。在一个实施方式中，各单元可通过单独的传送室和/或连接室等彼此连接。此外，用于制造显示装置的装置100还可包括衬底形成单元161、晶体管形成单元162、有机发光器件形成单元163、封装层形成单元164和/或切割单元170。衬底形成单元161、晶体管形成单元162、有机发光器件形成单元163、封装层形成单元164和切割单元170可依次连接至剥离层形成单元140。根据另一实施方式，衬底形成单元161、晶体管形成单元162、有机发光器件形成单元163、封装层形成单元164和切割单元170可依次连接至卸载单元150。作为另一示例，衬底形成单元161、晶体管形成单元162、有机发光器件形成单元163、封装层形成单元164和切割单元170分离地安装在用于制造显示装置的装置100中，并且母衬底300可被依次提供至衬底形成单元161、晶体管形成单元162、有机发光器件形成单元163、封装层形成单元164和切割单元170中的每个。
其他单元(例如，除了前述单元之外)可安装在用于制造显示装置的装置100中。在一个或多个实施方式中，用于制造显示装置的装置100可包括用于制造柔性显示器的全部器件和结构。在下文中，为了便于说明，将进一步详细描述装载单元110、干法清洗单元120、电解质处理单元130、剥离层形成单元140和卸载单元150沿直线布置(例如，为线性布置)并且衬底形成单元161、晶体管形成单元162、有机发光器件形成单元163、封装层形成单元164和切割单元170分离地布置在用于制造显示装置的装置100中的实施方式。
装载单元110从外部(例如，从装载单元110外部或从装置100外部)接收母衬底300，并且可向干法清洗单元120提供所接收的母衬底300。在一个实施方式中，输送设备180、机器人手臂等被安装在装载单元110中以传送母衬底300。在下文中，为了便于说明，将进一步详细描述通过输送设备180传送母衬底300的实施方式。
干法清洗单元120可使用空气来清洗母衬底300的表面。例如，干法清洗单元120可通过利用氧等离子体对母衬底300进行喷射来从母衬底300的表面去除杂质。在一个实施方式中，氧等离子体可使母衬底300的表面带负电荷。此外，输送设备180被安装成穿过干法清洗单元120并且可传送母衬底300。
干法清洗过的母衬底300可被传送至电解质处理单元130。在一个实施方式中，电解质处理单元130可包括电解质处理流体涂覆单元131、第一清洗单元132和第一气刀单元133。
电解质处理流体涂覆单元131可利用电解质处理流体涂覆母衬底300的表面(例如，上表面)。在一个实施方式中，电解质处理流体可包含聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)。此外，电解质处理流体涂覆单元131利用电解质处理流体以液体或喷雾形式涂覆母衬底300的上表面，以利用电解质处理流体处理母衬底300的表面。例如，电解质处理流体可以为用水稀释的水溶液。
第一清洗单元132可向沉积的电解质处理流体上喷射非极性水。在一个实施方式中，非极性水可通过电解作用生成，并且例如，非极性水可以为超纯水。
第一气刀单元133可利用空气对电解质处理流体进行喷射。在一个实施方式中，空气可包含氮气(N2)。例如，第一气刀单元133可使电解质处理流体蒸发。此外，第一气刀单元133可防止电解质处理流体凝聚在一定区域中。例如，当第一气刀单元133喷射空气时，可去除电解质处理流体的一部分，并且已凝聚在一定区域中的电解质处理流体可横跨母衬底300均匀地散布。
以上描述的喷射电解质处理流体和利用空气对电解质处理流体进行喷射的操作可通过将输送设备180安装成穿过电解质处理流体涂覆单元131、第一清洗单元132和第一气刀单元133并传送母衬底300来执行。在一个实施方式中，电解质处理流体涂覆单元131、第一清洗单元132和第一气刀单元133可沿直线彼此连接。
在利用电解质处理流体处理母衬底300之后，母衬底300可被传送至剥离层形成单元140。在一个实施方式中，剥离层形成单元140可用于在母衬底300上形成机械剥离层。
剥离层形成单元140可包括剥离层散布单元141、第二清洗单元142和第二气刀单元143。剥离层散布单元141可用于在其上执行了电解质处理的母衬底300上形成机械剥离层。在一个实施方式中，剥离层散布单元141可用于在电解质处理流体上以喷雾形式形成机械剥离层。机械剥离层可包含石墨烯氧化物和蒙脱石(MMT)中的至少一个。例如，机械剥离层可通过静电引力附接至聚酰亚胺层和母衬底300。与第一清洗单元132类似，第二清洗单元142可利用非极性水对机械剥离层进行喷射。在一个实施方式中，第二清洗单元142可通过清洗机械剥离层以从机械剥离层部分地去除杂质。第二气刀单元143可以与第一气刀单元133相同或基本上相同的方式利用空气对机械剥离层进行喷射。在一个实施方式中，第二气刀单元143可从机械剥离层去除水分。此外，第二气刀单元143可重新分布机械剥离层中已堆积在一定区域中的部分，以使得机械剥离层均匀地形成在母衬底300上。例如，喷嘴可布置在第二气刀单元143中并配置成利用空气对待传送的母衬底300进行喷射。上述操作可通过经由安装成穿过剥离层散布单元141、第二清洗单元142和第二气刀单元143的输送设备180传送母衬底300来执行。
衬底形成单元161可在机械剥离层上形成聚酰亚胺层。在一个实施方式中，衬底形成单元161可通过狭缝喷嘴在机械剥离层上形成聚酰亚胺层。此外，在形成聚酰亚胺层之后，衬底形成单元161可通过施加热、热空气等来硬化聚酰亚胺层，从而形成衬底。
因此，因为在用于制造显示装置的装置100中使衬底和母衬底300彼此分离时不必单独向衬底和母衬底300施加能量(例如，激光、热等)，因此可容易地使衬底和母衬底300彼此分离。
此外，因为在用于制造显示装置的装置100中容易使衬底和母衬底300彼此分离，因此可以提高生产率并且可以简化制造设备。
在下文中，将更详细地描述制造显示装置的方法。
图2是通过图1中所示的用于制造显示装置的装置100制造的显示装置200的局部剖视图，以及图3至图7是依次示出了图2中所示的通过用于制造显示装置的装置制造的显示装置的制造过程的剖视图。
参照图2至图7，显示装置200可包括衬底210和显示部分D。此外，显示装置200可包括形成在显示部分D上的薄膜封装层E。
显示部分D可形成在衬底210上。在一个实施方式中，显示部分D可包括薄膜晶体管(TFT)、形成为覆盖TFT的钝化层270以及形成在钝化层270上的有机发光二极管(OLED)280。在一个实施方式中，衬底210可由聚酰亚胺(PI)形成。
衬底210可通过在母衬底300上散布聚酰亚胺树脂来形成。例如，母衬底300可通过装载单元110从外部(例如，从干法清洗单元120外部)传送至干法清洗单元120。
干法清洗单元120可向母衬底300上喷射氧等离子体。在一个实施方式中，氧等离子体使母衬底300的表面带有负电荷并且可从母衬底300的表面去除杂质。
已去除杂质的母衬底300可被传送至电解质处理单元130。在一个实施方式中，电解质处理流体涂覆单元131利用电解质处理流体涂覆母衬底300并且可利用电解质处理流体处理母衬底300的表面。此外，第一清洗单元132可利用非极性水清洗通过输送设备180传送的母衬底300。
清洗过的母衬底300被传送至第一气刀单元133，并且第一气刀单元133可防止电解质处理流体凝聚在母衬底300的一定区域中，同时使母衬底300上的电解质处理流体蒸发。
一旦完成了利用电解质处理流体处理母衬底300，就可通过输送设备180将母衬底300传送至剥离层形成单元140。在一个实施方式中，剥离层散布单元141可用于在利用电解质处理流体处理过的母衬底300上形成机械剥离层400。在一个实施方式中，剥离层散布单元141可在执行了电解质处理的母衬底300上散布机械剥离层400。例如，剥离层散布单元141可以含水溶液的形式(例如，如水溶液)将机械剥离材料喷射在母衬底300上，并且由此形成机械剥离层。
此外，第二清洗单元142可将非极性水喷射至其上散布有机械剥离层400的母衬底300上并且可清洗母衬底300。在利用非极性水对母衬底300进行喷射之后，母衬底300被传送并且第二气刀单元143可利用空气对母衬底300进行喷射，这可防止机械剥离层400堆积在母衬底300的一定区域中。此外，第二气刀单元143去除机械剥离层400中的一些并且可将机械剥离层400均匀地散布在母衬底300上。此外，第二气刀单元143可从机械剥离层400部分地去除水分，从而将机械剥离层400附接至母衬底300。
其上形成有机械剥离层400的母衬底300可通过卸载单元150传送至外部。在一个实施方式中，母衬底300可被传送至衬底形成单元161。
衬底形成单元161可用于在母衬底300上形成衬底210。例如，聚酰亚胺树脂横跨母衬底300散布以形成聚酰亚胺层210a。在一个实施方式中，母衬底300上可具有多个聚酰亚胺层210a，并且聚酰亚胺层210a可彼此分离。此外，机械剥离层400可横跨母衬底300均匀地散布。例如，机械剥离层400可在母衬底300上形成为彼此间隔开(例如，间隔分开)，而不是每个都横跨母衬底300的整个表面散布。因此，当聚酰亚胺树脂横跨母衬底300散布时，机械剥离层400可设置在聚酰亚胺层210a内部，并且聚酰亚胺层210a可直接接触母衬底300或者可通过机械剥离层400附接至母衬底300。
在形成聚酰亚胺层210a之后，衬底形成单元161可从聚酰亚胺层210a去除水分。在一个实施方式中，设置在聚酰亚胺层210a与母衬底300之间的机械剥离层400或者设置在聚酰亚胺层210a内部的机械剥离层400可从聚酰亚胺层210a的边界区G移除。因此，聚酰亚胺层210a的边界区G中不存在(例如，不具有)机械剥离层400，并且聚酰亚胺层210a可直接附接至母衬底300。此外，除了边界区域G和位于中央区域C与边界区域G之间的区域之外，机械剥离层400可横跨聚酰亚胺层210a的中央区域C均匀地散布。
当聚酰亚胺层210a如上述那样形成在母衬底300上时，聚酰亚胺层210a可容易地与母衬底300分离。例如，在通常通过在母衬底300上形成聚酰亚胺层210a来制造衬底210的情况下，因为聚酰亚胺层210a中的一些插入形成于母衬底300的表面上的不均匀结构、突出部等之间，因此聚酰亚胺层210a和母衬底300可物理地连接至彼此。因为上述连接是牢固的，因此可通过形成晶体管、OLED280、薄膜封装层E然后利用激光束对它们进行辐射来使聚酰亚胺层210a和母衬底300彼此分离。在这种情况下，可能需要另外包括配置成检查聚酰亚胺层210a是否已完全与母衬底300分离的检查设备、用于清洁母衬底300以用于重新使用的清洁设备或者当利用激光束对母衬底300进行辐射时所使用的类似物。
但是，当根据本发明构思的一个或多个实施方式使聚酰亚胺层210a与母衬底300分离时，聚酰亚胺层210a通过机械剥离层400与母衬底300之间生成的静电引力附接至形成有机械剥离层400的部分，并且在聚酰亚胺层210a与母衬底300直接接触的部分中，聚酰亚胺层210a通过物理连接附接至母衬底300。因此，机械剥离层400与母衬底300之间的连接可能弱于现有的聚酰亚胺层210a与母衬底300之间的连接。因此，根据发明构思的一个或多个实施方式的聚酰亚胺层210a可容易地与母衬底300分离而无需激光束。
如上所述，在聚酰亚胺层210a形成在母衬底300上并随后形成衬底210之后，可在衬底210上形成另一结构。在一个实施方式中，母衬底300可从衬底形成单元161传送到晶体管形成单元162。在晶体管形成单元162中，各种TFT可形成在衬底210上。
例如，由有机化合物和/或无机化合物形成的缓冲层220进一步形成在衬底210的上表面上，并且缓冲层220可由SiOx(x≥1)和SiNx(x≥1)形成。
在布置成图案(例如，预定图案)的有源层230形成在缓冲层220上之后，有源层230由栅绝缘层240掩埋(例如，覆盖)。有源层230可包括源区231、漏区233和它们之间的沟道区232。
有源层230可由各种材料形成。例如，有源层230可包括无机半导体材料，诸如非晶硅或晶体硅。作为另一示例，有源层230可包括氧化物半导体材料。作为另一示例，有源层230可包括有机半导体材料。在下文中，为了便于说明，将进一步详细描述有源层230由非晶硅形成的实施方式。
在非晶硅层形成在缓冲层220上之后，非晶硅层被结晶化以形成晶体硅层。晶体硅层被图案化以形成有源层230，并因此形成有源层230。有源层230的源区231和漏区233根据TFT的类型(诸如驱动TFT、开关TFT等)掺杂杂质。
与有源层230相对应的栅电极250和掩埋(例如，覆盖)栅电极250的层间绝缘层260形成在栅绝缘层240上。
接触开口H1(例如，接触孔)形成在层间绝缘层260和栅绝缘层240中，并且形成在层间绝缘层260上的源电极271和漏电极272分别与源区231和漏区233接触。
钝化层270形成在TFT的上表面上，并且OLED280的像素电极281形成在钝化层270的上表面上。像素电极281通过形成在钝化层270中的通过开口H2(例如，通孔)与TFT的漏电极272接触。钝化层270可由无机和/或有机材料形成，并且可以为单层或者具有多层结构。钝化层270可以为具有平坦上表面而不考虑其下表面是否均匀或不均匀的平面化层，或者其上表面具有与其下表面的不均匀部分相对应的不均匀部分。在一个实施方式中，钝化层270通过使用透明绝缘材料形成以实现共振效应。
在像素电极281形成在钝化层270上之后，像素限定层290由有机材料和/或无机材料形成以覆盖像素电极281和钝化层270，并且开口被形成以暴露像素电极281。
在形成像素限定层290之后，母衬底300可传送至有机发光器件形成单元163。例如，中间层282和相对电极283可通过有机发光器件形成单元163形成。
例如，中间层282和相对电极283至少形成在像素电极281上。
在一个实施方式中，像素电极281起阳极的作用，并且相对电极283起阴极的作用。但是，像素电极281和相对电极283的极性可以颠倒。
像素电极281和相对电极283通过中间层282彼此绝缘，并且有机发射层基于具有不同极性并被施加至中间层282的电压发射光。
中间层282可包括有机发射层。作为示例，中间层282包括有机发射层，并且可进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或多个。
单元像素P包括多个子像素R、G和B，并且子像素R、G和B可发射各种颜色的光。例如，单元像素P可包括分别发射红光、绿光和蓝光的子像素R、G和B，或者分别发射红光、绿光、蓝光和白光的子像素。
在完成上述操作之后，薄膜封装层E可形成在显示部分D上。例如，在母衬底300上形成显示部分D之后，母衬底300被传送至封装层形成单元164，封装层形成单元164用于在显示部分D上形成薄膜封装层E，并且由此，可将显示部分D与外部屏蔽。
在一个实施方式中，薄膜封装层E可包括多个无机层或包括有机层和无机层两者。
形成在薄膜封装层E中的有机层由聚合物形成，并且可以为由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯形成的单层或多层堆叠。替代地，有机层可以由聚丙烯酸酯形成，并且例如，有机层可包括具有二丙烯酸酯基单体和三丙烯酸酯基单体的聚合单体组合物。单体组合物还可包括单丙烯酸酯基单体。此外，单体组合物还可包括公知的光引发剂，诸如TPO，但是不限制于此。
形成在薄膜封装层E上的无机层可以为包括金属氧化物或金属氮化物的单层或多层堆叠。例如，无机层可包括SiNx、氧化铝(Al2O3)、SiO2和/或氧化锡(TiO2)。
薄膜封装层E中暴露于外部的最上层可以为无机层，以防止水分渗透至OLED280。
薄膜封装层E可具有至少一个有机层被设置在至少两个无机层之间的至少一个夹层结构。作为另一示例，薄膜封装层E可具有至少一个无机层被设置在至少两个有机层之间的至少一个夹层结构。作为另一示例，薄膜封装层E可具有至少一个有机层被设置在至少两个无机层之间的至少一个夹层结构和/或至少一个无机层被设置在至少两个有机层之间的至少一个夹层结构。
薄膜封装层E可从OLED280的上表面依次包括第一无机层、第一有机层和第二无机层。
作为另一示例，薄膜封装层E可从OLED280的上表面依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
作为另一示例，薄膜封装层E可从OLED280的上表面依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
在OLED280与第一无机层之间还可包括包含氟化锂(LiF)的卤化金属层。卤化金属层可防止OLED280在通过溅射形成第一无机层时受损。
第一有机层的面积可小于第二无机层的面积，并且第二有机层的面积可小于第三无机层的面积。
其上形成有薄膜封装层E的母衬底300可被传送至切割单元170。在一个实施方式中，切割单元170对形成为待彼此分离的衬底210进行切割，以使显示装置200可被划分成多个更小的显示装置。例如，切割单元170可沿着衬底210的边界区域G切割母衬底300。在一个实施方式中，在衬底210的边界区域G周围不存在机械剥离层400，并且在切割衬底210的边界区域G时，因为张力被施加于由聚酰亚胺形成的衬底210的中央区域C，因此衬底210可容易地与母衬底300分离。例如，衬底210的边界区域G处的聚酰亚胺层210a直接连接至母衬底300，并且由此，衬底210中的每个可接收能量或力量，而连接至母衬底300的衬底210的中央区域C可从母衬底300接收比连接到母衬底300的衬底210的边界区域G更少的能量或力量。由此，当衬底210的边界区域G被切割时，衬底210可以容易地与母衬底300分离。此外，当衬底210容易地与母衬底300分离时，机械分离层防止在衬底210与母衬底300分离时生成静电，并且由此，设置在衬底210上的器件可被保护以免受到静电放电的影响。
因此，根据制造显示装置的方法，可以容易且迅速地制造显示装置200，并且可减小或最小化因在制造显示装置200时生成的静电所导致的、对设置在衬底210上的器件的损坏。
此外，因为显示装置200可在不使用激光束的情况下与母衬底300分离，因此可防止器件因激光束而受损，并且可减小或最小化故障率。
如上所述，根据上述示例性实施方式中的一个或多个，可以容易地制造显示装置。
应理解，本文所述的示例性实施方式仅应被认为是描述性意义而不是为了限制性目的。每个示例性实施方式中的特征或方面的描述通常应被看作可用于其他示例性实施方式中的其他类似特征或方面。
虽然已经参照附图描述了一个或多个示例性实施方式，但是本领域的普通技术人员应理解，可对其进行形式和细节上的各种改变，而不背离由所附权利要求书和其等同物所限定的精神和范围。

Claims (11)

1.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
利用电解质处理流体处理母衬底的表面；
在利用所述电解质处理流体处理过的所述母衬底上形成剥离层；以及
通过在所述剥离层上形成彼此间隔开的多个聚酰亚胺层而在所述母衬底的表面上形成衬底。
2.如权利要求1所述的方法，在利用电解质处理流体处理所述母衬底的表面之前，还包括：
从所述母衬底的表面去除杂质。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述从所述母衬底的表面去除所述杂质包括：
向所述母衬底的表面上喷射氧等离子体。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述利用电解质处理流体处理所述母衬底的表面包括：
利用所述电解质处理流体涂覆所述母衬底的表面；以及
利用非极性水对所述电解质处理流体进行喷射以清洗所述母衬底。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述利用电解质处理流体处理所述母衬底的表面还包括：
在清洗所述母衬底之后，通过利用空气对所述电解质处理流体进行喷射以对所述电解质处理流体进行干燥并去除所述电解质处理流体的一部分。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述电解质处理流体包含聚二烯丙基二甲基氯化铵。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述剥离层包括：
横跨所述母衬底散布所述剥离层；以及
利用非极性水对所述剥离层进行喷射以清洗所述剥离层。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述形成所述剥离层还包括：
在清洗所述剥离层之后，
通过利用空气对所述剥离层进行喷射以对所述剥离层进行干燥；以及
去除所述剥离层的一部分。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述剥离层包含石墨烯氧化物和蒙脱石中的至少一种。
10.如权利要求1所述的方法，在形成所述衬底之后，还包括：
在所述衬底上形成显示部分；以及
使所述母衬底与所述衬底分离。
11.一种显示装置，包括：
衬底，包括位于其下部处的剥离层；
显示部分，形成在所述衬底上并包括薄膜晶体管和有机发光器件；以及
薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖所述显示部分。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111180612A (zh) * 2018-11-09 2020-05-19 三星显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN111799397A (zh) * 2019-04-02 2020-10-20 三星显示有限公司 用于制造显示装置的设备和方法
CN112974385A (zh) * 2019-12-02 2021-06-18 三星显示有限公司 掩模组件的清洁装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101091945A (zh) * 2007-07-26 2007-12-26 吉林大学 离子剥离技术制备层状组装自支持膜的方法
JP2010080269A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
CN104051496A (zh) * 2014-06-04 2014-09-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种柔性显示器及其制作方法
WO2014168400A1 (ko) * 2013-04-09 2014-10-16 주식회사 엘지화학 적층체 및 이를 이용하여 제조된 기판을 포함하는 소자
CN104241333A (zh) * 2014-10-13 2014-12-24 友达光电股份有限公司 一种软性主动矩阵有机发光二极管显示器及其制造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3110218B2 (ja) * 1992-09-25 2000-11-20 三菱電機株式会社 半導体洗浄装置及び方法、ウエハカセット、専用グローブ並びにウエハ受け治具
US6149483A (en) * 1998-07-30 2000-11-21 Candescent Technologies Corporation Cleaning of components of flat panel display
US6634370B2 (en) * 2000-05-08 2003-10-21 Tokyo Electron Limited Liquid treatment system and liquid treatment method
AU2002354445A1 (en) * 2001-12-07 2003-06-17 Sharp Kabushiki Kaisha Display apparatus using bidirectional two-terminal element and display apparatus manufacturing method
TWI270626B (en) * 2002-04-23 2007-01-11 Display Mfg Service Co Ltd Wet processing bath and fluid supplying system for liquid crystal display manufacturing equipment
JP2004311955A (ja) * 2003-03-25 2004-11-04 Sony Corp 超薄型電気光学表示装置の製造方法
US7141348B2 (en) 2003-05-23 2006-11-28 Intelleflex Corporation Lamination and delamination technique for thin film processing
WO2005064993A1 (en) 2003-12-30 2005-07-14 Agency For Science, Technology And Research Flexible electroluminescent devices
KR100804527B1 (ko) 2006-07-05 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스턱 기판의 제조방법 및 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법
KR20080104324A (ko) 2008-09-19 2008-12-02 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 가요성 전기발광 소자
KR20110059154A (ko) * 2009-11-27 2011-06-02 (주)합동하이텍그라스 판유리의 세척장치 및 방법과 판유리 가공 시스템
KR101147988B1 (ko) 2010-07-13 2012-05-24 포항공과대학교 산학협력단 물리적 박리 방법을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판
KR101295532B1 (ko) 2010-11-11 2013-08-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 평판소자의 제조방법
KR101206352B1 (ko) 2011-05-26 2012-11-29 경희대학교 산학협력단 플렉서블 기판의 제조방법
KR101846434B1 (ko) * 2011-06-10 2018-04-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101644050B1 (ko) * 2011-09-09 2016-08-01 삼성전자 주식회사 반도체 나노결정을 포함하는 케이스 및 이를 포함하는 광전자 소자
US9452570B2 (en) * 2012-11-07 2016-09-27 Dell Products L.P. Information handling system ceramic chassis
KR102049487B1 (ko) * 2013-03-08 2019-11-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
US9343678B2 (en) * 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101091945A (zh) * 2007-07-26 2007-12-26 吉林大学 离子剥离技术制备层状组装自支持膜的方法
JP2010080269A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
WO2014168400A1 (ko) * 2013-04-09 2014-10-16 주식회사 엘지화학 적층체 및 이를 이용하여 제조된 기판을 포함하는 소자
CN104051496A (zh) * 2014-06-04 2014-09-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种柔性显示器及其制作方法
CN104241333A (zh) * 2014-10-13 2014-12-24 友达光电股份有限公司 一种软性主动矩阵有机发光二极管显示器及其制造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111180612A (zh) * 2018-11-09 2020-05-19 三星显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN111799397A (zh) * 2019-04-02 2020-10-20 三星显示有限公司 用于制造显示装置的设备和方法
CN112974385A (zh) * 2019-12-02 2021-06-18 三星显示有限公司 掩模组件的清洁装置
CN112974385B (zh) * 2019-12-02 2024-06-07 三星显示有限公司 掩模组件的清洁装置

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