CN105789391B - GaN基LED外延结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制造方法，所述LED外延结构依次包括：衬底；缓冲层；非故意掺杂GaN层；n型GaN层；InxGa1‑xN/GaN应力释放层，所述InxGa1‑xN/GaN应力释放层包括若干周期堆叠的InxGa1‑xN层和GaN层，InxGa1‑xN层中In与Ga的摩尔比为一定值；InyGa1‑yN/GaN多量子阱层，所述InyGa1‑yN/GaN多量子阱层包括若干周期堆叠的InyGa1‑yN量子阱层和GaN量子垒层，InyGa1‑yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为一定值；p型GaN层。本发明通过氢气混入的方式控制In的组分，控制氢气的通入量，能够达到稳定且快速变化In组分的目的，提高了电子与空穴的复合效率，提升了内量子效率。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种GaN基LED外延结构及其制造方法。
背景技术
发光二极管（Light-Emitting Diode，LED）是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。
GaN基发光二极管作为一种高效、环保和绿色新型固态照明光源，具有体积小、重量轻、寿命长、可靠性高及使用功耗低等优点，使其得以广泛应用。GaN基外延材料制作时会加入金属In来进行禁带宽度的调整，普遍的做法是靠着温度的控制来进行调整，但温度调整往往受限于反应室的温度控制系统，特别是大型或是生产型反应室，温度调整较为缓慢，不同区间升降温速率不同，若采取此种方式控制In组分将导致整批次呈现不均匀的现象。
现有技术中，为解决因内建电场导致的符合效率下降问题，GaN基LED芯片中InGaN量子阱层通常采用In组分渐变或者是阶梯式变化的方式，实际生产上传统方式仍透过温度或是流量变化来控制，但此方式往往无法很好的量化控制，进而影响大规模生产的一致性，效果也难以获得保证。
有鉴于此，为了解决上述技术问题，有必要提供一种GaN基LED外延结构及其制造方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种GaN基LED外延结构及其制造方法，本发明能够达到稳定且快速变化In组分的目的，提高了电子与空穴的复合效率，提升了内量子效率。
为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下：
一种GaN基LED外延结构，所述LED外延结构依次包括：
衬底；
位于所述衬底上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的非故意掺杂GaN层；
位于所述非故意掺杂GaN层上的n型GaN层；
位于所述n型GaN层上的InxGa1-xN/GaN应力释放层，所述InxGa1-xN/GaN应力释放层包括若干周期堆叠的InxGa1-xN层和GaN层，InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为一定值，其中，In组分通过氢气混入的方式控制；
位于所述InxGa1-xN/GaN应力释放层上的InyGa1-yN/GaN多量子阱层，所述InyGa1-yN/GaN多量子阱层包括若干周期堆叠的InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层，InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为一定值，其中，In组分通过氢气混入的方式控制；
位于所述InyGa1-yN/GaN多量子阱层上的p型GaN层。
作为本发明的进一步改进，所述InxGa1-xN/GaN应力释放层包括10~30个周期堆叠的InxGa1-xN层和GaN层，每个周期的厚度为2~10nm，每个周期中InxGa1-xN层和GaN层的厚度比为1:5~1:1。
作为本发明的进一步改进，所述InyGa1-yN/GaN多量子阱层包括5~20个周期堆叠的InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层，每个周期的厚度为5~25nm，每个周期中InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层的厚度比为1:5~1:1。
作为本发明的进一步改进，所述InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为0.5~12；所述InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为0.5~12。
相应地，一种GaN基LED外延结构的制造方法，所述方法包括以下步骤：
S1、将衬底放置在MOCVD反应室中的载盘上，在1000~1200℃下进行表面清洁处理；
S2、在400~700℃条件下，生长一层外延缓冲层；
S3、在1000~1200℃条件下，生长2~4um的非故意掺杂GaN层；
S4、在1000~1200℃条件下，生长2~4um的SiH4掺杂的n型GaN层；
S5、在恒定第一温度条件下，通过氢气混入的方式控制In组分，外延生长InxGa1-xN层，InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为一定值，然后在恒定第二温度条件下，外延生长GaN层，重复生长若干周期堆叠的InxGa1-xN层和GaN层，形成InxGa1-xN/GaN应力释放层；
S6、在恒定第三温度条件下，通过氢气混入的方式控制In组分，外延生长InyGa1-yN量子阱层，InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为一定值，然后在恒定第四温度条件下，外延生长GaN量子垒层，重复生长若干周期堆叠的InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层，形成InyGa1-yN/GaN多量子阱层；
S7、在800~1200℃条件下，生长20~80nm的p型GaN层。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S5中的第一温度较第二温度低0~150℃，步骤S6中的第三温度较第四温度低0~150℃，且第三温度较第一温度低0~150℃。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S5中，在若干周期中，氢气通入量与In组分的变化呈线性关系，氢气通入量为0.01~1L，InxGa1-xN层中In组分变化x为0.01~0.2，InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为0.5~12。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S6中，在若干周期中，氢气通入量与In组分的变化呈线性关系，氢气通入量为0.01~1L，InyGa1-yN量子阱层中In组分变化x为0.03~0.5，InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为0.5~12。
作为本发明的进一步改进，在若干周期中，所述步骤S5和/或S6中氢气的通入量为恒定或渐变。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S5和/或S6中氢气为单个周期通入或多个周期通入。
与现有技术相比，本发明采用恒温生长InxGa1-xN/GaN应力释放层中的InxGa1-xN层及 InyGa1-yN/GaN多量子阱层中的InyGa1-yN量子阱层，通过氢气混入的方式控制In的组分，控制氢气的通入量，能够达到稳定且快速变化In组分的目的，提高了电子与空穴的复合效率，提升了内量子效率，避免了因为温度波动引起的失控以及In聚集造成晶体质量下降的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明中GaN基LED外延结构的结构示意图；
图2为本发明中InxGa1-xN/GaN应力释放层的结构示意图；
图3为本发明中InyGa1-yN/GaN多量子阱层的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
参图1所示，本发明中公开了一种GaN基LED外延结构，从下向上依次包括：衬底10、缓冲层20、非故意掺杂GaN层30、n型GaN层40、InxGa1-xN/GaN应力释放层50、 InyGa1-yN/GaN多量子阱层60、及p型GaN层70。
具体地，以下对LED外延结构的各外延层进行具体说明。
衬底10，可以为蓝宝石衬底、SiC衬底等，优选地，本发明中选用蓝宝石衬底。
缓冲层20，在400~700℃低温条件下生长，其可以为GaN缓冲层，也可以为AlGaN缓冲层等，缓冲层20的厚度为10~50nm。
非故意掺杂GaN层30，在1000~1200℃高温条件下生长，其厚度为2~4um；
n型GaN层40，在1000~1200℃高温条件下生长，其厚度为2~4um，本发明中采用SiH4掺杂，当然也可以为其他n型材质的掺杂。
InxGa1-xN/GaN应力释放层50，结合图2所示，InxGa1-xN/GaN应力释放层50包括若干周期堆叠的InxGa1-xN层51和GaN层52，InxGa1-xN层51中In与Ga的摩尔比为一定值，优选地，本发明InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为0.5~12，以得到最佳晶体质量为准。
本发明中InxGa1-xN/GaN应力释放层50包括10~30个周期堆叠的InxGa1-xN层51和GaN层52，每个周期的厚度为2~10nm，每个周期中InxGa1-xN层51和GaN层52的厚度比为1:5~1:1。
InyGa1-yN/GaN多量子阱层60，结合图3所示， InyGa1-yN/GaN多量子阱层60包括若干周期堆叠的 InyGa1-yN量子阱层61和GaN量子垒层62， InyGa1-yN量子阱层61中In与Ga的摩尔比为一定值，优选地，本发明InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为0.5~12，以得到最佳晶体质量为准。
本发明中 InyGa1-yN/GaN多量子阱层60包括5~20个周期堆叠的 InyGa1-yN量子阱层61和GaN量子垒层62，每个周期的厚度为5~25nm，每个周期中 InyGa1-yN量子阱层61和GaN量子垒层62的厚度比为1:5~1:1。
p型GaN层70，在800~1200℃高温条件下生长，其厚度为20~80nm。
相应地，一种GaN基LED外延结构的制造方法，包括以下步骤：
S1、将衬底放置在MOCVD反应室中的载盘上，在1000~1100℃下进行表面清洁处理；
S2、在400~700℃条件下，外延生长10~50nm的缓冲层；
S3、在1000~1200℃条件下，生长2~4um的非故意掺杂GaN层；
S4、在1000~1200℃条件下，生长2~4um的SiH4掺杂的n型GaN层；
S5、在恒定第一温度条件下，通过氢气混入的方式控制In组分，外延生长InxGa1-xN层，InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为一定值，然后在恒定第二温度条件下，外延生长GaN层，重复生长若干周期堆叠的InxGa1-xN层和GaN层，形成InxGa1-xN/GaN应力释放层；
S6、在恒定第三温度条件下，通过氢气混入的方式控制In组分，外延生长InyGa1-yN量子阱层，InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为一定值，然后在恒定第四温度条件下，外延生长GaN量子垒层，重复生长若干周期堆叠的InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层，形成InyGa1-yN/GaN多量子阱层；
S7、在800~1200℃条件下，生长20~80nm的p型GaN层。
步骤S5中，InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为0.5~12范围内的一定值，以得到最佳晶体质量为准。
另外，第一温度设定于一定值，一般以In组分最大值为温度基准，接着试验找出氢气流量与In组分变化的对应关系，通过控制氢气通入量快速稳定的控制In组分的变化。
步骤S6中， InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为0.5~12范围内的一定值，以得到最佳晶体质量为准。
另外，第三温度设定于一定值，一般以In组分最大值为温度基准，接着试验找出氢气流量与In组分变化的对应关系，通过控制氢气通入量快速稳定的控制In组分的变化。
进一步对，步骤S5中生长InxGa1-xN层的第一温度较生长GaN层的第二温度低0~150℃，步骤S6中生长 InyGa1-yN量子阱层的第三温度较生长GaN量子垒层的第四温度低0~150℃，且生长 InyGa1-yN量子阱层的第三温度较生长InxGa1-xN层的第一温度低0~150℃。
本发明采用恒温生长InxGa1-xN/GaN应力释放层中的InxGa1-xN层及 InyGa1-yN/GaN多量子阱层中的InyGa1-yN量子阱层，通过氢气混入的方式控制In的组分，控制氢气的通入量，能够达到稳定且快速变化In组分的目的。
InxGa1-xN/GaN应力释放层中的InxGa1-xN层及InyGa1-yN/GaN多量子阱层中的InyGa1-yN量子阱层在制备时，氢气的通入量可以恒定也可以渐变，氢气可以为单个周期通入，也可以为多个周期通入。
以下结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例一：
本实施例中的GaN基LED外延结构从下向上依次包括：
衬底，该衬底为蓝宝石衬底。
缓冲层，在650℃低温条件下生长，其为GaN缓冲层，缓冲层的厚度为50nm。
非故意掺杂GaN层，在1200℃高温条件下生长，其厚度为4um；
n型GaN层，在1200℃高温条件下生长，其厚度为4um，采用SiH4掺杂，掺杂浓度为5E19。
InxGa1-xN/GaN应力释放层，包括30个周期堆叠的InxGa1-xN层和GaN层，每个周期的厚度为10nm，每个周期中InxGa1-xN层和GaN层的厚度比为1:5，InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为5。InxGa1-xN层和GaN层的生长温度分别为750℃/900℃；控制氢气通入量0.5L，对应In组分为0.01。
InyGa1-yN/GaN多量子阱层，包括20个周期堆叠的InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层，每个周期的厚度为5nm，每个周期中InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层的厚度比为1:5，InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为5。InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层的生长温度分别为650℃/750℃；控制氢气通入量0.01L，对应In组分x为0.03。
p型GaN层，在1100℃高温条件下生长，其厚度为80nm。
本实施例中GaN基LED外延结构的制造方法，包括以下步骤：
S1、将衬底放置在MOCVD反应室中的载盘上，在1000℃下进行表面清洁处理；
S2、在650℃条件下，外延生长50nm的GaN缓冲层；
S3、在1200℃条件下，生长4um的非故意掺杂GaN层；
S4、在1200℃条件下，生长4um的SiH4掺杂的n型GaN层，控制掺杂浓度为5E19；
S5、在恒定750℃条件下，通过氢气混入的方式控制In组分，控制氢气通入量0.01L，对应In组分x为0.01，外延生长1.5nm厚的InxGa1-xN层，InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为5，然后在恒定900℃条件下，外延生长8.5nm厚的GaN层，重复生长30个周期堆叠的InxGa1-xN层和GaN层，形成InxGa1-xN/GaN应力释放层；
S6、在恒定650℃条件下，通过氢气混入的方式控制In组分，控制氢气通入量0.01L，对应In组分x为0.03，外延生长0.8nm厚的InyGa1-yN量子阱层，InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为5，然后在恒750℃条件下，外延生长4nm厚的GaN量子垒层，重复生长20个周期堆叠的InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层，形成InyGa1-yN/GaN多量子阱层；
S7、在1100℃条件下，通入Cp2Mg和TMGa生长高温生长80nm的p型GaN层。
实施例二：
本实施例中的GaN基LED外延结构从下向上依次包括：
衬底，该衬底为蓝宝石衬底。
缓冲层，在650℃低温条件下生长，其为GaN缓冲层，缓冲层的厚度为50nm。
非故意掺杂GaN层，在1200℃高温条件下生长，其厚度为4um；
n型GaN层，在1200℃高温条件下生长，其厚度为4um，采用SiH4掺杂，掺杂浓度为5E19。
InxGa1-xN/GaN应力释放层，包括30个周期堆叠的InxGa1-xN层和GaN层，每个周期的厚度为10nm，每个周期中InxGa1-xN层和GaN层的厚度比为1:5，InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为5。InxGa1-xN层和GaN层的生长温度分别为750℃/900℃；控制氢气通入量从0.1L渐升至1L，对应In组分x由0.01至0.2；
InyGa1-yN/GaN多量子阱层，包括20个周期堆叠的InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层，每个周期的厚度为5 nm，每个周期中InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层的厚度比为1:5，InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为5。InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层的生长温度分别为650℃/750℃；控制氢气通入量从0.1L渐升至1 L，对应In组分x由0.03至0.5。
p型GaN层，在1100℃高温条件下生长，其厚度为80nm。
本实施例中GaN基LED外延结构的制造方法，包括以下步骤：
S1、将衬底放置在MOCVD反应室中的载盘上，在1000℃下进行表面清洁处理；
S2、在650℃条件下，外延生长50nm的GaN缓冲层；
S3、在1200℃条件下，生长4um的非故意掺杂GaN层；
S4、在1200℃条件下，生长4um的SiH4掺杂的n型GaN层，控制掺杂浓度为5E19；
S5、在恒定750℃条件下，通过氢气混入的方式控制In组分，控制氢气通入量从0.1L渐升至1L，对应In组分x由0.01至0.2，外延生长1.5nm厚的InxGa1-xN层，InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为5，然后在恒定900℃条件下，外延生长8.5nm厚的GaN层，重复生长30个周期堆叠的InxGa1-xN层和GaN层，形成InxGa1-xN/GaN应力释放层；
S6、在恒定650℃条件下，通过氢气混入的方式控制In组分，控制氢气通入量从0.1L渐升至1L，对应In组分x由0.03至0.5，外延生长0.8nm厚的InyGa1-yN量子阱层，InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为5，然后在恒定750℃条件下，外延生长4nm厚的GaN量子垒层，重复生长20个周期堆叠的InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层，形成InyGa1-yN/GaN多量子阱层；
S7、在1100℃条件下，通入Cp2Mg和TMGa生长高温生长80nm的p型GaN层。
应当理解的是，上述实施例一和实施例二步骤S5及S6中的氢气可以是单个周期通入，也可以是多个周期通入，此处不再一一举例进行详细说明。
由以上技术方案可以看出，本发明采用恒温生长InxGa1-xN/GaN应力释放层中的InxGa1-xN层及 InyGa1-yN/GaN多量子阱层中的InyGa1-yN量子阱层，通过氢气混入的方式控制In的组分，控制氢气的通入量，能够达到稳定且快速变化In组分的目的，提高了电子与空穴的复合效率，提升了内量子效率，避免了因为温度波动引起的失控以及In聚集造成晶体质量下降的问题。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (10)
1.一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构依次包括：
衬底；
位于所述衬底上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的非故意掺杂GaN层；
位于所述非故意掺杂GaN层上的n型GaN层；
位于所述n型GaN层上的InxGa1-xN/GaN应力释放层，所述InxGa1-xN/GaN应力释放层包括若干周期堆叠的InxGa1-xN层和GaN层，InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为一定值，其中，In组分通过氢气混入的方式控制；
位于所述InxGa1-xN/GaN应力释放层上的InyGa1-yN/GaN多量子阱层，所述InyGa1-yN/GaN多量子阱层包括若干周期堆叠的InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层，InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为一定值，其中，In组分通过氢气混入的方式控制；
位于所述InyGa1-yN/GaN多量子阱层上的p型GaN层。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述InxGa1-xN/GaN应力释放层包括10~30个周期堆叠的InxGa1-xN层和GaN层，每个周期的厚度为2~10nm，每个周期中InxGa1-xN层和GaN层的厚度比为1:5~1:1。
3.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述InyGa1-yN/GaN多量子阱层包括5~20个周期堆叠的InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层，每个周期的厚度为5~25nm，每个周期中InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层的厚度比为1:5~1:1。
4.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为0.5~12；所述InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为0.5~12。
5.一种GaN基LED外延结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
S1、将衬底放置在MOCVD反应室中的载盘上，在1000~1200℃下进行表面清洁处理；
S2、在400~700℃条件下，生长一层外延缓冲层；
S3、在1000~1200℃条件下，生长2~4um的非故意掺杂GaN层；
S4、在1000~1200℃条件下，生长2~4um的SiH4掺杂的n型GaN层；
S5、在恒定第一温度条件下，通过氢气混入的方式控制In组分，外延生长InxGa1-xN层，InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为一定值，然后在恒定第二温度条件下，外延生长GaN层，重复生长若干周期堆叠的InxGa1-xN层和GaN层，形成InxGa1-xN/GaN应力释放层；
S6、在恒定第三温度条件下，通过氢气混入的方式控制In组分，外延生长InyGa1-yN量子阱层，InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为一定值，然后在恒定第四温度条件下，外延生长GaN量子垒层，重复生长若干周期堆叠的InyGa1-yN量子阱层和GaN量子垒层，形成InyGa1- yN/GaN多量子阱层；
S7、在800~1200℃条件下，生长20~80nm的p型GaN层。
6.根据权利要求5所述的GaN基LED外延结构的制造方法，其特征在于，所述步骤S5中的第一温度较第二温度低0~150℃，步骤S6中的第三温度较第四温度低0~150℃，且第三温度较第一温度低0~150℃。
7.根据权利要求5所述的GaN基LED外延结构的制造方法，其特征在于，所述步骤S5中，在若干周期中，氢气通入量与In组分的变化呈线性关系，氢气通入量为0.01~1L，InxGa1-xN层中In组分变化x为0.01~0.2，InxGa1-xN层中In与Ga的摩尔比为0.5~12。
8.根据权利要求5所述的GaN基LED外延结构的制造方法，其特征在于，所述步骤S6中，在若干周期中，氢气通入量与In组分的变化呈线性关系，氢气通入量为0.01~1L，InyGa1-yN量子阱层中In组分变化x为0.03~0.5，InyGa1-yN量子阱层中In与Ga的摩尔比为0.5~12。
9.根据权利要求8所述的GaN基LED外延结构的制造方法，其特征在于，在若干周期中，所述步骤S5和/或S6中氢气的通入量为恒定或渐变。
10.根据权利要求8所述的GaN基LED外延结构的制造方法，其特征在于，所述步骤S5和/或S6中氢气为单个周期通入或多个周期通入。
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