CN105779953A - 多层薄膜、制造其的方法和包括其的电子产品 - Google Patents

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Abstract

提供了一种多层薄膜以及在产品的表面上沉积多层薄膜的方法。所述多层薄膜具有结合到物体的包括非导电材料的第一层、结合到第一层的包括金属材料的第二层以及结合到第二层的包括非导电材料的第三层。

Description

多层薄膜、制造其的方法和包括其的电子产品
技术领域
本公开的示例性实施例涉及一种在产品的表面上沉积多层薄膜的方法以及一种具有沉积在其上的多层薄膜的产品。
背景技术
金属材料和塑料材料作为用于形成电子产品的外部的材料而使用。金属材料由于因机械加工导致的粗糙而难以使用，因此需要例如涂饰、镀覆和阳极氧化的后处理。通过使用等离子体在金属材料上沉积多层薄膜，使得金属材料可以以各种颜色来实现。
与金属材料相比，塑料材料质轻并且具有高的自由度，因此用塑料材料制造具有复杂形状的产品具有包括低成本的优点。另外，通过使用等离子体在塑料材料上沉积多层薄膜，使得塑料材料可以如同金属材料一样以各种颜色来实现，并且可实现金属的质感。为了在塑料基体材料上实现金属的质感，经常执行镀覆、热压和普通涂饰，另外，主要执行薄薄地涂覆金属涂料的方法或涂覆半透明树脂的方法。
无线通信产品(例如，移动电话)由于无线通信的发展已经越加普遍。另外，设置有许多传感器的电子产品也已经越加普遍。使用无线通信的电子产品和设置有许多传感器的电子产品会需要通过非导电材料形成的其外观来提高无线通信质量和感测质量。然而，由于构造成被沉积为多层薄膜的非导电材料局限于锡，因此在实施各种颜色和纹理以使产品具有非导电表面方面存在限制。
发明内容
因此，本公开的一方面提供具有非导电表面的多层薄膜、其制造方法和具有其的电子产品。
本公开的另一方面提供以各种颜色实施的非导电多层薄膜、所述非导电多层薄膜的制造方法以及具有所述非导电多层薄膜的电子产品。
本公开的另一方面提供具有改进的结构的多层薄膜、所述多层薄膜的制造方法以及具有所述多层薄膜的电子产品，所述多层薄膜被构造成具有非导电表面并且被构造成通过使用等离子体来沉积。
本公开的附加方面将在随后的说明书中部分地阐述，并且部分地通过说明书将是明显的，或者可以通过本公开的实践来教导。
根据本公开的一个方面，多层薄膜包括第一层、第二层和第三层，所述第一层包括非导电材料并且结合到物体，所述第二层包括金属材料并且结合到第一层，所述第三层包括非导电材料并且结合到第二层。
第一层可包括从由氮化铝(AlN)、氮化铬(CrN)、氮化钛(TiN)、氧化铝(Al2O3)、氧化铬(Cr2O3)、氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)和氧化钛(Ti2O3)组成的组中选择的至少一种。
第三层可包括从由氮化铝(AlN)、氮化铬(CrN)、氮化钛(TiN)、氧化铝(Al2O3)、氧化铬(Cr2O3)、氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)和氧化钛(Ti2O3)组成的组中选择的至少一种。
第二层可包括从由铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和硅(Si)组成的组中选择的至少一种。
第一层、第二层和第三层可分别通过被等离子体处理来沉积。
根据本公开的另一方面，制造多层薄膜的方法包括下述步骤：在将被沉积的物体上沉积具有非导电性的第一层、在第一层上沉积具有金属特性的第二层以及在第二层上沉积具有非导电性的第三层。
在将被沉积的物体上沉积具有非导电性的第一层的步骤可包括：提供包括从由铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和硅(Si)组成的组中选择的至少一种的靶样品；注入包括氮(N2)和氧(O2)的反应气体；将电源施加到多层薄膜制造装置；以及将靶样品与反应气体反应。
在第一层上沉积具有金属特性的第二层的步骤可包括：提供包括从由铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和硅(Si)组成的组中选择的至少一种的靶样品；以及将电源施加到多层薄膜制造装置。
在第二层上沉积具有非导电性的第三层的步骤可包括：提供包括从由铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和硅(Si)组成的组中选择的至少一种的靶样品；注入包括氮(N2)和氧(O2)的反应气体；将电源施加到多层薄膜制造装置；以及将靶样品与反应气体反应。
制造多层薄膜的方法还可包括：当将被沉积的物体是塑料材料时，通过等离子体处理来改性将被沉积的物体的表面。
可在将被沉积的物体上沉积第一层的步骤之前执行通过等离子体处理改性将被沉积的物体的表面的步骤。
本公开的另一方面提供电子产品，所述电子产品包括壳体和结合到壳体的所有表面或部分表面的多层薄膜，其中，多层薄膜可包括结合到壳体的第一层、具有金属特性并且结合到第一层的第二层以及结合到第二层的第三层，其中，第一层和第三层可包括非导电材料。
第一层可包括从由氮化铝(AlN)、氮化铬(CrN)、氮化钛(TiN)、氧化铝(Al2O3)、氧化铬(Cr2O3)、氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)和氧化钛(Ti2O3)组成的组中选择的至少一种。
第三层可包括从由氮化铝(AlN)、氮化铬(CrN)、氮化钛(TiN)、氧化铝(Al2O3)、氧化铬(Cr2O3)、氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)和氧化钛(Ti2O3)组成的组中选择的至少一种。
第二层可包括从由铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和硅(Si)组成的组中选择的至少一种。
第一层、第二层和第三层可分别通过被等离子体处理来沉积。
附图说明
通过下面结合附图对示例性实施例进行的描述，本公开的这些和/或其他方面将变得明显和更易于理解，在附图中：
图1是根据本公开的示例性实施例的被构造成执行制造多层薄膜的方法的溅射沉积装置的示例的视图；
图2A、图2B、图2C和图2D是通过图1的装置来执行制造多层薄膜的方法的过程的视图；
图3是根据本公开的示例性实施例的被构造成执行制造多层薄膜的方法的溅射沉积装置的示例的视图；
图4A、图4B、图4C和图4D是通过图3的装置来执行制造多层薄膜的方法的过程的视图；
图5是根据本公开的示例性实施例的被构造成执行制造多层薄膜的方法的溅射沉积装置的示例性视图；
图6A、图6B、图6C和图6D是通过图5的装置来执行制造多层薄膜的方法的过程的视图；
图7是示出通过图1的装置沉积的多层薄膜的结构的视图；
图8是示出通过图3的装置沉积的多层薄膜的结构的视图；
图9是示出通过图5的装置沉积的多层薄膜的结构的视图；
图10是作为根据本公开的示例性实施例的电子产品的示例的具有由图7中示出的多层薄膜被沉积在其表面上的壳体形成的外部的电视机(TV)的视图；
图11是作为根据本公开的示例性实施例的电子产品的示例的包括图7中示出的多层薄膜被沉积在其表面上的壳体的通信装置的透视图，图12是其后视图；
图13是作为根据本公开的示例性实施例的电子产品的示例的具有由图7中示出的多层薄膜被沉积在其表面上的壳体形成的外部的洗衣机的视图；
图14是作为根据本公开的示例性实施例的电子产品的示例的具有由图7中示出的多层薄膜被沉积在其表面上的壳体形成的外部的冰箱的视图。
具体实施方式
现在将详细地参照本公开的示例性实施例，其示例示出在附图中。
根据示例性实施例，可通过多层薄膜制造装置来执行制造多层薄膜的方法。其上沉积有多层薄膜的物体可以是塑料或金属。在下文中，为了便于描述，将描述在塑料物体上沉积多层薄膜的过程。
形成多层薄膜的过程可包括通过等离子体处理来改性物体的表面，以及通过使用等离子体在物体上沉积多层薄膜。
可通过溅射法来执行等离子体处理和多层薄膜的沉积。可理解的是，说明书中的多层薄膜制造装置包括溅射沉积装置。
溅射法可以是典型的物理气相沉积法。具体地，溅射法可以是惰性气体在真空室中被加速并与固体靶(目标)样品碰撞，且原子通过在碰撞期间产生的能量从固体靶样品逸出，所述方法可以用于形成薄膜形式的金属层以制造半导体、显示装置等或用于沉积金属氧化物层。
以下，将描述溅射沉积装置的构造作为多层薄膜制造装置的示例，然后将描述根据示例性实施例的制造多层薄膜的方法。
图1是根据本公开的示例性实施例的被构造成执行制造多层薄膜的方法的溅射沉积装置200的示例的视图。
参照图1，溅射沉积装置200可包括多个真空室210、310、410和510、真空泵214、314、414和514、多个气体供应系统220、320、420和520、轨道201、靶样品334、434和534、枪330、430和530以及多个磁控管340、440和540。
真空泵214、314、414和514可分别提供在真空室210、310、410和510的侧表面上，并且将真空室210、310、410和510分别保持在真空状态。
气体供应系统220、320、420和520可分别提供在真空室210、310、410和510的侧壁上，并且可将气体供应到真空室210、310、410和510中。
气体供应系统220、320、420和520可包括在其中储存将被电离的放电气体的放电气体室222、322a、422和522a、在其中储存作为用于等离子体化学沉积的处理气体提供的氮(N2)气或氧(O2)气的处理气体室322b和522b、构造成使真空室210、310、410和510连接到气体室222、322a、322b、422、522a和522b的质量流量计224、324、424和524以及构造成控制从气体室222、322a、322b、422、522a和522b流向真空室210、310、410和510的气体的控制阀226、326、426和526。
氩(Ar)气可储存在放电气体室222、322a、422和522a中，除了氩(Ar)气之外的其他惰性气体的混合物也可被储存。以下，为了便于描述，将假设氩(Ar)气被用作放电气体。
轨道201可提供在真空室210、310、410和510的上部处，并且可移动将被沉积的物体。具体地，将被沉积的物体可被固定到夹具204并沿着轨道201移动。
如上所说明的，将被沉积的物体100可以是由金属材料和塑料材料形成的部件。另外，物体100可包括除了平面表面以外的弯曲部或突出部。
枪330、430和530可提供在真空室310、410和510的内部。由于枪330、430和530通过第二电源335、第三电源435和第四电源535连接到阴极，因此当第二电源335、第三电源435和第四电源535将电提供到枪330、430和530时，可产生负电场并放电。氩(Ar)气可使用从第二电源335、第三电源435和第四电源535供应的电而碰撞，然后可在产生氩离子(Ar+)的同时产生等离子体。
靶样品334、434和534可提供在真空室310、410和510的内部并且可位于与将被沉积的物体相对。如上所述，将被沉积的物体可具有平面形状或弯曲形状，根据将被沉积的物体的形状，可使用多个靶样品334、434和534。
磁控管340、440和540可提供在真空室310、410和510的内部，并且可以以复数安装在靶样品334、434和534的下部上。
磁场345、445和545通过磁控管340、440和540形成，因此从氩(Ar)气分离的电子通过同时接收由磁控管340、440和540形成的磁场345、445和545以及现有磁场的力而以螺旋路径350、450和550移动。由于以螺旋路径移动的电子被捕获在磁场345、445和545中，所以电子会难以逃逸，并且可增大等离子体中的电子的密度。由于这个原因，电离的氩(Ar+)可在真空室310、410和510中增加，与靶样品334、434和534碰撞的氩(Ar+)离子的数量也会增加，因此可改善薄膜沉积的效率。
以上描述了溅射沉积装置200的构造的示例。
以下，将描述制造多层薄膜的方法。
根据示例性实施例的使用多层薄膜制造装置200制造多层薄膜的方法可包括通过等离子体处理改性塑料物体100的表面、在塑料物体100上沉积第一层110、在第一层110上沉积第二层120以及在第二层120上沉积第三层130。
在塑料物体100上沉积第一层110可包括提供包括从由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和锡(Sn)组成的材料组中选择的至少一种的靶样品334、注入包括氮(N2)和氧(O2)的处理气体、将电源施加到多层薄膜制造装置200以及使靶样品334与处理气体反应。
在第一层110上沉积第二层120可包括提供包括从由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和锡(Sn)组成的材料组中选择的至少一种的靶样品434。
在第二层120上沉积第三层130可包括提供包括从由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和锡(Sn)组成的材料组中选择的至少一种的靶样品534、注入包括氮(N2)和氧(O2)的处理气体、将电源施加到多层薄膜制造装置200以及使靶样品334与处理气体反应。
以下，作为示例，将描述在塑料物体100上沉积包括氮化钛(TiN)的第一层、在第一层110上沉积包括铬(Cr)的第二层120以及在第二层120上沉积包括氮化钛(TiN)的第三层的方法。在处理期间，靶样品334、434和534的温度可维持在从室温到200℃的范围内，沿轨道201移动的将被沉积的物体的温度可维持在60℃至70℃的范围内。
制造多层薄膜的方法的详细描述如下。图2A至图2D是通过图1中示出的溅射沉积装置200来执行制造多层薄膜的方法的过程的视图。
参照图2A，根据示例性实施例的制造多层薄膜的方法可包括将塑料物体100移动到溅射沉积装置200的第一真空室210以及在合适的条件下通过等离子体辐射来改性塑料物体100的表面。
在这种情况下，当通过第一电源235将电供应到枪并接着产生负电场时，可在第一真空室210中开始放电并且可产生等离子体。
具体地，注入到第一真空室210中的氩(Ar)气通过与第一电子和第三电子的碰撞而如下面的反应式1那样被电离，因此产生等离子体。
反应式1
Ar→Ar++e-
氩(Ar)气可用作放电气体，并且还可使用其他惰性气体的混合物。以下，为了便于描述，将假设的是，氩(Ar)气被使用。
电源可使用DC电源、脉冲DC电源或射频(RF)电源。RF电源可用作第一电源235，使得可在等离子体处理期间防止塑料物体100的损坏的同时使通过等离子体加热的改性效果最大化。
具体地，RF电源使用大约13.56MHz的频率从负到正或从正到负地持续改变施加到靶的电。当RF电源为负时，处于等离子状态的氩离子(Ar+)朝着塑料物体100加速，但当在溅射之后试图附着到表面时，RF电源改变为正，然后氩离子(Ar+)从塑料物体100的表面分离。通过这个原理，可维持等离子体状态，因此RF电源可用于改性非导电的塑料物体100。
由于塑料物体100的表面通过等离子处理而被改性，因此可增大随后将形成的膜的粘附力，并且可去除附着到表面的任何外来物质。
当完成表面改性时，可通过溅射法来执行在塑料物体100上沉积多层薄膜。
具体地，如图2B所示，为了在塑料物体100上沉积包括氮化钛(TiN)的第一层110，塑料物体100可安装在第二真空室310的上部中，钛(Ti)靶样品334可放置在第二真空室310的下部上。
随后，当第二真空室310通过真空泵314维持在真空状态时，可通过调节质量流量计326将氩(Ar)气和氮(N2)气注入到第二真空室310的内部中。当通过第二电源335将电提供到枪330时，可开始放电，会发生诸如上述的反应式1的反应，因此可形成氩(Ar)气和氮(N2)气被同时电离的等离子体。
反应式2
N2→2N++2e-
在这种情况下，并非所有的氮(N2)气被电离。一些量的氮(N2)气可以以分子状态存在，其他量的氮(N2)气可以处于电离状态。
具体地，电离的氩离子(Ar+)和电离的氮离子(N+)通过接收电场的力而朝着用作阴极的钛(Ti)靶样品334被吸引并加速。加速的氩离子(Ar+)与钛(Ti)靶样品334碰撞，将能量传输到靶样品334的表面，然后靶样品334的钛原子(Ti)逸出。
如在反应式3中所示，具有高能量的钛原子(Ti)与注入到第二真空室310的内部中的氮(N2)气反应，然后形成包括氮化钛(TiN)成分的第一层110。
反应式3
2Ti+N2→2TiN
由于根据示例性实施例的制造多层薄膜的方法包括沉积第一层110，因此可实施调节所述方法以便钛靶样品334和氮(N2)气完全反应。
同时，如反应式4中所示，朝着钛(Ti)靶样品334被吸引并加速的一些电离的氮气气体(N+)可与钛(Ti)靶样品334的表面碰撞，可接收电子并且可被中和(反应式4(1))。其中一些可与钛(Ti)反应(反应式4(2))，然后也可形成氮化钛(TiN)。
反应式4
N++e-→N(1)
N+Ti→TiN(2)
在图2B中示出的第二真空室310的第二电源335可使用DC电源、脉冲DC电源或RF电源。由于当使用DC电源时沉积的层的密度不高，当使用RF电源时氮化钛(TiN)的沉积速度会慢，因此沉积速率会减小。因此，可使用脉冲DC电源作为第二电源335。
脉冲DC电源可具有在0V至600V的范围内的电压，第一层110可调节成具有在1nm至500nm的范围内的厚度，从而可实施除了金属的颜色之外的各种颜色。将在下面的有关部分中详细地描述第一层110的颜色实施的原理。
另外，由于脉冲DC电源与RF电源相比具有更高的沉积速率并且与DC电源相比具有更低的沉积速率，因此还可靠近第二真空室310提供与第二真空室310处于相同情况下的至少一个室，然后可执行氮化钛(TiN)的沉积。
当完成第一层110的沉积时，可执行在第一层110上沉积第二层120。
具体地，为了在其上沉积有第一层110的塑料物体100上沉积第二层120，如图2C中所示，可将执行了等离子体处理的塑料物体100安装在第三真空室410的上部中，并且可将铬(Cr)靶样品434放置在第三真空室410的下部上。当通过真空泵414将第三真空室410维持在真空状态下的同时，可通过调节质量流量计426将氩(Ar)气注入到第三真空室410的内部中。
随后，当通过第三电源435将电提供到枪430时，可开始放电，可发生诸如上述的反应式1的反应，因此可形成氩(Ar)气被电离的等离子体。当带正电的氩离子(Ar+)与铬(Cr)靶样品434碰撞时，铬(Cr)原子可逸出，然后可形成第二层120。
第三电源435可使用DC电源、脉冲DC电源或RF电源。由于当使用DC电源时沉积的层的密度不高，当使用RF电源时铬(Cr)原子的沉积速度会慢，因此可使用脉冲DC电源作为第三电源435。
脉冲DC电源可具有在0V至600V的范围内的电压，第二层120可调节成具有在1nm至500nm的范围内的厚度。
当完成第二层120的沉积时，可执行在第二层120上沉积第三层130。
具体地，为了在第二层120上沉积包括氮化钛(TiN)的第三层130，如图2D中所示，可将其上形成有第二层120的塑料物体100安装在第四真空室510的上部中，并且可将钛(Ti)靶样品放置在第四真空室510的下部上。
随后，当通过真空泵514将第四真空室510维持在真空状态下时，可通过调节质量流量计526将氩(Ar)气和氮(N2)气注入到第四真空室510的内部中。随后，当通过第四电源535将电提供到枪530时，可开始放电，可发生诸如上述的反应式1和2的反应，因此可形成氩(Ar)气和氮(N2)气被同时电离的等离子体。
在这种情况下，并非所有的氮(N2)气被电离。一些量的氮(N2)气可以以分子状态存在，其他量的氮(N2)气可以处于电离状态。
具体地，电离的氩离子(Ar+)和电离的氮离子(N+)通过接收电场的力而朝着用作阴极的钛(Ti)靶样品534被吸引并加速。加速的氩离子(Ar+)与钛(Ti)靶样品534碰撞，将能量传输到靶样品534的表面，然后靶样品534的钛原子(Ti)逸出。如在反应式3中所示，具有高能量的钛原子(Ti)与注入到第四真空室510的内部中的氮(N2)气反应，然后形成包括氮化钛(TiN)成分的第三层130。
由于根据示例性实施例的制造多层薄膜的方法包括沉积第三层130，因此可实施调节所述方法以便钛(Ti)靶样品和氮(N2)气完全反应。
如反应式4中所示，朝着钛(Ti)靶样品534被吸引并加速的一些电离的氮离子(N+)可与钛(Ti)靶样品534的表面碰撞，可接收电子并且可被中和(反应式4(1))。其中一些可与钛(Ti)反应(反应式4(2))，然后也可形成氮化钛(TiN)。
在图2D中示出的第四真空室510的第四电源535可使用DC电源、脉冲DC电源或RF电源。由于当使用DC电源时沉积的层的密度不高，当使用RF电源时氮化钛(TiN)的沉积速度会慢，因此沉积速率会减小。因此，可使用脉冲DC电源作为第四电源535。
脉冲DC电源可具有在0V至600V的范围内的电压，第三层130可调节成具有在1nm至500nm的范围内的厚度，从而可实施各种颜色以及金属的颜色。
另外，由于脉冲DC电源与RF电源相比具有更高的沉积速率并且与DC电源相比具有更低的沉积速率，因此还可靠近第四真空室510提供与第四真空室510处于相同情况的至少一个室，然后可执行氮化钛(TiN)的沉积。
以下，将详细地描述根据示例性实施例的制造多层薄膜的方法。
根据示例性实施例，制造多层薄膜的方法可通过使用多层薄膜制造装置来执行，并且可包括通过等离子体处理来改性塑料物体的表面、在塑料物体上沉积第一层、在第一层上沉积第二层以及在第二层上沉积第三层。
如上所述，等离子体处理和多层薄膜沉积可通过应用溅射法来执行。使用与图1的构造不同的多层薄膜制造装置来执行制造多层薄膜的方法。以下，将描述根据示例性实施例的溅射沉积装置的构造，然后将描述根据示例性实施例的制造多层薄膜的方法。
图3是根据本公开的示例性实施例的被构造成执行制造多层薄膜的方法的溅射沉积装置200a的示例的视图。
参照图3，溅射沉积装置200a可包括多个真空室210a、310a、410a和510a、真空泵214a、314a、414a和514a、气体供应系统220a、320a、420a和520a、轨道201a、夹具204a、靶样品334a、434a和534a、枪330a、430a和530a、电源235a、335a、435a和535a以及多个磁控管340a、440a和540a。真空室210a、310a、410a和510a、真空泵214a、314a、414a和514a、枪330a、430a和530a以及多个磁控管340a、440a和540a与图1的构造基本上相同，将省略对它们的重复描述。
气体供应系统220a、320a、420a和520a可分别提供在真空室210a、310a、410a和510a的侧面上，并且可将气体分别提供到真空室210a、310a、410a和510a的内部中。
气体供应系统220a、320a、420a和520a可包括在其中储存将被电离的氩(Ar)气的放电气体室222a、322aa、422a和522aa、在其中储存作为用于等离子体化学沉积处理的处理气体提供的氮(N2)气或氧(O2)气的处理气体室322ba和522ba、构造成使真空室210a、310a、410a和510a连接到气体室222a、322aa、322ba、422a、522aa和522ba的质量流量计224a、324a、424a和524a以及构造成控制从气体室222a、322aa、322ba、422a、522aa和522ba流向真空室210a、310a、410a和510a的气体的控制阀226a、326a、426a和526a。
轨道201a可提供在真空室210a、310a、410a和510a的上部上，并且可移动将被沉积的物体。具体地，将被沉积的物体可被固定到夹具204a并沿着轨道201a移动。将被沉积的物体可以是平面塑料物体，也可以是包括塑料材料的部件(弯曲表面或突出部被包括在一部分表面中)以及由金属材料形成的部件。具有平面形状的塑料物体100a将作为在图3以及图4A至图4D中的示例进行描述。
靶样品334aa、334ba、434a、534aa和534ba可设置在真空室310a、410a和510a的内部并且位于与将被沉积的物体相对。如上所述，将被沉积的物体可具有平面形状或弯曲形状，根据将被沉积的物体的形状，可使用多个靶样品334aa、334ba、434a、534aa和534ba。根据示例性实施例，多个靶样品334aa和334ba可放置在第二真空室310a的内部以形成第一层110a，多个靶样品534aa和534ba可放置在第四真空室510a的内部以形成第三层130a。
通过磁控管340a、440a和540a形成磁场345a、445a和545a，因此从氩(Ar)气分离的电子通过同时接收由磁控管340a、440a和540a形成的磁场345a、445a和545a以及现有的磁场的力而以螺旋路径350a、450a和550a移动。由于以螺旋路径移动的电子被捕获在磁场345a、445a和545a中，所以电子会难以逃逸，并可增大等离子体中电子的密度。由于这个原因，可在真空室310a、410a和510a中增加电离的氩(Ar+)，也可增大与靶样品334aa、334ba、434a、534aa和534ba碰撞的氩(Ar)离子的数量，因此可改善薄膜沉积的效率。
图4A和图4D是通过图3的溅射沉积装置200a来执行制造多层薄膜的方法的过程的视图。
参照图4A至图4D，根据示例性实施例的制造多层薄膜的方法可包括改性塑料物体100a的表面、在塑料物体100a上沉积第一层110a、在第一层110a上沉积第二层120a以及在第二层120a上沉积第三层130a。
在塑料物体100a上沉积第一层110a可包括提供包括从由铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和锡(Sn)组成的组中选择的至少一种的靶样品334aa、提供包括硅(Si)的靶样品334ba、注入包括从由氮气(N2)和氧气(O2)组成的组中选择的至少一种反应气体、将电源施加到溅射沉积装置200a以及使靶样品334aa和334ba与反应气体反应。
另外，在第一层110a上沉积第二层120a可包括提供包括从由铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和锡(Sn)组成的组中选择的至少一种的金属材料的靶样品434a以及将电源施加到溅射沉积装置200a。
在第二层120a上沉积第三层130a可包括提供包括从由铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和锡(Sn)组成的组中选择的至少一种成分的靶样品534aa、提供包括硅(Si)的靶样品534ba、注入从由氮(N2)和氧(O2)组成的组中选择的至少一种反应气体、将电源施加到溅射沉积装置200a以及使靶样品534aa和534ba与反应气体反应。
以下，作为示例，将详细地描述在塑料物体100a上制造多层薄膜的方法，所述多层薄膜具有包括氧化铬(CrO)和二氧化硅(SiO2)的第一层110a、包括铬(Cr)的第二层120a以及包括氧化铬(CrO)和二氧化硅(SiO2)的第三层130a。
首先，如图4A中所示，所述方法包括将处理的塑料物体100a移动到溅射沉积装置200a的第一真空室210a以及在合适的条件下通过等离子体辐射来改性塑料物体100a的表面。
在这种情况下，当通过第一电源235a将电提供到枪并接着产生负电场时，可在第一真空室210a中开始放电并且可产生等离子体。对于等离子体的产生过程、放电气体以及电源的描述与图2A相同，下面将省略重复的描述。
当完成表面的改性时，可通过溅射法来执行在塑料物体100a上沉积多层薄膜。
根据示例性实施例的制造多层薄膜的方法可包括在塑料物体100a上沉积第一层110a、第二层120a和第三层130a。通过使用所述方法，其上沉积有多层薄膜的产品的表面可具有非导电性。
以下，将详细地描述在塑料物体100a上沉积包括氧化铬(CrO)和二氧化硅(SiO2)的第一层110a。
在氧化铬(CrO)和二氧化硅(SiO2)的沉积之前，如图4B中所示，可将执行了等离子体处理的塑料物体100a安装在第二真空室310a的上部中，并可将铬(Cr)和硅(Si)作为靶样品334aa和334ba提供在第二真空室310a的下部上。
随后，当通过真空泵314a将第二真空室310a维持在真空状态下时，可通过调节质量流量计326a将氩(Ar)气和氧(O2)气注入到第二真空室310a中。
通过第二电源335a将电提供到枪330a，可开始放电，可发生诸如上述的反应式1和下面的反应式5的反应，然后可形成氩(Ar)气和氧(O2)气被同时电离的等离子体。
反应式5
O2→2O++2e-
并非所有的氧(O2)气被电离。一些量的氧(O2)气可以以分子状态存在，其他量的氧(O2)气可以处于电离状态。
电离的氩离子(Ar+)和电离的氧离子(O+)通过接收电场的力而朝着用作阴极的铬(Cr)靶样品334aa和硅(Si)靶样品334ba被吸引并加速。加速的氩离子(Ar+)与铬(Cr)靶样品334aa和硅(Si)靶样品334ba碰撞，将能量传输到铬(Cr)靶样品334aa和硅(Si)靶样品334ba的表面，然后铬原子(Cr)和硅原子(Si)由于所述能量而从铬(Cr)靶样品334aa和硅(Si)靶样品334ba逸出。
如下面的反应式6所示，具有高能量的铬原子(Cr)和硅原子(Si)与注入到第二真空室310a的内部中的氧气(O2)反应，因此形成了包括氧化铬(CrO)和二氧化硅(SiO2)成分的第一层110a。
反应式6
2Cr+O2→2CrO(1)
Si+O2→SiO2(2)
如反应式7中所示，朝着铬(Cr)靶样品334aa和硅(Si)靶样品334ba被吸引并加速的一些量的氧离子(O+)可在与铬(Cr)靶样品334aa和硅(Si)靶样品334ba的表面碰撞的同时接收电子并且被中和(反应式7(1))。其他量的氧离子(O+)可与铬(Cr)和硅(Si)反应(见反应式7(2)、(3))，然后也可形成氧化铬(CrO)和二氧化硅(SiO2)。
反应式7
O++e-→O(1)
O+Cr→CrO(2)
2O+Si→SiO2(3)
第二电源335a可使用DC电源、脉冲DC电源或RF电源。由于当使用DC电源时沉积的层的密度不高，当使用RF电源时氧化铬(CrO)和二氧化硅(SiO2)的沉积速度慢，因此沉积速率减小，可使用脉冲DC电源作为第二电源335a。另外，可以的是，可调节脉冲DC电源的功率和沉积时间，使得第一层110a形成为具有在1nm至500nm的范围内的厚度。
接着，将详细地描述在第一层110a上沉积包括铬(Cr)的第二层120a。
当形成第一层110a时，为了在第一层110a上沉积第二层120a，如图4C中所示，塑料物体100a可沿轨道201a移动并且被安装在第三真空室410a中。当将其上沉积了第一层110a的塑料物体100a安装在第三真空室410a中时，可调节真空泵414a以使第三真空室410a可维持在真空状态下，并且可调节质量流量计426a，使得氩(Ar)气可注入到第三真空室410a的内部中。
等离子体以与第一真空室210a相同的方式产生，带正电荷的氩离子(Ar+)与铬(Cr)靶样品434a碰撞，铬(Cr)原子逸出，然后包括铬(Cr)成分的第二层120a被沉积在第一层110a上。
第三电源435a可使用DC电源、脉冲DC电源或RF电源。由于当使用DC电源时沉积的层的密度不高，当使用RF电源时铬原子(Cr)的沉积速度慢，因此沉积速率减小，可使用脉冲DC电源作为第三电源435a。另外，可以的是，可调节脉冲DC电源的功率能和沉积时间，使得第二层120a形成为具有在1nm至500nm的范围内的厚度。
接着，将详细地描述在第二层120a上沉积包括氧化铬(CrO)和二氧化硅(SiO2)的第三层130a。
当形成第二层120a时，为了在第二层120a上沉积第三层130a，如图4D中所示，塑料物体100a可沿轨道201a移动并且被安装在第四真空室510a中。当其上依次沉积了第一层110a和第二层120a的塑料物体100a被安装在第四真空室510a中时，可调节真空泵514a，使得第四真空室510a可维持在真空状态，可调节质量流量计526a以使得氩(Ar)气和氧(O2)气可注入到第四真空室510a的内部中。
第四真空室510a可具有与第二真空室310a的构造相同的构造。因为这个原因，第三层130a可提供为与第一层110a的成分相同的成分。另外，在第二真空室310a中沉积第一层110a可通过与第四真空室510a的方式相同的方式来执行，因此可执行在第二层120a上沉积第三层130a。因此，将省略重复的描述。
第四电源535a可使用DC电源、脉冲DC电源或RF电源。由于当使用DC电源时沉积的层的密度不高，当使用RF电源时铬原子(Cr)的沉积速度慢，因此沉积速率减小，可使用脉冲DC电源作为第四电源535a。另外，可以的是，可调节脉冲DC电源的功率和沉积时间，使得第三层130a形成为具有1nm至500nm范围内的厚度。
接着，将详细地描述根据示例性实施例的制造多层薄膜的方法。
根据示例性实施例，制造多层薄膜的方法可通过使用多层薄膜制造装置来执行，并且可包括通过等离子体处理来改性塑料物体的表面、在塑料物体上沉积第一层、在第一层上沉积第二层以及在第二层上沉积第三层。
如上所述，可通过应用溅射法来执行等离子体处理和多层薄膜沉积。与图1的构造相似，使用多层薄膜制造装置来执行制造多层薄膜的方法。根据示例性实施例，多层薄膜制造装置可具有与图1的多层薄膜制造装置中的靶样品和气体供应系统不同的另一靶样品和气体供应系统，其他的组件可与图1的多层薄膜制造装置相同。
以下，将描述根据示例性实施例的溅射沉积装置的构造，然后将描述根据示例性实施例的制造多层薄膜的方法。
图5是根据本公开的示例性实施例的被构造成执行制造多层薄膜的方法的溅射沉积装置200b的示例性视图。
参照图5，溅射沉积装置200b可包括多个真空室210b、310b、410b和510b、真空泵214b、314b、414b和514b、多个气体供应系统220b、320b、420b和520b、轨道201b、夹具204b、靶样品334b、434b和534b、枪330b、430b和530b以及多个磁控管340b、440b和540b。所述多个真空室210b、310b、410b和510b、真空泵214b、314b、414b和514b、枪330b、430b和530b以及所述多个磁控管340b、440b和540b可与图1的构造相同，因此将省略重复的描述。
气体供应系统220b、320b、420b和520b可分别提供在真空室210b、310b、410b和510b的侧壁上，并且可将气体供应到真空室210b、310b、410b和510b中。
气体供应系统220b、320b、420b和520b可包括在其中储存将被电离的放电气体的放电气体室222b、322ab、422b和522ab、在其中储存作为用于等离子体化学沉积的处理气体提供的氮(N2)气或氧(O2)气的处理气体室322bb和522bb、构造成使真空室210b、310b、410b和510b连接到气体室222b、322ab、322bb、422b、522ab和522bb的质量流量计224b、324b、424b和524b以及构造成控制从气体室222b、322ab、322bb、422b、522ab和522bb流向真空室210b、310b、410b和510b的气体的控制阀226b、326b、426b和526b。
轨道201b可提供在真空室210b、310b、410b和510b的上部处，并且可移动将被沉积的物体。具体地，将被沉积的物体可被固定到夹具204b并沿着轨道201b移动。将被沉积的物体可以是平面塑料物体，也可以是包括塑料材料的部件(其中弯曲表面或突出部被包括在一部分表面中)以及由金属材料形成的部件。具有平面形状的塑料物体100b将作为在图5以及图6A至图6D中的示例进行描述。
靶样品334b、434b和534b可设置在真空室310b、410b和510b的内部并且可以位于与将被沉积的物体相对。如上所述，将被沉积的物体可具有平面形状或弯曲形状，根据将被沉积的物体的形状，多个靶样品334b、434b和534b可提供在不同的位置上。
通过磁控管340b、440b和540b形成磁场345b、445b和545b，因此从氩(Ar)气分离的电子通过同时接收由磁控管340b、440b和540b形成的磁场345b、445b和545b以及现有的磁场的力而以螺旋路径350b、450b和550b移动。由于以螺旋路径移动的电子被困在磁场345b、445b和545b中，可使电子难以逃脱，可增大等离子体中电子的密度。由于这个原因，可在真空室310b、410b和510b中增加电离的氩(Ar+)，也可增大与靶样品334b、334b、534b碰撞的氩(Ar)离子的数量，因此可提高薄膜沉积的效率。
图6A至图6D是通过图5的溅射沉积装置200b来执行制造多层薄膜的方法的过程的视图。
参照图6A至图6D，根据示例性实施例的制造多层薄膜的方法可包括通过等离子体处理改性塑料物体100b的表面、在塑料物体100b上沉积第一层110b、在第一层110b上沉积第二层120b以及在第二层120b上沉积第三层130b。
在塑料物体100b上沉积第一层110b可包括提供硅(Si)作为靶样品334b、注入包括从由氮(N2)和氧(O2)组成的组中选择的至少一种的反应气体、将电源施加到溅射沉积装置200b以及使靶样品334b与反应气体反应。
在第一层110b上沉积第二层120b可包括提供包括从由铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和锡(Sn)组成的组中选择的至少一种的金属材料作为靶样品434b以及将电源施加到溅射沉积装置200b。
在第二层120b上沉积第三层130b可包括提供硅(Si)作为靶样品534b、注入包括从由氮(N2)和氧(O2)组成的组中选择的至少一种的反应气体、将电源施加到溅射沉积装置200b以及使靶样品534b与反应气体反应。
以下，作为示例，将详细地描述制造多层薄膜的方法，所述多层薄膜具有包括在塑料物体100b上的二氧化硅(SiO2)的第一层110b、包括铬(Cr)的第二层120b以及包括二氧化硅(SiO2)的第三层130b。
首先，如图6A中所示，所述方法包括将处理的塑料物体100b移动到溅射沉积装置200b的第一真空室210b以及在合适的条件下通过等离子体辐射来改性塑料物体100b的表面。
在这种情况下，当通过第一电源235b将电提供到枪并接着产生负电场时，可在第一真空室210b中开始放电并且可产生等离子体。对于等离子体的产生过程、放电气体以及电源的描述与图2A相同，将省略重复的描述。
当完成表面的改性时，可通过溅射法来执行在塑料物体100b上沉积多层薄膜。
根据示例性实施例的制造多层薄膜的方法可包括在塑料物体100b上沉积第一层110b、第二层120b和第三层130b。通过使用所述方法，其上沉积有多层薄膜的产品的表面可以是非导电的。
以下，将详细地描述在塑料物体100b上沉积包括二氧化硅(SiO2)的第一层110b。
在二氧化硅(SiO2)的沉积之前，如图6B中所示，可将执行了等离子体处理的塑料物体100b安装在第二真空室310b的上部中，并可将硅(Si)作为靶样品334b提供在第二真空室310b的下部上。
随后，在通过真空泵314b将第二真空室310b维持在真空状态下的同时，可通过调节质量流量计326b将氩(Ar)气和氧(O2)气注入到第二真空室310b的内部中。
通过第二电源335b将电提供到枪330b，可开始放电，可发生诸如上述的反应式1和5的反应，然后可形成氩(Ar)气和氧(O2)气被同时电离的等离子体。
在这种情况下，并非所有的氧(O2)气被电离。一些量的氧(O2)气可以以分子状态存在，其他量的氧(O2)气可以处于电离状态。
具体地，电离的氩离子(Ar+)和电离的氧离子(O+)通过接收电场的力而朝着充当阴极的硅(Si)靶样品334b被吸引并加速。加速的氩离子(Ar+)与硅(Si)靶样品334b碰撞，将能量传输到靶样品334b的表面，然后硅原子(Si)从靶样品334b逸出。
如反应式6(2)中所示，具有高能量的硅原子(Si)可与注入到第二真空室310b的内部中的氧气(O2)反应，然后可形成包括二氧化硅(SiO2)成分的第一层110b。
如反应式7中所示，朝着硅(Si)靶样品334b被吸引并加速的一些氧离子(O+)可与硅(Si)靶样品334b的表面碰撞，可接收电子并且可被中和(反应式7(1))。一些氧离子(O+)可与硅(Si)反应(反应式7(3))，然后还可形成二氧化硅(SiO2)。
第二电源335b可使用DC电源、脉冲DC电源或RF电源。由于当使用DC电源时沉积的层的密度不高，当使用RF电源时二氧化硅(SiO2)的沉积速度慢，因此沉积速率减小，可使用脉冲DC电源作为第二电源335b。另外，可以的是，可调节脉冲DC电源的功率和沉积时间，使得第一层110b形成为具有在1nm至500nm的范围内的厚度。
接着，将详细地描述在第一层110b上沉积包括铬(Cr)的第二层120b。
当形成了第一层110b时，为了在第一层110b上沉积第二层120b，如图6C中所示，塑料物体100b可沿轨道201b移动并且被安装在第三真空室410b中。当其上沉积了第一层110b的塑料物体100b被安装在第三真空室410b中时，可调节真空泵414b，使得第三真空室410b可维持在真空状态下，并可调节质量流量计426b，使得氩(Ar)气可注入到第三真空室410b的内部中。
随后，等离子体以与第一真空室210b相同的方式产生，带正电荷的氩离子(Ar+)与铬(Cr)靶样品434b碰撞，铬(Cr)原子逸出，然后包括铬(Cr)成分的第二层120b被沉积在第一层110b上。
第三电源435b可使用DC电源、脉冲DC电源或RF电源。由于当使用DC电源时沉积的层的密度不高，当使用RF电源时铬原子(Cr)的沉积速度慢，因此沉积速率减小，可使用脉冲DC电源作为第三电源435b。另外，可以的是，可调节脉冲DC电源的功率和沉积时间，使得第二层120b形成为具有在1nm至500nm的范围内的厚度。
接着，将详细地描述在第二层120b上沉积包括二氧化硅(SiO2)的第三层130b。
当形成第二层120b时，为了在第二层120b上沉积第三层130b，如图6D中所示，塑料物体100b可沿轨道201b移动并且被安装在第四真空室510b中。当其上依次沉积了第一层110b和第二层120b的塑料物体100b被安装在第四真空室510b中时，可调节真空泵514b以使得第四真空室510b可维持在真空状态，可调节质量流量计526b，使得氩(Ar)气和氧(O2)气可注入到第四真空室510b的内部中。
第四真空室510b可具有与第二真空室310b的构造相同的构造。因为这个原因，第三层130b可提供为与第一层110b的成分相同的成分。另外，在第二真空室310b中沉积第一层110b可以以与第四真空室510b的方式相同的方式来执行，因此可执行在第二层120b上沉积第三层130b。因此，将省略重复的描述。
第四电源535b可使用DC电源、脉冲DC电源或RF电源。由于当使用DC电源时沉积的层的密度不高，当使用RF电源时铬原子(Cr)的沉积速度慢，因此沉积速率减小，可使用脉冲DC电源作为第四电源535b。另外，可以的是，可调节脉冲DC电源的功率和沉积时间，使得第三层130b形成为具有在1nm至500nm的范围内的厚度。
接着，将描述多层薄膜形成在塑料物体的表面上的塑料构件。
首先，将参照图7描述通过图1的多层薄膜制造装置200制造的塑料构件。
图7是示出根据本公开的示例性实施例的塑料构件的结构的视图。如图7中所示，塑料构件可包括沉积在塑料物体100上的第一层110、沉积在第一层110上的第二层120以及沉积在第二层120上的第三层130。
塑料物体100可由于等离子体处理而更光滑且无外来物质，并且以平面形状或以弯曲形状来提供。
第一层110可包括从由氮化铝(AlN)、氮化铬(CrN)、氮化钛(TiN)、氧化铝(Al2O3)、氧化铬(Cr2O3)和氧化钛(Ti2O3)组成的组中选择的至少一种。第一层110可提供成实施除金属的颜色以外的各种颜色，由光的反射造成的干涉图案可通过调节薄膜厚度的波长来调节，由此实施各种颜色。
第二层120可包括从由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和锡(Sn)组成的组中选择的至少一种。第二层120可提供成实施金属特性，第二层的元素不受上述的示例限制。因此，第二层120可包括具有在本领域技术人员易于促成的范围内的高反射率的材料。
第三层130可包括从由氮化铝(AlN)、氮化铬(CrN)、氮化钛(TiN)、氧化铝(Al2O3)、氧化铬(Cr2O3)和氧化钛(Ti2O3)组成的组中选择的至少一种。第三层130可提供成包括与第一层110相同的成分。第三层130可提供成实施除金属的颜色以外的各种颜色，由光的反射造成的干涉图案可通过调节薄膜厚度的波长来调节，由此实施各种颜色。
塑料构件可以以这样的方式形成，即，第一层110和第三层130形成在具有金属特性的第二层120的相对侧处，其中，执行等离子体处理以使金属与氮(N2)和氧(O2)结合，因此塑料构件可具有非导电性。由于此，塑料构件可具有非导电表面，从而可改善塑料构件中的无线通信质量和感测质量以及包括无线通信装置或传感器的电子产品。
接着，将参照图8来描述通过图3的多层薄膜制造装置200a制造的塑料构件。
图8是示出根据本公开的示例性实施例的塑料构件的结构的视图。如图8中所示，塑料构件可包括沉积在塑料物体100a上的第一层110a、沉积在第一层110a上的第二层120a以及沉积在第二层120a上的第三层130a。在图8中示出的塑料构件的第一层110a成分和第三层130a成分可与在图7的塑料构件不同，但是图8的塑料构件的其余部分可与图7的塑料构件的其余部分相同。以下，将主要描述与图7的塑料构件的差异，将省略相同的构造的描述。
塑料物体100a可由于等离子体处理而更光滑且无外来物质，并且可以以平面形状或以弯曲形状来提供。
第一层110a可包括无机材料，例如，氮化硅(Si3N4)或二氧化硅(SiO2)，并且可包括从由氮化铝(AlN)、氮化铬(CrN)、氮化钛(TiN)、氧化铝(Al2O3)、氧化铬(Cr2O3)和氧化钛(Ti2O3)组成的组中选择的至少一种。第一层110a可提供成实施除金属的颜色以外的各种颜色，可通过调节薄膜厚度的波长来调节由光的反射造成的干涉图案，由此实施各种颜色。
第二层120a可包括从由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和锡(Sn)组成的组中选择的至少一种。第二层120a可提供成在塑料物体100a中实施金属特性，其元素不受上述示例限制。因此，第二层120a可包括具有在本领域技术人员易于促成的范围内的高反射率的材料。
第三层130a可包括无机材料，例如，氮化硅(Si3N4)或二氧化硅(SiO2)，并且可包括从由氮化铝(AlN)、氮化铬(CrN)、氮化钛(TiN)、氧化铝(Al2O3)、氧化铬(Cr2O3)和氧化钛(Ti2O3)组成的组中选择的至少一种。第三层130a可提供成包括与第一层110a相同的成分。第三层130a可提供成实施除金属的颜色以外的各种颜色，可通过调节薄膜厚度的波长来调节由光的反射造成的干涉图案，由此实施各种颜色。
塑料构件可以以这样的方式形成，即，第一层110a和第三层130a形成在具有金属特性的第二层120a的相对侧处，其中，执行等离子体处理以使金属与氮(N2)和氧(O2)结合，因此塑料构件可具有非导电表面。因此，塑料构件可具有非导电表面，从而可改善塑料构件中的无线通信质量和感测质量以及包括无线通信装置或传感器的电子产品。
接着，将参照图9来描述通过图5的多层薄膜制造装置200b制造的塑料构件。
图9是示出根据本公开的示例性实施例的塑料构件的结构的视图。如在图9中所示，塑料构件可包括沉积在塑料物体100b上的第一层110b、沉积在第一层110b上的第二层120b以及沉积在第二层120b上的第三层130b。在图9中示出的塑料构件的第一层110b成分和第三层130b成分可与在图7的塑料构件的第一层110成分和第三层130成分不同，但是图9的塑料构件其余部分可与图7的塑料构件的其余部分相同。以下，将主要描述与图7的塑料构件的差异，将省略相同构造的描述。
塑料物体100b可由于等离子体处理而更光滑且无外来物质，并且可以以平面形状或以弯曲形状来提供。
第一层110b可包括无机材料，例如，氮化硅(Si3N4)或二氧化硅(SiO2)。第一层110b可提供成实施除金属的颜色以外的各种颜色，可通过调节薄膜厚度的波长来调节由光的反射造成的干涉图案，由此实施各种颜色。
第二层120b可包括从由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)和锡(Sn)组成的组中选择的至少一种。第二层120b可提供成在塑料物体100b中实施金属特性，其元素不受上述示例限制。因此，第二层120b可包括具有在本领域技术人员易于促成的范围内的高反射率的材料。
第三层130b可包括无机材料，例如，氮化硅(Si3N4)或二氧化硅(SiO2)。第三层130b可提供成包括与第一层110b相同的成分。第三层130b可提供成实施除金属的颜色以外的各种颜色，可通过调节薄膜厚度的波长来调节由光的反射造成的干涉图案，由此实施各种颜色。
塑料构件可以以这样的方式形成，即，第一层110b和第三层130b形成在具有金属特性的第二层120b的相对侧处，其中，执行等离子体处理以使金属包括无机材料，因此塑料构件可具有非导电表面。因此，塑料构件可具有非导电表面，从而可改善塑料构件中的无线通信质量和感测质量以及包括无线通信装置或传感器的电子产品。
接着，将描述对其应用上述的制造多层薄膜和塑料构件的方法的电子产品。
电子产品可包括壳体和结合到壳体的全部表面或部分表面的多层薄膜。多层薄膜可在塑料壳体的表面上实施深度的金属质感，可将与上述的结构相同的结构应用于多层薄膜。
例如，如图7中所示，根据示例性实施例的多层薄膜可结合到壳体的所有或部分表面，并且可包括第一层110、结合到第一层110的第二层120以及结合到第二层120的第三层130。另外，如图8中所示，包括在电子产品中的多层薄膜可包括第一层110a、结合到第一层110a的第二层120a以及结合到第二层120a的第三层130a，可选择地，如图9中所示，多层薄膜可包括第一层110b、结合到第一层110b的第二层120b以及结合到第二层120b的第三层130b。将省略如图7至图9中所示的与多层薄膜的结构及其成分有关的重复描述。以下，为了便于描述，将描述在图7中示出的包括多层薄膜的多个电子产品。可理解的是，图8的多层薄膜和图9的多层薄膜可用于前述的电子产品。
由于壳体是以盒子形状包围所有机械装置的诸如容纳部件的壳、容纳设备的框架等的部件，因此壳体可包括配件。另外，壳体的配件可定义为诸如TV的边框单元、TV的支架、通信装置的边框单元的包括壳体的形成外部的部件的概念，或者包括电子产品的部件的概念。
以下，将参照附图详细地描述根据示例性实施例的电子产品。
图10是作为根据本公开的示例性实施例的电子产品的示例的具有由其表面上沉积有图7中示出的多层薄膜的壳体形成的外部的电视机(TV)600的视图。
多层薄膜可包括第一层110、第二层120和第三层130。
TV600可包括形成有多层薄膜的边框单元610和包括形成有多层薄膜的支架单元620a、620b和620c的支架620。形成在边框单元610上的多层薄膜和支架单元620a、620b和620c可以是非导电的，从而可改善提供在TV600上的传感器的感测效率。另外，形成在边框单元610上的多层薄膜和支架单元620a、620b和620c可改善提供在TV600中的无线通信装置的无线通信效率。
图11是作为根据本公开的示例性实施例的电子产品的示例的包括其表面上沉积有图7中示出的多层薄膜的壳体的通信装置700的透视图，图12是示出图11的后侧的后视图。
多层薄膜可包括第一层110、第二层120和第三层130。
通信装置700的外部可通过壳体来形成。可理解的是，包括通信装置700的边框单元710和通信装置700的壳单元720的壳体是广义的概念。形成在壳体上的多层薄膜可提供为非导电的，从而可改善通信装置700的无线通信效率。另外，形成在壳体上的多层薄膜可改善提供在通信装置700中的传感器的感测效率。
图13是作为根据本公开的示例性实施例的电子产品的示例的具有由其表面上沉积有图7中示出的多层薄膜的壳体形成的外部的洗衣机800的视图。
多层薄膜可包括第一层110、第二层120和第三层130。
洗衣机800的外部可通过壳体810来形成，洗衣机800通过提供在其上部上的门811而可以是可打开的。可理解的是，包括门811的壳体810是广义概念，形成在壳体810上的多层薄膜可提供为非导电的，从而可改善提供在洗衣机800中的传感器的感测效率。另外，形成在壳体810上的多层薄膜可改善提供在洗衣机800上的无线通信装置的无线通信效率。
图14是作为根据本公开的示例性实施例的电子产品的示例的具有由其表面上沉积有图7中示出的多层薄膜的壳体形成的外部的冰箱900的视图。
多层薄膜可包括第一层110、第二层120和第三层130。
冰箱900的外部可通过壳体910来形成，冰箱900通过提供在其前表面上的门911而可以是可打开的。可理解的是，包括门911的壳体910是广义概念，形成在壳体910上的多层薄膜可提供为非导电的，从而可改善提供在冰箱900中的传感器的感测效率。另外，形成在壳体910上的多层薄膜可改善提供在冰箱900上的无线通信装置的无线通信效率。
通过上面的描述明显的是，根据提出的多层薄膜、制造所述多层薄膜的方法以及包括所述多层薄膜的电子产品，非导电多层薄膜可形成在电子产品的壳体的表面上。
另外，无线通信质量和感测质量可由于形成在电子产品的壳体的表面上的非导电多层薄膜而得到改善。
另外，电子产品的壳体的表面可通过具有非导电性和各种颜色的多层薄膜来形成。
另外，金属质感可通过使用溅射沉积装置而由纯的干法来实施，因此多层薄膜可环保地形成。
虽然已经示出和描述了本公开的一些示例性实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离本公开的原理和精神的情况下，可在这些示例性实施例中作出改变，本公开的范围限定在权利要求及其等同物中。

Claims (15)

1.一种多层薄膜，所述多层薄膜包括：
第一层，包括非导电材料，第一层结合到物体；
第二层，包括金属材料，第二层结合到第一层；以及
第三层，包括非导电材料，第三层结合到第二层。
2.如权利要求1所述的多层薄膜，其中，第一层包括从由氮化铝、氮化铬、氮化钛、氧化铝、氧化铬、氮化硅、二氧化硅和氧化钛组成的组中选择的至少一种。
3.如权利要求1所述的多层薄膜，其中，第三层包括从由氮化铝、氮化铬、氮化钛、氧化铝、氧化铬、氮化硅、二氧化硅和氧化钛组成的组中选择的至少一种。
4.如权利要求1所述的多层薄膜，其中，第二层包括从由铝、铬、钛和硅组成的组中选择的至少一种。
5.如权利要求1所述的多层薄膜，其中，第一层、第二层和第三层分别通过被等离子体处理来沉积。
6.一种制造多层薄膜的方法，所述方法包括下述步骤：
在物体上沉积第一层，第一层是非导电的；
在第一层上沉积第二层，第二层是金属的；
在第二层上沉积第三层，第三层是非导电的。
7.如权利要求6所述的方法，其中，在物体上沉积第一层的步骤包括：
在多层薄膜制造装置中提供包括从由铝、铬、钛和硅组成的组中选择的至少一种的靶样品，
将包括氮和氧的反应气体注入到多层薄膜制造装置中，
将电源施加到多层薄膜制造装置，以及
使靶样品与反应气体反应。
8.如权利要求6所述的方法，其中，在第一层上沉积第二层的步骤包括：
在多层薄膜制造装置中提供包括从由铝、铬、钛和硅组成的组中选择的至少一种的靶样品，以及
将电源施加到多层薄膜制造装置。
9.如权利要求6所述的方法，其中，在第二层上沉积第三层的步骤包括：
在多层薄膜制造装置中提供包括从由铝、铬、钛和硅组成的组中选择的至少一种的靶样品，
将包括氮和氧的反应气体注入到多层薄膜制造装置中，
将电源施加到多层薄膜制造装置，以及
使靶样品与反应气体反应。
10.如权利要求6所述的方法，所述方法还包括：通过等离子体处理来改性物体的表面，其中，物体是塑料材料。
11.如权利要求10所述的方法，其中，在物体上沉积第一层的步骤之前，执行通过等离子体处理改性物体的表面。
12.一种电子产品，所述电子产品包括：
壳体；以及
结合到壳体的一部分表面的多层薄膜，
其中，多层薄膜包括结合到壳体的第一层、结合到第一层的第二层以及结合到第二层的第三层，
其中，第一层和第三层包括非导电材料，第二层是金属的。
13.如权利要求12所述的电子产品，其中，第一层包括从由氮化铝、氮化铬、氮化钛、氧化铝、氧化铬、氮化硅、二氧化硅和氧化钛组成的组中选择的至少一种。
14.如权利要求12所述的电子产品，其中，第三层包括从由氮化铝、氮化铬、氮化钛、氧化铝、氧化铬、氮化硅、二氧化硅和氧化钛组成的组中选择的至少一种。
15.如权利要求12所述的电子产品，其中，第二层包括从由铝、铬、钛和硅组成的组中选择的至少一种。
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