CN105762207A - 一种窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法 - Google Patents
一种窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105762207A CN105762207A CN201610190103.8A CN201610190103A CN105762207A CN 105762207 A CN105762207 A CN 105762207A CN 201610190103 A CN201610190103 A CN 201610190103A CN 105762207 A CN105762207 A CN 105762207A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thin film
- band gap
- sb2s3
- solution
- narrow band
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052959 stibnite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 7
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 7
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 claims abstract description 4
- 229940026189 antimony potassium tartrate Drugs 0.000 claims abstract description 3
- WBTCZEPSIIFINA-MSFWTACDSA-J dipotassium;antimony(3+);(2r,3r)-2,3-dioxidobutanedioate;trihydrate Chemical compound O.O.O.[K+].[K+].[Sb+3].[Sb+3].[O-]C(=O)[C@H]([O-])[C@@H]([O-])C([O-])=O.[O-]C(=O)[C@H]([O-])[C@@H]([O-])C([O-])=O WBTCZEPSIIFINA-MSFWTACDSA-J 0.000 claims abstract description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 3
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000003788 bath preparation Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000001741 organic sulfur group Chemical group 0.000 description 1
- IIQJBVZYLIIMND-UHFFFAOYSA-J potassium;antimony(3+);2,3-dihydroxybutanedioate Chemical compound [K+].[Sb+3].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O IIQJBVZYLIIMND-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002061 vacuum sublimation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法,溶液中含有摩尔比为10:(9?80)的酒石酸锑钾和硫代硫酸钠,溶液的pH值介于4?4.5之间,溶液经搅拌超声后用水热法在ITO玻璃基底上直接制备出了附着力良好的Sb2S3薄膜,然后在惰性气氛保护条件下于250oC?550oC下恒温,得到窄带隙Sb2S3半导体薄膜。本发明提供的方法中新型镀液对环境友好,直接在ITO玻璃基底上制备出来了Sb2S3半导体薄膜,并且其带隙较窄,适合作为薄膜太阳能电池的吸收层材料。
Description
技术领域
本发明属于光电材料领域,具体涉及可用作薄膜太阳能电池吸收层材料的窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法。
背景技术
Sb2S3是一种典型的过渡金属硫族化合物,它是典型的V-VI族化合物,是一种非常重要的直接带隙无机半导体。它的带隙值为1.5eV~2.2eV,同时,Sb2S3在波长小于900nm的范围内,呈现出较高的光吸收系数(α≈105cm-1)。Sb2S3对太阳光光谱的响应范围较宽,体现出优异的光敏性能。作为一种很有潜力的半导体材料,Sb2S3因为具有上述的物理特性及半导体属性,使其成为极具发展潜力的光电材料,这些优异的光电性能和热电性能,促进了其在影像技术、开关器件、微波器件、热电器件和光电器件太阳能电池等领域得到了越来越广泛的应用。作为无机半导体薄膜太阳电池吸收层材料的Sb2S3半导体薄膜成为了近年来的研究热点之一,将其用作吸收层材料,有利于提高电池的开路电压、短路电流,从而提高光电转化效率。
目前,已报道的用于制备不同形貌的Sb2S3晶体的方法有很多,包括化学浴法、连续离子层吸附反应法、电沉积法、真空热蒸发法、喷雾热解法、溶剂热法以及水热法等等。其中,水热法由于其重复性好、可操作性强等优点而得到了广泛的应用和关注。
但是已报道的水热法制备Sb2S3材料存在以下缺点:1)制备的Sb2S3材料一般为粉末状,在组装太阳能电池的过程中还需要旋涂或者喷涂的方法,使其在基底上成膜;2)溶液体系中常用SbCl3提供Sb3+,但SbCl3很容易水解导致体系不稳定,所以需要额外加入一些以柠檬酸、酒石酸和EDTA等为代表的络合剂或者以丙酮等为代表的有机溶剂来促进SbCl3的溶解,从而保证体系的稳定性,而这些溶剂对环境造成污染;3)溶液体系中常用硫代乙酰胺、硫脲为硫源,这些有机硫源在反应过程中均散发出刺激性很强的氨,对环境污染很大,造成工作环境恶劣。4)已有的水热法制备的Sb2S3材料带隙值高于太阳能电池吸收层的最优带隙值1.5eV,使其对太阳光的吸收效率降低。
虽然已有报道了Sb2S3半导体薄膜的化学浴制备方法,但是存在以下缺点:1)溶液用有机溶剂丙酮来溶解SbCl3,对环境污染大;2)制备出来的薄膜未达到均匀连续,降低了对太阳光的吸收效率;3)制备出来的薄膜带隙值为2.30eV,大大高于太阳能电池吸收层的最优带隙值1.5eV,不利于作为太阳能电池的吸收层材料。
因此,为了得到高品质的无机半导体薄膜太阳能电池用窄带隙Sb2S3半导体薄膜,必须研究一种新颖的溶液体系以及能够直接成膜的方法。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供一种窄带隙Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法。
本发明采用如下技术方案,一种窄带隙Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法,包括以下步骤:
(1)配制溶液:在溶液中加入硫源和锑源,其中Sb3+和S2O3 2-的摩尔比为10:(9-80)的,溶液的pH值介于4-4.5之间;
(2)在步骤(1)配制好的溶液经搅拌超声后,用水热法在ITO玻璃基底上直接制备Sb2S3半导体薄膜,水热温度控制在120-210oC,水热时间控制在1-12h;
(3)将步骤(2)制备出的Sb2S3薄膜,置于惰性气氛保护条件下,于250-550oC下恒温退火。
在本发明的优选的实施方式中,所述的锑源为酒石酸锑钾(KSbC4H4O7·1/2H2O),所述硫源为硫代硫酸钠(Na2S2O3·5H2O)。
在本发明的优选的实施方式中,所述的惰性气氛为氮气和/或氩气气氛。
本发明还保护上述水热制备方法制备得到的Sb2S3半导体薄膜,其带隙在1.63-1.73eV之间。
与现有技术相比较,本发明方法具有以下有益效果:
1)本发明溶液中采用了一种新型的组合方式:用酒石酸锑钾来取代传统的SbCl3锑源,用硫代硫酸钠来取代传统的硫代乙酰胺、硫脲为硫源。不需要任何添加剂或有机溶剂即可得到均一、环境友好的溶液。通过对水热制备方法工艺条件的精确控制,利用水热制备方法制备出了Sb2S3半导体薄膜。
2)在ITO玻璃基底上直接制备出了Sb2S3半导体薄膜,且薄膜均匀连续。
3)本发明中得到的Sb2S3半导体薄膜经退火处理后变成了结晶性好、窄带隙的Sb2S3半导体薄膜,适于用作无机半导体太阳能电池吸收层材料。
附图说明
以下结合附图对本发明作进一步说明:
图1:水热法制备的Sb2S3半导体薄膜在250oC退火前后的X射线衍射图;
图2:水热法制备的Sb2S3半导体薄膜在250oC退火后的扫描电子显微镜照片;
图3:水热法制备的Sb2S3半导体薄膜在250oC退火后的吸收光谱图;
图4:水热法制备的Sb2S3半导体薄膜在250oC退火后的(αhν)2-(hν)图;
图5:水热法制备的Sb2S3半导体薄膜在450oC退火后的X射线衍射图;
图6:水热法制备的Sb2S3半导体薄膜在450oC退火后的扫描电子显微镜照片;
图7:水热法制备的Sb2S3半导体薄膜在450oC退火后的吸收光谱图;
图8:水热法制备的Sb2S3半导体薄膜在450oC退火后的(αhν)2-(hν)图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,而不构成对本发明的限制。
实施例1
1)依次称取0.334gKSbC4H4O7·1/2H2O,0.496gNa2S2O3·5H2O(所用试剂均为分析纯,摩尔比为10:20)溶于100mL水溶液中,搅拌均匀后超声5min。
2)将步骤1)中配制的溶液转移到水热釜的聚四氟乙烯内胆中,以预处理后的ITO玻璃为基底,将其导电面朝下,斜放在聚四氟乙烯内胆中。把水热釜和聚四氟乙烯内胆密封后,将水热釜的温度控制在150oC,水热时间控制在8h,得到附着力良好的橙红色Sb2S3半导体薄膜。图1的X射线衍射结果表明该薄膜仅有微弱的Sb2S3的衍射峰,表明其结晶性较差的结构。
3)在氩气保护条件下,将上述的Sb2S3半导体薄膜置于管式炉内在250oC下恒温60min后,将薄膜取出。图1的X射线衍射结果表明得到的是纯净的正交晶系的Sb2S3薄膜。图2的扫描电镜照片表明得到的薄膜是均匀连续的。图3的吸收光谱结果表明得到的薄膜在可见光区具有良好的吸光性。根据图4的(αhν)2-(hν)结果可见得到的薄膜带隙为1.73eV,可较好地满足太阳能电池对吸收层材料的要求。
实施例2
1)依次称取0.334gKSbC4H4O7·1/2H2O,0.496gNa2S2O3·5H2O(所用试剂均为分析纯,摩尔比为10:20)溶于100mL水溶液中,搅拌均匀后超声5min。
2)将步骤1)中配制的溶液转移到水热釜的聚四氟乙烯内胆中,以预处理后的ITO玻璃为基底,将其导电面朝下,斜放在聚四氟乙烯内胆中。把水热釜和聚四氟乙烯内胆密封后,将水热釜的温度控制在150oC,水热时间控制在8h,得到附着力良好的橙红色Sb2S3半导体薄膜。
3)在氩气保护条件下,将上述的Sb2S3半导体薄膜置于管式炉内在450oC下恒温60min后,将薄膜取出。图5的X射线衍射结果表明得到的是由正交晶系和不常见的Sb2S3未命名相组成的混合相Sb2S3薄膜。图6的扫描电镜照片表明得到的薄膜是均匀连续的。图7的吸收光谱结果表明得到的薄膜在可见光区具有良好的吸光性。根据图8的(αhν)2-(hν)结果可见得到的薄膜带隙为1.63eV,满足太阳能电池对吸收层材料的要求。
以上具体实施方式描述了本发明的基本原理和主要特征。本行业的技术人员应该了解,本发明的保护范围不受上述实施例的限制,任何不经过创造性劳动想到的变化或者替换,都应该涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
Claims (4)
1.一种窄带隙Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)配制溶液:在溶液中加入硫源和锑源,其中Sb3+和S2O3 2-的摩尔比为10:(9-80)的,溶液的pH值介于4-4.5之间;
(2)在步骤(1)配制好的溶液经搅拌超声后,用水热法在ITO玻璃基底上直接制备Sb2S3半导体薄膜,水热温度控制在120-210oC,水热时间控制在1-12h;
(3)将步骤(2)制备出的Sb2S3薄膜,置于惰性气氛保护条件下,于250-550oC下恒温退火。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的锑源为酒石酸锑钾,所述硫源为硫代硫酸钠。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的惰性气氛为氮气和/或氩气气氛。
4.权利要求1-3所述的方法制备得到的Sb2S3半导体薄膜,其特征在于,其带隙在1.63-1.73eV之间。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610190103.8A CN105762207B (zh) | 2016-03-30 | 2016-03-30 | 一种窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610190103.8A CN105762207B (zh) | 2016-03-30 | 2016-03-30 | 一种窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105762207A true CN105762207A (zh) | 2016-07-13 |
CN105762207B CN105762207B (zh) | 2017-11-03 |
Family
ID=56346780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610190103.8A Active CN105762207B (zh) | 2016-03-30 | 2016-03-30 | 一种窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105762207B (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105932114A (zh) * | 2016-07-19 | 2016-09-07 | 福建师范大学 | 基于水浴和后硒化制备太阳能电池吸收层薄膜的方法 |
CN107068797A (zh) * | 2017-04-11 | 2017-08-18 | 重庆文理学院 | 薄膜太阳能电池及其制备方法 |
CN109802010A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-05-24 | 福建师范大学 | 一种可循环化学浴法制备太阳能电池吸收层Sb2S3薄膜的方法 |
CN110436511A (zh) * | 2019-09-10 | 2019-11-12 | 安徽锦华氧化锌有限公司 | 一种网状结构纳米氧化锌的制备方法 |
CN110635051A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-31 | 中国科学技术大学 | 太阳能电池组件及其制作方法 |
CN115417454A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-12-02 | 武汉大学 | Sb2S3薄膜的制备方法及太阳能电池 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1884097A (zh) * | 2006-06-02 | 2006-12-27 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 硫化锑纳-微米线及其阵列的制备方法 |
US20110256656A1 (en) * | 2011-06-07 | 2011-10-20 | Jiaxiong Wang | Chemical Bath Deposition Apparatus for Fabrication of Semiconductor Films through Roll-to-Roll Processes |
CN105023757A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-11-04 | 三峡大学 | 一种锡掺杂Sb2S3薄膜材料及其制备方法 |
CN105244445A (zh) * | 2015-11-17 | 2016-01-13 | 青岛大学 | 一种杂化异质结太阳能电池的制备方法 |
-
2016
- 2016-03-30 CN CN201610190103.8A patent/CN105762207B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1884097A (zh) * | 2006-06-02 | 2006-12-27 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 硫化锑纳-微米线及其阵列的制备方法 |
US20110256656A1 (en) * | 2011-06-07 | 2011-10-20 | Jiaxiong Wang | Chemical Bath Deposition Apparatus for Fabrication of Semiconductor Films through Roll-to-Roll Processes |
CN105023757A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-11-04 | 三峡大学 | 一种锡掺杂Sb2S3薄膜材料及其制备方法 |
CN105244445A (zh) * | 2015-11-17 | 2016-01-13 | 青岛大学 | 一种杂化异质结太阳能电池的制备方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105932114A (zh) * | 2016-07-19 | 2016-09-07 | 福建师范大学 | 基于水浴和后硒化制备太阳能电池吸收层薄膜的方法 |
CN107068797A (zh) * | 2017-04-11 | 2017-08-18 | 重庆文理学院 | 薄膜太阳能电池及其制备方法 |
CN109802010A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-05-24 | 福建师范大学 | 一种可循环化学浴法制备太阳能电池吸收层Sb2S3薄膜的方法 |
CN109802010B (zh) * | 2019-01-23 | 2020-11-03 | 福建师范大学 | 一种可循环化学浴法制备太阳能电池吸收层Sb2S3薄膜的方法 |
CN110436511A (zh) * | 2019-09-10 | 2019-11-12 | 安徽锦华氧化锌有限公司 | 一种网状结构纳米氧化锌的制备方法 |
CN110436511B (zh) * | 2019-09-10 | 2021-12-10 | 安徽锦华氧化锌有限公司 | 一种网状结构纳米氧化锌的制备方法 |
CN110635051A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-31 | 中国科学技术大学 | 太阳能电池组件及其制作方法 |
CN110635051B (zh) * | 2019-09-23 | 2021-07-06 | 中国科学技术大学 | 太阳能电池组件及其制作方法 |
CN115417454A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-12-02 | 武汉大学 | Sb2S3薄膜的制备方法及太阳能电池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105762207B (zh) | 2017-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105762207B (zh) | 一种窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法 | |
US4642140A (en) | Process for producing chalcogenide semiconductors | |
CN106917068B (zh) | 基于磁控溅射和后硒化制备太阳能电池吸收层Sb2Se3薄膜的方法 | |
Tombak et al. | Solar cells fabricated by spray pyrolysis deposited Cu2CdSnS4 thin films | |
CN105932114A (zh) | 基于水浴和后硒化制备太阳能电池吸收层薄膜的方法 | |
TW200937644A (en) | Improved photovoltaic device with solution-processed chalcogenide absorber layer | |
TWI421214B (zh) | Ibiiiavia族非晶相化合物及應用於薄膜太陽能電池之ibiiiavia族非晶相前驅物的製造方法 | |
CN105870337A (zh) | 一种高度平整致密钙钛矿薄膜材料的制备及其应用 | |
CN110504363A (zh) | 一种全无机钙钛矿太阳能电池制备方法 | |
CN105810831A (zh) | 一种铅锡混合钙钛矿薄膜、其制备方法及应用 | |
CN110676385A (zh) | 一种基于多功能界面修饰层的碳基钙钛矿太阳能电池 | |
CN104465810B (zh) | 具有上转换层的铜锌锡硫硒类薄膜太阳能电池的制备方法 | |
CN109817735B (zh) | 溶液法制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池 | |
CN109686817A (zh) | 一种AgBiS2半导体薄膜的制备方法 | |
CN110660914B (zh) | 一种低温原位控制合成碘铋铜三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法 | |
JP5171724B2 (ja) | 光エネルギー変換触媒及びその作製方法 | |
CN110571286B (zh) | 一种上转化稀土氟化物与氧化铜复合电极的制备方法 | |
US9502600B2 (en) | Inorganic solution and solution process for electronic and electro-optic devices | |
CN103668361B (zh) | 一种用于光伏发电系统的光伏电池的铜铟锌硒薄膜的制备方法 | |
Gupta et al. | Non-toxic solution processed Cu2ZnSn (SSe) 4 thin films for photovoltaic Applications: A review | |
CN102912322B (zh) | 一种化学浴沉积并硫化制备二硫化铁薄膜的方法 | |
CN102024858B (zh) | 油墨、薄膜太阳能电池及其制造方法 | |
Patel et al. | Recent Developments in Cu2 (CZTS) Preparation, Optimization and its Application in Solar Cell Development and Photocatalytic Applications | |
CN109273541B (zh) | 一种双钙钛矿柔性铁电薄膜及其制备方法 | |
CN106910824B (zh) | 一种基于带隙可调空穴传输层的有机光伏电池及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |