CN105759527A - 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板，所述阵列基板包括：基板；多晶硅薄膜，位于所述基板上，所述多晶硅薄膜包括多条沿第一方向延伸的第一边界；以及多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括在所述多晶硅薄膜中形成的沟道，每个所述沟道在第二方向上的长度L＝NP，其中，N为大于0的整数，P为相邻所述第一边界的间隔，所述第二方向垂直于所述第一方向。本发明提供的阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板提高第一薄膜晶体管的晶化均一性，进而提高显示面板显示效果。

Description

阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板。
背景技术
现有的显示面板利用诸如薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)的开关元件来对诸如OLED(OrganicLight-EmittingDiode)、LCD(LiquidCrystalDisplay)的发光单元进行控制。然而，显示面板中TFT元件的制备通常在基板上形成用作TFT元件的沟道的多晶硅薄膜，以使得TFT元件具有开关控制的效果。目前，多晶硅薄膜制备的主流技术为准分子激光退火技术(ELA，ExcimerLaserAnnealing)。准分子激光退火技术利用激光光束对非晶硅层进行扫描使得非晶硅层结晶成为多晶硅薄膜。然而，采用准分子激光退火技术时，多晶硅薄膜具有周期性晶化变化的特点，并在准分子激光退火技术的激光光束扫描方向上形成多条边界。
具体参见图1，现有技术制备TFT元件时，通常未考虑多晶硅薄膜的周期性晶化变化的特点，例如，一些TFT的沟道133B不穿过边界131，一些TFT的沟道133A平行于边界并与边界部分重叠。这样的设置会导致TFT元件上的电流差异，并容易在点亮发光元件后形成水平或垂直线性云纹(Mura)。
发明内容
本发明为了克服上述现有技术存在的缺陷，提供一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板，其能够提高第一薄膜晶体管的晶化均一性。
本发明提供一种阵列基板，包括：基板；多晶硅薄膜，位于所述基板上，所述多晶硅薄膜包括多条沿第一方向延伸的第一边界；以及多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括在所述多晶硅薄膜中形成的沟道，每个所述沟道在第二方向上的长度L＝NP，其中，N为大于0的整数，P为相邻所述第一边界的间隔，所述第二方向垂直于所述第一方向。
根据本发明的又一个方面，还提供一种显示面板，包括：上述的阵列基板；以及多个显示元件，位于所述阵列基板上。
根据本发明的又一个方面，还提供一种显示装置，包括如上述的显示面板。
根据本发明的另一个方面，还提供一种阵列基板的制造方法，包括：在基板上形成非晶硅层；采用多次准分子激光退火工艺，使得所述非晶硅层形成多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜包括沿第一方向延伸的多条第一边界；形成多个第一薄膜晶体管，其中，利用所述多晶硅薄膜形成多个所述第一薄膜晶体管的沟道，每个所述沟道在第二方向上的长度L＝NP，其中，N为大于0的整数，P为相邻第一边界之间的距离，所述第二方向垂直于所述第一方向。
与现有技术相比，本发明通过使第一薄膜晶体管的沟道在第二方向上的长度L＝NP，各个沟道在第二方向上跨过相同数量的晶化变化的周期，使得每个第一薄膜晶体管上的晶化缺陷程度相等，提高第一薄膜晶体管的晶化均一性，进而提高第一薄膜晶体管的性能，改善显示面板由于第一薄膜晶体管性能差异所产生的水平或垂直线性云纹。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1示出了现有技术的阵列基板的示意图。
图2至图4示出了采用准分子激光退火技术沿Y方向扫描所形成的多晶硅薄膜示意图。
图5示出了采用准分子激光退火技术形成边界的原理图。
图6示出了采用准分子激光退火技术沿X方向和Y方向扫描所形成的多晶硅薄膜示意图。
图7示出了根据本发明实施例的阵列基板的示意图。
图8示出了根据本发明实施例的沟道及现有技术沟道的示意图。
图9示出了根据本发明另一种实施例的阵列基板示意图。
图10示出了根据本发明实施例的阵列基板的截面图。
图11示出了根据本发明实施例的阵列基板制作方法的流程图。
图12示出了根据本发明实施例的显示面板的截面图。
图13示出了根据本发明实施例的显示面板制作方法的流程图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员应意识到，没有特定细节中的一个或更多，或者采用其它的方法、组元、材料等，也可以实践本发明的技术方案。在某些情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明。
本发明的附图仅用于示意相对位置关系，附图中元件的大小并不代表实际大小的比例关系。
首先，具体参见图2至图4，图2至图4示出采用准分子激光退火技术沿Y方向(第二方向)扫描所形成的多晶硅薄膜130示意图。由于准分子激光退火技术的准分子激光光束110具有一定形状，每次执行准分子激光退火工艺时，准分子激光光束110只能作用于非晶硅薄膜的部分区域，并且准分子激光退火技术的准分子激光光束110为矩形，准分子激光光束110的宽度(沿第一方向延伸)远大于长度(沿第二方向延伸)。因此，非晶硅薄膜实际在扫描时被划分为多个区域，每次执行准分子激光退火工艺时，准分子激光光束110扫描一个区域以形成第一结晶区域130A。第一结晶区域扫描完后，准分子激光光束110沿Y方向步进，继续扫描下个区域以形成第二结晶区域130B。每个结晶区域的形状的沿第一方向延伸的长度与准分子激光光束110的沿第一方向延伸的长度大约相同，每个结晶区域的形状的沿第二方向延伸的长度小于准分子激光光束110的沿第二方向延伸的长度。准分子激光光束110扫描完一个区域后步进的距离小于等于准分子激光光束110的长度(沿第二方向延伸)。依照这样的方式，扫描基板上的整个非晶硅薄膜形成的多个结晶区域，多个结晶区域构成多晶硅薄膜130。
进一步地，参见图5，图5示出示出了采用准分子激光退火技术形成边界的原理图。根据图5，当利用准分子激光光束110扫描一区域的非晶硅薄膜时，由于准分子激光光束110边缘的能量小于阈值能量，进而在扫描非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜130时，在准分子激光光束110的能量小于阈值能量的部分形成表示晶化缺陷区的边界131，同时在结晶区域内的晶粒(未示出)的大小、形状也会周期性晶化不均的问题。
结合图5所示的准分子激光退火技术形成边界的原理，继续说明图2至图4所示的多晶硅薄膜130。由于每次执行准分子激光退工工艺时，在结晶区域的边缘会形成沿X方向(第一方向，垂直于Y方向)延伸的第一边界(晶化缺陷区)131。相邻结晶区域的边缘部分晶化缺陷区共同构成一个第一边界131。由此，在多晶硅薄膜130上形成多个沿X方向延伸的第一边界131。相邻第一边界131之间的间隔P与一个结晶区域的宽度相等。换言之，相邻第一边界131之间的间隔P与准分子激光光束110沿Y方向每次步进的距离相等。在本文中，相邻第一边界131之间的间隔P指的是两个第一边界131的中点之间的距离。
在一些变化例中，基板上非晶硅薄膜的宽度大于准分子激光光束110的宽度，因此，准分子激光光束还需在X方向上扫描。如图6所示，在如图2至图5所示的方式形成第一结晶区域130A、第二结晶区域130B及沿Y方向排列的多个结晶区域后，在第一结晶区域130A处沿X方向移动准分子激光光束，并对非晶硅层的另一区域再次执行准分子激光退火工艺，以形成第三结晶区域130C，从而在第一结晶区域130A和第三结晶区域130C的边缘部分形成沿Y方向延伸的第二边界132。其中，第二边界132的形成原理与第一边界131的形成原理相同。然后，沿Y方向移动准分子激光光束，并对非晶硅层的另一区域再次执行准分子激光退火工艺，以形成第四结晶区域130D，从而在第三结晶区域130C和第四结晶区域130D的边缘部分形成沿X方向延伸的第一边界131，以及在第二结晶区域130B和第四结晶区域130D的边缘部分形成沿Y方向延伸的第二边界132。重复执行形成第四结晶区域的步骤，以形成多个结晶区域。
在本实施例中，在第三结晶区域130C和第四结晶区域130D的边缘部分形成的沿X方向延伸的第一边界131，与在第一结晶区域130A和第二结晶区域130B的边缘部分形成的沿X方向延伸的第一边界131大约在在一条直线上。在第一结晶区域130A和第三结晶区域130C的边缘部分形成的沿Y方向延伸的第二边界132，与在第二结晶区域130B和第四结晶区域130D的边缘部分形成的沿Y方向延伸的第二边界132大约在在一条直线上。以此类推，进而形成如图6所示的多条沿X方向延伸的第一边界131，及一条沿Y方向延伸的第二边界132。
本领域技术人员可以理解，由于准分子激光光束在Y方向(第二方向)上的长度小于准分子激光光束在所述X方向(第一方向)上的长度，因此，若形成多个第二边界，相邻第一边界131之间的间隔远小于相邻第二边界132之间的间隔。在基板上的非晶硅薄膜的(沿Y方向)宽度并未远大于非晶硅薄膜的(沿X方向)长度的情况下，所形成的第一边界131的数量也远大于所形成的第二边界132的数量。
由于准分子激光光束的能量变化，这些表示晶化缺陷区的边界(包括第一边界131和第二边界132)在准分子激光光束的扫描方向上以边界间隔周期性出现，同时结晶区域内的晶粒(未示出)的大小、形状也会有以边界间隔周期性晶化不均的问题，并使得沟道位于不同位置薄膜晶体管的性能有所差异，进而影响显示面板的显示效果。同时，由于第一边界131的数量和间距，第一边界131更容易对薄膜晶体管产生影响。
为了改善现有技术中各薄膜晶体管性能差异的问题，本发明提供一种阵列面板及其制造方法。首先参见图7及图8，图7示出了根据本发明实施例的阵列基板的示意图。图8示出了根据本发明实施例的沟道及现有技术沟道的示意图。在图7中，阵列基板包括基板、位于基板上的多晶硅薄膜和多个薄膜晶体管141及142。基板可以是玻璃基板或树脂复合材料构成的基板。
多晶硅薄膜经准分子激光退火工艺形成在基板上，并包括沿X方向延伸的第一边界131(多晶硅薄膜如图4所示)。薄膜晶体管141及142可以是顶栅型薄膜晶体管，也可以是底栅型薄膜晶体管。薄膜晶体管141及142包括栅极、源极、漏极和在多晶硅薄膜中形成的沟道134及135。对于每个薄膜晶体管，当在漏极和栅极上施加高电平，栅极和源极之间的电压Vgs大于或者等于阈值电压Vth时，沟道134及135中靠近栅极表面的迁移电子在漏极和源极之间导通形成沟道电流。
多个第一薄膜晶体管(如薄膜晶体管141)的沟道134在Y方向上的长度L＝NP，其中，N为大于0的整数，P为相邻第一边界的间隔。其中，相邻第一边界131之间的间隔P指的是两个第一边界131的中点之间的距离。换言之，相邻第一边界131之间的间隔P也可以认为是两个第一边界131的上边沿之间的距离(如图8所示)。通过这样的方式，使得各个沟道134在Y方向上跨过相同数量的结晶区域。换言之，各个沟道在Y方向上跨过相同数量的晶化变化(包括第一边界131的晶化缺陷区的晶化变化及结晶区域内晶粒136的大小形状的晶化变化)的周期(以第一边界131之间的间隔P为周期)，使得每个薄膜晶体管141上的晶化缺陷程度相等，进而提高第一薄膜晶体管的晶化均一性。
在本实施例中，薄膜晶体管141的沟道134在Y方向上的长度L＝P。各沟道134在X方向上的长度D大约相等，来均化X方向上的晶化差异。在一些变化例中，薄膜晶体管141的沟道134在Y方向上的长度L可以等于2P、3P或4P，薄膜晶体管141的沟道134在Y方向上的长度L可以依据阵列基板的大小、像素数量、薄膜晶体管的大小而定。
而现有技术的沟道133(如图8所示)为沿X方向延伸，由于未考虑到多晶硅薄膜的晶化缺陷周期性变化的特点，会造成具有沟道133的多个薄膜晶体管的性能有所差异。
在本实施例中，薄膜晶体管141的沟道134为直线型沟道，直线型沟道的延伸方向与Y方向成角度，所成角度大于0度小于90度。在一些变化例中，直线型沟道的延伸方向也可以平行于Y方向。
在本实施例中，阵列基板还包括多条栅极线(如S1、S2所示)、多条数据线(如D1、D2所示)以及多个像素区。多条数据线与多条栅极线交叉绝缘。每个像素区由栅极线和数据线围成的区域限定。每个像素区内设置有像素元件。像素元件例如可以是像素电极或者OLED发光元件。像素元件的像素驱动电路至少包括驱动薄膜晶体管及开关薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管例如可以是图7中所示的薄膜晶体管141，开关薄膜晶体管例如可以是图7中所示的薄膜晶体管142。优选地，第一薄膜晶体管可以包括薄膜晶体管141。换言之，仅驱动薄膜晶体管141的沟道134按上述方式(也就是每个沟道在Y方向(第二方向)上的长度L等于相邻第一边界之间的间隔P，且每个沟道在在X方向(第一方向)上的长度D大约相等)设置。而开关薄膜晶体管142仍按现有技术的方式进行设置。在这样的实施例中，由于驱动薄膜晶体管141对于像素元件的像素电流影响最大，而其他薄膜晶体管(例如开关薄膜晶体管142)对像素元件的像素电流影响不大，因此仅改进驱动薄膜晶体管141的沟道134，就能够提高像素元件的显示效果，同时还能够减少制程工艺的难度。在本实施例的一个变化例中，第一薄膜晶体管还可以包括所述开关薄膜晶体管142。换言之，也就是对于开关薄膜晶体管142的沟道134也做同样的改进，进一步提高像素元件的显示效果。
在本实施例的一个变化例中，对于如图6所示的还包括第二边界132的多晶硅薄膜。设置沟道134，使得上述薄膜晶体管141的沟道134不被第二边界132穿过，这样，第二边界132的晶化缺陷区对薄膜晶体管141的沟道134不会产生影响。由于第二边界132之间的间距较大，因此，沟道134这样的设置是能够实现的。在又一变化例中，其他薄膜晶体管142的沟道134也可以同样的设置，在此不予赘述。
继续参见图9，图9示出了根据本发明另一种实施例的阵列基板示意图。图9所示的阵列基板结构与图8所示的阵列基板结构类似，与图8不同的是，沟道344为倒“W”型沟道。沟道344在Y方向上的长度L＝P，在X方向上的长度大约相等。
图7与图9仅仅是示意性地示出本发明提供的阵列基板。本领域技术人员理解，阵列基板上各元件的数量并非以此为限。并且沟道形状还可以是其他形状，例如，半圆形沟道、半椭圆形沟道、“S”型沟道、“V”型沟道、“N”型沟道或者“W”型沟道。沟道形状还可以是上述形状经旋转后的形状。沟道的形状可以根据实际需求或制程工艺进行变化，在此不予赘述。
下面结合图10及图11描述本发明提供的阵列基板的制作方法。图10示出了根据本发明实施例的阵列基板的截面图。图11示出了根据本发明实施例的阵列基板制作方法的流程图。
本发明提供的阵列基板的制造方法包括如下步骤：
步骤S401：提供基板210。
步骤S402：在基板210上形成栅极220。
步骤S403：在栅极220上形成栅绝缘层230。
步骤S404：在栅绝缘层230上形成非晶硅层。
步骤S405：采用准分子激光退火技术扫描非晶硅层形成多晶硅薄膜。
具体而言，步骤S405包括如下步骤：
利用准分子激光光束对非晶硅层的一个区域执行准分子激光退火工艺，以在基板上形成第一结晶区域。沿Y方向移动所述准分子激光光束，并对非晶硅层的另一区域再次执行准分子激光退火工艺，以形成第二结晶区域，从而在第一和第二结晶区域的边缘部分形成沿X方向延伸的第一边界。重复执行形成第二结晶区域的步骤，以形成多个结晶区域。多个结晶区域的边缘部分形成沿第一方向延伸的多条第一边界，相邻第一边界之间的间隔等于每次执行准分子激光退火工艺时，准分子激光光束沿Y步进移动的距离。
可选地，步骤S405还包括如下步骤
在第一结晶区域处沿X方向移动准分子激光光束，并对非晶硅层的另一区域再次执行准分子激光退火工艺，以形成第三结晶区域，从而在第一和第三结晶区域的边缘部分形成沿Y方向延伸的第二边界。沿Y方向移动准分子激光光束，并对非晶硅层的另一区域再次执行准分子激光退火工艺，以形成第四结晶区域，从而在第三和第四结晶区域的边缘部分形成沿X方向延伸的第一边界，以及在第二和第四结晶区域的边缘部分形成沿Y方向延伸的第二边界。重复执行形成第四结晶区域的步骤，以形成多个结晶区域。
在一些变化例中，也可以按第一结晶区域、第三结晶区域、第二结晶区域、第四结晶区域的顺序依次扫描非晶硅层。在又一些变化例中，可以按第一结晶区、第二结晶区的顺序沿Y方向依次扫描非晶硅层，并按Y方向的方向按第四结晶区域、第三结晶区域的顺序依次扫描非晶硅层。本领域技术人员可以依据实际制程步骤实现更多的扫描方式，在此不予赘述。
通过上述步骤形成的多个结晶区域构成多晶硅薄膜。
步骤S406：对多晶硅薄膜进行光刻制程形成多个第一薄膜晶体管的沟道240。每个沟道240在Y方向上的长度L＝NP，其中，N为大于0的整数，P为相邻第一边界之间的距离。
可选地，各个沟道240在X方向上的长度大约相等。
可选地，在多晶硅薄膜具有沿Y方向延伸的第二边界的实施例中，第二边界不穿过各个沟道240。
步骤S407：在对多晶硅薄膜进行刻蚀形成沟道240后，在沟道240所在的半导体层上形成源极250和漏极260。
具体而言，本实施例示意性地描述了具有底栅结构薄膜晶体管的阵列的制程步骤。本领域技术人员可以根据不同结构的薄膜晶体管实现更多制程的变化例，例如可以省略或者按需求增加某些制程步骤，在此不予赘述。
本发明还提供一种显示面板，如图12所示。图12所示的显示面板包括本发明提供的阵列基板及位于阵列基板上的显示元件280。显示元件280优选地，为OLED元件。在一些变化例中，显示元件也可以其他显示元件，例如，显示元件可以是LCD显示元件。
下面结合图12及图13描述显示面板的制作方法，显示面板的制作方法包括如下步骤：
步骤S501：按上述步骤S401至步骤S407制作阵列基板。
步骤S502：在阵列基板的源极250和漏极260上形成平坦化层270。
步骤S503：在平坦化层270上形成一开口供显示元件280的阳极281与漏极260连接。
步骤S504：形成显示元件280，显示元件280的阳极281通过上述开口与漏极260相接触。显示元件280优选地，为OLED元件。
步骤S505：在显示元件280之间形成像素定义层290。
具体而言，本实施例示意性地描述了具有OLED元件的显示面板的制程步骤。本领域技术人员可以根据不同的显示元件实现更多制程的变化例，在此不予赘述。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。该显示装置可以集成在诸如智能手机、平板电脑、计算机等电子设备中，或者该显示装置也可以是具有处理器的独立设备。本发明提供的显示装置可以被广泛地应用，在此不予赘述。
与现有技术相比，本发明通过使第一薄膜晶体管的沟道在第二方向上的长度L＝NP，各个沟道在第二方向上跨过相同数量的晶化变化的周期，使得每个第一薄膜晶体管上的晶化缺陷程度相等，提高第一薄膜晶体管的晶化均一性，进而提高第一薄膜晶体管的性能，改善显示面板由于第一薄膜晶体管性能差异所产生的水平或垂直线性云纹。
以上具体地示出和描述了本发明的示例性实施方式。应该理解，本发明不限于所公开的实施方式，相反，本发明意图涵盖包含在所附权利要求范围内的各种修改和等效置换。

Claims (16)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
多晶硅薄膜，位于所述基板上，所述多晶硅薄膜包括多条沿第一方向延伸的第一边界；以及
多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括在所述多晶硅薄膜中形成的沟道，每个所述沟道在第二方向上的长度L＝NP，其中，N为大于0的整数，P为相邻所述第一边界的间隔，所述第二方向垂直于所述第一方向。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述沟道在所述第二方向上的长度等于相邻所述第一边界之间的间隔。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅薄膜还包括一条或多条沿第二方向延伸的第二边界，所述第二边界不穿过所述沟道。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，各所述沟道在所述第一方向上的长度大约相等。
5.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
多条栅极线；
多条数据线，与多条所述栅极线交叉绝缘；
多个像素区，由所述栅极线和所述数据线围成的区域限定；
像素元件，位于所述像素区内，一个所述像素区内包括一个所述像素元件，所述像素元件的像素驱动电路至少包括驱动薄膜晶体管及开关薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管至少包含所述驱动薄膜晶体管。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括所述开关薄膜晶体管。
7.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道为直线型沟道、半圆形沟道、半椭圆形沟道、“S”型沟道、“V”型沟道、“N”型沟道及“W”型沟道中的一种。
8.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道为直线型沟道，
所述直线型沟道的延伸方向平行于所述第二方向；或者
所述直线型沟道的延伸方向与所述第二方向成角度，所成角度大于0度小于90度。
9.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一边界是由准分子激光退火工艺形成的晶化缺陷区。
10.一种显示面板，其特征在于，包括：
如权利要求1至9任一项所述的阵列基板；以及
显示元件，位于所述阵列基板之上。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。
12.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成非晶硅层；
采用多次准分子激光退火工艺，使得所述非晶硅层形成多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜包括沿第一方向延伸的多条第一边界；
形成多个第一薄膜晶体管，其中，利用所述多晶硅薄膜形成多个所述第一薄膜晶体管的沟道，每个所述沟道在第二方向上的长度L＝NP，其中，N为大于0的整数，P为相邻第一边界之间的距离，所述第二方向垂直于所述第一方向。
13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，采用准分子激光退火工艺，使得所述非晶硅层形成多晶硅薄膜包括如下步骤：
利用准分子激光光束对所述非晶硅层的一个区域执行准分子激光退火工艺，以在基板上形成第一结晶区域；
沿所述第二方向移动所述准分子激光光束，并对所述非晶硅层的另一区域再次执行准分子激光退火工艺，以形成第二结晶区域，从而在所述第一和第二结晶区域的边缘部分形成沿所述第一方向延伸的第一边界；以及
重复执行形成第二结晶区域的步骤，以形成多个结晶区域，多个结晶区域的边缘部分形成沿第一方向延伸的多条第一边界，相邻第一边界之间的间隔等于每次执行准分子激光退火工艺时，准分子激光光束沿所述第二方向移动的距离。
14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，采用准分子激光退火工艺，使得所述非晶硅层形成多晶硅薄膜还包括如下步骤：
在所述第一结晶区域处沿所述第一方向移动所述准分子激光光束，并对所述非晶硅层的另一区域再次执行准分子激光退火工艺，以形成第三结晶区域，从而在所述第一和第三结晶区域的边缘部分形成沿所述第二方向延伸的第二边界；
沿所述第二方向移动所述准分子激光光束，并对所述非晶硅层的另一区域再次执行准分子激光退火工艺，以形成第四结晶区域，从而在所述第三和第四结晶区域的边缘部分形成沿所述第一方向延伸的第一边界，以及在所述第二和第四结晶区域的边缘部分形成沿所述第二方向延伸的第二边界；
重复执行形成第四结晶区域的步骤，以形成多个结晶区域。
15.如权利要求12至14任一项所述的制造方法，其特征在于，对结晶区域执行准分子激光退火工艺时，所述准分子激光光束在所述第二方向上的长度小于所述准分子激光光束在所述第一方向上的长度。
16.如权利要求12至14任一项所述的制造方法，其特征在于，各所述沟道在所述第一方向上的长度大约相等。
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